WO2011145610A1 - インプリントシステム、インプリント方法及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents

インプリントシステム、インプリント方法及びコンピュータ記憶媒体 Download PDF

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WO2011145610A1
WO2011145610A1 PCT/JP2011/061302 JP2011061302W WO2011145610A1 WO 2011145610 A1 WO2011145610 A1 WO 2011145610A1 JP 2011061302 W JP2011061302 W JP 2011061302W WO 2011145610 A1 WO2011145610 A1 WO 2011145610A1
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WO
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template
processing station
imprint
substrate
resist film
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/061302
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English (en)
French (fr)
Inventor
正一 寺田
幸吉 広城
孝典 西
高広 北野
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東京エレクトロン株式会社
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Publication date
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/56—Coatings, e.g. enameled or galvanised; Releasing, lubricating or separating agents
    • B29C33/58—Applying the releasing agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping

Definitions

  • the present invention relates to an imprint system for forming a predetermined resist pattern on a substrate using a template having a transfer pattern formed on the surface, an imprint method using the imprint system, and a computer storage medium.
  • a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) is subjected to a photolithography process to form a predetermined resist pattern on the wafer. Then, using the resist pattern as a mask, an etching process is performed on the film to be processed on the wafer, and then a resist film removing process or the like is performed to form a predetermined pattern of the film to be processed.
  • the resist pattern When forming the above-described resist pattern, the resist pattern is required to be miniaturized in order to further increase the integration of the semiconductor device.
  • the limit of miniaturization in the photolithography process is about the wavelength of light used for the exposure process. For this reason, it has been advancing to shorten the wavelength of exposure light.
  • the wavelength of the exposure light source there are technical and cost limitations to shortening the wavelength of the exposure light source, and it is difficult to form a fine resist pattern on the order of several nanometers, for example, only by the method of advancing the light wavelength. is there.
  • a template having a fine pattern on the surface (sometimes referred to as a mold or a mold) is pressed onto the surface of a resist film formed on a wafer, then peeled off, and directly patterned on the surface of the resist film. Transfer is performed (Patent Document 1).
  • the processing time required for each wafer differs between the process of forming another resist film and the imprint process.
  • the other resist film is formed, for example, by applying a coating solution on a wafer and baking the coating solution.
  • the processing time required for one wafer is short, and in the current apparatus, for example, another resist film can be formed on 200 wafers per hour.
  • the imprint process after a resist film is formed on the wafer, the template pattern is transferred to the resist film a plurality of times, for example, 100 times. For this reason, the processing time required for one wafer is long, and the current apparatus has a limit of performing imprint processing on, for example, 20 wafers per hour.
  • the present invention has been made in view of such a point, and an object thereof is to form a predetermined resist pattern on a substrate appropriately and efficiently using a template.
  • the present invention provides an imprint system for forming a predetermined resist pattern on a substrate using a template having a transfer pattern formed on the surface, wherein the first resist film is formed on the substrate.
  • a template processing station having a release agent processing block for forming a release agent on the surface of the template, and a second resist film on the substrate on which the first resist film is formed
  • a plurality of imprint units are arranged to transfer a template transfer pattern on which the release agent is formed to the second resist film to form a predetermined resist pattern on the second resist film,
  • An imprint processing station connected to the substrate processing station and the template processing station; and the substrate processing station. Connected to tio down, it has a station out substrate loading to transfer substrates into and out of the said substrate processing station, connected to the template processing station, and the station exit template carrying loading and unloading the template to the template processing station, the.
  • the imprint processing station forms a second resist film and a predetermined resist pattern (hereinafter sometimes referred to as “imprint processing”).
  • imprint processing a predetermined resist pattern
  • a plurality of imprint units to be performed are arranged. Therefore, the first resist film can be formed on the plurality of substrates at the substrate processing station, and the plurality of substrates on which the first resist film is formed can be continuously transferred from the substrate processing station to the imprint processing station.
  • the template processing station is connected to the imprint processing station, a plurality of templates on which a release agent is formed can be continuously conveyed from the template processing station to the imprint processing station.
  • imprint processing for each substrate using each template can be performed in parallel in each imprint unit.
  • the substrate can be processed properly continuously without stopping the processing of the substrate in the substrate processing station. Therefore, a predetermined resist pattern can be appropriately and efficiently formed on the substrate.
  • the present invention provides an imprint method for forming a predetermined resist pattern on a substrate using a template having a transfer pattern formed on a surface thereof in the imprint system, wherein the imprint system includes a substrate.
  • a second resist film is formed thereon, and a template transfer pattern on which the release agent is formed is transferred to the second resist film to form a predetermined resist pattern on the second resist film.
  • a plurality of print units are arranged, and are connected to the substrate processing station and the template processing station.
  • a substrate processing station a substrate loading / unloading station connected to the substrate processing station for loading / unloading a substrate, and a template loading / unloading station connected to the template processing station for loading / unloading a template to / from the template processing station.
  • the plurality of substrates on which the first resist film is formed are continuously conveyed from the template processing station to the imprint processing station to the imprint processing station. Ten Rate was continuously conveyed, in the imprint processing station, forming a predetermined resist pattern for each substrate using the template is performed in parallel with each imprint unit.
  • a readable computer storage storing a program that operates on a computer of a control unit that controls the imprint system.
  • a medium is provided.
  • a predetermined resist pattern can be appropriately and efficiently formed on a substrate using a template.
  • a state in which the resist film is photopolymerized is shown, (h) shows a state in which a resist pattern is formed on the wafer, and (i) shows a state in which the remaining film on the wafer is removed.
  • FIG. 1 is a plan view showing an outline of a configuration of an imprint system 1 according to the present embodiment.
  • 2 to 4 are side views showing an outline of the configuration of the imprint system 1.
  • FIG. 1 is a plan view showing an outline of a configuration of an imprint system 1 according to the present embodiment.
  • 2 to 4 are side views showing an outline of the configuration of the imprint system 1.
  • a template T having a rectangular parallelepiped shape and having a predetermined transfer pattern C formed on the surface is used as shown in FIG.
  • the transfer pattern C means the side of the template T which is formed with the surface T 1, the surface T 1 opposite to the surface of the backside T 2.
  • a transparent material that can transmit visible light, near ultraviolet light, ultraviolet light, or the like, such as glass, is used.
  • the imprint system 1 carries in and out a plurality of, for example, 25 wafers W as a substrate between the outside and the imprint system 1 in a cassette unit, or the wafer W with respect to the wafer cassette CW.
  • An imprint processing station 4 having a plurality of imprint units for forming a predetermined resist pattern on W, a template processing station 5 having a plurality of processing units for performing predetermined processing on the template T, and a plurality of, for example, five templates T in cassette unit and external and imprint system 1
  • transferring, between a template unloading station 6 or transferring, the template T with respect to the template cassette C T has a structure obtained by connecting together.
  • the wafer carry-in / out station 2, the wafer processing station 3, the imprint processing station 4, the template processing station 5, and the template carry-in / out station 6 are arranged in this order in the Y direction (left and right direction in FIG. 1).
  • the wafer loading / unloading station 2 is provided with a cassette mounting table 10.
  • the cassette mounting table 10 can mount a plurality of wafer cassettes CW in a row in the X direction (vertical direction in FIG. 1). That is, the wafer carry-in / out station 2 is configured to be capable of holding a plurality of wafers W.
  • a film to be processed (not shown) to be etched is formed in advance on the wafer W in the wafer cassette CW .
  • the wafer carry-in / out station 2 is provided with a wafer carrier 12 that can move on a conveyance path 11 extending in the X direction.
  • the wafer transfer body 12 can be expanded and contracted in the horizontal direction and can also move in the vertical direction and the vertical direction ( ⁇ direction), and can transfer the wafer W between the wafer cassette CW and the wafer processing station 3.
  • the wafer processing station 3 is provided with a transfer unit 20 at the center thereof.
  • a transfer unit 20 at the center thereof.
  • four processing blocks G1 to G4 in which various processing units are arranged in multiple stages are arranged.
  • the first processing block G1 and the second processing block G2 are sequentially arranged from the wafer carry-in / out station 2 side.
  • a third processing block G3 and a fourth processing block G4 are arranged in this order from the wafer carry-in / out station 2 side on the back side of the processing station 3 (the positive side in the X direction in FIG. 1).
  • a transition unit 21 for transferring the wafer W is disposed on the wafer carry-in / out station 2 side of the wafer processing station 3.
  • a transition unit 22 for delivering the wafer W and a buffer cassette 23 for temporarily storing the wafer W are arranged on the imprint processing station 4 side of the wafer processing station 3.
  • the transfer unit 20 has a transfer arm that holds and transfers the wafer W and is movable in the horizontal direction, the vertical direction, and the vertical direction.
  • the transfer unit 20 can transfer the wafer W to various processing units, transition units 21 and 22, and a buffer cassette 23, which will be described later, arranged in the processing blocks G1 to G4.
  • the first processing block G1 includes a plurality of liquid processing units, for example, resist coating units 30, 31 as coating units for coating a first resist liquid as a coating liquid on the wafer W. Are stacked in two stages. Similarly, in the second processing block G2, resist coating units 32 and 33 are stacked in two stages in order from the bottom. In addition, chemical chambers 34 and 35 for supplying various processing liquids to the liquid processing unit are provided at the lowermost stages of the first processing block G1 and the second processing block G2, respectively.
  • liquid processing units for example, resist coating units 30, 31 as coating units for coating a first resist liquid as a coating liquid on the wafer W.
  • resist coating units 32 and 33 are stacked in two stages in order from the bottom.
  • chemical chambers 34 and 35 for supplying various processing liquids to the liquid processing unit are provided at the lowermost stages of the first processing block G1 and the second processing block G2, respectively.
  • temperature adjusting units 40 and 41 for adjusting the temperature of the wafer W, and heating units 42 and 43 for heating the wafer W are stacked in four stages in order from the bottom. Yes.
  • temperature control units 50 and 51 and heating units 52 and 53 for heating the wafer W are sequentially stacked in four stages from the bottom.
  • the imprint processing station 4 two rows of imprint blocks E1 and E2 are arranged as shown in FIG.
  • the first imprint block E1 is disposed on the front side of the imprint processing station 4 (X direction negative direction side in FIG. 1), and the second imprint block E2 is on the back side of the imprint processing station 4 (in FIG. 1). (X direction positive direction side).
  • a transfer area E3 for transferring the wafer W and the template T is formed between the two rows of imprint blocks E1 and E2.
  • the first imprint block E1 a plurality of, for example, five imprint units 60 are arranged in the Y direction. Further, a transition unit 61 that transfers the wafer W and the template T is disposed on the transfer area side E3 of each imprint unit 60.
  • a plurality of, for example, five imprint units 60 and transition units 61 are also arranged in the Y direction in the second imprint block E2.
  • the number of imprint units 60 is set based on the processing time in the wafer processing station 3 and the processing time of the imprint unit 60. That is, the wafer processing station 3 can perform wafer processing on, for example, 200 wafers W per hour. On the other hand, in the imprint unit 60, for example, imprint processing is performed on 20 wafers W per hour. Therefore, in the present embodiment, ten imprint units 60 are provided in the imprint processing station 4.
  • a wafer transfer unit 70 that holds and transfers the wafer W and a template transfer unit 71 that holds and transfers the template T are provided. Wafer transfer unit 70 and template transfer unit 71 are arranged so as not to interfere with each other.
  • the wafer transfer unit 70 has, for example, a transfer arm that can be expanded and contracted in the horizontal direction and that is also movable in the vertical direction and around the vertical direction ( ⁇ direction).
  • the wafer transfer unit 70 moves in the transfer area E3 and can transfer the wafer W between the wafer processing station 3 and the transition unit 61.
  • the template unit 71 also has a transfer arm that can be expanded and contracted in the horizontal direction and movable in the vertical direction and the vertical direction ( ⁇ direction), for example.
  • the template transport unit 71 can move in the transport area E3 and transport the template T between the template carry-in / out station 5 and the transition unit 61.
  • the template processing station 5 is provided with a transport unit 80 at the center thereof.
  • a transport unit 80 for example, six processing blocks F1 to F6 in which various processing units are arranged in multiple stages are arranged.
  • the first processing block F1 and the second processing block F2 are sequentially arranged from the template loading / unloading station 6 side.
  • a third processing block F3 is disposed on the template loading / unloading station 6 side of the template processing station 5, and a fourth processing block F4 and a buffer cassette 81 are disposed on the imprint processing station 4 side of the template processing station 5.
  • a fifth processing block F5 and a sixth processing block F6 are arranged in this order from the template loading / unloading station 6 side on the back side of the template processing station 5 (X direction positive direction side in FIG. 1).
  • the transport unit 80 can transport the template T to various processing units and buffer cassettes 81, which will be described later, arranged in these processing blocks F1 to F6.
  • the processing blocks F1 to F4 constitute a release agent processing block
  • the processing blocks F5 and F6 constitute a template cleaning block.
  • the first processing block F1 includes a plurality of liquid processing units, for example, a release agent application unit 90 for applying a release agent to the template T, and a rinse unit for rinsing the release agent on the template T. 91 are stacked in two steps from the bottom. Similarly, in the second processing block F2, a release agent coating unit 92 and a rinse unit 93 are stacked in two stages in order from the bottom. In addition, chemical chambers 94 and 95 for supplying various processing liquids to the liquid processing unit are provided at the lowermost stage of the first processing block F1 and the second processing block F2, respectively.
  • the third processing block F3, ultraviolet rays are irradiated to the template T as shown in FIG. 3, the cleaning unit 100 before the pre-cleaning the surface T 1 of the release agent on the template T is deposited, Temperature control units 101 and 102 for adjusting the temperature of the template T, a transition unit 103 for transferring the template T, and heating units 104 and 105 for heat-treating the template T are stacked in six stages from the bottom.
  • the pre-cleaning unit 110 the temperature control units 111 and 112, the transition unit 113, and the heating units 114 and 115 are stacked in six steps from the bottom on the fourth processing block F4. Yes.
  • the fifth processing block F5 the inspection unit 122 for inspecting the cleaning unit 120 and 121, the surface T 1 of the template T after washing after cleaning the surface T 1 of the template T after use, as shown in FIG. 4 Three layers are stacked in order from the bottom.
  • post-cleaning units 130 and 131 and the inspection unit 132 are stacked in three stages in order from the bottom.
  • post-cleaning unit 120,121,130,131 may be the rear surface T 2 also further washed template T
  • the inspection unit 122 and 132 may be further examined also the rear surface T 2 of the template T.
  • the template loading / unloading station 6 is provided with a cassette mounting table 140 as shown in FIG.
  • the cassette mounting table 140 is capable of mounting a plurality of template cassettes CT in a line in the X direction (vertical direction in FIG. 1). That is, the template carry-in / out station 6 is configured to be capable of holding a plurality of templates T.
  • the template carry-in / out station 6 is provided with a template carrier 142 that can move on a conveyance path 141 extending in the X direction.
  • the template transport body 142 can expand and contract in the horizontal direction and can also move in the vertical direction and the vertical direction ( ⁇ direction), and can transport the template T between the template cassette CT and the template processing station 5.
  • the resist coating unit 30 has a casing 200 in which a loading / unloading port (not shown) for the wafer W is formed on the side surface.
  • a spin chuck 210 that holds and rotates the wafer is provided at the center of the casing 200.
  • the spin chuck 210 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking the wafer W, for example, is provided on the upper surface. By suction from this suction port, the wafer W can be sucked and held on the spin chuck 210.
  • the spin chuck 210 is provided with a rotation drive unit 212 via a shaft 211.
  • the rotation drive unit 212 By this rotation drive unit 212, the spin chuck 210 can rotate at a predetermined speed around the vertical and can move up and down.
  • a cup 213 that receives and collects the liquid scattered or dropped from the wafer W.
  • a lower surface of the cup 213 is connected to a discharge pipe 214 that discharges the collected liquid and an exhaust pipe 215 that exhausts the atmosphere in the cup 213.
  • a rail 220 extending along the Y direction is formed on the X direction negative direction (downward direction in FIG. 7) side of the cup 213.
  • the rail 220 is formed, for example, from the outside of the cup 213 on the Y direction negative direction (left direction in FIG. 7) side to the outside on the Y direction positive direction (right direction in FIG. 7) side.
  • An arm 221 is attached to the rail 220.
  • a resist solution nozzle 222 for supplying a first resist solution onto the wafer W is supported on the arm 221.
  • the arm 221 is movable on the rail 220 by the nozzle driving unit 223.
  • the resist solution nozzle 222 can move from the standby unit 224 installed on the outer side of the cup 213 on the positive side in the Y direction to above the center of the wafer W in the cup 213, and further on the wafer W. It can move in the radial direction.
  • the arm 221 can be moved up and down by a nozzle driving unit 223, and the height of the resist solution nozzle 222 can be adjusted.
  • a resist solution containing carbon is used as the first resist solution as the coating solution.
  • a coating solution for forming an SOG (Spin On Glass) film may be used as a coating solution.
  • the configuration of the resist coating units 31 to 33 is the same as the configuration of the resist coating unit 30 described above, and a description thereof will be omitted.
  • the heating unit 42 has a casing 230 in which a loading / unloading port (not shown) for the wafer W is formed on the side surface.
  • a mounting table 231 on which the wafer W is mounted is provided on the bottom surface of the casing 230.
  • the wafer W is mounted on the upper surface of the mounting table 231 so that the surface to be processed faces upward.
  • raising / lowering pins 232 for supporting the wafer W from below and raising / lowering it are provided in the mounting table 231.
  • the elevating pin 232 can be moved up and down by the elevating drive unit 233.
  • a through hole 234 that penetrates the upper surface in the thickness direction is formed on the upper surface of the mounting table 231, and the elevating pin 232 is inserted through the through hole 234.
  • a hot plate 235 for heating the wafer W is provided on the upper surface of the mounting table 231.
  • hot plate 235 Inside the hot plate 235, for example, a heater that generates heat by power feeding is provided, and the hot plate 235 can be adjusted to a predetermined set temperature.
  • the hot plate 235 may be provided above the wafer W, for example, on the ceiling surface of the lid 240 described later. Further, hot plates 235 may be provided above and below the wafer W.
  • a lid 240 that is movable up and down is provided above the mounting table 231.
  • the lid 240 has an open bottom surface and forms a processing chamber K together with the mounting table 231.
  • An exhaust part 241 is provided at the center of the upper surface of the lid 240.
  • the atmosphere in the processing chamber K is uniformly exhausted from the exhaust unit 241.
  • the temperature control units 40, 41, 50 and 51 have the same configuration as the heating unit 42 described above, and a temperature control plate is used instead of the heat plate 235.
  • a cooling member such as a Peltier element is provided inside the temperature adjustment plate, and the temperature adjustment plate can be adjusted to a set temperature.
  • the lid 240 in the heating unit 42 may be omitted.
  • the imprint unit 60 has a casing 250 in which a loading / unloading port (not shown) for the wafer W and a loading / unloading port (not shown) for the template T are formed on the side surfaces.
  • a wafer holding unit 251 on which the wafer W is placed and held is provided on the bottom surface of the casing 250.
  • the wafer W is placed on the upper surface of the wafer holder 251 so that the surface to be processed faces upward.
  • raising / lowering pins 252 for supporting the wafer W from below and raising / lowering it are provided in the wafer holding part 251.
  • the elevating pin 252 can be moved up and down by the elevating drive unit 253.
  • a through hole 254 that penetrates the upper surface in the thickness direction is formed on the upper surface of the wafer holding unit 251, and the elevating pins 252 are inserted through the through hole 254. Further, the wafer holding unit 251 can be moved in the horizontal direction and can be rotated around the vertical by a moving mechanism 255 provided below the wafer holding unit 251.
  • a rail 260 extending along the Y direction is provided on the negative side in the X direction (downward direction in FIG. 10) of the wafer holding unit 251.
  • the rail 260 is formed from the outside of the wafer holding portion 251 on the Y direction negative direction (left direction in FIG. 10) side to the outside on the Y direction positive direction (right direction in FIG. 10) side.
  • An arm 261 is attached to the rail 260.
  • the arm 261 supports a resist solution nozzle 262 that supplies the second resist solution onto the wafer W.
  • the resist solution nozzle 262 has, for example, an elongated shape along the X direction that is the same as or longer than the diameter dimension of the wafer W.
  • an ink jet type nozzle is used as the resist solution nozzle 262, and a plurality of supply ports (not shown) formed in a line along the longitudinal direction are formed below the resist solution nozzle 262.
  • the resist solution nozzle 262 can strictly control the supply timing of the second resist solution, the supply amount of the second resist solution, and the like.
  • the arm 261 is movable on the rail 260 by the nozzle driving unit 263.
  • the resist solution nozzle 262 can move from the standby unit 264 installed outside the wafer holding unit 251 on the positive side in the Y direction to above the wafer W on the wafer holding unit 251, and the surface of the wafer W
  • the top can be moved in the radial direction of the wafer W.
  • the arm 261 can be moved up and down by a nozzle driving unit 263, and the height of the resist solution nozzle 262 can be adjusted.
  • a template holding unit 270 that holds the template T as shown in FIG. 9 is provided on the ceiling surface in the casing 250 and above the wafer holding unit 251. That is, the wafer holding unit 251 and the template holding unit 270 are arranged so that the wafer W placed on the wafer holding unit 251 and the template T held on the template holding unit 270 face each other. Furthermore, the template holding portion 270 has a chuck 271 for holding adsorb outer peripheral portion of the rear surface T 2 of the template T. The chuck 271 is movable in the vertical direction and rotatable about the vertical by a moving mechanism 272 provided above the chuck 271. Thus, the template T can be rotated up and down in a predetermined direction with respect to the wafer W on the wafer holding unit 251.
  • the template holding unit 270 has a light source 273 provided above the template T held by the chuck 271.
  • the light source 273 emits light such as visible light, near ultraviolet light, and ultraviolet light, and the light from the light source 273 passes through the template T and is irradiated downward.
  • a wafer transfer mechanism (not shown) that transfers the wafer W to / from the transition unit 61 and a template transfer mechanism (not shown) that transfers the template T to / from the transition unit 61. ) And are provided.
  • the template transport mechanism is configured to be rotatable so as to invert the front and back surfaces of the template T.
  • the release agent coating unit 90 has a casing 280 in which a loading / unloading port (not shown) for the template T is formed on the side surface.
  • a holding member 281 that holds and rotates the template T is provided at the center of the casing 280.
  • a central portion of the holding member 281 is recessed downward, and an accommodating portion 282 for accommodating the template T is formed.
  • a groove portion 282 a smaller than the outer shape of the template T is formed in the lower portion of the housing portion 282. Therefore, in the accommodating portion 282, the inner peripheral portion of the lower surface of the template T is not in contact with the holding member 281 by the groove portion 282a, and only the outer peripheral portion of the lower surface of the template T is supported by the holding member 281.
  • the accommodating portion 282 has a substantially rectangular planar shape that conforms to the outer shape of the template T.
  • a plurality of projecting portions 283 projecting inward from the side surfaces are formed in the housing portion 282, and the template T housed in the housing portion 282 is positioned by the projecting portions 283.
  • the template T is transferred from the transfer arm of the transfer unit 80 to the storage unit 282, there are four notches 284 on the outer periphery of the storage unit 282 in order to prevent the transfer arm from interfering with the storage unit 282. It is formed in the place.
  • the holding member 281 is attached to the cover body 285 as shown in FIG. 11, and a rotation driving unit 287 is provided below the holding member 281 via a shaft 286.
  • this rotation drive unit 287 By this rotation drive unit 287, the holding member 281 can rotate around the vertical at a predetermined speed and can move up and down.
  • a cup 290 that receives and collects the release agent S scattered or dropped from the template T.
  • a discharge pipe 291 that discharges the collected release agent S and an exhaust pipe 292 that exhausts the atmosphere in the cup 290 are connected to the lower surface of the cup 290.
  • a rail 300 extending along the Y direction (left-right direction in FIG. 13) is formed on the negative side in the X direction (downward direction in FIG. 13) of the cup 290.
  • the rail 300 is formed, for example, from the outer side of the cup 290 on the Y direction negative direction (left direction in FIG. 13) to the outer side on the Y direction positive direction (right direction in FIG. 13).
  • An arm 301 is attached to the rail 300.
  • a release agent nozzle 302 that supplies a release agent onto the template T is supported on the arm 301.
  • the arm 301 is movable on the rail 300 by a nozzle driving unit 303.
  • the release agent nozzle 302 can move from the standby unit 304 installed on the outer side of the cup 290 on the positive side in the Y direction to above the center of the template T in the cup 290.
  • the arm 301 can be moved up and down by a nozzle driving unit 303 and the height of the release agent nozzle 302 can be adjusted.
  • a material for the release agent a material having liquid repellency with respect to the second resist film on the wafer, such as a fluororesin, is used.
  • a cleaning liquid nozzle that ejects a cleaning liquid, for example, an organic solvent, may be provided in the groove 282 a of the holding member 281.
  • a cleaning liquid nozzle that ejects a cleaning liquid, for example, an organic solvent, may be provided in the groove 282 a of the holding member 281.
  • the configuration of the release agent application unit 92 is the same as the configuration of the release agent application unit 90 described above, and a description thereof will be omitted.
  • the rinse unit 91 has a casing 310 in which a loading / unloading port (not shown) for the template T is formed on the side surface.
  • An immersion tank 311 in which the template T is immersed is provided on the bottom surface of the casing 310.
  • an organic solvent for rinsing the release agent on the template T is stored.
  • a holding part 312 for holding the template T is provided on the ceiling surface in the casing 310 and above the immersion tank 311.
  • Holding portion 312 the outer peripheral portion of the rear surface T 2 of the template T has a chuck 313 for holding suction.
  • Template T has a surface T 1 is held by the chuck 313 to face upward.
  • the chuck 313 can be moved up and down by a lifting mechanism 314. And the template T is immersed in the organic solvent stored in the immersion tank 311 in the state hold
  • the holding unit 312 has a gas supply unit 315 provided above the template T held by the chuck 313.
  • the gas supply unit 315 can spray an inert gas such as nitrogen or a gas gas such as dry air downward, that is, the surface T 1 of the template T held by the chuck 313.
  • an inert gas such as nitrogen
  • a gas gas such as dry air
  • the pre-cleaning unit 100 has a casing 320 in which a loading / unloading port (not shown) for the template T is formed on the side surface.
  • a chuck 321 for attracting and holding the template T is provided in the casing 320.
  • a chuck driving unit 322 is provided below the chuck 321.
  • the chuck driving unit 322 is provided on a bottom surface in the casing 320 and attached to a rail 323 extending along the Y direction. The chuck 321 can be moved along the rail 323 by the chuck driving unit 322.
  • An ultraviolet irradiation unit 324 that irradiates the template T held by the chuck 321 with ultraviolet rays is provided on the ceiling surface in the casing 320 and above the rail 323.
  • the ultraviolet irradiation unit 324 extends in the X direction as shown in FIG. Then, while the template T is moving along the rail 323, the surface T 1 of the template T is irradiated with ultraviolet rays from the ultraviolet irradiation unit 324 so that the entire surface T 1 of the template T is irradiated with ultraviolet rays.
  • the configuration of the pre-cleaning unit 110 is the same as the configuration of the pre-cleaning unit 100 described above, and a description thereof will be omitted.
  • the post-cleaning unit 120 has a casing 330 in which a loading / unloading port (not shown) for the template T is formed on the side surface.
  • a mounting table 331 on which the template T is mounted is provided on the bottom surface in the casing 330.
  • Template T has a surface T 1 is placed on the top surface of the mounting table 331 to face upward.
  • elevating pins 332 for supporting the template T from below and elevating it are provided in the mounting table 331.
  • the raising / lowering pin 332 can be moved up and down by the raising / lowering drive part 333.
  • a through hole 334 penetrating the upper surface in the thickness direction is formed on the upper surface of the mounting table 331, and the elevating pin 332 is inserted through the through hole 334.
  • a rail 340 extending along the Y direction is provided on the side of the mounting table 331 in the negative X direction (downward in FIG. 18).
  • the rail 340 is formed, for example, from the outside of the mounting table 331 on the Y direction negative direction (left direction in FIG. 18) to the outside on the Y direction positive direction (right direction in FIG. 18).
  • An arm 341 is attached to the rail 340.
  • the arm 341 supports a cleaning liquid nozzle 342 for supplying a cleaning liquid onto the template T.
  • the cleaning liquid nozzle 342 has, for example, an elongated shape along the X direction that is the same as or longer than one side dimension of the template T.
  • an organic solvent or pure water is used as the cleaning liquid, and IPA (isopropyl alcohol), dibutyl ether, cyclohexane, or the like is used as the organic solvent.
  • the arm 341 is movable on the rail 340 by the nozzle driving unit 343.
  • the cleaning liquid nozzle 342 can move from the standby unit 344 installed on the outer side of the mounting table 331 on the positive side in the Y direction to above the template T on the mounting table 331, and further on the surface T 1 of the template T. Can be moved in the side direction of the template T.
  • the arm 341 can be moved up and down by a nozzle driving unit 343, and the height of the cleaning liquid nozzle 342 can be adjusted.
  • An ultraviolet irradiation unit 345 for irradiating the template T with ultraviolet rays is provided on the ceiling surface in the casing 330 and above the mounting table 331.
  • the ultraviolet irradiation unit 345 is disposed so as to face the surface T 1 of the template T placed on the mounting table 331, and can irradiate the entire surface T 1 of the template T with ultraviolet rays.
  • the configuration of the post-cleaning units 121, 130, and 131 is the same as the configuration of the post-cleaning unit 120 described above, and a description thereof will be omitted.
  • the configuration of the heating units 104, 105, 114, and 115 of the template processing station 5 described above is the same as the configuration of the heating units 42, 43, 52, and 53 in the wafer processing station 3 as shown in FIG. Is omitted.
  • the temperature control units 101, 102, 111, and 112 of the template processing station 5 have the same configuration as the heating unit 104 described above, and a temperature control plate is used instead of the hot plate 235.
  • a cooling member such as a Peltier element is provided inside the temperature adjustment plate, and the temperature adjustment plate can be adjusted to a set temperature.
  • the lid 240 in the heating unit 104 may be omitted.
  • the imprint system 1 described above is provided with a control unit 350 as shown in FIG.
  • the control unit 350 is a computer, for example, and has a program storage unit (not shown).
  • the program storage unit stores a program for executing wafer processing, template processing, imprint processing, and the like in the imprint system 1.
  • This program is recorded in a computer-readable storage medium such as a computer-readable hard disk (HD), flexible disk (FD), compact disk (CD), magnetic optical desk (MO), memory card, or the like. Or installed in the control unit 350 from the storage medium.
  • the imprint system 1 is configured as described above. Next, wafer processing, template processing imprint processing, and the like performed in the imprint system 1 will be described.
  • FIG. 20 shows the main processing flow of these wafer processing, template processing, and imprint processing
  • FIG. 21 shows the state of the wafer W and template T in each step.
  • the template transfer member 22, the template T is taken from the template cassette C T on the cassette mounting table 140 of the template unloading station 6, it is conveyed to the transition unit 103 of the template processing station 5 (step A1 in FIG. 20) .
  • the template T in the template cassette C T is the surface T 1 of the transfer pattern C is formed is accommodated to face upward.
  • the template T is transported to the pre-cleaning unit 100 by the transport unit 80 and sucked and held by the chuck 321. Subsequently, the template T is moved along the rail 323 by the chuck driving unit 322, and the template T is irradiated with ultraviolet rays from the ultraviolet irradiation unit 324. Thus, ultraviolet light is irradiated on the surface T 1 the entire surface of the template T, the surface T 1 of the template T is cleaned as shown in FIG. 21 (a) (step A2 in FIG. 20).
  • the transport unit 80 transports the template T to the release agent coating unit 90 and delivers it to the holding member 281.
  • the release agent nozzle 302 is moved to above the center of the template T and the template T is rotated.
  • the release agent S is supplied onto the rotating template T, and the release agent S is diffused on the template T by centrifugal force, so that the entire surface T 1 of the template T as shown in FIG. A release agent S is applied (step A3 in FIG. 20).
  • the template T is transported to the heating unit 104 by the transport unit 80.
  • the template T carried into the heating unit 104 is transferred to the lift pins 232 and placed on the placement table 231.
  • the lid 240 is closed, and the template T is heated to, for example, 200 ° C. by the hot plate 235.
  • the release agent S on the template T is baked as shown in FIG. 21 (c) (step A4 in FIG. 20).
  • the transport unit 80 transports the template T to the temperature adjustment unit 211, and the template T is adjusted to a predetermined temperature.
  • the transport unit 80 transports the template T to the rinse unit 91 and holds it in the holding unit 312. Subsequently, the holding unit 312 is lowered, and the template T is immersed in the organic solvent stored in the immersion tank 311. When a predetermined time elapses, only the unreacted part of the release agent S is peeled off, and the release agent S along the transfer pattern C is formed on the template T as shown in FIG. Step A5). Then, raise the holding portion 312, blown from the gas supply unit 315 gas gas to the template T, drying the surface T 1.
  • the unreacted part of the release agent S means a part other than the part where the release agent S chemically reacts with the surface T 1 of the template T and adsorbs to the surface T 1 .
  • the template T is transported to the transition unit 113 by the transport unit 80. Subsequently, the template T is transported to the imprint processing station 4 by the transport unit 70.
  • the steps A1 to A5 described above are repeated to form the release agent S on the plurality of templates T, and the plurality of templates T are continuously conveyed to the imprint processing station 4.
  • the template T on which the release agent S is formed may be temporarily stored in the buffer cassette 81 before the template T is conveyed to the imprint processing station 4.
  • the template T is transported to the transition unit 61 by the template transport unit 71.
  • the template T is transported into the imprint unit 60 by the template transport mechanism in the imprint unit 60 (step A6 in FIG. 20).
  • the front and back surfaces of the template T are reversed by the template transport mechanism. That is, the rear surface T 2 of the template T is directed upwards.
  • the template T carried into the imprint unit 60 is sucked and held by the chuck 271 of the template holding unit 270.
  • a predetermined process is performed on the template T in the template processing station 5 and the template T is transferred to the imprint unit 60 while the template T is being transferred to the imprint unit 60.
  • the wafer W is taken out from W and transferred to the transition unit 21 of the wafer processing station 3 (step A7 in FIG. 20).
  • the wafer W in the wafer cassette CW is accommodated so that the surface to be processed faces upward.
  • the wafer W is transferred to the resist coating unit 30 by the transfer unit 20 and transferred to the spin chuck 210.
  • the resist solution nozzle 222 is moved to above the center of the wafer W, and the wafer W is rotated.
  • the first resist solution is supplied onto the rotating wafer W, the first resist solution is diffused on the wafer W by centrifugal force, and the first resist solution is applied to the entire surface of the wafer W ( Step A8 in FIG.
  • the wafer W is transferred to the heating unit 42 by the transfer unit 20.
  • the wafer W carried into the heating unit 42 is transferred to the lifting pins 232 and placed on the placement table 231.
  • the lid 240 is closed, and the wafer W is heated to, for example, 200 ° C. by the hot plate 235.
  • the first resist film R 1 is formed on the wafer W as shown in FIG. 21 (e) (step A9 in FIG. 20).
  • the first resist film R 1 is formed by, for example, 10nm thickness of.
  • the wafer W is transferred to the temperature adjustment unit 40 by the transfer unit 20, and the wafer W is adjusted to a predetermined temperature, for example, room temperature.
  • the wafer W is transferred to the transition unit 22 by the transfer unit 20.
  • the wafer W is transferred to the imprint processing station 4 by the transfer unit 70.
  • the step A7 ⁇ A9 as described above the first resist film R 1 is formed on a plurality of wafers W, a plurality of wafers W are transported continuously to the imprinting station 4.
  • the buffer cassette 23 the wafer W in which the first resist film R 1 is formed may be temporarily stored.
  • the wafer W is transferred to the transition unit 61 by the transfer unit 70. Subsequently, the wafer W is transferred into the imprint unit 60 by the wafer transfer mechanism in the imprint unit 60 (step A10 in FIG. 20).
  • the wafer W carried into the imprint unit 60 is transferred to the lift pins 252 and is placed and held on the wafer holding unit 251. Subsequently, after the wafer W held by the wafer holding unit 251 is moved to a predetermined position in the horizontal direction and aligned, the resist solution nozzle 262 is moved in the radial direction of the wafer W, and FIG. As shown, a second resist solution is applied onto the wafer W to form a second resist film R2 (step A11 in FIG. 20). At this time, the control unit 350 controls the supply timing and supply amount of the second resist solution supplied from the resist solution nozzle 262.
  • the amount of the second resist solution applied to the portion corresponding to the convex portion (the portion corresponding to the concave portion in the transfer pattern C of the template T) is large and corresponds to the concave portion.
  • the amount of the second resist solution applied to the portion to be applied (the portion corresponding to the convex portion in the transfer pattern C) is controlled to be small. In this way, the second resist solution is applied onto the wafer W in accordance with the aperture ratio of the transfer pattern C.
  • the second resist film R 2 is formed by, for example, 50nm thickness of.
  • the template holding portion 270 The made template T is rotated in a predetermined direction. Then, the template T is lowered to the wafer W side as shown by the arrow in FIG. Template T is lowered to a predetermined position, the surface T 1 of the template T is pressed against the resist film R 2 of the second on the wafer W. The predetermined position is set based on the height of the resist pattern formed on the wafer W. Subsequently, light is emitted from the light source 273.
  • the template T is raised to form a resist pattern P on the wafer W.
  • the wafer W is transferred to the wafer transfer mechanism by the lift pins 252, unloaded from the imprint unit 60, and transferred to the transition unit 61 (step A ⁇ b> 13 in FIG. 20).
  • the wafer W is transferred to the wafer processing station 3 by the transfer unit 70 and then returned to the wafer cassette CW by the wafer transfer body 12.
  • a thin resist residual film L may remain in the concave portion of the resist pattern P formed on the wafer W.
  • the residual film L remains outside the imprint system 1.
  • the film L may be removed.
  • steps A10 to A13 are repeated, and a resist pattern P is formed on each of the plurality of wafers W using one template T.
  • the template T is replaced. That is, after the front and back surfaces of the template T are reversed by the template transport mechanism, the template T is transported from the imprint unit 60 and transported to the transition unit 61 (step A14 in FIG. 20).
  • the timing for exchanging the template T is set in consideration of the deterioration of the template T and the like.
  • the template T is also replaced when a different pattern P is formed on the wafer W.
  • the template T may be exchanged every time the template T is used once. Further, for example, the template T may be exchanged for each wafer W, or the template T may be exchanged for each lot, for example.
  • the template T is transported to the transition unit 113 of the template processing station 5 by the transport unit 70 and then transported to the post-cleaning unit 120 by the transport unit 80.
  • the template T conveyed to the post-cleaning unit 120 is transferred to the lifting pins 332 and placed on the placing table 331.
  • ultraviolet rays are irradiated from the ultraviolet irradiation unit 345 to the entire surface T 1 of the template T.
  • the release agent S on the template T is vaporized and most of it is removed.
  • the irradiation of ultraviolet rays is stopped, and the cleaning liquid is supplied to the release agent S remaining on the template T while moving the cleaning liquid nozzle 342 in the side direction of the template T.
  • the release agent S on the template T is removed, the surface T 1 is washed (step A15 in FIG. 20).
  • IPA is an organic solvent.
  • the rear surface T 2 may also be washed well surface T 1 of the template T.
  • the template T is transported to the inspection unit 122 by the transport unit 80. Then, in the inspection unit 122, for example, by observation or the like of the interference fringes, the surface T 1 of the template T is inspected (step A16 in FIG. 20). Note that the inspection unit 122 may inspect not only the front surface T 1 of the template T but also the back surface T 2 .
  • the template T is carried to the transit unit 103 by the transport unit 80, and returned to the template cassette C T by the template carrier 142.
  • the test result of the inspection unit 122 is good, for example, be surface T 1 it is properly cleaned of the template T, and if the surface T 1 is not deteriorated, the template T returned to the template cassette C T Are used again in the imprint unit 1.
  • the inspection result of the inspection unit 122 is bad, for example if the surface T 1 of the template T is degraded, the template T is carried to the outside of the imprint unit 1.
  • the predetermined resist pattern P is continuously formed on the plurality of wafers W while the template T is continuously replaced.
  • the imprint system 1 first the resist film R 1 on the wafer W as shown in FIG. 21 (i), a second resist pattern P of the resist film R 2 It is formed. Thereafter the imprint system 1 external etching unit (not shown), a second resist pattern P of the resist film R 2 as a mask, a resist pattern of the first resist film R 1 is etched Form. Then, these first resist film R 1 of the resist pattern and second resist pattern P of the resist film R 2 exerts sufficient etching resistant work together. Therefore, it is possible to appropriately form the pattern of the film to be processed by appropriately etching the film to be processed on the wafer W.
  • a plurality of imprint units 60 are arranged in the imprint processing station 4 with respect to one wafer processing station 3. Therefore, the wafer processing station 3 in the first on a plurality of wafers W of the resist film R 1 is formed from the wafer processing station 3 in the imprint processing station 4 the first resist film R 1 is more formed The wafer W can be continuously transferred. Further, since the template processing station 5 is connected to the imprint processing station 3, a plurality of templates T on which the release agent S is formed are continuously conveyed from the template processing station 5 to the imprint processing station 4. it can. In the imprint processing station 4, an imprint process for each wafer W using each template T can be performed in parallel in each imprint unit 60.
  • the wafer W can be appropriately processed continuously without stopping the wafer processing in the wafer processing station 3. Therefore, the predetermined resist pattern P can be appropriately and efficiently formed on the wafer W. This also enables mass production of semiconductor devices.
  • the processing blocks F1 to F4 constituting the release agent processing block are provided in the template processing station 5, the template is formed while forming the release agent S on the template T in the imprint system 1. T can be continuously supplied to the imprint unit 60. Thereby, for example, even when the resist pattern P is formed on the plurality of wafers W before the template T deteriorates, the template T in the imprint unit 60 can be exchanged continuously and efficiently. Therefore, the predetermined resist pattern P can be appropriately formed on the plurality of wafers W.
  • processing blocks F5 and F6 constituting a template cleaning block are provided.
  • post-cleaning units 120, 121, 130, and 131 are provided, so that they are used in the imprint system 1. It is possible to clean the surface T 1 of the pre-template T. As a result, the template T can be used again in the imprint unit 1.
  • the template processing station 5 since the inspection unit 122, 132 is provided, it is possible to inspect the surface T 1 of the template T after washing. Based on the inspection result, for example, the template T can be used again in the imprint unit 1 or can be determined to be carried out of the imprint unit 1. As a result, the template T can be used effectively, and a defective template T is not used in the imprint unit 1, so that a predetermined resist pattern P can be appropriately formed on the plurality of wafers W. .
  • the first resist solution on the wafer W is baked in the heating unit 42. Therefore, it is possible to appropriately form a first resist film R 1 on the wafer W.
  • both the processing blocks F1 to F4 constituting the release agent processing block and the processing blocks F5 and F6 constituting the template cleaning block are provided.
  • only the processing blocks F1 to F4 which are release agent processing blocks may be provided in the template processing station 5.
  • step A15, A16 of the embodiment is omitted, the cleaning of the surface T 1 of the used template T is performed outside the imprint system 1.
  • the processing blocks F3 and F4 may be moved to the positions of the processing blocks F5 and F6, respectively, and a transition unit for transferring the template T may be provided at the positions of the processing blocks F3 and F4. .
  • the wafer carry-in / out station 2 the wafer processing station 3, the imprint processing station 4, the template processing station 5, and the template carry-in / out station 6 are arranged side by side in the horizontal direction.
  • the template processing station 5 may be stacked and disposed above the wafer processing station 3.
  • the template loading / unloading station 6 may be stacked and arranged above the wafer loading / unloading station 2. In such a case, the area occupied by the imprint system 1 can be reduced, and the manufacturing cost can be reduced.
  • the vertical relationship between the template processing station 5 and the template carry-in / out station 6 and the wafer processing station 3 and the wafer carry-in / out station 2 is not limited to the present embodiment, and the wafer processing station 3 and the wafer carry-in / out station 2 You may arrange in. However, since the template T is arranged above the wafer W in the imprint unit 60, it is preferable to arrange the template processing station 5 and the template carry-in / out station 6 in the upper layer as in the present embodiment.
  • processing blocks F1 to F4 which are release agent processing blocks may be provided in the template processing station 5, and the processing blocks F5 and F6 constituting the template cleaning block may be omitted.
  • step A15, A16 of the embodiment is omitted, the cleaning of the surface T 1 of the used template T is performed outside the imprint system 1.
  • the configurations of the wafer carry-in / out station 2, the wafer processing station 3, the imprint processing station 4, the template processing station 5, and the template carry-in / out station 6 are the same as those in the above-described embodiment, and thus description thereof is omitted.
  • the release agent S after applying the release agent S on the template T in the template processing station 5, the release agent S is heated and baked, but instead of baking the release agent S. You may irradiate light.
  • the release agent S on the template T is irradiated with light having a wavelength of, for example, 350 nm to 2500 nm.
  • the surface T 1 of the template T and the active group of the release agent S can be chemically and strongly bonded, and the adhesion between the surface T 1 of the template T and the release agent S is improved. In other words, it can be brought into close contact with the surface T 1 of the template T of the release agent S in a short time.
  • an alcohol treatment may be performed instead of baking the release agent S.
  • alcohol is applied to the release agent S on the template T.
  • the release agent S is firmly and closely chemically react with the surface T 1 of the template T, thereby improving adhesion between the surfaces T 1 and the release agent S of the template T.
  • alcohol should just be alcohols and you may use alcohol other than ethanol.
  • methanol, propanol, butanol, pentanol, hexanol, heptanol may be used, or a mixture of these alcohols may be used.
  • the concentration of alcohol is not particularly limited, but is preferably 100%.
  • each processing unit is not limited to the above-described embodiment, and various configurations can be adopted as long as each processing can be performed.
  • the mold release agent S is rinsed by immersing the template T in the organic solvent stored in the immersing layer 311, as shown in FIGS. 11 and 13.
  • a rinse unit having the same configuration as that of the release agent coating unit 90 may be used.
  • a rinse liquid nozzle that supplies an organic solvent as a rinse liquid of the release agent S onto the template T is used.
  • an organic solvent is supplied onto the template T during rotation, to rinse the surface T 1 the entire surface of the template T.
  • a predetermined time elapses, only the unreacted portion of the release agent S is peeled off, and the release agent S along the transfer pattern C is formed on the template T.
  • it continues to further rotate the template T, drying finishing off the surface T 1. In this way, the release agent S on the template T is rinsed.
  • the wafer W is conveyed to the imprint processing station 4, then the second resist film R 2 is formed.
  • the second resist film R 2 is The possibility of adhering to the template T side cannot be denied. In view of such a case, adhesion to the second resist film R 2 of the wafer W side, the processing for improving the fixing production, it is preferable to previously performed before the formation of the second resist film R 2.
  • the surface of the first resist film R 1 is improved in adhesion to the UV curable resin, such as a silane coupling agent. It is preferable to form a film by applying an adhesive. Such a coating process may be performed, for example, after the first resist solution is baked (after step A9), in accordance with the flow of FIG.
  • the first resist solution for forming the first resist film R1 is applied and has the same configuration as the application units 30 to 33 as shown in FIG. A coating device can be used. Then, after applying the adhesive as described above, the wafer W is heated as necessary, further cooled as necessary, and then carried into the imprint unit 60. Thereafter, similarly to the flow shown in FIG. What is necessary is just to implement formation process (process A11) of 2nd resist film R2.
  • the vapor of the adhesion agent is supplied to the wafer W surface A film may be formed.
  • FIG. 28 shows an outline of the configuration of a film forming unit 450 as a coating unit for the adhesive used at that time.
  • the film forming unit 450 is mounted on the substrate processing station 3, for example, instead of a part of the coating units 30 to 33.
  • the film formation unit 450 includes a mounting table 460 on which the wafer W is mounted and a lid 461 provided above the mounting table 460 as shown in FIG.
  • the lid body 461 is configured to be movable in the vertical direction by, for example, an elevating mechanism (not shown). Further, the lower surface of the lid 461 is open.
  • the lid 461 and the mounting table 460 are integrated to form a sealed processing space K.
  • the wafer W is mounted such that the surface of the wafer W (for example, the formation surface of the first resist film R1) faces upward.
  • a temperature control plate 470 that controls the temperature of the wafer W is provided on the upper surface of the mounting table 460.
  • the temperature control plate 470 includes a Peltier element, for example, and can adjust the wafer W to a predetermined temperature.
  • lifting pins 471 for supporting the wafer W from below and lifting it are provided.
  • the elevating pin 471 can be moved up and down by an elevating drive unit 472.
  • a through hole 473 that penetrates the upper surface in the thickness direction is formed on the upper surface of the mounting table 460, and the elevating pin 471 is inserted through the through hole 473.
  • a gas supply pipe 490 that supplies vapor and water vapor of the adhesive onto the wafer W is provided on the ceiling surface of the lid 461.
  • the gas supply pipe 490 is connected to an adhesion agent supply source 491 that supplies vapor of the adhesion agent and a water vapor supply source 492 that supplies water vapor.
  • the gas supply pipe 490 includes a supply device group 493 including a valve, a flow rate control unit, and the like that control the flow of the adhesive agent supplied from the adhesive agent supply source 491 and the water vapor supplied from the water vapor supply source 492. Is provided.
  • the adhesive agent supply source 491 stores a liquid adhesive agent therein. Further, a gas supply pipe (not shown) for supplying nitrogen gas into the adhesive agent supply source 491 is connected to the adhesive agent supply source 491. In the adhesive agent supply source 491, the liquid adhesive agent is vaporized by supplying nitrogen gas therein, and vapor of the adhesive agent is generated. The adhesion agent vapor is supplied to the gas supply pipe 490 using the nitrogen gas as a carrier gas.
  • the water vapor supply source 492 stores, for example, water therein. For example, this water is heated and vaporized to generate water vapor.
  • An exhaust pipe 494 that exhausts the atmosphere of the processing space K is connected to the side surface of the lid 461.
  • An exhaust pump 495 that evacuates the atmosphere of the processing space K is connected to the exhaust pipe 494.
  • the wafer W is transferred to the coating unit 450.
  • the The transferred wafer W is transferred to the raising / lowering pins 471 and mounted on the mounting table 460.
  • the temperature of the wafer W on the mounting table 460 is adjusted to a predetermined temperature, for example, 50 ° C. by the temperature control plate 470.
  • the lid body 461 is lowered, and a processing space K sealed by the lid body 461 and the mounting table 460 is formed.
  • the vapor of the adhesive is supplied from the gas supply pipe 490 to the processing space K.
  • the supplied adhesive agent vapor is deposited on the surface of the wafer W.
  • water vapor is supplied from the gas supply pipe 490 to the processing space K, and the water vapor is supplied to the adhesion agent deposited on the wafer W.
  • the atmosphere in the processing space K may be replaced with an inert gas, for example, nitrogen gas.
  • the temperature of the wafer W on the mounting table 460 is adjusted to a predetermined temperature, for example, 50 ° C. by the temperature control plate 470.
  • the temperature of the wafer W is necessarily adjusted to a temperature higher than normal temperature.
  • the film may be formed at room temperature, for example, 20 ° C. to 25 ° C.
  • the steam is actively supplied to promote the hydrolysis.
  • the hydrolysis is performed by the moisture in the surrounding atmosphere even if the steam is not actively supplied.
  • the coupling reaction by dehydration condensation described above is realized.
  • resist solution vapor may be supplied onto the wafer W to form the first resist film R 1 on the wafer W.
  • the first resist film R 1 are those having an effect of enhancing the adhesion as described above are preferred.
  • the release agent application unit 90 is adopted, and the liquid release agent S is applied to the surface of the template T by the release agent nozzle 302 by a so-called spin coating method.
  • the release agent was formed into a film by firing, but instead of this, the release agent vapor is supplied to the surface of the template T as in the film formation unit 450 described above.
  • a release agent film forming unit may be employed.
  • Such a release agent film forming unit that supplies the release agent vapor can be structurally the same as the film formation unit 450.
  • a release agent for example, a release agent supply source storing a silane coupling agent
  • the water vapor supply source 492 for supplying water vapor can be used as it is.
  • the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood.
  • the present invention is not limited to this example and can take various forms.
  • the present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask.
  • FPD flat panel display

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Abstract

　本発明は、基板上に第１のレジスト膜を形成する基板処理ステーションと、テンプレートの表面に離型剤を成膜する離型剤処理ブロックを備えたテンプレート処理ステーションと、第１のレジスト膜が形成された基板上に第２のレジスト膜を形成し、離型剤が成膜されたテンプレートの転写パターンを第２のレジスト膜に転写して当該第２のレジスト膜に所定のレジストパターンを形成するインプリントユニットが複数配置され、基板処理ステーション及びテンプレート処理ステーションに接続されたインプリント処理ステーションと、基板処理ステーションに接続され、当該基板処理ステーションに基板を搬入出する基板搬入出ステーションと、テンプレート処理ステーションに接続され、当該テンプレート処理ステーションにテンプレートを搬入出するテンプレート搬入出ステーションと、を有する。

Description

インプリントシステム、インプリント方法及びコンピュータ記憶媒体
　本発明は、表面に転写パターンが形成されたテンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを形成するインプリントシステム、当該インプリントシステムを用いたインプリント方法及びコンピュータ記憶媒体に関する。
　例えば半導体デバイスの製造工程では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）にフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハ上に所定のレジストパターンを形成することが行われている。そして、このレジストパターンをマスクとして、ウェハ上の被処理膜のエッチング処理が行われ、その後レジスト膜の除去処理などが行われて、所定の被処理膜のパターンが形成される。
　上述したレジストパターンを形成する際には、半導体デバイスのさらなる高集積化を図るため、当該レジストパターンの微細化が求められている。一般にフォトリソグラフィー処理における微細化の限界は、露光処理に用いる光の波長程度である。このため、従来より露光処理の光を短波長化することが進められている。しかしながら、露光光源の短波長化には技術的、コスト的な限界があり、光の短波長化を進める方法のみでは、例えば数ナノメートルオーダーの微細なレジストパターンを形成するのが困難な状況にある。
　そこで、近年、ウェハにフォトリソグラフィー処理を行う代わりに、いわゆるインプリントと呼ばれる方法を用いてウェハ上に微細なレジストパターンを形成することが提案されている。この方法は、表面に微細なパターンを有するテンプレート（モールドや型と呼ばれることもある。）をウェハ上に形成したレジスト膜の表面に圧着させ、その後剥離し、当該レジスト膜の表面に直接パターンの転写を行うものである（特許文献１）。
日本国特開２００９－４３９９８号公報
　しかしながら、現状、テンプレートの表面に所定の微細なパターンを形成するのは技術的に困難である。すなわち、テンプレート上に、高いアスペクト比の深い溝を有するパターンを形成するのが困難な状況にある。かかるテンプレートを用いて上述したインプリント処理を行うと、ウェハ上に薄い膜厚のレジストパターンが形成される。この場合、その後ウェハ上の被処理膜のエッチング処理を行う際に、レジストパターンが十分な耐エッチング性能を発揮できず、被処理膜のパターンを適切に形成できない。
　そこで、上述のインプリント処理を行う前に、予めウェハの被処理膜上に他のレジスト膜を形成しておくことが考えられる。かかる場合、インプリント処理を行うことで形成されたレジストパターンをマスクとして、他のレジスト膜をエッチング処理し、他のレジストパターンを形成する。そうすると、これら２つのレジストパターンが一体となって十分な耐エッチング性能を発揮し、被処理膜のパターンを適切に形成することができる。
　しかしながら、他のレジスト膜の形成処理とインプリント処理とでは、ウェハ１枚当たりに要する処理時間が異なる。他のレジスト膜は、例えばウェハ上に塗布液を塗布した後、当該塗布液を焼成することで形成される。この場合、ウェハ１枚当たりに要する処理時間が短く、現状の装置では、例えば１時間当たり２００枚のウェハに対して、他のレジスト膜の形成処理を行うことができる。一方、インプリント処理では、ウェハ上にレジスト膜を形成した後、当該レジスト膜に対するテンプレートのパターンの転写が複数回、例えば１００回行われる。このため、ウェハ１枚当たりに要する処理時間が長く、現状の装置では、例えば１時間当たり２０枚のウェハに対してインプリント処理を行うのが限界である。
　このように処理時間が異なる２つの処理を連続して行うと、インプリント処理を行っている間、他のレジスト膜の形成処理を停止せざるをえない。したがって、複数のウェハに対して所定のレジストパターンを連続的に効率よく形成することは現実的に困難であり、半導体デバイスの量産化に対応できない。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、テンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを適切且つ効率よく形成することを目的とする。
　前記の目的を達成するため、本発明は、表面に転写パターンが形成されたテンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを形成するインプリントシステムであって、基板上に第１のレジスト膜を形成する基板処理ステーションと、テンプレートの表面に離型剤を成膜する離型剤処理ブロックを備えたテンプレート処理ステーションと、前記第１のレジスト膜が形成された基板上に第２のレジスト膜を形成し、前記離型剤が成膜されたテンプレートの転写パターンを前記第２のレジスト膜に転写して当該第２のレジスト膜に所定のレジストパターンを形成するインプリントユニットが複数配置され、前記基板処理ステーション及びテンプレート処理ステーションに接続されたインプリント処理ステーションと、前記基板処理ステーションに接続され、当該基板処理ステーションに基板を搬入出する基板搬入出ステーションと、前記テンプレート処理ステーションに接続され、当該テンプレート処理ステーションにテンプレートを搬入出するテンプレート搬入出ステーションと、を有する。
　本発明によれば、一の基板処理ステーションに対して、インプリント処理ステーションには、第２のレジスト膜の形成と所定のレジストパターンの形成（以下、「インプリント処理」という場合がある）を行うインプリントユニットが複数配置されている。このため、基板処理ステーションで複数の基板上に第１のレジスト膜を形成し、当該基板処理ステーションからインプリント処理ステーションに第１のレジスト膜が形成された複数の基板を連続して搬送できる。また、インプリント処理ステーションにはテンプレート処理ステーションが接続されているので、当該テンプレート処理ステーションからインプリント処理ステーションに離型剤が成膜された複数のテンプレートを連続して搬送できる。そして、インプリント処理ステーションでは、各テンプレートを用いた各基板に対するインプリント処理を各インプリントユニットで並行して行うことができる。このため、基板処理ステーションにおける処理時間とインプリントユニットにおける処理時間が異なる場合でも、基板処理ステーションにおける基板の処理を停止させることなく、基板を連続して適切に処理することができる。したがって、基板上に所定のレジストパターンを適切且つ効率よく形成することができる。
　別な観点による本発明は、インプリントシステムにおいて、表面に転写パターンが形成されたテンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを形成するインプリント方法であって、前記インプリントシステムは、基板上に第１のレジスト膜を形成する基板処理ステーションと、テンプレートの表面に離型剤を成膜する離型剤処理ブロックを備えたテンプレート処理ステーションと、前記第１のレジスト膜が形成された基板上に第２のレジスト膜を形成し、前記離型剤が成膜されたテンプレートの転写パターンを前記第２のレジスト膜に転写して当該第２のレジスト膜に所定のレジストパターンを形成するインプリントユニットが複数配置され、前記基板処理ステーション及びテンプレート処理ステーションに接続されたインプリント処理ステーションと、前記基板処理ステーションに接続され、当該基板処理ステーションに基板を搬入出する基板搬入出ステーションと、前記テンプレート処理ステーションに接続され、当該テンプレート処理ステーションにテンプレートを搬入出するテンプレート搬入出ステーションと、を有し、前記基板処理ステーションにおいて複数の基板上に第１のレジスト膜を形成すると共に、前記テンプレート処理ステーションにおいて複数のテンプレートの表面に離型剤を成膜し、前記基板処理ステーションから前記インプリント処理ステーションに前記第１のレジスト膜が形成された複数の基板を連続して搬送すると共に、前記テンプレート処理ステーションから前記インプリント処理ステーションに前記離型剤が成膜された複数のテンプレートを連続して搬送し、前記インプリント処理ステーションでは、各テンプレートを用いた各基板に対する前記所定のレジストパターンの形成が前記各インプリントユニットで並行して行なわれる。
　また別な観点による本発明によれば、前記インプリント方法をインプリントシステムによって実行させるために、当該インプリントシステムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した、読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
　本発明によれば、テンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを適切且つ効率よく形成することができる。
本実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す平面図である。 本実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す側面図である。 本実施の形態にかかるインプリントシステムの内部構成の概略を示す側面図である。 本実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す側面図である。 テンプレートの斜視図である。 レジスト塗布ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。 レジスト塗布ユニットの構成の概略を示す横断面図である。 加熱ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。 インプリントユニットの構成の概略を示す縦断面図である。 インプリントユニットの構成の概略を示す横断面図である。 離型剤塗布ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。 保持部材の構成の概略を示す平面図である。 離型剤塗布ユニットの構成の概略を示す横断面図である。 リンスユニットの構成の概略を示す縦断面図である。 前洗浄ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。 前洗浄ユニットの構成の概略を示す横断面図である。 後洗浄ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。 後洗浄ユニットの構成の概略を示す横断面図である。 加熱ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。 ウェハ処理、テンプレート処理及びインプリント処理の各工程を示したフローチャートである。 ウェハ処理、テンプレート処理及びインプリント処理の各工程におけるウェハとテンプレートの状態を模式的に示した説明図であり、（ａ）はテンプレートの表面が洗浄された様子を示し、（ｂ）はテンプレートの表面に離型剤が塗布された様子を示し、（ｃ）はテンプレート上の離型剤が焼成された様子を示し、（ｄ）はテンプレート上に離型剤が成膜された様子を示し、（ｅ）はウェハ上に第１のレジスト膜が形成された様子を示し、（ｆ）はウェハ上に第２のレジスト膜が形成された様子を示し、（ｇ）はウェハ上の第２のレジスト膜を光重合させた様子を示し、（ｈ）はウェハ上にレジストパターンが形成された様子を示し、（ｉ）はウェハ上の残存膜が除去された様子を示す。 他の実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す平面図である。 他の実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す平面図である。 他の実施の形態にかかるインプリントシステムの内部構成の概略を示す平面図である。 他の実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す側面図である。 他の実施の形態にかかるインプリントシステムの内部構成の概略を示す側面図である。 他の実施の形態にかかるインプリントシステムの構成の概略を示す側面図である。 密着剤の成膜ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。
　以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかるインプリントシステム１の構成の概略を示す平面図である。図２～図４は、インプリントシステム１の構成の概略を示す側面図である。
　本実施の形態のインプリントシステム１では、図５に示すように直方体形状を有し、表面に所定の転写パターンＣが形成されたテンプレートＴが用いられる。以下、転写パターンＣが形成されているテンプレートＴの面を表面Ｔ１といい、当該表面Ｔ１と反対側の面を裏面Ｔ２という。なお、テンプレートＴには、可視光、近紫外光、紫外線などの光を透過可能な透明材料、例えばガラスが用いられる。
　インプリントシステム１は、図１に示すように複数、例えば２５枚の基板としてのウェハＷをカセット単位で外部とインプリントシステム１との間で搬入出したり、ウェハカセットＣＷに対してウェハＷを搬入出したりする基板搬入出ステーションとしてのウェハ搬入出ステーション２と、ウェハＷに所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた基板処理ステーションとしてのウェハ処理ステーション３と、テンプレートＴを用いてウェハＷ上に所定のレジストパターンを形成するインプリントユニットを複数備えたインプリント処理ステーション４と、テンプレートＴに所定の処理を複数の処理ユニットを備えたテンプレート処理ステーション５と、複数、例えば５枚のテンプレートＴをカセット単位で外部とインプリントシステム１との間で搬入出したり、テンプレートカセットＣＴに対してテンプレートＴを搬入出したりするテンプレート搬入出ステーション６と、一体に接続した構成を有している。ウェハ搬入出ステーション２、ウェハ処理ステーション３、インプリント処理ステーション４と、テンプレート処理ステーション５と、テンプレート搬入出ステーション６は、この順でＹ方向（図１の左右方向）に並べて配置されている。
　ウェハ搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０は、複数のウェハカセットＣＷをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在になっている。すなわち、ウェハ搬入出ステーション２は、複数のウェハＷを保有可能に構成されている。なお、本実施の形態において、ウェハカセットＣＷ内のウェハＷ上にはエッチング処理の対象となる被処理膜（図示せず）が予め形成されている。
　ウェハ搬入出ステーション２には、Ｘ方向に延伸する搬送路１１上を移動可能なウェハ搬送体１２が設けられている。ウェハ搬送体１２は、水平方向に伸縮自在であり、且つ鉛直方向及び鉛直周り（θ方向）にも移動自在であり、ウェハカセットＣＷとウェハ処理ステーション３との間でウェハＷを搬送できる。
　ウェハ処理ステーション３には、その中心部に搬送ユニット２０が設けられている。この搬送ユニット２０の周辺には、各種処理ユニットが多段に配置された、例えば４つの処理ブロックＧ１～Ｇ４が配置されている。ウェハ処理ステーション３の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、ウェハ搬入出ステーション２側から第１の処理ブロックＧ１、第２の処理ブロックＧ２が順に配置されている。処理ステーション３の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、ウェハ搬入出ステーション２側から第３の処理ブロックＧ３、第４の処理ブロックＧ４が順に配置されている。ウェハ処理ステーション３のウェハ搬入出ステーション２側には、ウェハＷの受け渡しを行うためのトランジションユニット２１が配置されている。ウェハ処理ステーション３のインプリント処理ステーション４側には、ウェハＷの受け渡しを行うためのトランジションユニット２２と、ウェハＷを一時的に保管するバッファカセット２３が配置されている。
　搬送ユニット２０は、ウェハＷを保持して搬送し、且つ水平方向、鉛直方向及び鉛直周りに移動自在な搬送アームを有している。そして、搬送ユニット２０は、処理ブロックＧ１～Ｇ４内に配置された後述する各種処理ユニット、トランジションユニット２１、２２、及びバッファカセット２３に対してウェハＷを搬送できる。
　第１の処理ブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理ユニット、例えばウェハＷ上に塗布液としての第１のレジスト液を塗布する塗布ユニットとしてのレジスト塗布ユニット３０、３１が下から順に２段に重ねられている。第２の処理ブロックＧ２も同様に、レジスト塗布ユニット３２、３３が下から順に２段に重ねられている。また、第１の処理ブロックＧ１及び第２の処理ブロックＧ２の最下段には、前記液処理ユニットに各種処理液を供給するためのケミカル室３４、３５がそれぞれ設けられている。
　第３の処理ブロックＧ３には、図４に示すようにウェハＷの温度を調節する温度調節ユニット４０、４１、ウェハＷを加熱処理する加熱ユニット４２、４３が下から順に４段に重ねられている。
　第４の処理ブロックＧ４にも、第３の処理ブロックＧ３と同様に、温度調節ユニット５０、５１、ウェハＷを加熱処理する加熱ユニット５２、５３が下から順に４段に重ねられている。
　インプリント処理ステーション４には、図１に示すように２列のインプリントブロックＥ１、Ｅ２が配置されている。第１のインプリントブロックＥ１はインプリント処理ステーション４の正面側（図１のＸ方向負方向側）に配置され、第２のインプリントブロックＥ２はインプリント処理ステーション４の背面側（図１のＸ方向正方向側）に配置されている。２列のインプリントブロックＥ１、Ｅ２の間には、ウェハＷとテンプレートＴを搬送するための搬送領域Ｅ３が形成されている。
　第１のインプリントブロックＥ１には、複数、例えば５基のインプリントユニット６０がＹ方向に並べて配置されている。また、各インプリントユニット６０の搬送領域側Ｅ３には、ウェハＷとテンプレートＴの受け渡しを行うトランジションユニット６１が配置されている。
　第２のインプリントブロックＥ２にも、第１のインプリントブロックＥ１と同様に、複数、例えば５基のインプリントユニット６０とトランジションユニット６１がＹ方向に並べて配置されている。
　なお、インプリントユニット６０の数は、ウェハ処理ステーション３における処理時間とインプリントユニット６０の処理時間に基づいて設定される。すなわち、ウェハ処理ステーション３では、例えば１時間当たり２００枚のウェハＷに対してウェハ処理を行うことができる。一方、インプリントユニット６０では、例えば１時間当たり２０枚のウェハＷに対してインプリント処理を行う。したがって、本実施の形態では、インプリント処理ステーション４に１０基のインプリントユニット６０が設けられている。
　搬送領域Ｅ３には、ウェハＷを保持して搬送するウェハ搬送ユニット７０と、テンプレートＴを保持して搬送するテンプレート搬送ユニット７１が設けられている。ウェハ搬送ユニット７０とテンプレート搬送ユニット７１は、互いに干渉しないように配置されている。
　ウェハ搬送ユニット７０は、例えば水平方向に伸縮自在であり、且つ鉛直方向及び鉛直周り（θ方向）にも移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送ユニット７０は、搬送領域Ｅ３内を移動し、ウェハ処理ステーション３とトランジションユニット６１と間でウェハＷを搬送できる。
　同様にテンプレートユニット７１も、例えば水平方向に伸縮自在であり、且つ鉛直方向及び鉛直周り（θ方向）にも移動自在な搬送アームを有している。テンプレート搬送ユニット７１は、搬送領域Ｅ３内を移動し、テンプレート搬入出ステーション５とトランジションユニット６１との間でテンプレートＴを搬送できる。
　テンプレート処理ステーション５には、その中心部に搬送ユニット８０が設けられている。この搬送ユニット８０の周辺には、各種処理ユニットが多段に配置された、例えば６つの処理ブロックＦ１～Ｆ６が配置されている。テンプレート処理ステーション５の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、テンプレート搬入出ステーション６側から第１の処理ブロックＦ１、第２の処理ブロックＦ２が順に配置されている。テンプレート処理ステーション５のテンプレート搬入出ステーション６側には、第３の処理ブロックＦ３が配置され、テンプレート処理ステーション５のインプリント処理ステーション４側には、第４の処理ブロックＦ４とバッファカセット８１が配置されている。テンプレート処理ステーション５の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、テンプレート搬入出ステーション６側から第５の処理ブロックＦ５、第６の処理ブロックＦ６が順に配置されている。搬送ユニット８０は、これらの処理ブロックＦ１～Ｆ６内に配置された後述する各種処理ユニット及びバッファカセット８１に対してテンプレートＴを搬送できる。なお、本実施の形態においては、処理ブロックＦ１～Ｆ４で離型剤処理ブロックを構成し、処理ブロックＦ５、Ｆ６でテンプレート洗浄ブロックを構成している。
　第１の処理ブロックＦ１には、図２に示すように複数の液処理ユニット、例えばテンプレートＴに離型剤を塗布する離型剤塗布ユニット９０、テンプレートＴ上の離型剤をリンスするリンスユニット９１が下から順に２段に重ねられている。第２の処理ブロックＦ２も同様に、離型剤塗布ユニット９２、リンスユニット９３が下から順に２段に重ねられている。また、第１の処理ブロックＦ１及び第２の処理ブロックＦ２の最下段には、前記液処理ユニットに各種処理液を供給するためのケミカル室９４、９５がそれぞれ設けられている。
　第３の処理ブロックＦ３には、図３に示すようにテンプレートＴに対して紫外線を照射し、テンプレートＴ上に離型剤が成膜される前の表面Ｔ１を洗浄する前洗浄ユニット１００、テンプレートＴの温度を調節する温度調節ユニット１０１、１０２、テンプレートＴの受け渡しを行うためのトランジションユニット１０３、テンプレートＴを加熱処理する加熱ユニット１０４、１０５が下から順に６段に重ねられている。
　第４の処理ブロックＦ４にも、第３の処理ブロックＦ３と同様に、前洗浄ユニット１１０、温度調節ユニット１１１、１１２、トランジションユニット１１３、加熱ユニット１１４、１１５が下から順に６段に重ねられている。
　第５の処理ブロックＦ５には、図４に示すように使用後のテンプレートＴの表面Ｔ１を洗浄する後洗浄ユニット１２０、１２１、洗浄後のテンプレートＴの表面Ｔ１を検査する検査ユニット１２２が下から順に３段に重ねられている。
　第６の処理ブロックＦ６にも、第５の処理ブロックＦ５と同様に、後洗浄ユニット１３０、１３１、検査ユニット１３２が下から順に３段に重ねられている。なお、後洗浄ユニット１２０、１２１、１３０、１３１は、テンプレートＴの裏面Ｔ２もさらに洗浄してもよく、検査ユニット１２２、１３２は、テンプレートＴの裏面Ｔ２もさらに検査してもよい。
　テンプレート搬入出ステーション６には、図１に示すようにカセット載置台１４０が設けられている。カセット載置台１４０は、複数のテンプレートカセットＣＴをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在になっている。すなわち、テンプレート搬入出ステーション６は、複数のテンプレートＴを保有可能に構成されている。
　テンプレート搬入出ステーション６には、Ｘ方向に延伸する搬送路１４１上を移動可能なテンプレート搬送体１４２が設けられている。テンプレート搬送体１４２は、水平方向に伸縮自在であり、且つ鉛直方向及び鉛直周り（θ方向）にも移動自在であり、テンプレートカセットＣＴとテンプレート処理ステーション５との間でテンプレートＴを搬送できる。
　次に、上述したウェハ処理ステーション３のレジスト塗布ユニット３０～３３の構成について説明する。レジスト塗布ユニット３０は、図６に示すように側面にウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成されたケーシング２００を有している。
　ケーシング２００内の中央部には、ウェハを保持して回転させるスピンチャック２１０が設けられている。スピンチャック２１０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷをスピンチャック２１０上に吸着保持できる。
　スピンチャック２１０には、シャフト２１１を介して回転駆動部２１２が設けられている。この回転駆動部２１２により、スピンチャック２１０は鉛直周りに所定の速度で回転でき、且つ昇降できる。
　スピンチャック２１０の周囲には、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ２１３が設けられている。カップ２１３の下面には、回収した液体を排出する排出管２１４と、カップ２１３内の雰囲気を排気する排気管２１５が接続されている。
　図７に示すようにカップ２１３のＸ方向負方向（図７の下方向）側には、Ｙ方向（図７の左右方向）に沿って延伸するレール２２０が形成されている。レール２２０は、例えばカップ２１３のＹ方向負方向（図７の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図７の右方向）側の外方まで形成されている。レール２２０には、アーム２２１が取り付けられている。
　アーム２２１には、ウェハＷ上に第１のレジスト液を供給するレジスト液ノズル２２２が支持されている。アーム２２１は、ノズル駆動部２２３により、レール２２０上を移動自在である。これにより、レジスト液ノズル２２２は、カップ２１３のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部２２４からカップ２１３内のウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウェハＷ上をウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム２２１は、ノズル駆動部２２３によって昇降自在であり、レジスト液ノズル２２２の高さを調節できる。なお、本実施の形態において、塗布液としての第１のレジスト液には、例えばカーボンを有するレジスト液が用いられる。また、塗布液として、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）膜形成用の塗布液を用いてもよい。
　なお、レジスト塗布ユニット３１～３３の構成は、上述したレジスト塗布ユニット３０の構成と同様であるので説明を省略する。
　次に、上述したウェハ処理ステーション３の加熱ユニット４２、４３、５２、５３の構成について説明する。加熱ユニット４２は、図８に示すように側面にウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成されたケーシング２３０を有している。
　ケーシング２３０内の底面には、ウェハＷが載置される載置台２３１が設けられている。ウェハＷは、その被処理面が上方を向くように載置台２３１の上面に載置される。載置台２３１内には、ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン２３２が設けられている。昇降ピン２３２は、昇降駆動部２３３により上下動できる。載置台２３１の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔２３４が形成されており、昇降ピン２３２は、貫通孔２３４を挿通するようになっている。また、載置台２３１の上面には、ウェハＷを加熱する熱板２３５が設けられている。熱板２３５の内部には、例えば給電により発熱するヒータが設けられており、熱板２３５を所定の設定温度に調節できる。なお、この熱板２３５は、ウェハＷの上方、例えば後述する蓋体２４０の天井面に設けてもよい。また、ウェハＷの上方と下方に熱板２３５を設けてもよい。
　載置台２３１の上方には、上下動自在の蓋体２４０が設けられている。蓋体２４０は、下面が開口し、載置台２３１と一体となって処理室Ｋを形成する。蓋体２４０の上面中央部には、排気部２４１が設けられている。処理室Ｋ内の雰囲気は、排気部２４１から均一に排気される。
　なお、加熱ユニット４３、５２、５３の構成は、上述した加熱ユニット４２の構成と同様であるので説明を省略する。
　また、温度調節ユニット４０、４１、５０、５１の構成についても、上述した加熱ユニット４２と同様の構成を有し、熱板２３５に代えて、温度調節板が用いられる。温度調節板の内部には、例えばペルチェ素子などの冷却部材が設けられており、温度調節板を設定温度に調節できる。また、この場合、加熱ユニット４２における蓋体２４０を省略してもよい。
　次に、上述したインプリント処理ステーション４のインプリントユニット６０の構成について説明する。インプリントユニット６０は、図９に示すように側面にウェハＷの搬入出口（図示せず）とテンプレートＴの搬入出口（図示せず）が形成されたケーシング２５０を有している。
　ケーシング２５０内の底面には、ウェハＷが載置されて保持されるウェハ保持部２５１が設けられている。ウェハＷは、その被処理面が上方を向くようにウェハ保持部２５１の上面に載置される。ウェハ保持部２５１内には、ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン２５２が設けられている。昇降ピン２５２は、昇降駆動部２５３により上下動できる。ウェハ保持部２５１の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔２５４が形成されており、昇降ピン２５２は、貫通孔２５４を挿通するようになっている。また、ウェハ保持部２５１は、当該ウェハ保持部２５１の下方に設けられた移動機構２５５により、水平方向に移動可能で、且つ鉛直周りに回転自在である。
　図１０に示すようにウェハ保持部２５１のＸ方向負方向（図１０の下方向）側には、Ｙ方向（図１０の左右方向）に沿って延伸するレール２６０が設けられている。レール２６０は、例えばウェハ保持部２５１のＹ方向負方向（図１０の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図１０の右方向）側の外方まで形成されている。レール２６０には、アーム２６１が取り付けられている。
　アーム２６１には、ウェハＷ上に第２のレジスト液を供給するレジスト液ノズル２６２が支持されている。レジスト液ノズル２６２は、例えばウェハＷの直径寸法と同じかそれよりも長い、Ｘ方向に沿った細長形状を有している。レジスト液ノズル２６２には、例えばインクジェット方式のノズルが用いられ、レジスト液ノズル２６２の下部には、長手方向に沿って一列に形成された複数の供給口（図示せず）が形成されている。そして、レジスト液ノズル２６２は、第２のレジスト液の供給タイミング、第２のレジスト液の供給量等を厳密に制御できる。
　アーム２６１は、ノズル駆動部２６３により、レール２６０上を移動自在である。これにより、レジスト液ノズル２６２は、ウェハ保持部２５１のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部２６４からウェハ保持部２５１上のウェハＷの上方まで移動でき、さらに当該ウェハＷの表面上をウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム２６１は、ノズル駆動部２６３によって昇降自在であり、レジスト液ノズル２６２の高さを調整できる。
　ケーシング２５０内の天井面であって、ウェハ保持部２５１の上方には、図９に示すようにテンプレートＴを保持するテンプレート保持部２７０が設けられている。すなわち、ウェハ保持部２５１とテンプレート保持部２７０は、ウェハ保持部２５１に載置されたウェハＷと、テンプレート保持部２７０に保持されたテンプレートＴが対向するように配置されている。また、テンプレート保持部２７０は、テンプレートＴの裏面Ｔ２の外周部を吸着保持するチャック２７１を有している。チャック２７１は、当該チャック２７１の上方に設けられた移動機構２７２により、鉛直方向に移動自在で、且つ鉛直周りに回転自在になっている。これにより、テンプレートＴは、ウェハ保持部２５１上のウェハＷに対して所定の向きに回転し昇降できる。
　テンプレート保持部２７０は、チャック２７１に保持されたテンプレートＴの上方に設けられた光源２７３を有している。光源２７３からは、例えば可視光、近紫外光、紫外線などの光が発せられ、この光源２７３からの光は、テンプレートＴを透過して下方に照射される。
　なお、インプリントユニット６０内には、トランジションユニット６１との間でウェハＷを搬送するウェハ搬送機構（図示せず）と、トランジションユニット６１との間でテンプレートＴを搬送するテンプレート搬送機構（図示せず）とが設けられている。また、テンプレート搬送機構は、テンプレートＴの表裏面を反転させるように回動自在に構成されている。
　次に、上述したテンプレート処理ステーション５の離型剤塗布ユニット９０、９２の構成について説明する。離型剤塗布ユニット９０は、図１１に示すように側面にテンプレートＴの搬入出口（図示せず）が形成されたケーシング２８０を有している。
　ケーシング２８０内の中央部には、テンプレートＴを保持して回転させる保持部材２８１が設けられている。保持部材２８１の中央部分は下方に窪み、テンプレートＴを収容する収容部２８２が形成されている。収容部２８２の下部には、テンプレートＴの外形より小さい溝部２８２ａが形成されている。したがって、収容部２８２内では、溝部２８２ａによってテンプレートＴの下面内周部は保持部材２８１と接しておらず、テンプレートＴの下面外周部のみが保持部材２８１に支持されている。収容部２８２は、図１２に示すようにテンプレートＴの外形に適合した略四角形の平面形状を有している。収容部２８２には、側面から内側に突出した突出部２８３が複数形成され、この突出部２８３により、収容部２８２に収容されるテンプレートＴの位置決めがされる。また、搬送ユニット８０の搬送アームから収容部２８２にテンプレートＴを受け渡す際に、当該搬送アームが収容部２８２と干渉するのを避けるため、収容部２８２の外周には、切欠き部２８４が４箇所に形成されている。
　保持部材２８１は、図１１に示すようにカバー体２８５に取り付けられ、保持部材２８１の下方には、シャフト２８６を介して回転駆動部２８７が設けられている。この回転駆動部２８７により、保持部材２８１は鉛直周りに所定の速度で回転でき、且つ昇降できる。
　保持部材２８１の周囲には、テンプレートＴから飛散又は落下する離型剤Ｓを受け止め、回収するカップ２９０が設けられている。カップ２９０の下面には、回収した離型剤Ｓを排出する排出管２９１と、カップ２９０内の雰囲気を排気する排気管２９２が接続されている。
　図１３に示すようにカップ２９０のＸ方向負方向（図１３の下方向）側には、Ｙ方向（図１３の左右方向）に沿って延伸するレール３００が形成されている。レール３００は、例えばカップ２９０のＹ方向負方向（図１３の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図１３の右方向）側の外方まで形成されている。レール３００には、アーム３０１が取り付けられている。
　アーム３０１には、テンプレートＴ上に離型剤を供給する離型剤ノズル３０２が支持されている。アーム３０１は、ノズル駆動部３０３により、レール３００上を移動自在である。これにより、離型剤ノズル３０２は、カップ２９０のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部３０４からカップ２９０内のテンプレートＴの中心部上方まで移動できる。また、アーム３０１は、ノズル駆動部３０３によって昇降自在であり、離型剤ノズル３０２の高さを調整できる。なお、離型剤の材料には、ウェハ上の第２のレジスト膜に対して撥液性を有する材料、例えばフッ素樹脂等が用いられる。
　なお、例えば保持部材２８１の溝部２８２ａ内に、洗浄液、例えば有機溶剤を噴射する洗浄液ノズルを設けてもよい。この洗浄液ノズルからテンプレートＴの裏面Ｔ２に洗浄液を噴射することによって、当該裏面Ｔ２を洗浄することができる。
　なお、離型剤塗布ユニット９２の構成は、上述した離型剤塗布ユニット９０の構成と同様であるので説明を省略する。
　次に、上述したテンプレート処理ステーション５のリンスユニット９１、９３の構成について説明する。リンスユニット９１は、図１４に示すように側面にテンプレートＴの搬入出口（図示せず）が形成されたケーシング３１０を有している。
　ケーシング３１０内の底面には、テンプレートＴを浸漬させる浸漬槽３１１が設けられている。浸漬槽３１１内には、テンプレートＴ上の離型剤をリンスするための有機溶剤が貯留されている。
　ケーシング３１０内の天井面であって、浸漬槽３１１の上方には、テンプレートＴを保持する保持部３１２が設けられている。保持部３１２は、テンプレートＴの裏面Ｔ２の外周部を吸着保持するチャック３１３を有している。テンプレートＴは、その表面Ｔ１が上方を向くようにチャック３１３に保持される。チャック３１３は、昇降機構３１４により昇降できる。そして、テンプレートＴは、保持部３１２に保持された状態で浸漬槽３１１に貯留された有機溶剤に浸漬され、当該テンプレートＴ上の離型剤がリンスされる。
　保持部３１２は、チャック３１３に保持されたテンプレートＴの上方に設けられたガス供給部３１５を有している。ガス供給部３１５は、例えば窒素等の不活性ガスや乾燥空気などの気体ガスを下方、すなわちチャック３１３に保持されたテンプレートＴの表面Ｔ１に吹き付けることができる。これにより、浸漬槽３１１でリンスされたテンプレートＴの表面Ｔ１を乾燥させることができる。なお、リンスユニット９１には、内部の雰囲気を排気する排気管（図示せず）が接続されている。
　なお、リンスユニット９３の構成は、上述したリンスユニット９１の構成と同様であるので説明を省略する。
　次に、上述したテンプレート処理ステーション５の前洗浄ユニット１００、１１０の構成について説明する。前洗浄ユニット１００は、図１５に示すように側面にテンプレートＴの搬入出口（図示せず）が形成されたケーシング３２０を有している。
　ケーシング３２０内には、テンプレートＴを吸着保持するチャック３２１が設けられている。チャック３２１は、テンプレートＴの表面Ｔ１が上方を向くように、その裏面Ｔ２を吸着保持する。チャック３２１の下方には、チャック駆動部３２２が設けられている。このチャック駆動部３２２は、ケーシング３２０内の底面に設けられ、Ｙ方向に沿って延伸するレール３２３上に取付けられている。このチャック駆動部３２２により、チャック３２１はレール３２３に沿って移動できる。
　ケーシング３２０内の天井面であって、レール３２３の上方には、チャック３２１に保持されたテンプレートＴに紫外線を照射する紫外線照射部３２４が設けられている。紫外線照射部３２４は、図１６に示すようにＸ方向に延伸している。そして、テンプレートＴがレール３２３に沿って移動中に、紫外線照射部３２４から当該テンプレートＴの表面Ｔ１に紫外線を照射することで、テンプレートＴの表面Ｔ１全面に紫外線が照射される。
　なお、前洗浄ユニット１１０の構成は、上述した前洗浄ユニット１００の構成と同様であるので説明を省略する。
　次に、上述したテンプレート処理ステーション５の後洗浄ユニット１２０、１２１、１３０、１３１の構成について説明する。後洗浄ユニット１２０は、図１７に示すように側面にテンプレートＴの搬入出口（図示せず）が形成されたケーシング３３０を有している。
　ケーシング３３０内の底面には、テンプレートＴが載置される載置台３３１が設けられている。テンプレートＴは、その表面Ｔ１が上方を向くように載置台３３１の上面に載置される。載置台３３１内には、テンプレートＴを下方から支持し昇降させるための昇降ピン３３２が設けられている。昇降ピン３３２は、昇降駆動部３３３により上下動できる。載置台３３１の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔３３４が形成されており、昇降ピン３３２は、貫通孔３３４を挿通するようになっている。
　図１８に示すように載置台３３１のＸ方向負方向（図１８の下方向）側には、Ｙ方向（図１８の左右方向）に沿って延伸するレール３４０が設けられている。レール３４０は、例えば載置台３３１のＹ方向負方向（図１８の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図１８の右方向）側の外方まで形成されている。レール３４０には、アーム３４１が取り付けられている。
　アーム３４１には、テンプレートＴ上に洗浄液を供給する洗浄液ノズル３４２が支持されている。洗浄液ノズル３４２は、例えばテンプレートＴの一辺寸法と同じかそれよりも長い、Ｘ方向に沿った細長形状を有している。なお、洗浄液には、例えば有機溶剤や純水が用いられ、有機溶剤としては、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、ジブチルエーテル、シクロヘキサンなどが用いられる。
　アーム３４１は、ノズル駆動部３４３により、レール３４０上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル３４２は、載置台３３１のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部３４４から載置台３３１上のテンプレートＴの上方まで移動でき、さらに当該テンプレートＴの表面Ｔ１上をテンプレートＴの辺方向に移動できる。また、アーム３４１は、ノズル駆動部３４３によって昇降自在であり、洗浄液ノズル３４２の高さを調整できる。
　ケーシング３３０内の天井面であって、載置台３３１の上方には、テンプレートＴに紫外線を照射する紫外線照射部３４５が設けられている。紫外線照射部３４５は、載置台３３１に載置されたテンプレートＴの表面Ｔ１に対向してするように配置され、当該テンプレートＴの表面Ｔ１全面に紫外線を照射することができる。
　なお、後洗浄ユニット１２１、１３０、１３１の構成は、上述した後洗浄ユニット１２０の構成と同様であるので説明を省略する。
　なお、上述したテンプレート処理ステーション５の加熱ユニット１０４、１０５、１１４、１１５の構成は、図１９に示すようにウェハ処理ステーション３における加熱ユニット４２、４３、５２、５３の構成と同様であるので説明を省略する。
　また、テンプレート処理ステーション５の温度調節ユニット１０１、１０２、１１１、１１２の構成についても、上述した加熱ユニット１０４と同様の構成を有し、熱板２３５に代えて、温度調節板が用いられる。温度調節板の内部には、例えばペルチェ素子などの冷却部材が設けられており、温度調節板を設定温度に調節できる。また、この場合、加熱ユニット１０４における蓋体２４０を省略してもよい。
　以上のインプリントシステム１には、図１に示すように制御部３５０が設けられている。制御部３５０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、インプリントシステム１におけるウェハ処理、テンプレート処理、インプリント処理等を実行するプログラムが格納されている。なお、このプログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部３５０にインストールされたものであってもよい。
　本実施の形態にかかるインプリントシステム１は以上のように構成されている。次に、そのインプリントシステム１で行われるウェハ処理、テンプレート処理インプリント処理等について説明する。図２０は、これらウェハ処理、テンプレート処理及びインプリント処理の主な処理フローを示し、図２１は、各工程におけるウェハＷとテンプレートＴの状態を示している。
　先ず、テンプレート搬送体２２によって、テンプレート搬入出ステーション６のカセット載置台１４０上のテンプレートカセットＣＴからテンプレートＴが取り出され、テンプレート処理ステーション５のトランジションユニット１０３に搬送される（図２０の工程Ａ１）。なお、テンプレートカセットＣＴ内のテンプレートＴは、転写パターンＣが形成された表面Ｔ１が上方を向くように収容されている。
　その後、搬送ユニット８０によって、テンプレートＴは、前洗浄ユニット１００に搬送され、チャック３２１に吸着保持される。続いて、チャック駆動部３２２によってテンプレートＴをレール３２３に沿って移動させながら、紫外線照射部３２４から当該テンプレートＴに紫外線が照射される。こうして、テンプレートＴの表面Ｔ１全面に紫外線が照射され、図２１（ａ）に示すようにテンプレートＴの表面Ｔ１が洗浄される（図２０の工程Ａ２）。
　その後、搬送ユニット８０によって、テンプレートＴは離型剤塗布ユニット９０に搬送され、保持部材２８１に受け渡される。続いて、離型剤ノズル３０２をテンプレートＴの中心部上方まで移動させると共に、テンプレートＴを回転させる。そして、回転中のテンプレートＴ上に離型剤Ｓを供給し、遠心力により離型剤ＳをテンプレートＴ上で拡散させて、図２１（ｂ）に示すようにテンプレートＴの表面Ｔ１全面に離型剤Ｓを塗布する（図２０の工程Ａ３）。
　その後、搬送ユニット８０によって、テンプレートＴは加熱ユニット１０４に搬送される。加熱ユニット１０４に搬入されたテンプレートＴは、昇降ピン２３２に受け渡され、載置台２３１に載置される。続いて、蓋体２４０が閉じられ、テンプレートＴは熱板２３５によって例えば２００℃に加熱される。所定時間経過後、図２１（ｃ）に示すようにテンプレートＴ上の離型剤Ｓが焼成される（図２０の工程Ａ４）。
　その後、搬送ユニット８０によって、テンプレートＴは温度調節ユニット２１１に搬送され、テンプレートＴが所定の温度に調節される。
　その後、搬送ユニット８０によって、テンプレートＴはリンスユニット９１に搬送され、保持部３１２に保持される。続いて、保持部３１２を下降させ、テンプレートＴを浸漬槽３１１に貯留された有機溶剤に浸漬させる。所定時間経過すると、離型剤Ｓの未反応部のみが剥離し、図２１（ｄ）に示すようにテンプレートＴ上に転写パターンＣに沿った離型剤Ｓが成膜される（図２０の工程Ａ５）。その後、保持部３１２を上昇させ、ガス供給部３１５から気体ガスをテンプレートＴに吹き付け、その表面Ｔ１を乾燥させる。なお、離型剤Ｓの未反応部とは、離型剤ＳがテンプレートＴの表面Ｔ１と化学反応して当該表面Ｔ１と吸着する部分以外をいう。
　その後、搬送ユニット８０によって、テンプレートＴはトランジションユニット１１３に搬送される。続いて、搬送ユニット７０によって、テンプレートＴはインプリント処理ステーション４に搬送される。ここで、上述した工程Ａ１～Ａ５を繰り返し行い、複数のテンプレートＴ上に離型剤Ｓを成膜し、複数のテンプレートＴが連続的にインプリント処理ステーション４に搬送される。このとき、インプリント処理ステーション４にテンプレートＴを搬送する前に、バッファカセット８１において、離型剤Ｓが成膜されたテンプレートＴを一時的に保管してもよい。
　その後、テンプレート搬送ユニット７１によって、テンプレートＴはトランジションユニット６１に搬送される。続いて、インプリントユニット６０内のテンプレート搬送機構によって、テンプレートＴはインプリントユニット６０内に搬送される（図２０の工程Ａ６）。このとき、テンプレート搬送機構によって、テンプレートＴの表裏面が反転される。すなわち、テンプレートＴの裏面Ｔ２が上方に向けられる。インプリントユニット６０に搬入されたテンプレートＴは、テンプレート保持部２７０のチャック２７１に吸着保持される。
　このようにテンプレート処理ステーション５においてテンプレートＴに所定の処理を行い、インプリントユニット６０へテンプレートＴを搬送中に、ウェハ搬入出ステーション２において、ウェハ搬送体１２により、カセット載置台１０上のテンプレートカセットＣＷからウェハＷが取り出され、ウェハ処理ステーション３のトランジションユニット２１に搬送される（図２０の工程Ａ７）。なお、ウェハカセットＣＷ内のウェハＷは、その被処理面が上方を向くように収容されている。
　その後、搬送ユニット２０によって、ウェハＷはレジスト塗布ユニット３０に搬送され、スピンチャック２１０に受け渡される。続いて、レジスト液ノズル２２２をウェハＷの中心部上方まで移動させると共に、ウェハＷを回転させる。そして、回転中のウェハＷ上に第１のレジスト液を供給し、遠心力により第１のレジスト液をウェハＷ上で拡散させて、ウェハＷの表面全面に第１のレジスト液を塗布する（図２０の工程Ａ８）。
　その後、搬送ユニット２０によって、ウェハＷは加熱ユニット４２に搬送される。加熱ユニット４２に搬入されたウェハＷは、昇降ピン２３２に受け渡され、載置台２３１に載置される。続いて、蓋体２４０が閉じられ、ウェハＷは熱板２３５によって例えば２００℃に加熱される。所定時間経過後、ウェハＷ上の第１のレジスト液が焼成され、図２１（ｅ）に示すようにウェハＷ上に第１のレジスト膜Ｒ１が形成される（図２０の工程Ａ９）。なお、第１のレジスト膜Ｒ１は、例えば１０ｎｍの膜厚で形成される。
　その後、搬送ユニット２０によって、ウェハＷは温度調節ユニット４０に搬送され、ウェハＷが所定の温度、例えば常温に調節される。
　その後、搬送ユニット２０によって、ウェハＷはトランジションユニット２２に搬送される。続いて、搬送ユニット７０によって、ウェハＷはインプリント処理ステーション４に搬送される。ここで、上述した工程Ａ７～Ａ９を繰り返し行い、複数のウェハＷ上に第１のレジスト膜Ｒ１を形成し、複数のウェハＷが連続的にインプリント処理ステーション４に搬送される。このとき、インプリント処理ステーション４にウェハＷを搬送する前に、バッファカセット２３において、第１のレジスト膜Ｒ１が形成されたウェハＷを一時的に保管してもよい。
　その後、搬送ユニット７０によって、ウェハＷはトランジションユニット６１に搬送される。続いて、インプリントユニット６０内のウェハ搬送機構によって、ウェハＷはインプリントユニット６０内に搬送される（図２０の工程Ａ１０）。
　インプリントユニット６０に搬入されたウェハＷは、昇降ピン２５２に受け渡され、ウェハ保持部２５１上に載置され保持される。続いて、ウェハ保持部２５１に保持されたウェハＷを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせをした後、レジスト液ノズル２６２をウェハＷの径方向に移動させ、図２１（ｆ）に示すようにウェハＷ上に第２のレジスト液を塗布し、第２のレジスト膜Ｒ２を形成する（図２０の工程Ａ１１）。このとき、制御部３５０により、レジスト液ノズル２６２から供給される第２のレジスト液の供給タイミングや供給量等が制御される。すなわち、ウェハＷ上に形成されるレジストパターンにおいて、凸部に対応する部分（テンプレートＴの転写パターンＣにおける凹部に対応する部分）に塗布される第２のレジスト液の量は多く、凹部に対応する部分（転写パターンＣにおける凸部に対応する部分）に塗布される第２のレジスト液の量は少なくなるように制御される。このように転写パターンＣの開口率に応じてウェハＷ上に第２のレジスト液が塗布される。なお、第２のレジスト膜Ｒ２は、例えば５０ｎｍの膜厚で形成される。
　ウェハＷ上に第２のレジスト膜Ｒ２が形成されると、ウェハ保持部２５１に保持されたウェハＷを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせを行うと共に、テンプレート保持部２７０に保持されたテンプレートＴを所定の向きに回転させる。そして、図２１（ｆ）の矢印に示すようにテンプレートＴをウェハＷ側に下降させる。テンプレートＴは所定の位置まで下降し、テンプレートＴの表面Ｔ１がウェハＷ上の第２のレジスト膜Ｒ２に押し付けられる。なお、この所定の位置は、ウェハＷ上に形成されるレジストパターンの高さに基づいて設定される。続いて、光源２７３から光が照射される。光源２７３からの光は、図２１（ｇ）に示すようにテンプレートＴを透過してウェハＷ上の第２のレジスト膜Ｒ２に照射され、これにより第２のレジスト膜Ｒ２は光重合する。このようにしてウェハＷ上の第２のレジスト膜Ｒ２にテンプレートＴの転写パターンＣが転写され、レジストパターンＰが形成される（図２０の工程Ａ１２）。
　その後、図２１（ｈ）に示すようにテンプレートＴを上昇させて、ウェハＷ上にレジストパターンＰを形成する。このとき、テンプレートＴの表面Ｔ１には離型剤Ｓが塗布されているので、ウェハＷ上のレジストがテンプレートＴの表面Ｔ１に付着することはない。その後、ウェハＷは、昇降ピン２５２によってウェハ搬送機構に受け渡され、インプリントユニット６０から搬出され、トランジションユニット６１に搬送される（図２０の工程Ａ１３）。その後、ウェハＷは、搬送ユニット７０によってウェハ処理ステーション３に搬送された後、ウェハ搬送体１２によってウェハカセットＣＷに戻される。なお、ウェハＷ上に形成されたレジストパターンＰの凹部には、薄いレジストの残存膜Ｌが残る場合があるが、例えばインプリントシステム１の外部において、図２１（ｉ）に示すように当該残存膜Ｌを除去してもよい。
　以上の工程Ａ１０～Ａ１３を繰り返し行い、一のテンプレートＴを用いて、複数のウェハＷ上にレジストパターンＰをそれぞれ形成する。そして、所定枚数のウェハＷに対して工程Ａ１０～Ａ１３が行われると、テンプレートＴが交換される。すなわち、テンプレート搬送機構によってテンプレートＴの表裏面が反転された後、テンプレートＴはインプリントユニット６０から搬出され、トランジションユニット６１に搬送される（図２０の工程Ａ１４）。
　なお、テンプレートＴを交換するタイミングは、テンプレートＴの劣化等を考慮して設定される。また、ウェハＷに異なるパターンＰを形成する場合にも、テンプレートＴが交換される。例えばテンプレートＴを１回使用する度に当該テンプレートＴを交換してもよい。また、例えば１枚のウェハＷ毎にテンプレートＴを交換してもよいし、例えば１ロット毎にテンプレートＴを交換してもよい。
　その後、テンプレートＴは、搬送ユニット７０によってテンプレート処理ステーション５のトランジションユニット１１３に搬送された後、搬送ユニット８０によって後洗浄ユニット１２０に搬送される。後洗浄ユニット１２０に搬送されたテンプレートＴは、昇降ピン３３２に受け渡され、載置台３３１に載置される。続いて、紫外線照射部３４５からテンプレートＴの表面Ｔ１全面に紫外線が照射される。そうすると、テンプレートＴ上の離型剤Ｓが気化してそのほとんどが除去される。所定時間経過後、紫外線の照射を停止し、洗浄液ノズル３４２をテンプレートＴの辺方向に移動させながら、当該テンプレートＴ上に残存する離型剤Ｓに対して洗浄液を供給する。こうして、テンプレートＴ上の離型剤Ｓが除去され、表面Ｔ１が洗浄される（図２０の工程Ａ１５）。なお、洗浄液として純水を用いる場合、テンプレートＴの表面Ｔ１にウォーターマークが付着するのを避けるため、その後有機溶剤であるＩＰＡを用いてさらに洗浄するのが好ましい。なお、後洗浄ユニット１２０では、テンプレートＴの表面Ｔ１だけでなく裏面Ｔ２も洗浄してもよい。
　その後、搬送ユニット８０によって、テンプレートＴは、検査ユニット１２２に搬送される。そして、検査ユニット１２２において、例えば干渉縞の観察等により、テンプレートＴの表面Ｔ１が検査される（図２０の工程Ａ１６）。なお、検査ユニット１２２では、テンプレートＴの表面Ｔ１だけでなく裏面Ｔ２も検査してもよい。
　その後、テンプレートＴは、搬送ユニット８０によってトランジションユニット１０３に搬送され、テンプレート搬送体１４２によってテンプレートカセットＣＴに戻される。なお、検査ユニット１２２の検査結果が良好な場合、例えばテンプレートＴの表面Ｔ１が適切に洗浄され、且つその表面Ｔ１が劣化していない場合には、テンプレートカセットＣＴに戻されたテンプレートＴは、インプリントユニット１内で再度使用される。一方、検査ユニット１２２の検査結果が悪い場合、例えばテンプレートＴの表面Ｔ１が劣化している場合には、テンプレートＴはインプリントユニット１の外部に搬出される。
　このようにして、インプリントシステム１において、テンプレートＴを連続的に交換しつつ、複数のウェハＷに対して所定のレジストパターンＰが連続的に形成される。
　以上の実施の形態によれば、インプリントシステム１において、図２１（ｉ）に示したようにウェハＷ上に第１のレジスト膜Ｒ１と、第２のレジスト膜Ｒ２のレジストパターンＰが形成される。そして、その後インプリントシステム１の外部のエッチング処理ユニット（図示せず）において、第２のレジスト膜Ｒ２のレジストパターンＰをマスクとして、第１のレジスト膜Ｒ１をエッチング処理してレジストパターンを形成する。そうすると、これら第１のレジスト膜Ｒ１のレジストパターンと第２のレジスト膜Ｒ２のレジストパターンＰが一体となって十分な耐エッチング機能を発揮する。したがって、ウェハＷ上の被処理膜を適切にエッチング処理して、当該被処理膜のパターンを適切に形成することができる。
　以上の実施の形態によれば、一のウェハ処理ステーション３に対して、インプリント処理ステーション４には、インプリントユニット６０が複数配置されている。このため、ウェハ処理ステーション３で複数のウェハＷ上に第１のレジスト膜Ｒ１を形成し、当該ウェハ処理ステーション３からインプリント処理ステーション４に第１のレジスト膜Ｒ１が形成された複数のウェハＷを連続して搬送できる。また、インプリント処理ステーション３にはテンプレート処理ステーション５が接続されているので、当該テンプレート処理ステーション５からインプリント処理ステーション４に離型剤Ｓが成膜された複数のテンプレートＴを連続して搬送できる。そして、インプリント処理ステーション４では、各テンプレートＴを用いた各ウェハＷに対するインプリント処理を各インプリントユニット６０で並行して行うことができる。このため、ウェハ処理ステーション３における処理時間とインプリントユニット６０における処理時間が異なる場合でも、ウェハ処理ステーション３におけるウェハ処理を停止させることなく、ウェハＷを連続して適切に処理することができる。したがって、ウェハＷ上に所定のレジストパターンＰを適切且つ効率よく形成することができる。また、これによって、半導体デバイスの量産化を実現することも可能となる。
　また、テンプレート処理ステーション５内に、離型剤処理ブロックを構成する処理ブロックＦ１～Ｆ４が設けられているので、インプリントシステム１内でテンプレートＴ上に離型剤Ｓを成膜しつつ、テンプレートＴをインプリントユニット６０に連続的に供給できる。これによって、例えばテンプレートＴが劣化する前、あるいは複数のウェハＷ上に異なるレジストパターンＰを形成する場合でも、インプリントユニット６０内のテンプレートＴを連続して効率よく交換することができる。したがって、複数のウェハＷに対して所定のレジストパターンＰを適切に形成することができる。
　また、テンプレート処理ステーション５内には、テンプレート洗浄ブロックを構成する処理ブロックＦ５、Ｆ６が設けられ、例えば後洗浄ユニット１２０、１２１、１３０、１３１が設けられているので、インプリントシステム１内で使用済みのテンプレートＴの表面Ｔ１を洗浄することができる。これによって、インプリントユニット１内でテンプレートＴを再度使用することができる。
　さらに、テンプレート処理ステーション５内に、検査ユニット１２２、１３２が設けられているので、洗浄後のテンプレートＴの表面Ｔ１を検査することができる。そして、この検査結果に基づいて、例えば当該テンプレートＴをインプリントユニット１内で再度使用したり、あるいはインプリントユニット１の外部に搬出する等を決定することができる。これによって、テンプレートＴを有効利用することができると共に、インプリントユニット１内で不良なテンプレートＴを使用することが無くなるので、複数のウェハＷ上に所定のレジストパターンＰを適切に形成することができる。
　また、ウェハ処理ステーション３では、レジスト塗布ユニット３０においてウェハＷ上に第１のレジスト液を塗布した後、加熱ユニット４２においてウェハＷ上の第１のレジスト液を焼成している。したがって、ウェハＷ上に第１のレジスト膜Ｒ１を適切に形成することができる。
　なお、以上の実施の形態のテンプレート処理ステーション５には、離型剤処理ブロックを構成する処理ブロックＦ１～Ｆ４と、テンプレート洗浄ブロックを構成する処理ブロックＦ５、Ｆ６の両方が設けられていたが、例えば図２２に示すように、テンプレート処理ステーション５内に離型剤処理ブロックである処理ブロックＦ１～Ｆ４のみを設けてもよい。この場合、前記実施の形態の工程Ａ１５、Ａ１６が省略され、使用済みのテンプレートＴの表面Ｔ１の洗浄はインプリントシステム１の外部で行われる。また、かかる場合、処理ブロックＦ３、Ｆ４をそれぞれ処理ブロックＦ５、Ｆ６の位置に移動させて配置し、処理ブロックＦ３、Ｆ４の位置にテンプレートＴの受け渡しを行うためのトランジションユニットをそれぞれ設けてもよい。
　以上の実施の形態のインプリントシステム１では、ウェハ搬入出ステーション２、ウェハ処理ステーション３、インプリント処理ステーション４、テンプレート処理ステーション５、テンプレート搬入出ステーション６が水平方向に並べて配置されていたが、図２３～図２７に示すようにテンプレート処理ステーション５は、ウェハ処理ステーション３の上方に積層されて配置されていてもよい。また、テンプレート搬入出ステーション６は、ウェハ搬入出ステーション２の上方に積層されて配置されていてもよい。かかる場合、インプリントシステム１の占有面積を小さくすることができ、その製造コストを低廉化することができる。
　なお、テンプレート処理ステーション５及びテンプレート搬入出ステーション６と、ウェハ処理ステーション３及びウェハ搬入出ステーション２との上下関係は本実施の形態に限定されず、ウェハ処理ステーション３及びウェハ搬入出ステーション２を上層に配置してもよい。但し、インプリントユニット６０内では、テンプレートＴがウェハＷの上方に配置されるので、本実施の形態のようにテンプレート処理ステーション５及びテンプレート搬入出ステーション６を上層に配置するのが好ましい。
　また、本実施の形態においても、テンプレート処理ステーション５内に、離型剤処理ブロックである処理ブロックＦ１～Ｆ４のみを設け、テンプレート洗浄ブロックを構成する処理ブロックＦ５、Ｆ６を省略してもよい。この場合、前記実施の形態の工程Ａ１５、Ａ１６が省略され、使用済みのテンプレートＴの表面Ｔ１の洗浄はインプリントシステム１の外部で行われる。
　なお、これらウェハ搬入出ステーション２、ウェハ処理ステーション３、インプリント処理ステーション４、テンプレート処理ステーション５、テンプレート搬入出ステーション６の構成は、前記実施の形態と同様であるので説明を省略する。
　以上の実施の形態では、テンプレート処理ステーション５において、テンプレートＴ上に離型剤Ｓを塗布した後、当該離型剤Ｓを加熱して焼成していたが、離型剤Ｓを焼成する代わりに光を照射してもよい。かかる場合、テンプレートＴ上の離型剤Ｓに対して、波長が例えば３５０ｎｍ～２５００ｎｍの光が照射される。そうすると、テンプレートＴの表面Ｔ１と離型剤Ｓの活性基を強固且つ密に化学結合させることができ、テンプレートＴの表面Ｔ１と離型剤Ｓとの密着性が向上する。すなわち、テンプレートＴの表面Ｔ１に離型剤Ｓを短時間で密着させることができる。
　また、テンプレート処理ステーション５において、テンプレートＴ上に離型剤Ｓを塗布した後、離型剤Ｓを焼成する代わりにアルコール処理をしてもよい。かかる場合、テンプレートＴ上の離型剤Ｓにアルコールが塗布される。そうすると、離型剤ＳがテンプレートＴの表面Ｔ１と強固且つ密に化学反応し、テンプレートＴの表面Ｔ１と離型剤Ｓとの密着性が向上する。なお、アルコールはアルコール類であればよく、エタノール以外の他のアルコールを用いてもよい。例えばメタノール、プローパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノールを用いてもよく、あるいはこれらのアルコールの混合物を用いてもよい。また、アルコールの濃度は特に限定されないが、１００％であることが好ましい。
　以上の実施の形態のインプリントシステム１において、各処理ユニットの構成は前記実施の形態に限定されず、各処理を行うことができる構成であれば、種々の構成を取り得る。例えば以上の実施の形態のリンスユニット９１、９３では、浸漬層３１１に貯留された有機溶剤にテンプレートＴを浸漬することで離型剤Ｓをリンスしていたが、図１１及び図１３に示した離型剤塗布ユニット９０と同様の構成を有するリンスユニットを用いてもよい。かかる場合、離型剤塗布ユニット９０の離型剤ノズル３０２に代えて、テンプレートＴ上に離型剤Ｓのリンス液としての有機溶剤を供給するリンス液ノズルが用いられる。そして、このリンスユニットでは、回転中のテンプレートＴ上に有機溶剤が供給し、テンプレートＴの表面Ｔ１全面をリンスする。所定時間経過すると、離型剤Ｓの未反応部のみが剥離し、テンプレートＴ上に転写パターンＣに沿った離型剤Ｓが成膜される。その後、有機溶剤の供給を停止した後、さらにテンプレートＴを回転させ続け、その表面Ｔ１を振り切り乾燥させる。このようにして、テンプレートＴ上の離型剤Ｓがリンスされる。
　前記した実施の形態では、図２０のフローでも示したように、ウェハＷ上に第１のレジスト膜Ｒ１が形成された後は、インプリント処理ステーション４にウェハＷが搬送され、その後第２のレジスト膜Ｒ２が形成される。
　しかしながら、テンプレートＴを第２のレジスト膜Ｒ２に接触させて転写パターンＣを転写した際に、テンプレートＴの表面に離型剤Ｓが成膜されていても、第２のレジスト膜Ｒ２がテンプレートＴ側に付着する可能性も否定できない。かかる場合に鑑みて、第２のレジスト膜Ｒ２のウェハＷ側への密着性、定着生を向上させる処理を、第２のレジスト膜Ｒ２の形成前に予め行なっておくことが好ましい。
　たとえば第２のレジスト膜Ｒ２の材料が、たとえばＵＶ硬化性樹脂の場合、第１のレジスト膜Ｒ１の表面に、当該ＵＶ硬化性樹脂との密着性を向上させる、シランカップリング剤などの密着剤を塗布して成膜しておくことが好ましい。このような塗布処理は、図２０のフローに即して言えば、たとえば第１のレジスト液を焼成した後（工程Ａ９の後）に行なうとよい。
　そしてそのような密着剤を塗布するにあたっては、第１のレジスト膜Ｒ１を形成する第１のレジスト液の塗布を行なった、図６に示したような塗布ユニット３０～３３と同じ構成を持った塗布装置を用いることができる。そしてそのように密着剤を塗布した後、必要に応じてウェハＷを加熱し、さらには必要に応じて冷却し、その後にインプリントユニット６０に搬入し、以後図２０に示したフローと同様に、第２のレジスト膜Ｒ２の形成処理（工程Ａ１１）を実施すればよい。
　またそのように第１のレジスト膜Ｒ１の表面に密着剤を成膜する際、前記した塗布ユニット３０のような液体を塗布する装置ではなく、密着剤の蒸気をウェハＷ表面に供給して成膜するようにしてもよい。
　図２８は、その際に使用する密着剤の塗布ユニットとしての成膜ユニット４５０の構成の概略を示している。この成膜ユニット４５０は、たとえば塗布ユニット３０～３３の一部に代えて、基板処理ステーション３に搭載される。
　成膜ユニット４５０は、図２８に示すようにウェハＷが載置される載置台４６０と、当該載置台４６０の上方に設けられた蓋体４６１とを有している。蓋体４６１は、例えば昇降機構（図示せず）によって鉛直方向に移動自在に構成されている。また、蓋体４６１の下面は開口している。そして、蓋体４６１と載置台４６０とが一体となって、密閉された処理空間Ｋを形成できるようになっている。
　載置台４６０には、ウェハＷの表面（たとえば第１のレジスト膜Ｒ１の形成面）が上方を向くように当該ウェハＷが載置される。載置台４６０の上面には、ウェハＷの温度を制御する温度制御板４７０が設けられている。温度制御板４７０は、例えばペルチェ素子などを内蔵し、ウェハＷを所定の温度に調節できる。載置台４６０内には、ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン４７１が設けられている。昇降ピン４７１は、昇降駆動部４７２により上下動できる。載置台４６０の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔４７３が形成されおり、昇降ピン４７１は、貫通孔４７３を挿通するようになっている。
　また、蓋体４６１の天井面には、ウェハＷ上に密着剤の蒸気と水蒸気を供給するガス供給管４９０が設けられている。ガス供給管４９０には、密着剤の蒸気を供給する密着剤供給源４９１と、水蒸気を供給する水蒸気供給源４９２が接続されている。また、ガス供給管４９０には、密着剤供給源４９１から供給される密着剤の蒸気と、水蒸気供給源４９２から供給される水蒸気の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群４９３が設けられている。
　密着剤供給源４９１は、内部に液体状の密着剤を貯留している。また、密着剤剤供給源４９１には、当該密着剤供給源４９１内に窒素ガスを供給するガス供給管（図示せず）が接続されている。密着剤供給源４９１では、内部に窒素ガスが供給されることで液体状の密着剤が気化して、密着剤の蒸気が生成される。この密着剤の蒸気は、前記窒素ガスをキャリアガスとしてガス供給管４９０に供給さる。
　水蒸気供給源４９２は、例えば内部に水を貯留している。そして、例えばこの水を加熱して気化させて、水蒸気が生成される。
　蓋体４６１の側面には、処理空間Ｋの雰囲気を排気する排気管４９４が接続されている。排気管４９４には、処理空間Ｋの雰囲気を真空引きする排気ポンプ４９５が接続されている。
　かかる構成を有する成膜ユニット４５０を用いて密着剤を第１のレジスト膜Ｒ１の表面に成膜するには、たとえば図２０に示した工程Ａ９の後に、ウェハＷが塗布ユニット４５０に搬送される。搬送されたウェハＷは、昇降ピン４７１に受け渡され、載置台４６０に載置される。このとき、載置台４６０上のウェハＷは、温度制御板４７０によって所定の温度、例えば５０℃に温度調節される。続いて、蓋体４６１が下降し、当該蓋体４６１と載置台４６０とで密閉された処理空間Ｋが形成される。その後、ガス供給管４９０から処理空間Ｋに密着剤の蒸気が供給される。供給された密着剤の蒸気は、ウェハＷの表面上に堆積する。その後、ガス供給管４９０から処理空間Ｋに水蒸気が供給され、当該水蒸気はウェハＷ上に堆積した密着剤に供給される。
　水蒸気が供給されるとウェハＷ上に堆積した密着剤の分子が加水分解され、さらにウェハＷの表面と密着剤分子が脱水縮合により結合される。これによってウェハＷ上に形成された第１のレジスト膜Ｒ１と、その上に形成される第２のレジスト膜Ｒ２との密着性が向上する。なお、ウェハＷ上に密着剤を成膜した後、処理空間Ｋの雰囲気を不活性ガス、例えば窒素ガスに置換してもよい。
　このように密着剤の蒸気を供給して、ウェハＷ表面に密着剤を成膜する方式によれば、液体の密着剤を塗布して成膜する場合と比較すると、リンスする必要がなく、またより均一に成膜することが可能である。
　なお上記した例では、載置台４６０上のウェハＷは、温度制御板４７０によって所定の温度、例えば５０℃に温度調節されていたが、必ずしもそのように常温よりも高い温度にウェハＷを温度調整する必要がなく、常温、たとえば２０℃～２５℃のまま成膜してもよい。
　また上記した例では、積極的に水蒸気を供給して加水分解を促進するようにしたが、そのように積極的に水蒸気を供給しなくとも、周囲の雰囲気中の水分によって、加水分解が行なわれ、前記した脱水縮合による結合反応は実現される。
　なお第１のレジスト膜Ｒ１の塗布にあたっても、レジスト液の蒸気をウェハＷ上に供給して、ウェハＷ上に第１のレジスト膜Ｒ１を形成するようにしてもよい。この場合、第１のレジスト膜Ｒ１は、前記したような密着性を高める効果を有するものが好ましい。
　さらにまた、前記実施の形態では、離型剤塗布ユニット９０を採用し、テンプレートＴの表面に対して、液状の離型剤Ｓを離型剤ノズル３０２により、いわゆるスピンコーティング法によって塗布し、その後焼成して離型剤を成膜するようにしていたが、これに代えて、前記した成膜ユニット４５０のように、離型剤の蒸気をテンプレートＴの表面に供給して成膜する方式の、離型剤成膜ユニットを採用してもよい。
　このような離型剤の蒸気を供給する離型剤成膜ユニットは、構造的には成膜ユニット４５０と同一のものを用いることができ、密着剤供給源４９１に代えて、離型剤（たとえばシランカップリング剤）を貯留した離型剤供給源を使用すればよい。そして水蒸気を供給するための水蒸気供給源４９２は、そのままこれを使用することができる。
　このように離型剤の蒸気を供給して、テンプレートＴ表面に離型剤を成膜する方式によれば、液体の離型剤を塗布して成膜する場合と比較すると、リンス、焼成する必要がなく、またより均一に成膜することが可能である。
　以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
　　１　　インプリントシステム
　　２　　ウェハ搬入出ステーション
　　３　　ウェハ処理ステーション
　　４　　インプリント処理ステーション
　　５　　テンプレート処理ステーション
　　６　　テンプレート搬入出ステーション
　　３０～３３　レジスト塗布ユニット
　　４２、４３、５２、５３　加熱ユニット
　　６０　インプリントユニット
　　３５０　制御部
　　４５０　成膜ユニット
　　Ｅ１、Ｅ２　インプリントブロック
　　Ｅ３　搬送領域
　　Ｆ１～Ｆ６　処理ブロック
　　Ｃ　　転写パターン
　　Ｐ　　レジストパターン
　　Ｒ１　　第１のレジスト膜
　　Ｒ２　　第２のレジスト膜
　　Ｓ　　離型剤
　　Ｔ　　テンプレート
　　Ｗ　　ウェハ

Claims (18)

  1. 表面に転写パターンが形成されたテンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを形成するインプリントシステムであって、
    基板上に第１のレジスト膜を形成する基板処理ステーションと、
    テンプレートの表面に離型剤を成膜する離型剤処理ブロックを備えたテンプレート処理ステーションと、
    前記第１のレジスト膜が形成された基板上に第２のレジスト膜を形成し、前記離型剤が成膜されたテンプレートの転写パターンを前記第２のレジスト膜に転写して当該第２のレジスト膜に所定のレジストパターンを形成するインプリントユニットが複数配置され、前記基板処理ステーション及びテンプレート処理ステーションに接続されたインプリント処理ステーションと、
    前記基板処理ステーションに接続され、当該基板処理ステーションに基板を搬入出する基板搬入出ステーションと、
    前記テンプレート処理ステーションに接続され、当該テンプレート処理ステーションにテンプレートを搬入出するテンプレート搬入出ステーションと、を有する。
  2. 請求項１に記載のインプリントシステムにおいて、
    前記基板処理ステーションと前記テンプレート処理ステーションは、鉛直方向に積層して配置され、
    前記基板搬入出ステーションと前記テンプレート搬入出ステーションは、鉛直方向に積層して配置されている。
  3. 請求項２に記載のインプリントシステムにおいて、
    前記テンプレート処理ステーションは、前記基板処理ステーションの上方に配置され、
    前記テンプレート搬入出ステーションは、前記基板搬入出ステーションの上方に配置されている。
  4. 請求項１に記載のインプリントシステムにおいて、
    前記基板処理ステーションと前記テンプレート処理ステーションは、前記インプリント処理ステーションを挟んで水平方向に並べて配置されている。
  5. 請求項１～４のいずれかに記載のインプリントシステムにおいて、
    前記基板処理ステーションは、基板上に塗布液を塗布する塗布ユニットを有する。
  6. 請求項５に記載のインプリントシステムにおいて、
    前記塗布ユニットは、前記第１のレジスト膜を形成する液体の蒸気を基板上に供給するものである。
  7. 請求項１～６のいずれかに記載のインプリントシステムにおいて、
    前記第１のレジスト膜が形成された基板上に、前記第２のレジスト膜との密着性を高める密着剤を塗布する密着剤塗布ユニットを、前記基板処理ステーションに有する。
  8. 請求項７に記載のインプリントシステムにおいて、
    前記密着剤塗布ユニットは、密着剤の蒸気を前記第１のレジスト膜が形成された基板上に供給するものである。
  9. 請求項８に記載のインプリントシステムにおいて、
    前記密着剤塗布ユニットは、基板に対して水蒸気を供給する機能を有している。
  10. 請求項１～９のいずれかに記載のインプリントシステムにおいて、
    前記テンプレート処理ステーションには、前記インプリント処理ステーションから搬出されたテンプレートの表面を洗浄するテンプレート洗浄ブロックが配置されている。
  11. 請求項１～１０のいずれかに記載のインプリントシステムにおいて、
    前記インプリント処理ステーションには、前記複数のインプリントユニットを水平方向に並べて配置した２列のインプリントブロックが形成され、
    前記２列のインプリントブロック間には、前記各インプリントユニットに基板とテンプレートを搬送するための搬送領域が形成されている。
  12. 請求項１～１１のいずれかに記載のインプリントシステムにおいて、
    テンプレートの表面に離型剤の蒸気を供給して、当該表面に離型剤を成膜する離型剤成膜ユニットが、前記離型剤処理ブロックに設けられている。
  13. 請求項１２に記載のインプリントシステムにおいて、
    前記離型剤成膜ユニットは、テンプレートに対して水蒸気を供給する機能を有している。
  14. インプリントシステムにおいて、表面に転写パターンが形成されたテンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを形成するインプリント方法であって、
    前記インプリントシステムは、
    基板上に第１のレジスト膜を形成する基板処理ステーションと、
    テンプレートの表面に離型剤を成膜する離型剤処理ブロックを備えたテンプレート処理ステーションと、
    前記第１のレジスト膜が形成された基板上に第２のレジスト膜を形成し、前記離型剤が成膜されたテンプレートの転写パターンを前記第２のレジスト膜に転写して当該第２のレジスト膜に所定のレジストパターンを形成するインプリントユニットが複数配置され、前記基板処理ステーション及びテンプレート処理ステーションに接続されたインプリント処理ステーションと、
    前記基板処理ステーションに接続され、当該基板処理ステーションに基板を搬入出する基板搬入出ステーションと、
    前記テンプレート処理ステーションに接続され、当該テンプレート処理ステーションにテンプレートを搬入出するテンプレート搬入出ステーションと、を有し、
    前記基板処理ステーションにおいて複数の基板上に第１のレジスト膜を形成すると共に、前記テンプレート処理ステーションにおいて複数のテンプレートの表面に離型剤を成膜し、
    前記基板処理ステーションから前記インプリント処理ステーションに前記第１のレジスト膜が形成された複数の基板を連続して搬送すると共に、前記テンプレート処理ステーションから前記インプリント処理ステーションに前記離型剤が成膜された複数のテンプレートを連続して搬送し、
    前記インプリント処理ステーションでは、各テンプレートを用いた各基板に対する前記所定のレジストパターンの形成が前記各インプリントユニットで並行して行なわれる。
  15. 請求項１４に記載のインプリント方法において、
    前記基板処理ステーションにおいて、基板上に塗布液が塗布される。
  16. 請求項１４又は１５に記載のインプリント方法において、
    前記テンプレート処理ステーションにはテンプレート洗浄ブロックが配置され、
    前記テンプレート洗浄ブロックにおいて、前記インプリント処理ステーションから搬出されたテンプレートの表面を洗浄する。
  17. 請求項１４～１６のいずれかに記載のインプリント方法において、
    前記インプリントシステムは、前記第１のレジスト膜が形成された基板上に、前記第２のレジスト膜との密着性を高める密着剤を塗布する密着剤塗布ユニットを、前記基板処理ステーションに有し、
    第１のレジスト膜形成後に、前記密着剤が基板上に塗布される工程を有する。
  18. 請求項１４～１７のいずれかに記載のインプリント方法をインプリントシステムによって実行させるために、当該インプリントシステムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した、読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
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