JP2009087519A - 表面プラズモンを利用したナノパターニング方法、それを利用したナノインプリント用マスター及び離散トラック磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(a)基板上にエッチング対象物質層、フォトレジスト層及び所定周期で反復配列された構造の第1パターン形状にパターニングされた金属層を順次形成する工程と、(b)パターニングされた金属層に表面プラズモンが励起されてフォトレジスト層が第2パターン形状に露光されるように光を照射する工程と、(c)パターニングされた金属層を除去し、フォトレジスト層を現像する工程と、(d)第2パターンにパターニングされたフォトレジスト層をマスクとしてエッチング対象物質層をエッチングする工程と、を含むナノパターニング方法である。
【選択図】図2G
Description
120 エッチング対象物質層
130 反射防止膜
140 フォトレジスト層
150 金属層
160 ポリマー層
190 マスター
Claims (25)
- (a)基板上にエッチング対象物質層、フォトレジスト層及び所定周期で反復配列された構造の第1パターン形状にパターニングされた金属層を順次形成する工程と、
(b)前記パターニングされた金属層に表面プラズモンが励起されて前記フォトレジスト層が第2パターン形状に露光されるように光を照射する工程と、
(c)前記パターニングされた金属層を除去し、前記フォトレジスト層を現像する工程と、
(d)前記第2パターンにパターニングされたフォトレジスト層をマスクとして前記エッチング対象物質層をエッチングする工程と、を含むことを特徴とするナノパターニング方法。 - 前記第1パターンは、ラインパターンであることを特徴とする請求項1に記載のナノパターニング方法。
- 前記第2パターンのパターン密度は、前記第1パターンのパターン密度より高いことを特徴とする請求項1に記載のナノパターニング方法。
- 前記(a)工程は、
前記フォトレジスト層上に金属層及びポリマー層を順次形成する工程と、
前記ポリマー層に前記第1パターン形状を形成する工程と、
前記第1パターンにパターニングされたポリマー層をマスクとして前記金属層をエッチングし、前記ポリマー層を除去する工程と、を含むことを特徴とする請求項1に記載のナノパターニング方法。 - インプリントまたは電子ビームリソグラフィによって前記ポリマー層に前記第1パターン形状を形成することを特徴とする請求項4に記載のナノパターニング方法。
- 前記(a)工程は、
前記エッチング対象物質層と前記フォトレジスト層との間に反射防止膜をさらに形成することを特徴とする請求項1ないし5のうち何れか1項に記載のナノパターニング方法。 - 前記(b)工程は、
前記第1パターンが反復配列された方向に偏光された光を照射することを特徴とする請求項1ないし5のうち何れか1項に記載のナノパターニング方法。 - 前記(b)工程は、
前記第1パターンの周期より大きい波長の光を照射することを特徴とする請求項1ないし5のうち何れか1項に記載のナノパターニング方法。 - 前記波長は、前記第1パターン周期の4倍以上であることを特徴とする請求項8に記載のナノパターニング方法。
- (a)基板上にフォトレジスト層及び所定周期で反復配列された構造の第1パターン形状にパターニングされた金属層を順次形成する工程と、
(b)前記パターニングされた金属層に表面プラズモンが励起されて前記フォトレジスト層が第2パターン形状に露光されるように光を照射する工程と、
(c)前記パターニングされた金属層を除去し、前記フォトレジスト層を現像する工程と、
(d)前記第2パターンにパターニングされたフォトレジスト層をマスクとして前記基板をエッチングする工程と、を含むことを特徴とするマスターの製造方法。 - 前記第1パターンは、ラインパターンであることを特徴とする請求項10に記載のマスターの製造方法。
- 前記第2パターンのパターン密度は、前記第1パターンのパターン密度より高いことを特徴とする請求項10に記載のマスターの製造方法。
- 前記(a)工程は、
前記フォトレジスト層上に金属層及びポリマー層を順次形成する工程と、
前記ポリマー層に前記第1パターン形状を形成する工程と、
前記第1パターンにパターニングされたポリマー層をマスクとして前記金属層をエッチングし、前記ポリマー層を除去する工程と、を含むことを特徴とする請求項10に記載のマスターの製造方法。 - インプリントまたは電子ビームリソグラフィによって前記ポリマー層に前記第1パターン形状を形成することを特徴とする請求項13に記載のマスターの製造方法。
- 前記(b)工程は、
前記第1パターンが反復配列された方向に偏光された光を照射することを特徴とする請求項10ないし14のうち何れか1項に記載のマスターの製造方法。 - 前記(b)工程は、
前記第1パターンの周期より大きい波長の光を照射することを特徴とする請求項10ないし14のうち何れか1項に記載のマスターの製造方法。 - 前記波長は、前記第1パターン周期の4倍以上であることを特徴とする請求項16に記載のマスターの製造方法。
- (a)基板上に下地層、記録層、フォトレジスト層及び同心円をなすラインパターンが所定周期で反復配列された構造の第1パターン形状にパターニングされた金属層を順次形成する工程と、
(b)前記パターニングされた金属層に表面プラズモンが励起されて前記フォトレジスト層が第2パターン形状に露光されるように光を照射する工程と、
(c)前記パターニングされた金属層を除去し、前記フォトレジスト層を現像する工程と、
(d)前記第2パターンにパターニングされたフォトレジスト層をマスクとして前記記録層をエッチングする工程と、を含むことを特徴とする離散トラック磁気記録媒体の製造方法。 - 前記第2パターンのパターン密度は、前記第1パターンのパターン密度より高いことを特徴とする請求項18に記載の離散トラック磁気記録媒体の製造方法。
- 前記(a)工程は、
前記フォトレジスト層上に金属層及びポリマー層を順次形成する工程と、
前記ポリマー層に前記第1パターン形状を形成する工程と、
前記第1パターンにパターニングされたポリマー層をマスクとして前記金属層をエッチングし、前記ポリマー層を除去する工程と、を含むことを特徴とする請求項18に記載の離散トラック磁気記録媒体の製造方法。 - インプリントまたは電子ビームリソグラフィによって前記ポリマー層に前記第1パターン形状を形成することを特徴とする請求項20に記載の離散トラック磁気記録媒体の製造方法。
- 前記(b)工程は、
前記第1パターンが反復配列された方向に偏光された光を照射することを特徴とする請求項18ないし21のうち何れか1項に記載の離散トラック磁気記録媒体の製造方法。 - 前記基板を、前記同心円の軸を回転軸として回転駆動しつつ、前記第1パターンが反復配列された方向の偏光軸を有する偏光板を通じて光を照射することを特徴とする請求項22に記載の離散トラック磁気記録媒体の製造方法。
- 前記偏光板を、前記同心円の半径方向に沿って動くように駆動して光を照射することを特徴とする請求項23に記載の離散トラック磁気記録媒体の製造方法。
- 前記(b)工程は、
前記第1パターン周期より大きい波長の光を照射することを特徴とする請求項18ないし21のうち何れか1項に記載の離散トラック磁気記録媒体の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2007-0098901 | 2007-10-01 | ||
KR1020070098901A KR101452257B1 (ko) | 2007-10-01 | 2007-10-01 | 표면 플라즈몬을 이용한 나노 패터닝 방법, 이를 이용한나노 임프린트용 마스터 및 이산 트랙 자기기록매체의제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009087519A true JP2009087519A (ja) | 2009-04-23 |
JP5345812B2 JP5345812B2 (ja) | 2013-11-20 |
Family
ID=40085599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008218751A Expired - Fee Related JP5345812B2 (ja) | 2007-10-01 | 2008-08-27 | 表面プラズモンを利用したナノパターニング方法、それを利用したナノインプリント用マスター及び離散トラック磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7998661B2 (ja) |
EP (1) | EP2045659A1 (ja) |
JP (1) | JP5345812B2 (ja) |
KR (1) | KR101452257B1 (ja) |
CN (3) | CN102759853A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011071237A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
WO2011108259A1 (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-09 | 国立大学法人北海道大学 | フォトレジストパターンの作製方法 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL1036787A1 (nl) * | 2008-05-14 | 2009-11-17 | Asml Holding Nv | Lithographic method. |
US8264788B2 (en) * | 2009-02-23 | 2012-09-11 | Seagate Technology Llc | Discrete track media (DTM) design and fabrication for heat assisted magnetic recording (HAMR) |
KR101340782B1 (ko) * | 2009-09-04 | 2013-12-11 | 주식회사 엘지화학 | 패턴 형성 방법 |
KR101338117B1 (ko) * | 2009-10-29 | 2013-12-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR101649696B1 (ko) * | 2009-10-29 | 2016-08-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR101640814B1 (ko) * | 2009-10-30 | 2016-07-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표면 플라즈몬을 이용한 컬러필터 및 액정표시장치 |
KR101313654B1 (ko) * | 2009-12-18 | 2013-10-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표면 플라즈몬을 이용한 컬러필터와 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR101272052B1 (ko) * | 2009-12-18 | 2013-06-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표면 플라즈몬을 이용한 컬러필터 및 액정표시장치의 제조방법 |
KR101274591B1 (ko) * | 2009-12-18 | 2013-06-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표면 플라즈몬을 이용한 컬러필터와 액정표시장치 및 그 제조방법 |
US8728720B2 (en) | 2010-06-08 | 2014-05-20 | The Regents Of The University Of California | Arbitrary pattern direct nanostructure fabrication methods and system |
KR20120079734A (ko) * | 2011-01-05 | 2012-07-13 | 삼성전자주식회사 | 나노임프린트용 스탬프 제조방법 |
KR20140030382A (ko) | 2012-08-27 | 2014-03-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102009347B1 (ko) | 2012-11-06 | 2019-10-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 노광용 포토마스크 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
KR102300258B1 (ko) * | 2014-02-19 | 2021-09-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표면 플라즈몬 식각 공정을 이용한 패턴 형성방법 |
KR101777852B1 (ko) * | 2015-09-24 | 2017-09-13 | 한국표준과학연구원 | 투명기판의 제조방법 및 이를 이용한 표면증강 라만산란 기판의 제조방법 |
US10211072B2 (en) * | 2017-06-23 | 2019-02-19 | Applied Materials, Inc. | Method of reconstituted substrate formation for advanced packaging applications |
KR102633533B1 (ko) * | 2018-11-09 | 2024-02-06 | 주식회사 엘지화학 | 파라데이 상자를 이용한 플라즈마 식각 방법 |
US11670337B1 (en) | 2021-12-02 | 2023-06-06 | Seagate Technology Llc | Discrete track magnetic recording for EAMR |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001308002A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-11-02 | Canon Inc | フォトマスクを用いたパターン作製方法、及びパターン作製装置 |
JP2003100600A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Sharp Corp | レジストパターン形成方法 |
JP2004235574A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Japan Science & Technology Agency | レジストパターン形成方法、デバイスの作製方法 |
JP2005039203A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-02-10 | Canon Inc | 露光用マスク、露光用マスクの設計方法及び製造方法、露光方法及び装置、パターン形成方法、デバイスの作製方法 |
JP2005085922A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Canon Inc | マスク作製方法及び微小開口を有するマスク |
JP2005101394A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Canon Inc | 近接場光の発生方法、近接場露光用マスク、近接場露光方法、近接場露光装置、近接場光ヘッド、近接場光学顕微鏡、記録・再生装置 |
JP2005217390A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Samsung Electronics Co Ltd | ナノ構造の形成方法 |
JP2005303197A (ja) * | 2004-04-15 | 2005-10-27 | Ricoh Co Ltd | 微細構造形成方法 |
JP2007501391A (ja) * | 2003-08-06 | 2007-01-25 | ユニバーシティー オブ ピッツバーグ | 表面プラズモンを増強するナノ光学素子及びこの製造方法 |
JP2007066475A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体用基板および磁気記録媒体、磁気記録装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050099888A (ko) * | 2004-04-12 | 2005-10-17 | 엘지전자 주식회사 | 나노 와이어 제조 방법 |
KR100791574B1 (ko) * | 2004-05-10 | 2008-01-03 | 막스-보른 인스티튜트 푸트 니히트리네아데 옵틱 운트 쿠르짜이트쉬펙트로시코피 | 표면 플라즈몬 광학장치 및 포토리소그라피용 빛방출표면플라즈몬 소스 |
US20070069429A1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-03-29 | Albrecht Thomas R | System and method for patterning a master disk for nanoimprinting patterned magnetic recording disks |
CN1775658A (zh) * | 2005-12-15 | 2006-05-24 | 中国科学院光电技术研究所 | 表面等离子体微纳结构成形方法 |
KR100738096B1 (ko) * | 2006-01-10 | 2007-07-12 | 삼성전자주식회사 | 열보조 자기기록헤드 및 그 제조방법 |
JP5549104B2 (ja) * | 2008-05-29 | 2014-07-16 | 株式会社リコー | 発光装置、光走査装置及び画像形成装置 |
-
2007
- 2007-10-01 KR KR1020070098901A patent/KR101452257B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-03-14 US US12/048,421 patent/US7998661B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-04 CN CN2012101926658A patent/CN102759853A/zh active Pending
- 2008-08-04 CN CN2012101928827A patent/CN102759854A/zh active Pending
- 2008-08-04 CN CN2008101452532A patent/CN101403854B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-06 EP EP08161946A patent/EP2045659A1/en not_active Withdrawn
- 2008-08-27 JP JP2008218751A patent/JP5345812B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001308002A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-11-02 | Canon Inc | フォトマスクを用いたパターン作製方法、及びパターン作製装置 |
JP2003100600A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Sharp Corp | レジストパターン形成方法 |
JP2004235574A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Japan Science & Technology Agency | レジストパターン形成方法、デバイスの作製方法 |
JP2005039203A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-02-10 | Canon Inc | 露光用マスク、露光用マスクの設計方法及び製造方法、露光方法及び装置、パターン形成方法、デバイスの作製方法 |
JP2007501391A (ja) * | 2003-08-06 | 2007-01-25 | ユニバーシティー オブ ピッツバーグ | 表面プラズモンを増強するナノ光学素子及びこの製造方法 |
JP2005085922A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Canon Inc | マスク作製方法及び微小開口を有するマスク |
JP2005101394A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Canon Inc | 近接場光の発生方法、近接場露光用マスク、近接場露光方法、近接場露光装置、近接場光ヘッド、近接場光学顕微鏡、記録・再生装置 |
JP2005217390A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Samsung Electronics Co Ltd | ナノ構造の形成方法 |
JP2005303197A (ja) * | 2004-04-15 | 2005-10-27 | Ricoh Co Ltd | 微細構造形成方法 |
JP2007066475A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体用基板および磁気記録媒体、磁気記録装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011071237A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
US8419950B2 (en) | 2009-09-24 | 2013-04-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern forming method |
WO2011108259A1 (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-09 | 国立大学法人北海道大学 | フォトレジストパターンの作製方法 |
US8895235B2 (en) | 2010-03-02 | 2014-11-25 | National University Corporation Hokkaido University | Process for production of photoresist pattern |
JP5652887B2 (ja) * | 2010-03-02 | 2015-01-14 | 国立大学法人北海道大学 | フォトレジストパターンの作製方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102759853A (zh) | 2012-10-31 |
CN101403854B (zh) | 2012-08-08 |
JP5345812B2 (ja) | 2013-11-20 |
US7998661B2 (en) | 2011-08-16 |
US20090087793A1 (en) | 2009-04-02 |
CN102759854A (zh) | 2012-10-31 |
KR101452257B1 (ko) | 2014-10-24 |
EP2045659A1 (en) | 2009-04-08 |
CN101403854A (zh) | 2009-04-08 |
KR20090033726A (ko) | 2009-04-06 |
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