KR101965929B1 - 임프린트 장치, 임프린트 시스템 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

임프린트 장치, 임프린트 시스템 및 물품의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 몰드를 이용하여 기판 상의 임프린트 재료에 패턴을 형성하기 위한 임프린트 공정을 수행하는 임프린트 장치를 제공하며, 상기 장치는 복수의 샷 영역의 각각의 형상을 취득하도록 구성된 취득 유닛으로서, 이러한 취득은 몰드와 기판 상의 임프린트 대상인 샷 영역이 서로 대면하기 전에 수행되는, 취득 유닛과, 기판 상의 각각의 샷 영역에 대해, 몰드의 패턴과 샷 영역 사이의 형상의 차이를 보정하도록 구성된 제1 보정 유닛과, 기판 상의 샷 영역과 몰드의 패턴 사이의 위치 어긋남을 계측하도록 구성된 계측 유닛과, 상기 위치 어긋남을 보정하도록 구성된 제2 보정 유닛과, 임프린트 공정을 제어하도록 구성된 제어 유닛을 포함한다.

Description

임프린트 장치, 임프린트 시스템 및 물품의 제조 방법{IMPRINT APPARATUS, IMPRINT SYSTEM, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은 임프린트 장치, 임프린트 시스템 및 물품을 제조하는 방법에 관한 것이다.
임프린트 기술은 나노-스케일의 미세 패턴의 전사를 가능하게 하는 기술이며, 반도체 디바이스 및 자기 저장 매체와 같은 디바이스를 위한 대량 생산 나노리소그래피 기술로서 일본 특허 공개 번호 2010-98310에 의해 제안되었다. 임프린트 기술을 이용하는 임프린트 장치는 패턴이 형성된 몰드가 수지와 접촉하고 있는 상태에서 기판 상의 수지(임프린트 재료)를 경화하고, 경화된 수지로부터 몰드를 해제함으로써 기판 상에 패턴을 형성한다. 이 경우, 수지 경화 방법으로서, 자외광과 같은 광으로 조사함으로써 수지를 경화시키는 광-경화 방법이 일반적으로 사용된다.
임프린트 장치를 이용할 때, 디바이스의 성능을 유지하기 위해, 기판 상의 패턴(샷 영역) 상으로 몰드 상의 패턴을 정확하게 전사할 필요가 있다. 이 경우, 일반적으로는 몰드 상의 패턴의 형상이 기판 상의 패턴의 형상과 일치한다. 예컨대, 주연 부분을 당기거나 밀어서 몰드 상의 패턴을 변형하는 보정 기구, 즉 패턴의 형상을 보정하는 보정 기구가 일본 특허 공개 번호 2008-504141에서 제안되었다.
또한, 임프린트 장치는 일반적으로 몰드와 기판 사이의 위치 맞춤 방식으로서 다이별 위치 맞춤(die-by-die alignment)을 이용한다. 다이별 위치 맞춤은 기판 상의 각각의 샷 영역에 대해 기판 상에 제공된 마크와 몰드 상에 제공된 마크를 검출함으로써 몰드와 기판 사이의 위치 어긋남을 보정하는 위치 맞춤 방식이다.
종래의 임프린트 장치는 일반적으로 다이별 위치 맞춤에서 취득되는 마크 검출 결과를 이용하여 몰드 상의 패턴의 형상을 보정한다. 하지만, 기판 상의 샷 영역의 형상을 취득하기 위해서는 많은 마크를 검출할 필요가 있다. 그 결과, 검출에 많은 시간이 요구되며, 이는 임프린트 장치의 생산성의 감소로 이어진다. 또한, 패턴의 형상을 보정하기 위한 보정 기구의 응답 속도가 낮아서, 몰드의 형상이 다이별 위치 맞춤 도중 완전하게 보정될 수 없는 가능성이 존재한다.
또한, 미리 기판의 샷 영역의 형상을 취득하기 위한 기술이 제안되었다. 이 기술에서, 기판 내의 샷 영역의 형상은 고정된 값에 의해 표시된다(즉, 각각의 샷 영역의 형상은 하나의 형상에 고정된다). 대안적으로, 각 기판 상의 각 샷 위치에서의 형상이 고정된 값에 의해 표시된다. 이는 기판들 사이 또는 기판 내의 개별 샷 영역들 사이에서의 형상의 변화에 대체하는 것을 불가능하게 만들어, 몰드 상의 패턴의 형상의 불충분한 보정을 초래한다. 최근에는, 디바이스의 미세조립에서의 발전과 함께, 높은 중첩 정확도가 요구된다. 그 결과, 이러한 문제가 특히 현저해진다.
본 발명은 몰드와 기판 사이의 중첩 정확도 및 생산성에 있어서 유리한 임프린트 장치를 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 몰드를 이용하여 기판 상의 임프린트 재료에 패턴을 형성하기 위한 임프린트 공정을 수행하는 임프린트 장치가 제공되며, 상기 장치는 복수의 샷 영역의 각각의 형상을 취득하도록 구성된 취득 유닛으로서, 이러한 취득은 몰드와 기판 상의 임프린트 대상인 샷 영역이 서로 대면하기 전에 수행되는, 취득 유닛과, 기판 상의 각각의 샷 영역에 대해, 몰드의 패턴과 샷 영역 사이의 형상의 차이를 보정하도록 구성된 제1 보정 유닛과, 기판 상의 샷 영역과 몰드의 패턴 사이의 위치 어긋남을 계측하도록 구성된 계측 유닛과, 상기 위치 어긋남을 보정하도록 구성된 제2 보정 유닛과, 임프린트 공정을 제어하도록 구성된 제어 유닛을 포함하고, 임프린트 공정은 상기 취득 유닛에 의해 미리 취득된 형상을 기초로, 제1 보정 유닛이 형상 차이를 보정하게 하는 제1 공정과, 상기 위치 어긋남이 상기 계측 유닛에 의해 상기 계측 유닛에 의해 계측되는 상태에서, 제2 보정 유닛이 상기 위치 어긋남을 보정하게 하는 제2 공정을 포함한다.
본 발명의 다른 양태는 첨부된 도면을 참조하여 예시적 실시예의 후속하는 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 일 양태에 다른 임프린트 장치의 배열을 도시하는 개략도이다.
도 2는 도 1에 도시된 임프린트 장치의 형상 보정 유닛의 배열의 일 예를 도시하는 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 기판 상에 제공된 기판-측 마크와 몰드 상에 제공된 몰드-측 마크의 일 예를 도시하는 도면이다.
도 4a 내지 도 4e는 기판의 샷 영역과 몰드의 패턴 기판 사이의 어긋남을 도시하는 도면이다.
도 5는 일반적은 임프린트 공정을 위한 시퀀스를 도시하는 도면이다.
도 6은 본 실시예에 따른 임프린트 공정을 위한 시퀀스를 도시하는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 양태에 따른 임프린트 시스템의 배열을 도시하는 개략도이다.
도 8a 및 도 8b는 도 7에 도시된 임프린트 시스템 내의 계측 디바이스의 배열의 일 예를 각각 도시하는 개략도이다.
도 9a 및 도 9b는 기판의 샷 영역의 레이아웃의 일 예를 각각 도시하는 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 양태에 따른 임프린트 시스템의 배열을 도시하는 개략도이다.
도 11은 기판의 에지 부근의 결여 샷 영역의 일 예를 도시하는 도면이다.
본 발명의 양호한 실시예가 첨부된 도면을 참조하여 이하에서 설명될 것이다. 동일한 도면 부호는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부재를 지칭하며, 그에 대한 반복 설명은 생략될 것이다.
<제1 실시예>
도 1은 본 발명의 일 양태에 따른 임프린트 장치(1)의 배열을 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치(1)는 몰드를 이용하여 기판 상의 임프린트 재료에 패턴을 형성한다. 즉, 이 장치는 몰드를 이용하여 기판 상의 임프린트 재료를 몰딩함으로써 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 공정을 수행하는 리소그래피 장치이다. 본 실시예는 수지 경화 방법으로서, 자외광으로 수지를 조사함으로써 수지를 경화하는 광-경화 방법을 사용한다.
임프린트 장치(1)는 몰드(11)를 보유하는 몰드 보유 유닛(12)과, 기판(13)을 보유하는 기판 보유 유닛(14)과, 계측 유닛(15)과, 형상 보정 유닛(16)과, 제어 유닛(17)을 포함한다. 또한, 임프린트 장치(1)는 기판 상으로 수지를 공급하기 위한 분배기를 포함하는 수지 공급 유닛과, 몰드 보유 유닛(12)을 보유하기 위한 브리지 표면 플레이트와, 기판 보유 유닛(14)을 보유하기 위한 베이스 표면 플레이트를 포함한다.
몰드(11)는 직사각형 외부 형상을 가지며, 기판(13)(기판 상의 수지) 상으로 전사되는 패턴(볼록-오목 패턴)이 형성된 패턴 표면(11a)을 포함한다. 몰드(11)는 기판 상의 수지를 경화하기 위한 자외광을 투과시키는 재료, 예컨대 석영으로 형성된다. 몰드-측 마크(18)는 몰드(11)의 패턴 표면(11a) 상에 형성된다.
몰드 보유 유닛(12)은 몰드(11)를 보유하는 보유 기구이다. 몰드 보유 유닛(12)은 몰드(11)를 진공-흡착 또는 정전-흡착하는 몰드 척과, 몰드 척이 장착되는 몰드 스테이지와, 몰드 스테이지를 구동(이동)하는 구동 시스템을 포함한다. 이 구동 시스템은 적어도 z-축 방향(몰드(11)가 기판 상의 수지 상에 날인되는 임프린트 방향)으로 몰드 스테이지(즉, 몰드(11))를 구동한다. 구동 시스템은 z-축 방향뿐만 아니라 x-축 방향, y-축 방향 및 θ(z-축을 중심으로 한 회전) 방향으로 몰드 스테이지를 구동하는 기능을 가질 수 있다.
기판(13)은 몰드(11) 상의 패턴이 전사되는 기판으로, 예컨대 단결정 실리콘 기판 및 SOI(절연체 상 규소) 기판을 포함한다. 수지 공급 유닛은 기판(13)에 수지를 공급(도포)한다. 기판-측 마크(19)는 기판(13)의 복수의 샷 영역 상에 개별적으로 형성된다.
기판 보유 유닛(14)은 기판(13)을 보유하는 보유 기구이다. 기판 보유 유닛(14)은 예컨대, 기판(13)을 진공-흡착 또는 정전-흡착하는 기판 보유 척과, 기판 척이 장착되는 기판 스테이지와, 기판 스테이지를 구동(이동)하는 구동 시스템을 포함한다. 이 구동 시스템은 적어도 x-축 방향 및 y-축 방향(몰드(11)의 임프린트 방향에 수직한 방향들)으로 기판 스테이지(즉, 기판(13))를 구동한다. 구동 시스템은 x-축 방향 및 y-축 방향뿐만 아니라 z-축 방향 및 θ(z-축을 중심으로 한 회전) 방향으로 기판 스테이지를 구동하는 기능을 가질 수 있다.
각각의 계측 유닛(15)은 기판(13)의 복수의 샷 영역의 각각에 제공된 기판-측 마크(19)와 몰드(11) 상에 제공된 각각의 몰드-측 마크(18)를 광학적으로 검출(관찰)하는 스코프를 포함한다. 각 계측 유닛(15)은 이러한 스코프에 의해 취득된 검출 결과를 기초로 몰드(11)와 기판(13)의 상대적 위치(위치 어긋남)를 계측한다. 하지만, 각 계측 유닛(15)은 각 몰드-측 마크(18)와 대응하는 기판-측 마크(19) 사이의 상대적 위치 관계를 검출하는 것만이 요구된다. 따라서, 각 계측 유닛(15)은 2개의 마크의 화상을 동시에 포착하기 위한 광학 시스템을 포함하는 스코프 또는 2개의 마크로부터 기인한 간섭 신호 또는 물결 무늬(moire)와 같은 상대적 위치 관계를 반영하는 신호를 검출하는 스코프를 포함할 수 있다. 또한, 각각의 계측 유닛(15)은 각 몰드-측 마크(18) 및 대응하는 기판-측 마크(19)를 동시에 검출할 수 없을 수도 있다. 예컨대, 각 계측 유닛(15)은, 몰드-측 마크(18)와 기판-측 마크(19) 사이의 상대적 위치 관계를 검출하기 위해, 기준 위치에 대응하며 내부에 배열되는 몰드-측 마크(18) 및 대응하는 기판-측 마크(19) 각각의 위치를 취득할 수 있다.
형상 보정 유닛(16)은 몰드(11) 상의 패턴과 기판(13)의 각 샷 영역 사이의 형상의 차이를 보정하는 제1 보정 유닛으로 기능한다. 이 실시예에서, 형상 보정 유닛(16)은 패턴 표면(11a)에 평행한 방향으로 몰드(11)에 함을 가함으로써 몰드(11)(패턴 표면(11a))를 변형하여 패턴 표면(11a)의 형상을 보정한다. 예컨대, 도 2에 도시된 바와 같이, 형상 보정 유닛(16)은 몰드(11)의 측 표면을 흡착하는 척 유닛(16a)과 몰드(11)의 측 표면을 향해 이동하는 방향 그리고 몰드(11)의 측 표면으로부터 멀어지게 이동하는 방향으로 척 유닛(16a)을 구동하는 액추에이터(16b)를 포함한다. 각각의 척 유닛(16a)은 몰드(11)의 측 표면을 흡착하는 기능을 갖지 않을 수 있으며, 몰드(11)의 측 표면과 접촉하는 접촉 부재일 수 있다. 하지만, 형상 보정 유닛(16)은 몰드(11)에 열을 가하고 몰드(11)의 온도를 제어함으로써 패턴 표면(11a)을 변형할 수 있다. 또한, 일부의 경우에 기판(13)의 샷 영역(기판(13) 상에 형성된 패턴)의 형상은 몰드(11)의 패턴 표면(11a)을 변형하는 대신에 일정한 세기를 갖는 광으로 사전에 결정된 위치에서 기판을 조사함으로써 기판(13)을 국소적으로 열팽창함으로써 보정될 수 있다. 이 경우, 임프린트 장치(1)는 몰드(11) 또는 기판(13)에 열을 공급하는 형상 보정 유닛으로 기능하는 열 공급 유닛을 포함한다.
제어 유닛(17)은 CPU 및 메모리를 포함하며, 전체 임프린트 장치(1)(임프린트 장치(1)의 각각의 유닛)를 제어한다. 본 실시예에서, 제어 유닛(17)은 임프린트 공정 및 관련 공정을 제어한다. 예컨대, 제어 유닛(17)은 임프린트 공정을 수행할 때 계측 유닛(15)에 의해 취득된 계측 결과를 기초로 몰드(11)와 기판(13) 사이의 위치 맞춤을 수행한다. 또한, 임프린트 공정을 수행할 때, 제어 유닛(17)은 형상 보정 유닛(16)에 의해 몰드(11)의 패턴 표면(11a)의 변형량을 제어한다.
몰드(11)와 기판(13) 사이의 위치 맞춤에 이용되는 위치 맞춤 마크로서 기능하는 각각의 몰드-측 마크(18) 및 대응하는 기판-측 마크(19)가 도 3a 및 도 3b를 참조하여 설명될 것이다. 본 실시예에서는, 6개의 칩 영역(chip region)이 기판(13)의 하나의 샷 영역 내에 배열되는 것으로 가정한다.
도 3a는 몰드(11)의 패턴 표면(11a) 상에, 구체적으로는 패턴 표면(11a)의 4개의 코너에 제공된 몰드-측 마크(18a 내지 18h)를 도시한다. 도 3a를 참조하면, 각각이 수평 방향에서 종방향을 갖는 몰드-측 마크(18a, 18b, 18e, 18f)는 x-축 방향으로 계측 방향을 각각 갖는 마크이다. 반대로, 각각이 수직 방향에서 종방향으로 갖는 몰드-측 마크(18c, 18d, 18g, 18h)는 y-축 방향으로 계측 방향을 각각 갖는 마크이다. 또한, 도 3a를 참조하면, 점선에 의해 둘러싸인 영역은 상술된 기판의 6개의 칩 영역 상으로 개별적으로 전사되는 패턴이 형성되는 패턴 영역(11b)을 나타낸다.
도 3b는 기판(13)의 하나의 샷 영역(13a)의 주연, 구체적으로는 샷 영역(13a)의 4개의 모서리 상에 제공된 기판-측 마크(19a 내지 19h)를 도시한다. 도 3b를 참조하면, 각각이 수평 방향에서 종방향을 갖는 기판-측 마크(19a, 19b, 19e, 19f)는 x-축 방향으로 계측 방향을 각각 갖는 마크이다. 반대로, 각각이 수직 방향에서 종방향을 갖는 기판-측 마크(19c, 19d, 19g, 19h)는 y-축 방향에서 계측 방향을 각각 갖는 마크이다. 또한, 도 3b를 참조하면, 샷 영역(13a) 내부에서 실선으로 둘러싸인 영역은 칩 영역(13b)이다.
임프린트 공정이 수행될 때, 즉 몰드(11)가 기판의 수지와 개별적으로 접촉하게 될 때, 몰드(11) 상에 제공된 몰드-측 마크(18a 내지 18h)는 기판(13) 상에 제공된 기판-측 마크(19a 내지 19h)에 근접하게 된다. 따라서, 계측 유닛(15)을 이용하여 몰드-측 마크(18)와 기판-측 마크(19)를 검출함으로써 몰드(11)의 패턴 표면(11a)의 위치 및 형상을 기판(13)의 샷 영역(13a)의 위치 및 형상과 비교하는 것이 가능하다. 몰드(11)의 패턴 표면(11a)의 위치 및 형상과 기판(13)의 샷 영역(13a)의 위치 및 형상 사이에 차(어긋남)이 발생하는 경우, 중첩 정확도가 악화되어, 패턴의 전사 불량(제품 불량)을 초래한다.
도 4a 내지 도 4h는 몰드(11)의 패턴 표면(11a)의 위치 및 형상과 기판(13)의 샷 영역(13a)의 위치 및 형상 사이의 어긋남(이하에서, "몰드(11)와 샷 영역(13a) 사이의 어긋남"으로 지칭됨)을 도시하는 도면이다. 몰드(11)와 샷 영역(13a) 사이의 어긋남은 시프트(shift), 배율 어긋남 및 회전을 포함한다. 기판-측 마크(19)에 대한 몰드-측 마크(18)의 위치 어긋남(위치 어긋남 양)을 검출함으로써, 몰드(11)와 샷 영역(13a) 사이의 어긋남이 시프트인지 또는 배율 어긋남인지 또는 회전인지를 추정할 수 있다.
도 4a는 몰드(11)와 샷 영역(13a) 사이의 어긋남이 시프트인 경우를 도시한다. 각각의 몰드-측 마크(18)가 일 방향으로 대응하는 기판-측 마크(19)로부터 어긋나는 것을 검출하면, 몰드(11)와 샷 영역(13a) 사이의 어긋남이 시프트라는 것을 추정할 수 있다.
도 4b는 몰드(11)와 샷 영역(13a) 사이의 어긋남이 회전인 경우를 도시한다. 각각의 몰드-측 마크(18)의 어긋남 방향이 샷 영역 내의 소정의 지점 상에 중심을 갖는 원을 그리도록 샷 영역(13a)의 상위측, 하위측, 좌측 및 우측 사이에서 상이한 경우, 몰드(11)와 샷 영역(13a) 사이의 어긋남이 회전인 것으로 추정될 수 있다.
도 4c는 몰드(11)와 샷 영역(13a) 사이의 어긋남이 배율 어긋남인 경우를 도시한다. 각각의 몰드-측 마크(18)가 샷 영역(13a)의 중심에 대해 내향 또는 외향하여 균일하게 어긋난 것이 검출되면, 몰드(11)와 샷 영역(13a) 사이의 어긋남은 배율 어긋남인 것으로 추정될 수 있다.
도 4d는 몰드(11)와 샷 영역(13a) 사이의 어긋남이 사다리꼴 어긋남인 경우를 도시한다. 각각의 몰드-측 마크(18)가 샷 영역(13a)의 중심에 대해 내향 또는 외향하여 어긋나고 그 방향이 샷 영역(13a)의 좌측과 우측 또는 상위측과 하위측 사이에서 상이한 것이 검출되면, 몰드(11)와 샷 영역(13a) 사이의 어긋남은 사다리꼴 어긋남인 것으로 추정될 수 있다. 또한, 각 몰드-측 마크(18)가 샷 영역(13a)의 중심에 대해 내향 또는 외향하여 어긋나고 그 어긋남 양이 샷 영역(13a)의 좌측과 우측 또는 상위측과 하위측 사이에서 상이하면, 몰드(11)와 샷 영역(13a) 사이의 어긋남은 사다리꼴 어긋남인 것으로 추정될 수 있다.
도 4e는 몰드(11)와 샷 영역(13a) 사이의 어긋남이 비틀린 경우를 도시한다. 각각의 몰드-측 마크(18)에 대한 어긋남 방향이 샷 영역(13a)의 좌측과 우측 또는 상위측과 하위측 사이에서 상이한 것이 검출되면, 몰드(11)와 샷 영역(13a) 사이의 어긋남은 비틀린 것으로 추정될 수 있다.
도 4c 내지 도 4e에 도시된 바와 같이, 몰드(11)와 샷 영역(13a) 사이의 어긋남이 배율 어긋남, 사다리꼴 어긋남, 비틀림 등인 경우, 제어 유닛(17)은 형상 보정 유닛(16)으로 하여금 몰드(11)의 패턴 표면(11a)의 형상을 변형하게 한다. 도시되지 않았지만, 몰드(11)와 샷 영역(13a) 사이의 어긋남이 궁형 어긋남, 배럴형 어긋남, 핀쿠션형 어긋남 등인 경우에도, 제어 유닛(17)은 형상 보정 유닛(16)으로 하여금 몰드(11)의 패턴 표면(11a)의 형상을 변형하기 한다. 더욱 구체적으로는, 제어 유닛(17)은 기판(13)의 샷 영역(13a)의 형상과 몰드(11)의 패턴 표면(11a)의 형상을 일치시키기 위해 형상 보정 유닛(16)에 의해 패턴 표면(11a)의 변형량을 제어한다. 몰드(11)와 샷 영역(13a) 사이의 어긋남의 유형에 따라, 도 3a 및 도 3b에 도시된 위치 맞춤 마크에 추가하여 다른 위치 맞춤 마크를 검출할 필요가 있다. 임프린트 장치(1) 내에 배열될 수 있는 계측 유닛(15)의 수가 제한적이기 때문에, 계측 유닛(15)은 많은 위치 맞춤 마크를 검출하도록 이동될 수 있다. 제어 유닛(17)은 각각의 액추에이터(16b)의 구동 양(즉, 몰드(11)에 가해지는 힘)과 패턴 표면(11a)의 변형량 사이의 대응 관계를 나타내는 데이터를 미리 취득하여, 이 데이터를 메모리 등에 저장한다. 제어 유닛(17)은 각각의 계측 유닛(15)에 의해 취득된 계측 결과를 기초로 샷 영역(13a)의 형상과 패턴 표면(11a)의 형상을 일치시키는데 요구되는 변형량(패턴 표면(11a)의 변형 정도)을 계산한다. 이후, 제어 유닛(17)은 메모리 내에 저장된 데이터로부터 패턴 표면(11a)의 계산된 변형량에 대응하는 각 액추에이터(16b)의 구동량을 취득하고 액추에이터(16b)를 구동한다.
이러한 방식으로, 임프린트 장치(1)는 몰드(11)와 기판(13)(샷 영역(13a) 사이의 위치 맞춤 및 몰드(11)의 형상(패턴 표면(11a))을 보정하면서 기판 상의 수지 상으로 몰드(11) 상의 패턴을 전사한다.
도 5는 몰드(11)의 형상의 보정 및 몰드(11)와 기판(13) 사이의 위치 맞춤을 포함하는 일반적인 임프린트 공정을 위한 시퀀스를 도시하는 도면이다. 도 5는 임프린트 공정에 있어서 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 몰드(11)의 동작과 주로 관련된 주공정과, 몰드(11)의 형상의 보정 및 기판(13)과 몰드(11) 사이의 위치 맞춤에 관련된 위치 맞춤 공정을 도시한다. 임프린트 단계에서, 몰드(11)는 기판의 수지와 접촉되어야 하기 때문에, 기판(13)을 보유하는 기판 보유 유닛(14)은 수직으로 구동될 수 있다.
단계 S51에서는, 몰드(11)가 기판(13) 상의 임프린트 대상으로서 샷 영역(13a)과 대면하게 되고 몰드(11)가 기판의 수지와 접촉하게 되는 임프린트 단계가 수행된다. 단계 S52에서는, 몰드(11)와 기판 상의 수지 사이에 접촉 상태가 유지되는 상태에서 몰드(11) 상의 패턴이 수지로 충진되는 충진 단계가 개시된다. 충진 단계에서, 몰드(11)와 기판(13) 사이에서 개재되는 수지는 이들 사이에서 개재됨으로써 확산되고 동시에 몰드(11) 상의 패턴을 충진한다.
충진 단계가 개시될 때, 계측 유닛(15)은 단계 S53에서 몰드(11)의 패턴 표면(11a)과 샷 영역(13a) 사이의 위치 어긋남과, 몰드(11)의 패턴 표면(11a)과 샷 영역(13a) 사이의 형상의 차이를 계측하기 시작한다. 몰드(11)와 기판(13) 상의 위치 맞춤 마크를 동시에 계측할 때, 상기 마크들 사이의 거리가 충분히 작을 필요가 있기 때문에, 계측은 충진 단계의 개시 후에 개시된다. 계측 유닛(15)에 의한 계측은 계측 유닛(15)이 몰드(11) 및 기판(13) 상의 위치 맞춤 마크를 검출할 수 있는 한 충진 단계의 개시 전에 개시될 수 있다는 것에 유의한다. 단계 S53에서는, 몰드(11)의 패턴 표면(11a)과 샷 영역(13a) 사이의 형상의 차이를 계측할 필요가 있기 때문에, 계측 유닛(15)은 많은 몰드-측 마크(18)와 기판-측 마크(19)를 검출할 필요가 있다.
단계 S54에서는, 몰드(11)와 기판(13) 사이의 위치 맞춤 및 몰드(11)의 형상의 보정이 계측 유닛(15)에 의해 취득된 계측 결과를 기초로 개시된다. 더욱 구체적으로는, 계측 유닛(15)이 몰드(11)의 패턴 표면(11a)과 기판(13)의 샷 영역(13a) 사이의 위치 어긋남을 계측하는 상태에서, 패턴 표면(11a)과 샷 영역(13a) 사이의 위치 어긋남은 몰드 스테이지 및 기판 스테이지를 구동하여 보정된다. 또한, 계측 유닛(15)이 몰드(11)의 패턴 표면(11a)과 기판(13)의 샷 영역(13a) 사이의 형상의 차이를 계측하는 상태에서, 형상 보정 유닛(16)은 패턴 표면(11a)을 변형함으로써 패턴 표면(11a)과 샷 영역(13a) 사이의 형상의 차이를 보정한다.
계측 유닛(15)은 패턴 표면(11a)과 샷 영역(13a) 사이의 형상의 차이와 패턴 표면(11a)과 샷 영역(13a) 사이의 위치 어긋남을 연속적으로 계측한다. 계측 결과는 몰드(11)의 형상의 보정 및 기판(13)과 몰드(11) 사이의 위치 맞춤에 연속적으로 반영된다.
패턴 표면(11a)과 샷 영역(13a) 사이의 위치 어긋남 및 패턴 표면(11a)과 샷 영역(13a) 사이의 형상의 차이가 허용 가능한 범위 내에 있는 경우, 몰드(11)와 기판(13) 사이의 위치 맞춤 및 몰드(11)의 형상의 보정은 단계 S55에서 종료된다. 또한, 단계 S56에서, 계측 유닛(15)은 패턴 표면(11a)과 샷 영역(13a) 사이의 위치 어긋남 및 패턴 표면(11a)과 샷 영역(13a) 사이의 형상의 차이를 계측하는 것을 종료한다.
단계 S57에서는, 몰드(11)가 기판 상의 수지와 접촉한 상태에서 임프린트 대상인 샷 영역(13a)에 공급된 수지가 몰드(11)를 통해 자외광으로 조사됨으로써 경화되는 경화 단계가 수행된다.
단계 S58에서는, 몰드 스테이지가 기판(13)의 샷 영역(13a) 상에서 경화된 수지로부터 몰드(11)를 해제하도록 구동되는 해제 단계가 수행된다. 이 공정과 함께, 몰드(11) 상의 패턴은 기판(13)의 샷 영역(13a) 상의 수지 상으로 전사되고, 수지 상의 패턴은 샷 영역(13a) 상에 형성된다.
도 5에 도시된 임프린트 공정을 위한 시퀀스에 따르면, 충진 단계(단계 S52)는 일반적으로 가장 많은 시간을 필요로 하기 때문에, 생산성을 결정한다. 하지만, 높은 정확도가 몰드(11)와 기판(13) 사이의 중첩에 요구되는 경우, 몰드(11)와 기판(13) 사이의 위치 맞춤과 몰드(11)의 형상의 보정(단계 S54)이 많은 시간을 필요로 한다. 특히, 형상 보정 유닛(16)의 응답 속도가 낮기 때문에, 몰드(11)의 형상의 보정이 많은 시간을 소비한다. 한편, 임프린트 장치는 생산성을 더욱 향상시키도록 요구된다. 그러한 상황하에서, 본 실시예는 몰드(11)의 형상의 보정이 많은 시간을 소비하는 경우에도 생산성의 악화를 억제하는 임프린트 공정을 제공한다.
몰드(11)와 샷 영역(13a) 사이의 어긋남인 도 4a에 도시된 시프트와 도 4b에 도시된 회전은 몰드(11)와 기판(13)을 상대적으로 구동 및 회전시킴으로써 보정될 수 있다. 예컨대, 기판 스테이지의 응답 속도가 높기 때문에, 시프트 및 회전을 보정하는데 많은 시간이 소비되지 않는다. 또한, 시프트 및 회전이 임프린트 공정에서 검출될 수 있는 기판(13) 상의 임프린트 대상인 샷 영역(13a)에 몰드(11)가 대면될 때까지는, 이러한 어긋남을 미리 계측하는 것이 어렵다.
몰드(11)와 샷 영역(13a) 사이의 어긋남인 도 4c에 도시된 배율 어긋남, 도 4d에 도시된 사다리꼴 어긋남 및 도 4e에 도시된 비틀림은 몰드(11)가 기판(13)의 임프린트 대상인 샷 영역(13a)과 대면하기 전에 판정된다. 그 결과, 배율 어긋남과 사다리꼴 어긋남을 미리 계측하는 것이 가능하다. 상술된 바와 같이, 형상 보정 유닛(16)의 응답 속도가 낮기 때문에, 몰드(11)의 형상을 보정하는데 많은 시간이 소비된다. 이러한 이유로, 몰드(11)의 형상의 보정과 관련된 배율 어긋남, 사다리꼴 어긋남, 비틀림 등은 미리 계측(취득)되고, 몰드(11)의 형상은 이러한 사전-계측 결과를 이용하여 보정된다. 또한, 몰드(11)와 기판(13) 사이의 위치 맞춤은 몰드(11)의 형상의 보정과 동시에 수행된다.
몰드(11)의 변형 방식은 본 실시예에서 패턴 표면(11a)과 샷 영역(13a) 사이의 형상의 차이를 보정하기 위한 방식으로 주로 설명된다. 하지만, 상술된 바와 같이 기판(13)을 변형함으로써 패턴 표면(11a)과 샷 영역(13a) 사이의 형상의 차이를 보정하기 위한 방식도 제안된다. 이 방식의 응답 속도는 상대적으로 높지만, 정확하게 패턴 표면(11a)과 샷 영역(13a) 사이의 형상의 차이를 계측하기 위해서는(형상 보정을 향상시키기 위해서는) 충분한 수의 위치 맞춤 마크를 계측할 필요가 있다.
임프린트 공정에는, 몰드(11)가 기판(12)과 대면한 상태에서 정확하게 패턴 표면(11a)과 샷 영역(13a) 사이의 형상의 차이를 계측하기 위해서는 많은 수의 위치 맞춤 마크를 계측하기 위한 계측 유닛이 요구된다. 또한, 생산성이 요구되는 임프린트 공정의 시퀀스를 고려할 때(임프린트 단계, 충진 단계, 경화 단계 및 해제 단계를 짧은 시간에 수행할 때), 임프린트 공정의 시퀀스 내에서 많은 수의 위치 맞춤 마크를 계측하는 것은 어렵다.
따라서, 형상 보정의 응답 역시 관련되지만, 패턴 표면(11a)과 샷 영역(13a) 사이의 형상의 차이는 형상 보정의 방식과 무관하게 형상 보정을 향상시키기 위해 효율적인 정확도로 계측될 수 있다.
도 6은 본 실시예에 따른 임프린트 공정을 위한 시퀀스를 도시하는 도면이다. 도 6은 임프린트 공정에서, 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 동작과 관련된 주 공정과, 몰드(11)의 형상의 보정 및 몰드(11)와 기판(13) 사이의 위치 맞춤과 관련된 위치 맞춤 공정을 개별적으로 도시한다. 또한, 본 실시예에서 위치 맞춤 공정은 몰드(11) 상의 패턴과 기판(13)의 샷 영역(13a) 사이의 형상의 차이를 보정하는 제1 공정과, 몰드(11) 상의 패턴과 기판(13)의 샷 영역(13a) 사이의 위치 어긋남을 보정하는 제2 공정으로 나누어 진다. 도 6에서 단계 S61의 임프린트 단계, 단계 S62의 충진 단계, 단계 S67의 경화 단계 및 단계 S68의 해제 단계는 도 5의 단계 S51, 단계 S52, 단계 S57 및 단계 S58와 동일하며, 그들에 대한 상세한 설명은 생략될 것이다.
몰드(11) 상의 패턴과 기판(13)의 샷 영역(13a) 사이의 위치 어긋남을 보정하는 제2 공정이 우선 설명될 것이다. 충진 단계가 개시될 때, 계측 유닛(15)은 단계 S63에서 몰드(11)의 패턴 표면(11a)과 샷 영역(13a) 사이의 위치 어긋남을 계측하기 시작한다. 단계 S63에서는, 몰드(11)의 패턴 표면(11a)과 샷 영역(13a) 사이의 형상의 차이를 계측할 필요가 없으며, 패턴 표면(11a)과 샷 영역(13a) 사이의 위치 어긋남만 계측하면 된다. 따라서, 계측 유닛(15)은 단계 S53에서 검출하는 것보다 적은 수의 기판-측 마크(19) 및 몰드-측 마크(18)를 검출할 수 있다. 이로 인해, 계측 유닛(15)은 단계 S63에서, 단계 S53에서 계측을 수행할 때보다 더 짧은 시간에 계측을 수행할 수 있다. 본 실시예에서, 계측 유닛(15)은 몰드(11)의 패턴 표면(11a)과 샷 영역(13a) 사이의, 도 4a에 도시된 시프트 및 도 4b에 도시된 회전을 주로 계측한다.
단계 S64에서는, 몰드(11)와 기판(13) 사이의 위치 맞춤이 각 계측 유닛(15)에 의해 취득된 계측 결과를 기초로 개시된다. 구체적으로는, 계측 유닛(15)이 몰드(11)의 패턴 표면(11a)과 기판(13)의 샷 영역(13a) 사이의 위치 어긋남을 계측하는 상태에서, 몰드 스테이지와 기판 스테이지는 패턴 표면(11a)과 샷 영역(13a) 사이의 위치 어긋남을 보정하기 위해 구동된다. 이러한 방식으로, 몰드 스테이지를 포함하는 몰드 보유 유닛(12)과 기판 스테이지를 포함하는 기판 보유 유닛(14)은 몰드(11)의 패턴 표면(11a)과 기판(13)의 샷 영역(13a) 사이의 위치 어긋남을 보정하는 제2 보정 유닛으로 기능한다. 계측 유닛(15)은 몰드(11)의 패턴 표면(11a)과 샷 영역(13a) 사이의 위치 어긋남을 연속적으로 계측한다. 계측 결과는 몰드(11)와 기판(13) 사이의 위치 맞춤에 연속적으로 반영된다.
패턴 표면(11a)과 샷 영역(13a) 사이의 위치 어긋남이 허용 가능한 범위 내에 있을 때, 몰드(11)와 기판(13)의 위치 맞춤이 단계 S65에서 종료된다. 또한, 단계 S66에서, 계측 유닛(15)은 몰드(11)의 패턴 표면(11a)과 샷 영역(13a) 사이의 위치 어긋남의 계측을 종료한다.
몰드(11)의 패턴 표면과 기판(13)의 샷 영역(13a) 사이의 형상의 차이를 보정하는 제1 공정이 다음에 설명될 것이다. 상술된 바와 같이, 몰드(11)를 기판(13)의 샷 영역(13a)과 대면한 상태로 유지할 필요없이, 기판(13)의 샷 영역(13a)의 형상과 몰드(11)의 패턴 표면(11a)의 형상을 미리 계측할 수 있다. 이러한 이유로, 본 실시예는, 기판(13)이 임프린트 장치(1) 내로 로딩되기 전에 임프린트 장치(1) 외부에서 계측 디바이스를 이용하여 미리 기판(13)의 샷 영역(13a)의 형상을 계측하는 임프린트 시스템을 제공한다.
도 7은 본 발명의 일 양태에 따른 임프린트 시스템(7)의 배열을 도시하는 개략도이다. 임프린트 시스템(7)은 몰드(11)를 이용하여 기판 상의 수지에 패턴을 형성하는 임프린트 공정을 수행하도록 각각 구성된 복수의 임프린트 장치(1) 및 계측 디바이스(700)를 포함한다. 종래 기술 분야에 따르면, 기판(13)은 임프린트 장치(1) 내로 직접 로딩된다. 이와 반대로, 본 실시예에 따르면, 기판(13)이 임프린트 장치(1)에 로딩되기 전에, 기판(13)은 계측 디바이스(700)에 로딩된다. 계측 디바이스(700)는 기판(13)의 복수의 샷 영역(13a)의 각각의 형상을 계측하고, 제어 유닛(17)에 샷 영역 정보로서 계측 결과를 송신한다. 또한, 샷 영역(13a)이 계측 디바이스(700)에 의해 형상이 계측된 기판(13)은 임프린트 장치(1) 내로 후속하여 로딩된다. 도 7은 복수의 임프린트 장치(1) 중 각각의 대응하는 임프린트 장치를 제어하는 주 제어 유닛으로, 복수의 임프린트 장치(1)의 제어 유닛(17) 중 하나를 도시한다. 하지만, 본 시스템은 개별적인 임프린트 장치(1)의 상기 제어 유닛(17) 외에도 복수의 임프린트 장치(1)의 각각을 제어하는 주 제어 유닛을 구비할 수 있다.
도 8a 및 도 8b는 임프린트 시스템(7) 내에 계측 디바이스(700)의 배열의 일 예를 도시하는 개략도이다. 도 8a에 도시된 계측 디바이스(700)는 임프린트 장치(1)에서 계측 유닛(15)에 의해 이용된 것과 동일한 계측 방법, 즉 다이별 위치 맞춤 계측을 이용한다. 도 8a에 도시된 계측 디바이스(700)는 계측기(715), 기준 플레이트(720) 및 기준 플레이트(720)를 보유하는 보유 유닛(712)을 포함한다. 기준 플레이트(720)는 기판(13)의 샷 영역(13a)의 형상에 대한 기준을 위한 플레이트 부재이며, 기판(13) 상에 제공된 기판-측 마크(19)에 대응하는 위치에서 기준 플레이트-측 마크(721)를 갖는다. 계측기(715)는 각각의 기준 플레이트-측 마크(721) 및 대응하는 기판-측 마크(19)를 광학적으로 검출(관찰)하고, 도 4a 내지 도 4e에 도시된 것과 같이 기판(13)의 각 샷 영역(13a)의 형상을 계측한다. 본 실시예에서, 계측기(715)는 기판(13)의 샷 영역(13a)의 4개의 코너 상에 제공된 기판-측 마크(19)를 검출한다. 하지만, 계측 대상인 샷 영역(13a)의 형상의 성분에 따라 검출 대상인 기판-측 마크(19)의 수를 증가시키는 것이 가능하다. 예컨대, 기판(13)의 샷 영역(13a)이 궁형 형상, 배럴형 형상 또는 핀쿠션 형상을 갖는 경우, 기판(13)의 샷 영역(13a)의 4개의 코너에 제공된 기판-측 마크(19)뿐만 아니라 다른 기판-측 마크(19)도 검색할 필요가 있다.
도 8b에 도시된 계측 디바이스(700)는 계측기(722) 및 간섭계(723)를 포함한다. 계측기(722)는 임프린트 장치(1) 내의 계측 유닛(15)의 계측 정확도보다 높은 계측 정확도를 갖는다. 계측기(722)는 화상 센서를 포함하고, 화상 센서를 참조한 절대 위치 계측에 의해 기판(13) 상에 제공된 기판-측 마크(19)를 연속적으로 검출한다. 임프린트 장치(1) 내에서, 계측 유닛(15)은 공간적 제약 등으로 인해 소형화될 필요가 있다. 반면에, 계측 디바이스(700)에서는 상대적으로 완화된 공간적 제약으로 인해 높은 계측 정확도를 갖는 계측기(722)의 형성이 허용된다. 도 8b에 도시된 계측 디바이스(700)는 도 8a에 도시된 계측 디바이스(700)와 달리, 기판-측 마크(19)에 상대적으로 비교되는 기준 플레이트(720)를 요구하지 않는다. 하지만, 기판 보유 유닛(14)(기판 스테이지)의 위치적 정확도는 계측기(722)의 계측 정확도에 영향을 준다. 이러한 이유로, 도 8b에 도시된 계측 디바이스(700)는 기판 보유 유닛(14)의 위치를 정확하게 계측하는 간섭계(723)를 구비한다. 도 8b에 도시된 계측 디바이스(700)는 제한 시간 내에 필요한 수의 기판-측 마크(19)를 연속적으로 검출함으로써 샷 영역(13a)의 형상의 다양한 성분을 계측할 수 있다. 또한, 계측 디바이스(700)는 샷 영역(13a)의 형상을 계측하는데 요구되는 시간을 단축하기 위해 복수의 계측기(722)를 구비할 수 있다. 대안적으로, 계측기(722)의 검출역이 복수의 기판-측 마크(19)를 동시에 검출하기 위해 확장될 수 있다.
도 6을 다시 참조하면, 단계 S69에서 제어 유닛(17)은 계측 디바이스(700)로부터의 샷 형상 정보를 취득한다. 이 방식에서, 제어 유닛(17)은 샷 형상 정보, 즉 기판(13)의 복수의 샷 영역(13a)의 각각의 형상을 취득하는 취득 유닛으로 기능한다.
단계 S70에서는, 몰드(11)의 형상의 보정이 제어 유닛(17)에 의해 미리 취득된 샷 형상 정보를 기초로 수행되기 시작한다. 구체적으로는, 제어 유닛(17)은 형상 보정 유닛(16)으로 하여금 제어 유닛(17)에 의해 미리 취득된 기판(13)의 각 샷 영역(13a)의 형상을 기초로 기판(13)의 임프린트 대상인 샷 영역(13a)과 몰드(11)의 패턴 표면(11a) 사이의 형상의 차이를 보정하게 한다. 이 경우, 몰드(11)의 패턴 표면(11a)과 기판(13)의 임프린트 대상인 샷 영역(13a) 사이의 형상의 차이는 도 4c에 도시된 배율 어긋남, 도 4d에 도시된 사다리꼴 어긋남 및 도 4e에 도시된 비틀림 중 적어도 하나를 포함한다.
본 실시예는 미리 취득된 샷 형상 정보를 기초로 몰드(11)의 형상을 보정할 수 있으며, 따라서 이전 샷 영역에 대한 해제 단계 이후에 몰드(11)의 형상을 보정하는 것을 개시할 수 있다. 그 결과, 몰드(11)의 형상의 보정을 위한 충분한 시간을 보장하는 것이 가능하다.
또한, 기판(13)의 평면 내의 각 어레이 또는 샷 영역에 대한 회전의 변화를 계측(취득)하는 것은 단계 S63에서 계측 유닛(15)에 의한 계측을 개시할 때 샷 영역(13a)과 몰드(11)의 패턴 표면(11a) 사이의 위치 어긋남을 감소시킬 수 있다. 몰드(11)가 기판 상의 수지와 접촉한 상태에서 몰드(11) 또는 기판(13)이 이동될 때, 전단력이 작용하여 몰드(11)의 왜곡을 유발한다. 그 결과, 몰드(11)와 기판(13) 사이의 위치 맞춤을 수행할 때 기판(13) 또는 몰드(11)의 이동량을 최소화하는 것이 바람직하다.
또한, 기판(13)의 샷 영역(13a)의 형상을 계측하는 빈도는 요구되는 중첩 정확도에 따라 결정된다. 예컨대, 로트(lot) 내의 기판의 샷 영역(13a)들 사이의 형상의 차이가 충분히 작은 경우, 로트 내의 단지 제1 기판의 샷 영역의 형상이 계측될 수 있다. 반대로, 로트 내의 기판들 중 샷 영역(13a)들 중 형상의 차이가 무시할 수 없는 경우, 로트 내의 모든 기판의 샷 영역의 형상을 계측할 필요가 있다.
또한, 형상이 계측되는 샷 영역(13a)의 수는 생산성을 고려하여 기판 내에서 조절될 수 있다. 계측을 위한 충분한 시간을 보장할 수 있다면, 기판(13)의 모든 샷 영역(13a)의 형상이 계측될 수 있다. 이는 기판(13)의 모든 샷 영역(13a)의 실제 형상을 취득하는 것을 가능하게 한다. 반대로, 계측을 위한 충분한 시간에 보장될 수 없다면, 기판(13)의 모든 샷 영역(13a) 중 일부 샷 영역(예컨대, 여러 샷 영역마다의 형상)이 계측될 수 있다. 이 경우, 기판(13)의 모든 샷 영역(13a) 중 나머지 샷 영역의 형상은 상기 일부 샷 영역의 계측된 형상으로부터 취득될 수 있다. 예컨대, 기판(13)의 개별적인 샷 영역(13a)의 형상이 개별적인 샷 영역(13a)의 위치에 대해 선형적으로 변경되는 경우, 나머지 샷 영역의 형상은 상기 일부 샷 영역의 계측된 형상의 최소 제곱 근사(least-square approximation)를 수행하여 취득될 수 있다. 기판(13)의 개별적인 샷 영역(13a)의 형상이 개별적인 샷 영역(13a)의 위치에 대해 비선형적으로 변경되는 경우, 나머지 샷 영역의 형상은 상기 일부 샷 영역의 계측된 형상의 가중 평균에 의해 취득될 수 있다.
도 9a는 기판(13)의 샷 영역(13a)의 레이아웃의 일 예를 도시하는 도면이다. 도 9a를 참조하면, 사선에 의해 표시되는 샷 영역은 형상이 계측되는 샷 영역을 나타내며, 백색으로 표시된 샷 영역은 형상이 계측되지 않는 샷 영역을 나타낸다. 일반적으로, 기판(13)의 개별적인 샷 영역(13a)의 형상은 연속적으로 변경된다. 그 결과, 형상이 계측되지 않는 샷 영역(Sb)의 형상은 샷 영역(Sb) 주위의 샷 영역(Sc, Sd, Se, Sf)의 형상으로부터 연속적으로 변경되는 것으로 간주될 수 있다. 따라서, 샷 영역(Sc, Sd, Se, Sf)의 계측된 형상을 평균화하여 형상이 계측되지 않는 샷 영역(Sb)의 형상을 취득(예측)하는 것이 가능하다.
도 9b는 기판(13)의 샷 영역(13a)의 레이아웃의 일 예를 도시하는 도면이다. 도 9b를 참조하면, 사선으로 표시되는 샷 영역은 형상이 계측되는 샷 영역을 나타내고, 백색의 샷 영역은 형상이 계측되지 않는 샷 영역을 나타낸다. 도 9b에서도, 기판(13)의 개별적인 샷 영역(13a)의 형상은 연속적으로 변경되는 것으로 간주되며, 형상이 계측되지 않는 샷 영역의 형상은 샷 영역의 계측된 형상으로부터 취득될 수 있다. 예컨대, 샷 영역(Sh)의 형상은 샷 영역(Sj) 및 샷 영역(Sk)의 형상들의 평균이지만, 샷 영역(Sj)의 형상에 더 유사하다. 구체적으로 샷 영역(Sh)에 대한 샷 영역(Sk)의 영향은 샷 영역들 사이의 거리를 고려하여 샷 영역(Sh)에 대한 샷 영역(Sj)의 영향의 1/2이다. 이 방식에서, 이러한 영향의 정도는 샷 영역들 사이의 거리의 역수에 비례한다. 그 결과, 다음과 같이 가중 평균에 의해 샷 영역(Sh)의 형상을 취득하는 것이 가능하다:
샷 영역(Sh)의 형상 =
Figure 112015088516503-pat00001
유사한 방식으로, 샷 영역(Si)의 형상은 다음과 같이 취득될 수 있다:
샷 영역(Si)의 형상 =
Figure 112015088516503-pat00002
샷 영역(Sl)의 형상은 4개의 샷 영역(Sj, Sk, Sm, Sn)의 형상의 가중 평균에 의해 취득될 수 있다. 샷 영역(Sj, Sk, Sm, Sn)으로부터 샷 영역(Sl)까지의 거리는 각각 1.2, 2, 1 및 1.2이다. 따라서, 샷 영역(Sl)의 형상은 다음과 같이 취득될 수 있다:
샷 영역(Sl)의 형상 =
Figure 112015088516503-pat00003
형상이 계측되는 샷 영역이 얼마나 많이 형상이 계측되지 않는 샷 영역에 대해 고려되어야 하는지가 실제 기판에 따라 결정될 수 있다.
본 실시예에서, 다이별 위치 맞춤 계측은 계측 유닛(15)에 의해 몰드(11)의 패턴 표면(11a)과 샷 영역(13a) 사이의 위치 어긋남으로 가정된다(단계 S63). 하지만, 본 발명은 이에 한정되지는 않는다. 또한, 동일한 효과가 소위 포괄적 위치 맞춤 계측(global alignment measurement), 즉 기판(13)의 샷 영역(13a)의 대표 샷 영역을 계측함으로써 통계적 연산 처리를 수행하고 그 처리 결과를 기초로 몰드(11)와 기판(13) 사이의 위치 맞춤을 수행함으로써 취득될 수 있다.
상술된 바와 같이, 본 실시예는, 몰드(11)가 기판(13)의 샷 영역(13a)과 대면하게 되기 전에 제1 공정을 개시하고 몰드(11)가 샷 영역(13a)과 대면하게 된 후에 제2 공정을 개시하도록 임프린트 공정을 제어한다. 이로 인해, 몰드(11)의 형상을 보정하는 시간을 가질 수 있으며 생산성의 악화를 억제하는 상태에서, 몰드(11)의 형상을 충분히 보정하여, 높은 중첩 정확도를 달성할 수 있다.
또한, 임프린트 공정은 제1 공정 및 제2 공정의 일부를 동시에 수행하도록 또는 몰드(11)가 기판(13)의 샷 영역(13a)과 대면하게 하기 위해 몰드(11)와 기판(13)을 상대적으로 이동하는 상태에서 제1 공정을 개시하도록 제어될 수 있다. 이로 인해, 몰드(11)의 형상의 보정을 위한 더 많은 시간을 가질 수 있다.
또한, 제2 공정에서는 제1 공정에 의해 유발된 기판(13)의 샷 영역(13a)과 몰드(11) 상의 패턴 사이의 위치 어긋남도 고려하여, 기판(13)의 샷 영역(13a)과 몰드(11)의 패턴 표면(11a) 사이의 위치 어긋남을 보정하는 것이 바람직하다. 이로 인해, 제1 공정 및 제2 공정의 일부가 동시에 수행되는 경우에도 몰드(11)와 기판(13) 사이의 위치 맞춤을 위해 요구되는 시간을 단축할 수 있다.
또한, 샷 형상 정보, 즉 임프린트 장치(1)로 로딩되는 각 기판에 대해 기판(13)의 샷 영역(13a)의 형상을 취득하는 것이 바람직하다. 이로 인해, 기판 내의 각각의 샷 영역들 사이의 형상의 변화가 있는 경우에도 몰드(11)의 형상을 충분히 보정하는 것이 가능하다.
또한, 본 실시예에서, 임프린트 장치(1) 외부의 계측 디바이스(700)는 미리 기판(13)의 복수의 샷 영역(13a) 각각의 형상을 계측한다. 하지만, 임프린트 장치(1)의 계측 유닛(15)이 임프린트 공정의 개시 전에 미리 기판(13)의 복수의 샷 영역(13a) 각각의 형상을 계측할 수도 있다.
<제2 실시예>
도 10은 본 발명의 일 양태에 따라 임프린트 시스템(10)의 배열을 도시하는 개략도이다. 임프린트 시스템(10)은 몰드(11)를 이용하여 기판 상의 수지 상에 패턴을 형성하는 임프린트 공정을 수행하도록 각각 구성된 복수의 임프린트 장치(1)를 포함한다. 도 10은 복수의 임프린트 장치(1) 중 각각의 대응하는 하나를 제어하는 주 제어 유닛인, 복수의 임프린트 장치(1)의 제어 유닛(17) 중 하나를 도시한다. 하지만, 본 시스템은 개별적인 임프린트 장치(1)의 상기 제어 유닛(17) 외에도 복수의 임프린트 장치(1)의 각각을 제어하는 주 제어 유닛을 구비할 수 있다.
상술된 바와 같이, 충진 단계를 수행하기 위해 시간이 소요되기 때문에, 임프린트 장치가 노광 장치보다 생산성이 낮다는 점이 지적된다. 이러한 환경하에서, 복수의 임프린트 장치의 클러스터를 형성하고 복수의 기판에 대해 임프린트 공정을 동시에 수행하는 기술이 제안된다. 이 기술에 따르면, 임프린트 장치는 일부 유닛을 공유할 수 있기 때문에, 상기 장치에 의해 점유되는 총 면적을 감소시키고 단위 면적당 생산성을 향상시킬 수 있다.
예컨대, 도 10에 도시된 바와 같이, 임프린트 시스템(10)은 4개의 임프린트 장치(1)를 포함한다. 4개의 임프린트 장치(1) 중 적어도 하나(본 실시예에서는 우측 하위 임프린트 장치(1))는 기판(13)의 복수의 샷 영역(13a)의 각각의 형상을 계측하는 기능을 갖는다. 이러한 기능은 계측 유닛(15)에 의해 또는 도 8a 및 도 8b에 도시된 계측 디바이스(700)를 구비함으로써 실행될 수 있다.
종래 기술에 따르면, 임프린트 시스템(10) 내에 로딩되는 기판(13)은 개별적인 임프린트 장치(1) 내에 직접 로딩되며, 임프린트 공정이 수행된다. 이와 반대로, 본 실시예에 따르면, 기판(13)은 기판(13)의 복수의 샷 영역(13a)의 각각의 형상을 계측하는 기능을 갖는 임프린트 장치(1) 내로 우선 로딩된다. 임프린트 장치(1)는 기판(13)의 복수의 샷 영역(13a)의 각각의 형상을 계측하고, 샷 형상 정보로서 계측 결과를 제어 유닛(17)에 송신한다. 각 샷 영역(13a)의 형상이 계측되고 있는 기판(13)은 연속적으로 나머지 임프린트 장치(1) 내로 로딩된다. 기판(13)이 로딩된 나머지 임프린트 장치(1)는 도 6에 도시된 시퀀스에 따라 임프린트 공정을 수행한다.
본 실시예에서, 단지 하나의 임프린트 장치(1)가 기판(13)의 복수의 샷 영역(13a)의 각각의 형상을 계측하는 기능을 갖는다. 하지만, 본 발명은 이에 한정되지는 않는다. 예컨대, 4개의 임프린트 장치(1) 각각은 기판(13)의 복수의 샷 영역(13a)의 각각의 형상을 계측하는 기능을 가질 수 있으며, 각 샷 영역(13a)의 형상의 계측을 위해 사용되는 임프린트 장치(1)의 수는 임프린트 공정의 상태 또는 방식에 따라 증가/감소(변경)될 수 있다.
구체적으로는, 로트 내의 단지 제1 기판의 샷 영역의 형상을 계측할 때, 샷 영역의 형상을 계측하는 그러한 기능을 반드시 사용해야 하는 것은 아니다. 따라서, 도 10에 도시된 바와 같이, 단지 하나의 임프린트 장치(1)가 샷 영역의 형상을 계측하는 기능을 가질 수 있다. 또한, 상기 임프린트 장치(1)는 로트 내의 제1 기판의 계측 후에 임프린트 공정을 직접 수행할 수 있다. 반대로, 모든 기판의 샷 영역이 계측되는 경우, 샷 영역의 형상을 계측하는데 사용되는 임프린트 장치는 샷 영역의 형상을 계측하는 기능의 처리량 또는 각각의 임프린트 장치의 생산성을 고려하여 결정될 수 있다.
이제까지, 기판(13)의 샷 영역(13a)의 형상(고유량(unique amount))이 설명되었다. 하지만, 예컨대 기판 스테이지가 기판(13)을 보유할 때 유발되는 왜곡이 큰 경우, 그러한 왜곡에 대한 어느 정도의 고려가 반드시 이루어져야 한다. 본 실시예에서, 기판(13)은 임프린트 시스템(10) 내측으로 전달되기 때문에, 기판 스테이지가 기판(13)을 보유한 상태에서 샷 영역(13a)의 형상을 계측하는 것이 가능하며, 이 상태에서 임프린트 장치(1) 중 대응하는 하나로 각각의 기판을 전달(소위 흡착 전달(chuck transfer))하는 것이 가능하다. 그 결과, 기판 스테이지가 기판(13)을 보유할 때 유발되는 왜곡을 포함하는, 샷 영역(13a)의 형상을 계측할 수 있다. 이로 인해, 몰드(11)의 형상을 더욱 정확하게 보정할 수 있다.
<제3 실시예>
종래에는, 임프린트 장치(1)의 계측 유닛(15)이 검출 결과를 기초로 계측 조건을 변경하고 광학적 계측 조건을 결정하면서 몰드-측 마크(18)와 기판-측 마크(19)의 조건 설정 동작을 수행한다. 이 경우, 임프린트 공정 이전의 공정에 있어서 이물질 및 전사 실패 또는 처리 실패로 인해 기판-측 마크(19)를 검출하는 것이 종종 중요하기 때문에, 검출될 수 있는(즉, 계측 대상) 마크에 대해 검색이 이루어진다. 상술된 바와 같이, 계측 조건은 예컨대, 몰드-측 마크(18) 및 기판-측 마크(19)를 조명하는 광의 광량/광파장과, 계측 대상인 기판-측 마크(19) 중 적어도 하나를 포함한다.
하지만, 계측 유닛(15)이 계측에 많은 시간을 소비하는 경우, 임프린트 장치(1)의 생산성이 크게 악화된다. 따라서, 본 실시예에서는, 기판(13)의 복수의 샷 영역(13a)의 각각의 형상을 미리 계측할 때, 광학적 계측 조건이 계측 유닛(15)에 의한 계측에 소요되는 시간을 더욱 단축하기 위해 도입된다.
도 8a에 도시된 계측 디바이스(700)는 임프린트 장치(1)의 계측 유닛(15)에 의해 사용되는 것과 유사한 계측 방법을 이용한다(즉, 유사한 배열을 갖는다). 그 결과, 도 8a에 도시된 계측 디바이스(700)는 기판(13)의 복수의 샷 영역(13a)의 각각의 형상을 계측할 때 기판-측 마크(19)를 검출함으로써 취득되는 마크 정보를 기초로 제2 공정에서의 계측 유닛(15)을 위한 계측 조건을 결정할 수 있다. 이 경우, 마크 정보는 예컨대, 콘트라스트, 마크의 변형을 나타내는 정보 및 마크 내의 이상(abnormality)을 나타내는 정보 중 적어도 하나를 포함한다.
반대로, 도 8b에 도시된 계측 디바이스(700)는 임프린트 장치(1)의 계측 유닛(15)에 의해 이용되는 것과 다른 계측 방법을 사용한다. 이러한 경우, 도 8b에 도시된 계측 디바이스(700)를 위해 설정된 계측 조건과 계측 유닛(15)에 대해 설정된 계측 조건 사이의 관계, 즉 도 8b에 도시된 계측 디바이스(700)에 대해 설정된 계측 조건으로부터 계측 유닛(15)에 대해 설정된 계측 조건으로의 전환을 위한 관계를 미리 취득하는 것이 바람직할 수 있다. 계측 유닛(15)에 대한 계측 조건은, 그러한 관계와, 기판(13)의 각각의 샷 영역(13a)의 형상을 계측할 때 기판-측 마크(19)를 검출함으로써 취득되는 마크 정보를 기초로 제2 공정에서 결정될 수 있다.
또한, 상술된 바와 같이, 각각의 기판-측 마크(19)가 계측 유닛(15)에 의해 검출될 수 있는지 여부가 미리 결정될 수 있다. 예컨대, 수율을 향상시키기 위해, 임프린트 장치(1)는 결여 샷 영역(chipped shot region)으로부터도 여러 개의 칩을 취득하도록 기판(13)의 에지 부분의 결여 영역에 대해서도 임프린트 공정을 수행한다. 도 11은 기판(13)의 에지 부근의 결여 샷 영역의 일 예를 도시하는 도면이다. 도 11을 참조하면, 9개의 칩 영역이 기판(13)의 하나의 샷 영역 내에 배열되고, 기판-측 마크(19)는 각 칩 영역의 4개의 코너 상에 제공된다. 몰드(11)와 기판(13) 사이의 어긋남으로 회전을 취득할 때, 서로 분리된 복수의 기판-측 마크(19)를 검출할 필요가 있어서, 주연부 상의 기판-측 마크(19)가 검출될 수 있다. 하지만, 도 11에 도시된 바와 같이, 주연부 상의 기판-측 마크(19)를 검출하는 것이 불가능한 경우, 기판(13)의 각 샷 영역(13a)의 형상을 계측할 때 주연부 부근의 다른 기판-측 마크(19)가 기판-측 마크(19)를 검출함으로써 취득된 마크 정보를 기초로 선택될 수 있다. 이 방식으로 계측 유닛(15)에 의해 검출될 수 있는 기판-측 마크(19)를 미리 선택함으로써, 임프린트 장치(1)의 생산성의 악화가 억제될 수 있다.
또한, 도 8b에 도시된 계측 디바이스(700)가 높은 민감도로, 공정 도중 발생하는 기판-측 마크(19)의 불규칙성 또는 왜곡에 의해 유발되는 계측 오차, 소위 WIS(웨이퍼 유도 시프트(Wafer Induced Shift))를 검출할 수 있다. 또한, 계측 오차(오차량)와 기판-측 마크(19)를 검출함으로써 취득된 마크 신호의 비대칭 특성 사이의 관계를 미리 취득하고 취득된 관계를 기초로 계측 결과에 오프셋을 부가하는 것이 가능하다. WIS가 상당히 큰 경우, 계측 대상인 기판-측 마크(19)는 다른 기판-측 마크(19)를 검출하도록 선택(변경)될 수 있다. 또한, WIS가 기판(13)의 평면 내에서 연속적으로 변경되기 때문에, 제1 실시예에서 기술된 바와 같이, 샷 영역의 계측된 형상의 가중 평균에 의해 각 샷 영역의 형상을 예측하는 것이 가능하다.
<제4 실시예>
물품으로 디바이스(반도체 디바이스, 자기 저장 매체, 액정 디스플레이 디바이스 등)를 제조하는 방법이 기술될 것이다. 이 제조 방법은 임프린트 장치(1) 또는 임프린트 시스템(7 또는 10)을 이용하여 기판(웨이퍼, 유리 플레이트, 필름형 기판 등) 상에 패턴을 형성하는 공정을 포함한다. 상기 제조 방법은 패턴이 형성된 기판을 처리하는 공정을 더 포함한다. 이 공정의 단계는 패턴의 잔류 필름을 제거하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 단계는 마스크로서 패턴을 이용하여 기판을 에칭하는 단계와 같은 다른 공지된 단계를 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 물품을 제조하는 방법은 물품의 성능 및 품질, 생산성 및 생산 비용 중 적어도 하나와 관련하여 종래 기술에 비해 더욱 유리하다.
본 발명은 예시적 실시에를 참조로 기술되었지만, 본 발명은 기술된 예시적 실시예에 제한되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 후속하는 청구항의 범주는 모든 그러한 변형 및 균등한 구조 및 기능을 포함하도록 가장 넓은 해석에 따라야 한다.

Claims (20)

  1. 몰드를 이용하여 기판 상에 임프린트 재료의 패턴을 형성하기 위한 임프린트 공정을 수행하는 임프린트 장치이며,
    기판 상의 복수의 샷 영역의 각각의 형상을 취득하도록 구성된 취득 유닛과,
    기판 상의 각각의 샷 영역에 대해, 몰드의 패턴과 샷 영역 사이의 형상 차이를 보정하도록 구성된 제1 보정 유닛과,
    기판 상의 샷 영역과 몰드의 패턴 사이의 위치 어긋남을 계측하도록 구성된 계측 유닛과,
    상기 위치 어긋남을 보정하도록 구성된 제2 보정 유닛과,
    상기 임프린트 공정을 제어하도록 구성된 제어 유닛을 포함하고,
    상기 임프린트 공정은 상기 취득 유닛에 의해 취득된 형상을 기초로, 상기 제1 보정 유닛이 상기 형상 차이를 보정하게 하는 제1 공정과, 상기 위치 어긋남이 상기 계측 유닛에 의해 계측되는 상태에서, 제2 보정 유닛이 상기 위치 어긋남을 보정하게 하는 제2 공정을 포함하고,
    상기 제어 유닛은, 몰드의 패턴과 기판 상의 임프린트 대상인 샷 영역이 서로 대면하기 전에 상기 제1 공정이 개시되고, 몰드의 패턴과 임프린트 대상인 샷 영역이 서로 대면된 후에 상기 제2 공정이 개시되도록, 상기 임프린트 공정을 제어하고,
    상기 형상 차이는 몰드의 패턴과 기판 상의 샷 영역 사이의 배율 어긋남, 사다리꼴 어긋남 및 비틀림 중 하나 이상을 포함하는 임프린트 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어 유닛은 상기 제1 공정 및 상기 제2 공정의 일부가 동시에 수행되도록 상기 임프린트 공정을 제어하는 임프린트 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제어 유닛은, 몰드의 패턴과 기판 상의 샷 영역이 서로 대면하도록 몰드와 기판이 상대적으로 이동되는 상태에서 상기 제1 공정이 개시되도록 상기 임프린트 공정을 제어하는 임프린트 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제어 유닛은 상기 제2 공정에서, 상기 제1 공정에서 생성된 기판 상의 샷 영역과 몰드의 패턴 사이의 위치 어긋남 및 상기 계측 유닛에 의해 계측된 위치 어긋남을 기초로 상기 제2 보정 유닛이 상기 위치 어긋남을 보정하게 하는 임프린트 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 취득 유닛은 상기 임프린트 장치 내로 로딩된 각 기판의 형상을 취득하는 임프린트 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 취득 유닛은 상기 임프린트 장치의 외부 계측 디바이스에 의해 계측되는 형상을 취득하는 임프린트 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 계측 유닛은 기판 상의 복수의 샷 영역의 각 형상을 계측하고,
    상기 취득 유닛은 상기 계측 유닛에 의해 계측된 형상을 취득하는 임프린트 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 취득 유닛은 기판 상의 모든 샷 영역의 계측된 형상을 취득하는 임프린트 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 취득 유닛은 기판 상의 모든 샷 영역 중 일부 샷 영역의 계측된 형상을 취득하고, 상기 일부 샷 영역의 형상을 기초로 기판 상의 모든 샷 영역 중 나머지 샷 영역의 형상을 취득하는 임프린트 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 취득 유닛은 상기 일부 샷 영역의 형상의 최소 제곱 근사에 의해 상기 나머지 샷 영역의 형상을 취득하는 임프린트 장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 취득 유닛은 상기 일부 샷 영역의 형상의 가중 평균에 의해 상기 나머지 샷 영역의 형상을 취득하는 임프린트 장치.
  12. 제6항에 있어서, 상기 외부 계측 디바이스는 기판 상에 제공된 마크를 검출함으로써 상기 형상을 계측하도록 구성되고,
    상기 제어 유닛은 상기 마크를 검출함으로써 취득된 마크 정보를 기초로 상기 제2 공정에서 상기 계측 유닛의 계측 조건을 결정하는 임프린트 장치.
  13. 제7항에 있어서, 상기 계측 유닛은 기판에 제공된 마크를 검출함으로써 상기 형상을 계측하고,
    상기 제어 유닛은 상기 마크를 검출함으로써 취득된 마크 정보를 기초로 상기 제2 공정에서 상기 계측 유닛의 계측 조건을 결정하는 임프린트 장치.
  14. 제12항에 있어서, 상기 마크 정보는 마크의 콘트라스트, 마크의 변형을 나타내는 정보 및 마크의 이상(abnormality)을 나타내는 정보 중 하나 이상을 포함하는 임프린트 장치.
  15. 제12항에 있어서, 상기 계측 조건은, 기판 상에 제공된 마크와 몰드 상에 제공된 마크를 조명하는 광의 광량 및 광파장과, 계측 대상인 기판 상에 제공된 마크 중 하나 이상을 포함하는 임프린트 장치.
  16. 삭제
  17. 몰드를 이용하여 기판 상에 임프린트 재료의 패턴을 형성하기 위한 임프린트 공정을 수행하도록 각각 구성된 복수의 임프린트 장치와, 기판 상의 복수의 샷 영역의 각각의 형상을 계측하도록 구성된 계측 디바이스를 포함하는 임프린트 시스템이며,
    상기 복수의 임프린트 장치 각각은,
    기판 상의 각각의 샷 영역에 대해, 몰드의 패턴과 샷 영역 사이의 형상 차이를 보정하도록 구성된 제1 보정 유닛과,
    기판 상의 샷 영역과 상기 몰드의 패턴 사이의 위치 어긋남을 계측하도록 구성된 계측 유닛과,
    상기 위치 어긋남을 보정하도록 구성된 제2 보정 유닛을 포함하고,
    상기 임프린트 시스템은 개별적인 상기 임프린트 장치 및 상기 계측 디바이스의 임프린트 공정을 제어하도록 구성된 제어 유닛을 포함하고,
    상기 임프린트 공정은 상기 계측 디바이스에 의해 미리 계측된 형상을 기초로, 상기 제1 보정 유닛이 상기 형상 차이를 보정하게 하는 제1 공정과, 상기 위치 어긋남이 상기 계측 유닛에 의해 계측되는 상태에서 상기 제2 보정 유닛이 상기 위치 어긋남을 보정하게 하는 제2 공정을 포함하고,
    상기 제어 유닛은, 몰드의 패턴과 기판 상의 임프린트 대상인 샷 영역이 서로 대면하기 전에 상기 제1 공정이 개시되고, 몰드의 패턴과 임프린트 대상인 샷 영역이 서로 대면된 후에 상기 제2 공정이 개시되도록, 상기 임프린트 공정을 제어하고,
    상기 형상 차이는 몰드의 패턴과 기판 상의 샷 영역 사이의 배율 어긋남, 사다리꼴 어긋남 및 비틀림 중 하나 이상을 포함하는 임프린트 시스템.
  18. 삭제
  19. 물품의 제조 방법이며,
    임프린트 장치를 이용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 패턴이 형성된 기판을 처리하는 단계를 포함하며,
    상기 임프린트 장치는 몰드를 이용하여 기판 상에 임프린트 재료의 패턴을 형성하기 위한 임프린트 공정을 수행하고, 상기 임프린트 장치는
    기판 상의 복수의 샷 영역의 각각의 형상을 취득하도록 구성된 취득 유닛과,
    기판 상의 각각의 샷 영역에 대해, 몰드의 패턴과 샷 영역 사이의 형상 차이를 보정하도록 구성된 제1 보정 유닛과,
    기판 상의 샷 영역과 몰드의 패턴 사이의 위치 어긋남을 계측하도록 구성된 계측 유닛과,
    상기 위치 어긋남을 보정하도록 구성된 제2 보정 유닛과,
    상기 임프린트 공정을 제어하도록 구성된 제어 유닛을 포함하고,
    상기 임프린트 공정은 상기 취득 유닛에 의해 취득된 형상을 기초로, 상기 제1 보정 유닛이 상기 형상 차이를 보정하게 하는 제1 공정과, 상기 위치 어긋남이 상기 계측 유닛에 의해 계측되는 상태에서, 상기 제2 보정 유닛이 상기 위치 어긋남을 보정하게 하는 제2 공정을 포함하고,
    상기 제어 유닛은, 몰드의 패턴과 기판 상의 임프린트 대상인 샷 영역이 서로 대면하기 전에 상기 제1 공정이 개시되고, 몰드의 패턴과 임프린트 대상인 샷 영역이 서로 대면된 후에 상기 제2 공정이 개시되도록, 상기 임프린트 공정을 제어하고,
    상기 형상 차이는 몰드의 패턴과 기판 상의 샷 영역 사이의 배율 어긋남, 사다리꼴 어긋남 및 비틀림 중 하나 이상을 포함하는 물품의 제조 방법.
  20. 물품의 제조 방법이며,
    임프린트 시스템을 이용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 패턴이 형성된 기판을 처리하는 단계를 포함하고,
    상기 임프린트 시스템은 몰드를 이용하여 기판 상에 임프린트 재료의 패턴을 형성하기 위한 임프린트 공정을 수행하도록 각각 구성된 복수의 임프린트 장치와, 기판 상의 복수의 샷 영역의 각각의 형상을 계측하도록 구성된 계측 디바이스를 포함하고,
    상기 복수의 임프린트 장치 각각은,
    기판 상의 각각의 샷 영역에 대해, 몰드의 패턴과 샷 영역 사이의 형상 차이를 보정하도록 구성된 제1 보정 유닛과,
    기판 상의 샷 영역과 상기 몰드의 패턴 사이의 위치 어긋남을 계측하도록 구성된 계측 유닛과,
    상기 위치 어긋남을 보정하도록 구성된 제2 보정 유닛을 포함하고,
    상기 임프린트 시스템은 개별적인 임프린트 장치 및 상기 계측 디바이스의 임프린트 공정을 제어하도록 구성된 제어 유닛을 포함하고,
    상기 임프린트 공정은 상기 계측 디바이스에 의해 미리 계측된 형상을 기초로, 상기 제1 보정 유닛이 상기 형상 차이를 보정하게 하는 제1 공정과, 상기 위치 어긋남이 상기 계측 유닛에 의해 계측되는 상태에서, 상기 제2 보정 유닛이 상기 위치 어긋남을 보정하게 하는 제2 공정을 포함하고,
    상기 제어 유닛은, 몰드의 패턴과 기판 상의 임프린트 대상인 샷 영역이 서로 대면하기 전에 상기 제1 공정이 개시되고, 몰드의 패턴과 임프린트 대상인 샷 영역이 서로 대면된 후에 상기 제2 공정이 개시되도록, 상기 임프린트 공정을 제어하고,
    상기 형상 차이는 몰드의 패턴과 기판 상의 샷 영역 사이의 배율 어긋남, 사다리꼴 어긋남 및 비틀림 중 하나 이상을 포함하는 물품의 제조 방법.
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