JP2011146447A - インプリント装置及び物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 型を交換するタイミングを適正化したインプリント装置を提供する。
【解決手段】 インプリント装置は、型を支持する支持体と、基板を支持する基板ステージと、前記型に加えられた力を検出する検出器と、前記支持体と前記基板ステージとの間に前記支持体に支持された前記型を取り外すための空間を作り出す機構と、制御部と、を備える。前記制御部は、硬化した樹脂から前記型を引き離すために要する離型力を前記検出器の検出結果に基づいて決定し、前記決定された離型力を第１の閾値と比較し、前記決定された離型力が前記第１の閾値より大きいならば前記機構に前記空間を作り出させる。
【選択図】図１

Description

本発明は、原版となる型のパターンをウエハ等の基板へ転写するインプリント装置及びインプリント装置を使用する物品の製造方法に関する。

紫外線やＸ線、あるいは、電子ビームによるフォトリソグラフィーを用いた半導体デバイスへの微細パターンの形成方法に代わる技術としてインプリントが既に知られている。インプリントは、電子ビーム露光等によって、微細なパターンを形成した型（モールド）を、樹脂材料を塗布したウエハ等の基板に押し付ける（押印する）ことによって、樹脂上にパターンを転写する技術である。インプリントには幾つかの種類があり、その一方法として光硬化法が従来から提案されている（例えば、特許文献１を参照のこと）。光硬化法は、基板に塗布された樹脂に透明な型を押し付けた状態で紫外線を出射して樹脂を硬化させ、硬化した樹脂から型を引き離す（離型する）。この光硬化法によるインプリントは、温度制御が比較的容易に行える点や透明な型越しに基板上のアライメントマークの観察が出来る点から半導体集積回路の製造に適している。また、異なるパターンの重ね合せを考慮すると、製造するデバイスのチップの大きさに合せた型を製作し、基板上のショットに逐次転写するステップ・アンド・リピート方式の適用が好ましい。

一般に、インプリントでは、硬化した樹脂から型を引き離す離型が課題とされている。離型性が低い状態で無理に樹脂から型を引き離すと型が損傷したりして、インプリント装置の耐久性が低下することがある。特許文献２には、離型力を検出し、検出した離型力を閾値と比較して異常の有無を判断し、異常があると判断する場合に、型を加熱する等して離型性を向上させる異常収拾処理を行うことが開示されている。

特表２００５−５３３３９３号公報 特開２００８−２４６７２９号公報

型の離型性が低下すると、型の離型時に樹脂に形成されたパターンが崩壊したり型の凹部に目詰まりが発生したりすることがあった。これらの事態の発生を回避するために、インプリント動作を規定回数実施した後に型を回収し、型の洗浄と型に対する離型剤の再塗布を行う必要があった。型の回収、洗浄、離型剤の再塗布のための手間と時間を考えると、型をより長く使用したいが、インプリントの条件によっては、規定回数に達しなくても上述した問題が発生することがあり、型を交換する適正なタイミングを決定することが困難であった。

そこで、本発明は、型を交換するタイミングを適正化したインプリント装置を提供することを例示的目的とする。

本発明は、基板に樹脂を塗布し、前記塗布された樹脂に型を押し付けた状態で前記樹脂を硬化させるインプリント動作を前記基板のショット毎に行うインプリント装置であって、型を支持する支持体と、基板を支持する基板ステージと、前記型に加えられた力を検出する検出器と、前記支持体と前記基板ステージとの間に前記支持体に支持された前記型を取り外すための空間を作り出す機構と、制御部と、を備え、前記制御部は、硬化した樹脂から前記型を引き離すために要する離型力を前記検出器の検出結果に基づいて決定し、前記決定された離型力を第１の閾値と比較し、前記決定された離型力が前記第１の閾値より大きいならば前記機構に前記空間を作り出させる、ことを特徴とする。

本発明によれば、型を交換するタイミングを適正化したインプリント装置を提供することができる。

インプリント装置の構成図である。 インプリント装置の制御ブロック図である。 離型時において型に加えられた力の時間変化を示すグラフである。 複数枚の基板に対するインプリント動作のフローチャートである。 一枚の基板に対するインプリント動作のフローチャートである。 基板上のショット配置とショット番号を示す平面図である。 型に加えられた力と離型力の推移を示すグラフである。 型の交換、樹脂の充填不良を判定するためのフローチャートである。 型の交換、樹脂の充填不良を判定するための手法を説明するためのグラフである。 型の交換時期を予測するためのフローチャートである。 型の交換時期を予測するための手法を説明するためのグラフである。

以下、添付図面を参照して、本発明に係る光硬化法のインプリント装置について説明する。

［実施例１］
図１は、インプリント装置の構成図で、図２は、インプリント装置の制御ブロック図である。インプリント装置は、基板に樹脂を塗布し、塗布された樹脂に型を押し付けた状態で樹脂を硬化させるインプリント動作を基板のショット毎に行う。

図１及び図２において、ウエハ等の基板１は、基板チャック２によって保持される。微動ステージ３は、基板１のθ（ｚ軸回りの回転）方向位置の補正機能、基板１のｚ位置の調整機能、及び基板１の傾きを補正するためのチルト機能を有する。微動ステージ３は、基板１を所定の位置に位置決めするためのＸＹステージ４上に配置される。微動ステージ３とＸＹステージ４とを合せて、基板１を支持する基板ステージと総称する。ＸＹステージ４は、ベース定盤５に載置される。参照ミラー６は、微動ステージ３上のｘ方向及びｙ方向（ｙ方向の参照ミラーは不図示）に取り付けられ、微動ステージ３の位置を計測するためにレーザ干渉計７からの光を反射する。支柱８，８'は、ベース定盤５上に屹立し、天板９を支える。型（モールド）１０は、図示しない機械的保持機構によって、型チャック１１に固定される。型チャック１１は、型１０を支持する支持体を構成する。型１０の表面には、基板１に転写されるべき凹凸のパターンが形成されている。型チャック１１は、同じく図示しない機械的保持機構によって、型チャックステージ１２に載置される。

型チャックステージ１２は、型１０（又は型チャック１１）のｚ軸回りの回転（θ）方向位置の補正機能及び型１０の傾きを補正するためのチルト機能を有する。型チャック１１は、そのｘ方向及びｙ方向の位置を計測するためにレーザ干渉計７'からの光を反射する反射面を有する（ｙ方向の反射面は不図示）。型チャック１１及び型チャックステージ１２には、光源１６からコリメータレンズ１７を通して出射される紫外光を型１０へと通過させる、図示しない開口をそれぞれ有する。ガイドバープレート１３は、その一端が型チャックステージ１２に固定され、天板９を貫通するガイドバー１４，１４'の他端を固定する。

型昇降用のリニアアクチュエータ１５，１５'は、エアシリンダ又はリニアモータからなり、ガイドバー１４，１４'を図１のｚ方向に駆動し、型チャック１１に保持された型１０を基板１に押し付けたり、引き離したりする。リニアアクチュエータ１５，１５'は、型１０を支持する支持体を駆動する駆動機構を構成する。リニアアクチュエータ１５，１５'は、また、型を支持する支持体と基板ステージ３，４との間に、支持体に支持された型１０を取り外すための空間を作り出す機構を構成している。なお、空間を作り出す機構は、リニアアクチュエータ１５，１５'ではなく、基板ステージ３，４を駆動する駆動機構としてもよい。天板９に支柱１９及び１９'により懸架されたアライメント棚１８には、ガイドバー１４及び１４'が貫通している。静電容量センサ等のギャップセンサ２０は、基板チャック２上の基板１の高さ（平坦度）を計測する。

複数のロードセル２１（図１に図示せず）は、型チャック１１又は型チャックステージ１２に取り付けられ、型１０を基板１に押し付ける場合と基板１から引き離す場合において型１０に加えられた力を計測する検出器である。なお、型１０に加えられた力を計測する検出器は、型１０に取り付けられた歪みゲージであってもよい。

ダイバイダイアライメント用のＴＴＭ（スルー・ザ・モールド）アライメントスコープ３０，３０'は、基板１と型１０とに設けられたアライメントマークを観察するための光学系と撮像系とを有する。ＴＴＭアライメントスコープ３０，３０'は、基板１と型１０のｘ方向及びｙ方向の位置ずれを計測する。ディスペンサヘッド３２は、基板１の表面に液状の光硬化性の樹脂を滴下する樹脂滴下ノズルを備えている。微動ステージ３上に配置された基準マーク台上には、基準マーク５０が配置されている。ＣＰＵ（制御部）１００は、以上のアクチュエータやセンサ類を統括して、インプリント装置に所定の動作をさせる。メモリ（記憶部）１１０には、インプリント動作を実行するときの離型力の推移を含む、型１０の転写履歴や、型交換時期の判定に必要な離型力に関するデータが記憶されている。表示部１２０は、後述するように、型１０の交換をうながすメッセージや樹脂の充填不良の発生を表示する。

ここで図１から図５を用いて、半導体デバイス作成時のインプリント装置の動きについて説明する。図３は、ロードセル２１により計測される、離型時において型１０に加えられた力の時間変化の一例を示したグラフである。図３において、マイナス側に働く力の最大値の絶対値を離型力ＦＬと呼ぶ。

図４は、複数枚の基板１に同じ型１０を使用してインプリント動作を実行する実施例１のフローチャートである。Ｓ１０１で、ＣＰＵ１００は、メモリ１１０に保存されている型毎の転写履歴から、使用する型の基準離型力Ｆ０を確認する。基準離型力Ｆ０は、使用する基板１や下地、型１０、離型剤、樹脂、型の押し付け荷重、型の押し付け時間、紫外線の照射時間、離型時の型の引き離し速度といった条件で事前にインプリントを行って得られた離型力である。この事前のインプリントでは、基板上の全てのショットでインプリントを行う必要はない。例えば図６に示すショット配置で、基板中心付近の複数ショットでインプリントを行い、その結果得られた離型力の平均値もしくは最大値を基準離型力Ｆ０として、メモリ１１０に保存しておく。また、型１０の洗浄や離型剤の塗布を行った場合、同様の事前のインプリントを行って基準離型力Ｆ０の値を更新する。

次に、Ｓ１で、図示しない型搬送機構が、型１０を型チャック１１に供給する。Ｓ２で、ＴＴＭアライメントスコープ３０、３０'により型１０の図示しないアライメントマークと微動ステージ３上の基準マーク５０とを同時に観察する。そして、この観察結果を使用して、型チャックステージ１２により主に型１０のθ（ｚ軸回りの回転）方向の位置を合せる。次に、Ｓ３で、図示しない基板搬送機構が、基板１を基板チャック２に供給する。続くＳ４で、ＣＰＵ１００は、ＸＹステージ４を駆動して、ギャップセンサ２０により基板１全面の高さ（平坦度）を計測する。この計測データは後述するように、型１０の押印時に、基板１のインプリント動作を行うショット面を基準平面に合せる際に使用される。

Ｓ５で、プリアライメント計測器（図示せず）により、基板１上に先行して形成されたプリアライメントマーク（図示せず）を撮像し観察する。そして、画像処理により基板１のインプリント装置に対するｘ方向とｙ方向のずれを計測し、その結果を元に基板１のθ（ｚ軸回りの回転）方向の位置補正を行う。Ｓ６で、ＴＴＭアライメントスコープ３０、３０'を使用して、基板１上の特定のサンプルショット（図示せず）において、型１０上のアライメントマーク（図示せず）と基板１上のアライメントマーク（図示せず）を同時に観察する。そして、ｘ方向とｙ方向の相対的位置ずれ量を計測する。これらのｘ方向及びｙ方向の位置ずれからθ（ｚ軸回りの回転）方向の位置ずれも算出される。サンプルショットでのＴＴＭアライメントスコープによる計測結果から、基板１上の各ショットにおけるｘ方向、ｙ方向、θ方向のずれを予測して、ショットごとの転写を行う際の基板ステージの位置合せ目標位置が決定される。この手法は、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置で用いられているグローバルアライメント計測の手法と同じである。

Ｓ７で、基板１上の各ショットに対して、図５に示すフローチャートによるインプリント動作が行われる。全ショットに対するインプリント動作が終了すると、Ｓ８で、図示しない基板搬送機構により基板１が基板チャック２から回収される。Ｓ９で、ＣＰＵ１００は、続いてインプリントする基板があるか否か判定し、次にインプリントする基板がある場合は、インプリント動作が可能なショット数と次の基板でインプリントするショット数とを比較する。続いてインプリントする基板があり、インプリント動作が可能なショット数が次の基板のインプリントするショット数より大きい場合はＳ３に戻る。次にインプリントする基板が無い場合、又は、後述するようにＳ７で型交換を行うことになった場合はＳ１０に進む。最後に、Ｓ１０で、図示しない型搬送機構により型チャック１１から型１０の回収を行って、複数の基板に対するインプリントを終了する。

図５は、一枚の基板に対するインプリント動作のフローチャートで、図４のＳ７に相当する。以下、図５と図１、図２を用いて、インプリント動作について説明する。図５において、Ｓ７０１で、ＣＰＵ１００は、ＸＹステージ４を駆動し、基板１の載置された基板チャック２を移動させ、基板１上のインプリントを行うショットをディスペンサヘッド３２の下に移動させる。Ｓ７０２で、ディスペンサヘッド３２によって基板１上の対象とするショットに光硬化樹脂を滴下する。Ｓ７０３で、ＣＰＵ１００は、該当ショットの平面が型１０の凹凸パターンと対向する位置に来るようにＸＹステージ４を駆動する。この際、基板ステージは図３のＳ６のアライメント計測の結果によって決定され補正された位置合せ目標位置に移動する。さらに、微動ステージ３により基板チャック２のｚ方向の高さと傾きを調整して、前述の基板高さ計測データを元にして、基板１の該当ショットの表面を基準平面に合せる。そして、Ｓ７０４で、ＣＰＵ１００は、リニアアクチュエータ１５，１５'を駆動することにより型チャック１１を所定位置まで下降させる。

Ｓ７０５で、ＣＰＵ１００は、型チャック１１又は型チャックステージ１２に取り付けられた複数のロードセル２１の検出結果により型１０の押し付け力が適切か否かの判定を行う。押し付け力が所定の範囲になかった場合、Ｓ７０５の判定をｎｏで抜け、Ｓ７０６に進む。Ｓ７０６で、リニアアクチュエータ１５，１５'によって型チャック１１のｚ方向の位置を変えるか、又は微動ステージ３によって基板チャック２のｚ方向の位置を変えることにより、型１０の押し付け力の調整を行う。所定の押し付け力になるまでＳ７０５とＳ７０６のループを回り、Ｓ７０５で型１０の押し付け力が適切であると判定されると、Ｓ７０５をｙｅｓで抜け、Ｓ７０７に進む。Ｓ７０７では、光源１６により所定時間紫外線（ＵＶ光）を照射する。ＵＶ光の照射が完了すると、Ｓ７０８で、ＣＰＵ１００は、リニアアクチュエータ１５，１５'を駆動して型チャック１１を上昇させ、型１０を基板１上の硬化した樹脂から引き離す。Ｓ７０９で、ＣＰＵ１００は、ＸＹステージ４を駆動し、次にインプリントを行うショットがある場合は、そのショットがディスペンサヘッド３２の下に来るように基板１を移動させる。

Ｓ８００で、ＣＰＵ１００は、図８に示すフローチャートにより離型力の大きさに応じた処理を行う。Ｓ８０１で、ＣＰＵ１００は、ロードセル２１により計測された離型力（複数のロードセル出力の平均値または最大値）を確認する。このときの基板１が図６のショット配置であり、基板１の周辺のショット１、ショット５、ショット２１、ショット２５は、ショットの一部が基板の外周からはみ出すエッジショットであるとする。エッジショットでは、ショットの一部の領域に対して樹脂が塗布され、当該樹脂が塗布されたショットの一部の領域に対してインプリント動作が行われる。ＣＰＵ１００は、インプリント動作を行うショットがエッジショットである場合、ロードセル２１により検出された力と、樹脂が塗布された一部の領域の面積のショットの面積に対する割合とを用いて離型力ＦＬを算出する。インプリント動作を行うショットが、ショットにおける全部の領域に対してインプリント動作が行われるショットであるならば、ＣＰＵ１００は、ロードセル２１により検出された力を離型力ＦＬと決定する。

図７に、図６のショット配置で番号順に各ショットのインプリントを行った場合の離型力の変化の例を示す。図７において、横軸はインプリント動作の回数を示し、図６のショット番号に相当する。縦軸は、図７ａではロードセル２１によって検出された型１０に加えられた力を示し、図７ｂでは離型力ＦＬを示し、単位はｋｇｆである。図７ａにおいて、４つのエッジショット（ショット１，５，２１，２５）では、他のフルサイズのショットに比べてインプリントされたパターンの面積が小さい。そのため、４つのエッジショットでは型１０に加えられた力もパターンの面積に比例して小さい。離型力を同一基準にして比較を行うため、前述のショット面積比の換算を行って決定した各ショットの離型力ＦＬの推移を図７ｂに示す。

Ｓ８０２で、ＣＰＵ１００は、離型力ＦＬが第１の閾値Ｆｍａｘより大きいかどうかの判定を行う。第１の閾値Ｆｍａｘは、（基準離型力Ｆ０＋α）で示される力であり、αは基準離型力Ｆ０に対する離型力の許容増加分を示すものである。αの値は、形成されたパターンが離型時の樹脂の剥離によって崩壊が発生しない範囲の最大値とし、前述の基準離型力Ｆ０の決定と同じく、事前のテストインプリントなどにより決定し、メモリ１１０に保存しておく。このテストインプリントでは、実際にインプリントを重ねて、離型力の変化とともに、形成されたパターンの状態もチェックする。そして、基板上に形成されたパターンの凸部が欠けた状態や、形成されたパターン自体が基板から剥離した状態が観察されるようになった場合に、この時に計測された離型力から基準離型力Ｆ０を差し引いたものをαとする。また、αの値は、型を洗浄して離型剤の再塗布のたびにテストインプリントを行って更新する必要はない。実際にＳ８０２で使用するαの値は、計測誤差やインプリント条件の再現性を考慮して、上記で決めたαより１０％ほど小さい値とするのが好ましい。なお、αの値は、図４の説明では省略したが、Ｓ１０１で、基準離型力Ｆ０と一緒にメモリ１１０からＣＰＵ１００に読み込まれる。Ｓ８０２で、離型力ＦＬが第１の閾値Ｆｍａｘ（＝Ｆ０＋α）より大きい場合、ＣＰＵ１００は、型の離型性が劣化し、型の交換が必要と判定し、Ｓ８０３に進む。Ｓ８０３で、ＣＰＵ１００は、型の交換をうながすメッセージを表示部１２０に表示する。また、ＣＰＵ１００は、リニアアクチュエータ１５，１５'又は基板ステージの駆動機構に、型１０を取り出すための空間を作り出させる。Ｓ８０２で、離型力ＦＬが第１の閾値Ｆｍａｘより小さい場合、ＣＰＵ１００は、型の交換は必要なしと判定し、Ｓ８０４に進める。

Ｓ８０４で、ＣＰＵ１００は、離型力ＦＬを第２の閾値である最低離型力Ｆｍｉｎと比較し、離型力ＦＬが最低離型力Ｆｍｉｎより小さいか否かの判定を行う。本発明者による検討では、光硬化樹脂に型１０を押し付ける際に、型１０のパターン凹部に気泡が残ってしまう充填不良が発生した場合、樹脂硬化後の型１０の離型に必要とされる離型力が大幅に低下することが分かった。そこで、Ｓ８０４では、基準離型力Ｆ０より小さい（例えば、Ｆ０の６０％程度の）離型力を最低離型力Ｆｍｉｎと定義し、離型力ＦＬがこれより小さい場合、ＣＰＵ１００は、充填不良が発生したと判定し、Ｓ８０５に進む。Ｓ８０５で、ＣＰＵ１００は、充填不良が発生したとの判定結果を表示部１２０に表示して、図８の処理（図５のＳ８００）を終了する。一方、Ｓ８０４で、離型力ＦＬが最低離型力Ｆｍｉｎより大きい場合、ＣＰＵ１００は、充填不良が発生しなかったと判定し、同じく図８の処理を終了する。

ここで、図９に、一つの基板で２５のショットにインプリント動作を行った場合の離型力の推移例を示し、図８の処理をもう一度説明する。図９において、横軸はインプリント動作の回数を示し、図６のショット番号に相当する。縦軸は離型力を示し、単位はｋｇｆである。破線Ａは型交換の判定基準である第１の閾値Ｆｍａｘを示し、破線Ｂは充填不良の判定基準である最低離型力Ｆｍｉｎを示す。図９の例では、図８の処理により、ショット６は充填不良と判定され、ショット１５で型交換が必要と判定されることになる。なお、型交換が必要と判定された場合、ショット１６以降のインプリント動作は同じ型を用いて行われないため、実際には図９のショット１６以降の離型力は記録されない。以上のようにして、図８の離型力の大きさに応じた処理、即ち図５のＳ８００は実行される。

ここで、図５の説明に戻ると、Ｓ８００に続くＳ７１０で、ＣＰＵ１００は、基板１上の全ショットに対するインプリントが終了したか否か、又は、Ｓ８００の結果、型交換が必要か否かを判定する。インプリントがなされていないショットがあり、かつ型交換が必要ない場合、Ｓ７１０の判定をｎｏで抜け、Ｓ７０２へ戻る。インプリントがなされていないショットが無い場合又は型交換が必要な場合、Ｓ７１０の判定をｙｅｓで抜け、Ｓ７１１に進む。Ｓ７１１で、ＣＰＵ１００は、基板１の回収（図４のＳ８）に備えて、所定の位置にＸＹステージ４を駆動する。

ここで基準離型力Ｆ０について補足する。基準離型力Ｆ０の値は事前にインプリントを行わずに、１枚目の基板の任意のショットへのインプリントの結果、得られる離型力で代用してもよい。例えば、１枚目の基板の最初のフルサイズショットや基板の中心付近のショットに対するインプリントの離型力を基準離型力Ｆ０としてもよい。また、型の剥離性の劣化具合がインプリント動作の回数に比して緩やかな場合は、ショットごとにＳ８００の離型力のチェックを行わなくてもよい。例えば、当該基板の中心付近のショットや最終ショットといった特定ショットについてのみ、Ｓ８００を実行するようにしてもよい。

［実施例２］
次に、図１０を参照して、実施例２におけるインプリント装置のインプリント動作について説明する。図１０は、実施例２における、複数枚の基板に同じ型を使用してインプリント動作を行う場合のフローチャートである。図４のフローチャートと同じ機能を有するものは同じ番号を付し、その説明を省略する。図１０において、Ｓ１０１からＳ８の動作は、実施例１である図４と同じである。

Ｓ８に続くＳ１０２で、ＣＰＵ１００は、１枚の基板の全ショットに対するインプリント動作が終了した時点で、メモリ１１０に記憶された離型力の推移から離型力が第１の閾値Ｆｍａｘを超える最初のショットを推定する。そして、ＣＰＵ１００は、離型力が第１の閾値Ｆｍａｘを超える最初のショットまでのショット数を算出し、型の交換時期を決定する。型の交換時期が、ある基板に対してインプリント動作を行っている途中となる場合、ＣＰＵ１００は、その基板に対するインプリント動作の開始前に型の交換を行うと決定する。

ここで、図１１を用いて、この型の交換時期の予測方法を説明する。図１１は２５ショットずつ、第１の基板、第２の基板の２枚の基板に連続してインプリント動作を行う場合の離型力の推移を示したものである。横軸は、インプリント動作回数である。図１１において、第１の基板の２５ショットのインプリントが終了した時点で、上記Ｓ１０２が実行される。その際、ＣＰＵ１００は、２５ショット分の離型力の推移を直線近似または曲線近似して、次の第２の基板の２５ショット分の離型力の推移を予測する。図１１には、直線近似により求めた離型力の推移を近似式とともに破線で示す。この場合、前述の第１の閾値Ｆｍａｘが１２に設定されていたとする。そうすると、一点鎖線Ｃで示す３３回目（第２の基板のショット８）のインプリントで、予想される離型力が第１の閾値Ｆｍａｘを超えることになる。即ち、基板１のインプリントが終了した時点のインプリント可能ショット数は、１つ少ない７となる。これは、次の第２の基板で予定されているショット数２５より小さいため、Ｓ１０２では第２の基板のインプリント動作を開始する前に型の交換が必要と判定される。この判定の結果、図示しての説明は省略するが、図８で説明したＳ８０３と同様、型の交換をうながすメッセージが表示部１２０に表示される。Ｓ１０２に続く、Ｓ９とＳ１０は図４と同じである。

最後に、Ｓ１０３で、メモリ１１０に対して、使用した型のショット毎の離型力の追記と、最後に転写された基板についてＳ１０２で算出され予測されたインプリント可能ショット数の更新とを行う。以上で、図１０の複数の基板へのインプリント動作を終了する。

以上、図４及び図１０を用いて、複数の基板に対してインプリントを行う場合におけるインプリント装置の動作について説明した。なお、図４及び図１０で型交換が必要と判定された場合、型１０をインプリント装置から回収し、洗浄する一方、交換後の型を用いてインプリント動作を自動的に継続するようにしてもよい。これにより、同一基板、別基板に対してインプリント動作を継続して行うことができる。なお、実施例では、型の転写履歴の保存と参照はメモリ１１０を使用して行うように説明したが、メモリ１１０はインプリント装置上に設置しなくてもよい。例えば、メモリ１１０の替わりに、ネットワークを介して接続されるデータベースを別途用意して、複数のインプリント装置で型の転写履歴を共有するようにしてもよい。

以上説明したように、本発明によれば、基板上の複数のショットにステップ・アンド・リピート方式でインプリント動作を行う際に、１枚の基板についてのインプリントの途中で型交換の要否を判定することができる。その結果、型の剥離性の劣化によるパターン剥離などの不良ショットの発生を防止することが可能となり、歩留りの高いインプリント装置を提供することができる。また、離型力を比較して充填不良の判定を行うことで、インプリント後の検査で不良ショットの確認を容易にすることもできる。

［物品の製造方法］
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを転写（形成）する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを転写された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを転写された基板を加工する他の処理を含みうる。
以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変形及び変更が可能である。

Claims (8)

1. 基板に樹脂を塗布し、前記塗布された樹脂に型を押し付けた状態で前記樹脂を硬化させるインプリント動作を前記基板のショット毎に行うインプリント装置であって、
   型を支持する支持体と、
   基板を支持する基板ステージと、
   前記型に加えられた力を検出する検出器と、
   前記支持体と前記基板ステージとの間に、前記支持体に支持された前記型を取り外すための空間を作り出す機構と、
   制御部と、
   を備え、
   前記制御部は、硬化した樹脂から前記型を引き離すために要する離型力を前記検出器の検出結果に基づいて決定し、前記決定された離型力を第１の閾値と比較し、前記決定された離型力が前記第１の閾値より大きいならば前記機構に前記空間を作り出させる、ことを特徴とするインプリント装置。
2. 前記機構は、前記支持体を駆動する駆動機構と前記基板ステージを駆動する駆動機構との少なくともいずれかを含む、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
3. 表示部をさらに備え、
   前記制御部は、前記決定された離型力が前記第１の閾値より大きいならば前記型の交換をうながすメッセージを前記表示部に表示させる、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のインプリント装置。
4. 前記制御部は、
   ショットにおける全部の領域に対して前記インプリント動作が行われたならば、前記検出器により検出された力を前記離型力と決定し、
   ショットの一部が前記基板の外周からはみ出し、樹脂が塗布された、ショットの一部の領域に対して前記インプリント動作が行われたならば、前記検出器により検出された力と、前記樹脂が塗布された一部の領域の面積の前記ショットの面積に対する割合とを用いて前記離型力を算出する、ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
5. 前記決定された離型力を記憶する記憶部をさらに備え、
   前記制御部は、前記記憶部に記憶された離型力の推移から離型力が前記第１の閾値を超える最初のショットを推定することにより前記型の交換時期を決定することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
6. 前記制御部は、ある基板の複数のショットに対するインプリント動作を行っている途中で離型力が前記第１の閾値を超えると推定するならば、当該ある基板に対するインプリント動作を開始する前に前記型の交換を行うと決定する、ことを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
7. 前記制御部は、前記決定された離型力を前記第１の閾値より小さい第２の閾値と比較し、前記決定された離型力が前記第２の閾値より小さいならば樹脂の前記型への充填が不良であると判定し、当該判定結果を前記表示部に表示させる、ことを特徴とする請求項３乃至請求項６のいずれか１項に記載のインプリント装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパタ−ンを基板に形成する工程と、
   前記工程で前記パタ−ンを形成された基板を加工する工程と、
   を含む、ことを特徴とする物品の製造方法。

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