JP2005101394A - 近接場光の発生方法、近接場露光用マスク、近接場露光方法、近接場露光装置、近接場光ヘッド、近接場光学顕微鏡、記録・再生装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光の波長以下のサイズの微小開口に光を照射して、該微小開口の光射出側の開口部近傍に微小な光スポットを形成する近接場光の発生方法、近接場露光方法、近接場露光装置等において、前記光スポットの形成に当たり、前記微小開口を縦横サイズが異なる矩形形状とし、該矩形形状の開口によって縦横サイズがほぼ同等の光スポットが形成可能な構成とする。
【選択図】 図1
Description
このように微細化が進む光リソグラフィーであるが、0.1μm以下の微細加工を行うためには、レーザのさらなる短波長化、その波長域でのレンズ開発等解決しなければならない課題も多い。
このような手段として、例えば、特許文献1のような近接場プローブを構成し、金属パターンに発生する局在プラズモンを用いて近接場を発生させ微細加工を行う方法等が提案されているが、このような方法では1本または数本の加工プローブで一筆書きのように微細加工を行っていく構成であることから、スループットを向上させるという点で、満足の行くものではなかった。
これに対して、例えば、特許文献2のような、光波長以下の微小な開口パターンを有する光マスクに対してプリズムを設け、全反射の角度で光を入射させ、全反射面から滲み出るエバネッセント光を用いて光マスクのパターンをレジストに対して一括して転写するという提案がなされている。
そこで、本発明は上記課題を解決し、高効率に近接場光を発生させることができ、また、より強度の高い近接場光を発生させることが可能となる近接場光の発生方法、近接場露光用マスク、近接場露光方法、近接場露光装置、近接場光ヘッド、近接場光学顕微鏡、記録・再生装置を提供することを目的とするものである。
すなわち、本発明の近接場光の発生方法は、光の波長以下のサイズの微小開口に光を照射して、該微小開口の光射出側の開口部近傍に微小な光スポットを形成する近接場光の発生方法であって、前記光スポットの形成に当たり、前記微小開口を縦横サイズが異なる矩形形状とし、該矩形形状の開口によって縦横サイズがほぼ同等の光スポットを形成することを特徴としている。
また、本発明の近接場光の発生方法は、前記光スポットのサイズが、前記矩形形状の開口の短辺側のサイズによって定まるようにすることができる。
また、本発明の近接場光の発生方法は、前記微小開口を、前記矩形形状の開口とスリット状の開口とで形成することができる。
また、本発明の近接場露光用マスクは、マスク母材上の遮光層に、露光に用いる光の波長以下のサイズの微小開口を有する近接場露光用マスクであって、前記微小開口は、その開口の縦横比が異なる矩形形状の開口で構成され、該開口の縦横比が該開口によって転写されるパターンの縦横サイズをほぼ同じ大きさに転写できる縦横比とされていることを特徴ととしている。その際、前記微小開口を、前記矩形形状の開口とスリット状の開口とで構成することができる。
また、本発明の近接場露光方法は、上記したいずれかに記載の近接場光の発生方法、または上記したいずれかに記載の近接場露光用マスクを用い、被露光物を露光することを特徴としている。
また、本発明の近接場露光方法は、上記したいずれかに記載の近接場露光用マスクと、被露光光源を備え、被露光物を露光することを特徴としている。
また、本発明の近接場光を発生させる手段を有する近接場光ヘッドは、その近接場光を発生させる手段が、光の波長以下の矩形形状の微小開口、または矩形形状の開口とスリット状の開口を備え、これらの微小開口の光射出側の開口部近傍に形成される微小な光スポットとして、該矩形形状の開口によって縦横のサイズがほぼ同等のサイズの光スポットを形成することを特徴としている。
また、本発明の近接場光学顕微鏡は、上記した近接場光ヘッドを有し、試料の表面観察を行うことを特徴としている。
また、本発明の記録・再生装置は、上記した近接場光ヘッドを有し、記録媒体に対して記録・再生を行うことを特徴としている。
図1に本実施の形態における近接場露光用フォトマスクの構成を示す。図1において、近接場露光用フォトマスクは、光源波長に対して透明なマスク母材101上に、膜厚tの金属膜102を設け、この金属膜に波長以下のサイズの矩形形状の微小開口パターン104および、波長以下の幅のスリット状の微小開口105を配置したものである。マスク母材101は、膜厚が0.1〜100μmの薄膜からなっており、支持体である基板103に支持されている。
このマスクは、後に述べるように、基板に塗布した薄膜レジストに密着させて、これに母材側から光を照射して、パターンを露光する際に用いるものである。
ここでの計算は、SiN上に厚さ50nmのCr膜を設けたマスクを、十分厚いフォトレジストに密着した状態を前提としている。光源の波長は真空中で436nmのg線とした。また、直交する二つの偏光方向それぞれに、独立に計算した結果の光強度を加算して表示している。マスクは、Crによる遮光膜に微小開口を形成したものを用いた。
図中の実線は、入射光強度を1とした場合の、強度0.3の等強度線である。レジスト内の深さ20nmでは、x方向に50nm、y方向に40nmの広がりを有する近接場分布となっていることがわかる。また、図中破線は、矩形形状の開口と共に配置した幅40nmのスリット状開口断面での近接場分布において、強度0.3に相当する等強度線である。
図2(b)には、上記図2(a)の構成と比較する例としての40nm×40nmのサイズに形成した正方形形状の開口の近傍における近接場分布を示す。
正方形形状の開口近傍での近接場は、矩形形状の開口近傍の近接場よりも弱いので、ここでは、入射光強度を1とした場合の、強度0.15の等強度線を示している。この等強度線がレジスト内の深さ25nmに到達する程度である。スポットのサイズとしては、レジスト内の深さ20nmのところで、50nm×50nmのスポットとなることが分かる。
また、図中破線は、正方形形状の開口と共に配置した幅40nmのスリット状開口断面での近接場分布において、強度0.15に相当する等強度線であり、マスク表面に沿う方向に、広がったプロファイルとなることがわかる。
一つは、微小開口近傍の近接場光の分布強度は、正方形形状の開口より矩形形状の開口の方が強いということである。
レジスト中に20nmまで到達する所望の大きさの潜像を形成することを基準として露光条件を選定して、矩形形状の開口をレジスに対して用いた場合、強度0.3の等強度線がレジストの溶解・非溶解の境目となるような露光時間を用いれば良いことが分かる。また、このような露光時間によりスリット状の微小開口においても、深さ20nmでの線幅80nmのラインパターンが良好に形成できる。さらに、スポットと同等の線幅のラインパターンとするためには、スリット状の微小開口の幅を更に狭めればよい。具体的には30nm幅でスリット状開口を形成すると、レジスト内の深さ20nmのところで線幅が50nmのラインパターンを形成することができる。
図3に、本発明の実施例1における近接場露光装置の構成を示す。近接場露光装置では、上記した本発明の実施の形態で説明した図1のような孤立した矩形のホールと、波長よりも長いスリット状のラインパターンの混在した近接場露光用フォトマスクが用いられており、図3において301で示されている。この近接場露光用フォトマスク301は、弾性体で構成されたマスク母材の上に成膜され遮光膜に上記したパターンが形成された構成を有している。なお、ここでマスクの「おもて面」とは、マスクの遮光膜が設けられた面をいい(図3では下側)、「裏面」(図3では上側)とは、その反対側をいう。
基板306の表面にレジスト膜307を形成したもの((以下、これをレジスト307/基板306と記す))を被露光物とする。レジスト307/基板306をステージ308上に取り付け、ステージ308を駆動して、フォトマスク301に対して基板306のマスク面内2次元方向の相対位置合わせを行う。
この密着に際して、圧力調整手段313によって圧力調整容器305内の圧力を調整して、エバネッセント光露光用マスク301のおもて面と基板306上のレジスト307との間隔が全面にわたって、100nm以下になるように両者を密着させる。
この後、露光光源309から出射される露光光をコリメーターレンズ311で平行光にした後、ガラス窓312を通し、圧力調整容器305内に導入し、エバネッセント光露光用マスク301に対して裏面から照射する。このとき、フォトマスク301おもて面の微小開口の近くに生じる近接場でレジスト307の露光を行う。
マスクのパターンは、図1に示したように、孤立した矩形のホールと、波長よりも長いスリット状のラインパターンの混在したものである。矩形の形状を、短辺40nm、長辺60nmとし、また、スリット幅は30nmとしている。
図4(a)に示すように、両面研磨された厚さ500μmのSi(100)基板401に対し、LP−CVD法を用い、おもて面(図4中では上面)・裏面(図4中では下面)にそれぞれ、膜厚0.8μmのマスク母材となるSiN膜402・エッチング窓とするSiN膜403を成膜する。その後、水晶振動子による膜厚モニターにより制御を行いながら、蒸着法により表面のSiN膜402上に膜厚70nmのCr薄膜404を成膜する。
続いて、裏面のSiN膜403の一部を除去してエッチング用の窓409を形成した(図4(c))。KOHを用いて裏面から異方性エッチングを行ってSi基板401を除去して、SiN膜402とCr膜404からなるマスク410を形成する(図4(d))。
ここで、レジスト207の材料としては、通常の半導体プロセスに用いられるフォトレジスト材料を選択すれば良い。これらのレジスト材料に対して露光可能な光波長はおおむね200〜500nmの範囲にあるが、特に350〜450nmの範囲にあるg線・i線対応のフォトレジストを選択すれば、種類も多く、比較的安価であるため、プロセス自由度も高く、コストが低減できる。
図5(a)にフォトマスクと被露光物を示す。ここでのフォトマスク504は、図3で説明したフォトマスクと同様のフォトマスクである。
Si基板501上に、ポジ型フォトレジストをスピンコータで塗布する。その後、120℃で30分加熱して1層目502とする。1層目の膜厚は400nmとした。つぎに、この上に、Si含有ネガ型フォトレジストを塗布後、プリベークしてこれを2層目503とする。2層目の膜厚は、20nmとなるようにして、2層構造のフォトレジストとした。
フォトマスクを介して露光用光505を照射して、フォトマスク504上のパターンをフォトレジスト層503に露光する(図5(b))。その後、フォトマスクをフォトレジスト表面から離し、フォトレジストの現像、ポストベークを行い、フォトマスク上のパターンをレジストパターンとして転写した。(図5(c))。
以上のような手順で、フォトマスク上の様々なパターンを基板501上にはっきりとしたコントラストのレジストパターンとして転写することができる。
図6に、本発明の実施例2における光ヘッドの構成を示す。
図6において、601は、光磁気ディスクまたは、微小ピット、相変化記録などの光ディスクである。602はスライダであり、アーム(不図示)によってディスク601から所定の間隔だけ浮上して保持される。ここで、所定の間隔とは、概ね近接場光源の開口のサイズ以下である。スライダ602は、アクチュエータ(不図示)によって光ディスク601上の所定の範囲を往復運動する。スライダ602上には、近接場光源となる本発明の近接場プローブ603が搭載されている。
ここで、本願の近接場プローブ603はガラス基板上に形成した金属薄膜膜604に、矩形状の微小開口605を形成したものである。開口サイズは80nm×120nmとなっている。開口サイズ80nm×80nmの開口を用いた場合と比べて、近接場光スポットのサイズをほとんど増大させることなく、1.5倍の光強度を得られ、効率的な光ヘッドとなった。
また、光ヘッド近傍に磁気記録ヘッドを配して、近接場光のエネルギーによって局所的に記録媒体を加熱昇温させて、磁気書き込みを容易にする、光アシスト磁気記録ヘッドを構成することもできる。
また、光ディスクに記録するための光源としての光ヘッドは、照明モードの近接場光学顕微鏡としての利用もできる。光ディスクから読み出すための光源としての光ヘッドは、照明/集光モードの近接場光学顕微鏡としての利用も可能である。
この場合は、試料を設置して試料の2次元的走査を可能にする試料ステージと、近接場光源を試料近傍まで近づけるプローブ駆動系(より具体的にはカンチレバー、ピエゾアクチュエータなどから構成され、近接場光源と試料の距離を制御する)によって、近接場光学顕微鏡装置を構成する。
102:金属膜
103:基板
104:矩形形状の微小開口パターン
105:スリット状微小開口パターン
301:フォトマスク
305:圧力容器
306:基板
307:レジスト
308:ステージ
309:露光光源
311:コリメータレンズ
312:ガラス窓
313:圧力調整手段
401:Si基板
402、403:SiN薄膜
404:Cr薄膜
405:電子線用のレジスト
406:電子線ビーム
407:描画パターン
408:微小開口パターン
409:エッチング用の窓
410:薄膜状のマスク
501:Si基板
502:レジスト層1層目
503:レジスト層2層目
504:フォトマスク
505:露光用光
601:光ディスク
602:スライダ
603:近接場プローブ
604:金属薄膜
605:微小開口
Claims (10)
- 光の波長以下のサイズの微小開口に光を照射して、該微小開口の光射出側の開口部近傍に微小な光スポットを形成する近接場光の発生方法であって、
前記光スポットの形成に当たり、前記微小開口を縦横サイズが異なる矩形形状とし、該矩形形状の開口によって縦横サイズがほぼ同等の光スポットを形成することを特徴とする近接場光の発生方法。 - 前記光スポットのサイズが、前記矩形形状の開口の短辺側のサイズによって定まることを特徴とする請求項1に記載の近接場光の発生方法。
- 前記微小開口が、前記矩形形状の開口とスリット状の開口とで形成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の近接場光の発生方法。
- マスク母材上の遮光層に、露光に用いる光の波長以下のサイズの微小開口を有する近接場露光用マスクであって、
前記微小開口は、その開口の縦横比が異なる矩形形状の開口で構成され、該開口の縦横比が該開口によって転写されるパターンの縦横サイズをほぼ同じ大きさに転写できる縦横比とされていることを特徴とする近接場露光用マスク。 - 前記微小開口は、前記矩形形状の開口とスリット状の開口とで構成されていることを特徴とする請求項4に記載の近接場露光用マスク。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の近接場光の発生方法、または請求項4〜5のいずれかに記載の近接場露光用マスクを用い、被露光物を露光することを特徴とする近接場露光方法。
- 請求項4〜5のいずれかに記載の近接場露光用マスクと、被露光光源を備え、被露光物を露光することを特徴とする近接場露光装置。
- 近接場光を発生させる手段を有する近接場光ヘッドであって、
前記近接場光を発生させる手段が、光の波長以下の矩形形状の微小開口、または矩形形状の開口とスリット状の開口を備え、これらの微小開口の光射出側の開口部近傍に形成される微小な光スポットとして、該矩形形状の開口によって縦横のサイズがほぼ同等のサイズの光スポットを形成することを特徴とする近接場光ヘッド。 - 請求項8に記載の近接場光ヘッドを有し、試料の表面観察を行うことを特徴とする近接場光学顕微鏡。
- 請求項8に記載の近接場光ヘッドを有し、記録媒体に対して記録・再生を行うことを特徴とする記録・再生装置。
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