JPH05346658A - 位相シフトレチクルの製造方法 - Google Patents
位相シフトレチクルの製造方法Info
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- JPH05346658A JPH05346658A JP15487592A JP15487592A JPH05346658A JP H05346658 A JPH05346658 A JP H05346658A JP 15487592 A JP15487592 A JP 15487592A JP 15487592 A JP15487592 A JP 15487592A JP H05346658 A JPH05346658 A JP H05346658A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】多断型位相シフトレチクル製造時の位相シフタ
ーの膜厚制御を容易にする。 【構成】ガラス基板２上にレジスト１を塗布し、露光、
現像後、ガラス基板２のエッチングを行い所定のパター
ンを形成する。そして再び、レジスト１１をガラス基板
上に塗布し、露光し、現像する。続いて形成したパター
ン上にＳｉＯ2 膜を例えばスピンコート法により形成す
る。次にレジスト１が現われるまでエッチバックした
後、レジストを剥離すると所定の２段位相シフトレチク
ルが得られる。 【効果】シフター膜厚のガラス基板のエッチング時間及
び、レジスト膜厚で行うので、膜厚制御が比較的容易に
行うことができる。
ーの膜厚制御を容易にする。 【構成】ガラス基板２上にレジスト１を塗布し、露光、
現像後、ガラス基板２のエッチングを行い所定のパター
ンを形成する。そして再び、レジスト１１をガラス基板
上に塗布し、露光し、現像する。続いて形成したパター
ン上にＳｉＯ2 膜を例えばスピンコート法により形成す
る。次にレジスト１が現われるまでエッチバックした
後、レジストを剥離すると所定の２段位相シフトレチク
ルが得られる。 【効果】シフター膜厚のガラス基板のエッチング時間及
び、レジスト膜厚で行うので、膜厚制御が比較的容易に
行うことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、位相シフトレチクルの
製造方法に係わり、特に多段位相シフトレチクルの製造
方法に関する。
製造方法に係わり、特に多段位相シフトレチクルの製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の位相シフトレチクルは、日
経マイクロデバイス１９９０年７月号、NO. ６１、ｐｐ
１０３〜１１４、および１９９１年５月号NO. ７１、ｐ
ｐ５３５８でも紹介されているように様々な構造が提案
されている。
経マイクロデバイス１９９０年７月号、NO. ６１、ｐｐ
１０３〜１１４、および１９９１年５月号NO. ７１、ｐ
ｐ５３５８でも紹介されているように様々な構造が提案
されている。
【０００３】その一例として、クロム等の遮光パターン
を用いずシフターのみでそのエッジ部による遮光効果を
利用する多段位相シフトマスクの作成プロセスを図３に
示す。
を用いずシフターのみでそのエッジ部による遮光効果を
利用する多段位相シフトマスクの作成プロセスを図３に
示す。
【０００４】まず図３（ａ）に示すようにレチクルの母
材となるガラス基板２の上にネガ型電子線用レジスト
７、例えばポリグリシジメチルメタクリレート（ＰＧＭ
Ａ）などを塗布する。次に図３（ｂ）において電子線８
を所定個所に照射し、次に図３（ｃ）において電子線８
を他の個所に図３（ｂ）とは異なる照射量で照射する。
レジストはネガ型であるため電子線照射量によりレジス
トの残膜厚が異なる。この方法では残っているレジスト
膜を位相シフターとするために、電子線の照射量を制御
することによりシフター膜厚を制御する。但し、シフタ
ー膜厚ｔ＝λ／｛２（ｎ−１）｝であり、ｎはシフター
の屈折率、λはこのマスクを使用して露光する光の波長
である。ここで、シフターを多段（ｍ段）にするときの
一段の膜厚はｔ／ｍで求められ各段は等しい段差とな
る。そしてここでは２段型のシフターの場合の例を示す
のでｍ＝２であり、７ｂ，７ｃの膜厚はそれぞれｔ／
２，ｔである。このようにして２段型位相シフトレチク
ルを作成する。
材となるガラス基板２の上にネガ型電子線用レジスト
７、例えばポリグリシジメチルメタクリレート（ＰＧＭ
Ａ）などを塗布する。次に図３（ｂ）において電子線８
を所定個所に照射し、次に図３（ｃ）において電子線８
を他の個所に図３（ｂ）とは異なる照射量で照射する。
レジストはネガ型であるため電子線照射量によりレジス
トの残膜厚が異なる。この方法では残っているレジスト
膜を位相シフターとするために、電子線の照射量を制御
することによりシフター膜厚を制御する。但し、シフタ
ー膜厚ｔ＝λ／｛２（ｎ−１）｝であり、ｎはシフター
の屈折率、λはこのマスクを使用して露光する光の波長
である。ここで、シフターを多段（ｍ段）にするときの
一段の膜厚はｔ／ｍで求められ各段は等しい段差とな
る。そしてここでは２段型のシフターの場合の例を示す
のでｍ＝２であり、７ｂ，７ｃの膜厚はそれぞれｔ／
２，ｔである。このようにして２段型位相シフトレチク
ルを作成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の位相シ
フトレチクルの製造方法では、このレチクルを波長４３
５．８ｎｍ（ナノメータ）（水銀ランプのＧ線）の光で
露光する場合、酸化シリコン（以下、ＳｉＯ2 という）
シフターの膜厚は約４７０ｎｍ±１３ｎｍ、すなわち所
望の膜厚から約±２．８％の膜厚制御、均一性が必要で
ある。しかし、位相シフターをＰＧＭＡで形成する場
合、シフターの膜厚は電子線の照射及び現像後の残膜厚
で決定されるが、電子線照射量の過不足の境界及びレジ
ストの不溶と可溶の境界はいずれも微妙でありコントラ
ストが低いため残膜厚の制御は非常に難しく、場合によ
っては２重３重照射を行う場合もある。また上記境界部
ではコントラストが低いためレジスト（シフター）のプ
ロファイルが悪く、出来上がった位相シフトレチクルを
通る光のコントラスト向上は少ない。さらに、シフター
は有機レジストであり光を吸収するので、透過率が低
く、膜が変質しやすく寿命が短い。そのうえ、レジスト
シフターは物理的衝撃に弱く、ごみが付着したときに洗
浄が難しいなどの問題点があった。
フトレチクルの製造方法では、このレチクルを波長４３
５．８ｎｍ（ナノメータ）（水銀ランプのＧ線）の光で
露光する場合、酸化シリコン（以下、ＳｉＯ2 という）
シフターの膜厚は約４７０ｎｍ±１３ｎｍ、すなわち所
望の膜厚から約±２．８％の膜厚制御、均一性が必要で
ある。しかし、位相シフターをＰＧＭＡで形成する場
合、シフターの膜厚は電子線の照射及び現像後の残膜厚
で決定されるが、電子線照射量の過不足の境界及びレジ
ストの不溶と可溶の境界はいずれも微妙でありコントラ
ストが低いため残膜厚の制御は非常に難しく、場合によ
っては２重３重照射を行う場合もある。また上記境界部
ではコントラストが低いためレジスト（シフター）のプ
ロファイルが悪く、出来上がった位相シフトレチクルを
通る光のコントラスト向上は少ない。さらに、シフター
は有機レジストであり光を吸収するので、透過率が低
く、膜が変質しやすく寿命が短い。そのうえ、レジスト
シフターは物理的衝撃に弱く、ごみが付着したときに洗
浄が難しいなどの問題点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の位相シフトレチ
クルの製造方法は、たとえばガラス製のレチクル基板に
レジストを塗布後、露光、現像、ガラス基板エッチング
を行い所望のパターンを形成し、その上に再びレジスト
を塗布し、露光、現像後さらにその上にたとえばＳＯＧ
塗布による酸化シリコン膜を形成し、レジストが現われ
るまでエッチングを行い、レジストを剥離するという手
段を有する。
クルの製造方法は、たとえばガラス製のレチクル基板に
レジストを塗布後、露光、現像、ガラス基板エッチング
を行い所望のパターンを形成し、その上に再びレジスト
を塗布し、露光、現像後さらにその上にたとえばＳＯＧ
塗布による酸化シリコン膜を形成し、レジストが現われ
るまでエッチングを行い、レジストを剥離するという手
段を有する。
【０００７】すなわち、本発明の特徴は、透過する光に
位相差を与える位相シフトレチクルの製造方法におい
て、レチクル基板上に第１のレジストパターンを形成す
る工程と、前記第１のレジストパターンをマスクにして
前記レチクル基板を所望の深さまでエッチングして前記
第１のレジストパターンと同じパターンのシフターの１
層目を前記レチクル基板により形成する工程と、前記第
１のレジストパターンを剥離する工程と、前記レチクル
基板上に第２のレジストパターンを形成する工程と、前
記レチクル基板上から前記第２のレジストパターン上に
かけてＳｉＯ2 膜を形成する工程と、前記ＳｉＯ2 膜を
エッチバックして前記第２のレジストパターンを露出さ
せしかる後に前記第２のレジストパターンを除去するこ
とにより、前記第２のレジストパターンと逆のパターン
のシフターの２層目を前記ＳｉＯ2膜により形成する工
程とを有する位相シフトレチクルの製造方法にある。
位相差を与える位相シフトレチクルの製造方法におい
て、レチクル基板上に第１のレジストパターンを形成す
る工程と、前記第１のレジストパターンをマスクにして
前記レチクル基板を所望の深さまでエッチングして前記
第１のレジストパターンと同じパターンのシフターの１
層目を前記レチクル基板により形成する工程と、前記第
１のレジストパターンを剥離する工程と、前記レチクル
基板上に第２のレジストパターンを形成する工程と、前
記レチクル基板上から前記第２のレジストパターン上に
かけてＳｉＯ2 膜を形成する工程と、前記ＳｉＯ2 膜を
エッチバックして前記第２のレジストパターンを露出さ
せしかる後に前記第２のレジストパターンを除去するこ
とにより、前記第２のレジストパターンと逆のパターン
のシフターの２層目を前記ＳｉＯ2膜により形成する工
程とを有する位相シフトレチクルの製造方法にある。
【０００８】本発明の他の特徴は、前記第１のレジスト
パターンの剥離する工程の後に、前記レチクル基板上に
多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記多結晶シリコ
ン膜上に第２のレジストパターンを形成する工程と、前
記第２のレジストパターンをマスクにして前記多結晶シ
リコン膜を選択的にエッチング除去することにより前記
第２のレジストパターンと同じパターンの多結晶シリコ
ン膜パターンを形成する工程と、前記第２のレジストパ
ターンを除去する工程と、前記レチクル基板上から前記
多結晶シリコン膜パターン上にかけてＳｉＯ2 膜を形成
する工程と、前記ＳｉＯ2 膜をエッチバックして前記多
結晶シリコン膜パターンを露出させしかる後に前記多結
晶シリコン膜パターンを除去することにより、前記第２
のレジストパターンと逆のパターンのシフターの２層目
を前記ＳｉＯ2 膜により形成する工程とを有する位相シ
フトレチクルの製造方法にある。
パターンの剥離する工程の後に、前記レチクル基板上に
多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記多結晶シリコ
ン膜上に第２のレジストパターンを形成する工程と、前
記第２のレジストパターンをマスクにして前記多結晶シ
リコン膜を選択的にエッチング除去することにより前記
第２のレジストパターンと同じパターンの多結晶シリコ
ン膜パターンを形成する工程と、前記第２のレジストパ
ターンを除去する工程と、前記レチクル基板上から前記
多結晶シリコン膜パターン上にかけてＳｉＯ2 膜を形成
する工程と、前記ＳｉＯ2 膜をエッチバックして前記多
結晶シリコン膜パターンを露出させしかる後に前記多結
晶シリコン膜パターンを除去することにより、前記第２
のレジストパターンと逆のパターンのシフターの２層目
を前記ＳｉＯ2 膜により形成する工程とを有する位相シ
フトレチクルの製造方法にある。
【０００９】ここで一般的に前記レチクル基板はガラス
基板でありガラスとＳｉＯ2 に代表される酸化シリコン
の屈折率ｎとはたがいに等しいと見ることができる。露
光波長をλ、シフターの段数（ここでは２）をｍとする
と、前記基板エッチングのエッチング深さで定まるシフ
ターの１層目の厚さｔおよび前記ＳｉＯ2 膜の膜厚で定
まるシフターの２層目の厚さｔはそれぞれ、ｔ＝１／ｍ
［λ／｛２（ｎ−１）｝］であることが好ましい。さら
に前記シフターの１層目の端部分と前記シフターの２層
目の端部分との距離が０．５μｍ以内であることが好ま
しい。また前記酸化シリコン膜はスピン塗布法、スパッ
タリング法もしくはＣＶＤ法によって形成することがで
きる。
基板でありガラスとＳｉＯ2 に代表される酸化シリコン
の屈折率ｎとはたがいに等しいと見ることができる。露
光波長をλ、シフターの段数（ここでは２）をｍとする
と、前記基板エッチングのエッチング深さで定まるシフ
ターの１層目の厚さｔおよび前記ＳｉＯ2 膜の膜厚で定
まるシフターの２層目の厚さｔはそれぞれ、ｔ＝１／ｍ
［λ／｛２（ｎ−１）｝］であることが好ましい。さら
に前記シフターの１層目の端部分と前記シフターの２層
目の端部分との距離が０．５μｍ以内であることが好ま
しい。また前記酸化シリコン膜はスピン塗布法、スパッ
タリング法もしくはＣＶＤ法によって形成することがで
きる。
【００１０】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１の実施例を説明する図である。
まず図１（ａ）に示すようにガラス基板２上にレジスト
１を塗布し、図１（ｂ）に示すように露光光３、例えば
電子線などでマスク４ａを介して露光し、現像後ガラス
基板２をエッチングして図１（ｃ）に示すように所望の
パターンを形成する。このときのエッチング量は、例え
ば２段階位相シフトマスクの場合には４７０／２＝約２
３５ｎｍであり、エッチングレートから計算した時間で
制御可能である。そして再びレジスト１１を塗布し、マ
スク４ｂを介して露光し、現像する（図１（ｅ））。こ
のときのレジスト膜厚は、例えば２段型位相シフトマス
クの場合は、ガラス基板上より、４７０／２＝約２３５
ｎｍであり、レジスト塗布時の回転数で制御可能であ
る。ここで、１段目のシフターのエッジと２段目を形成
するレジストのエッジとの距離Δ（図１（ｈ））は０．
５μｍ以内にするように設定する。続いて、ガラス基板
２上に形成したレジストパターン１１上に図１（ｆ）に
示すように、ＳｉＯ2 膜を例えばスピンコート法により
形成する。次に図１（ｇ）に示すように、レジスト１１
が現われるまで、ＳｉＯ2 膜をエッチバックした後、レ
ジスト１１を剥離すると、図１（ｈ）に示すように所望
の２段位相シフトレチクルが得られる。
る。図１は本発明の第１の実施例を説明する図である。
まず図１（ａ）に示すようにガラス基板２上にレジスト
１を塗布し、図１（ｂ）に示すように露光光３、例えば
電子線などでマスク４ａを介して露光し、現像後ガラス
基板２をエッチングして図１（ｃ）に示すように所望の
パターンを形成する。このときのエッチング量は、例え
ば２段階位相シフトマスクの場合には４７０／２＝約２
３５ｎｍであり、エッチングレートから計算した時間で
制御可能である。そして再びレジスト１１を塗布し、マ
スク４ｂを介して露光し、現像する（図１（ｅ））。こ
のときのレジスト膜厚は、例えば２段型位相シフトマス
クの場合は、ガラス基板上より、４７０／２＝約２３５
ｎｍであり、レジスト塗布時の回転数で制御可能であ
る。ここで、１段目のシフターのエッジと２段目を形成
するレジストのエッジとの距離Δ（図１（ｈ））は０．
５μｍ以内にするように設定する。続いて、ガラス基板
２上に形成したレジストパターン１１上に図１（ｆ）に
示すように、ＳｉＯ2 膜を例えばスピンコート法により
形成する。次に図１（ｇ）に示すように、レジスト１１
が現われるまで、ＳｉＯ2 膜をエッチバックした後、レ
ジスト１１を剥離すると、図１（ｈ）に示すように所望
の２段位相シフトレチクルが得られる。
【００１１】本実施例ではＳｉＯ2 （ガラス基板も含
む）シフター１段の膜厚を２３５ｎｍにしたが、これは
上述した位相シフトレチクルを波長が４３５．８ｎｍで
ある光源で使用する場合であり、実際の光源には２４８
ｎｍ，３６５．０ｎｍ等の色々な波長があるため光源ご
とに膜厚を設定することが必要である。
む）シフター１段の膜厚を２３５ｎｍにしたが、これは
上述した位相シフトレチクルを波長が４３５．８ｎｍで
ある光源で使用する場合であり、実際の光源には２４８
ｎｍ，３６５．０ｎｍ等の色々な波長があるため光源ご
とに膜厚を設定することが必要である。
【００１２】次に本発明の第２の実施例について図面を
参照して説明する。図２は本発明の第２の実施例を説明
する図である。本実施例では、２段型位相シフターの場
合のシフターの膜厚制御をさらに容易にする製造方法を
示している。まず図２（ａ）に示すようにガラス基板上
２上にレジスト１を塗布し、露光し（図２（ｂ））、現
像後、エッチングを行い、図２（ｃ）に示すように、所
望のパターンを形成する。次に、レジスト１を剥離した
後、図２（ｄ）に示すように、ガラス基板２上に多結晶
シリコン（以下、Ｐｏｌｙ Ｓｉという）膜を形成す
る。そして再びレジスト１１を塗布し、マスク４ｂを介
して露光し、現像する（図２（ｅ））。次に図２（ｆ）
に示すようにレジスト１１のパターンをマスクとしてＰ
ｏｌｙＳｉ膜をエッチングし、レジストを剥離する。続
いてガラス基板上に形成したＰｏｌｙ Ｓｉパターン上
に図２（ｇ）に示すように例えばＣＶＤ法によりＳｉＯ
2 膜を形成する。次に図２（ｈ）に示すように、Ｐｏｌ
ｙ Ｓｉが現われるまで、ＳｉＯ2 膜をエッチバックし
た後、Ｐｏｌｙ Ｓｉ膜のみエッチングを行うと、図２
（ｉ）に示すように所望の２段型位相シフトレチクルが
得られる。
参照して説明する。図２は本発明の第２の実施例を説明
する図である。本実施例では、２段型位相シフターの場
合のシフターの膜厚制御をさらに容易にする製造方法を
示している。まず図２（ａ）に示すようにガラス基板上
２上にレジスト１を塗布し、露光し（図２（ｂ））、現
像後、エッチングを行い、図２（ｃ）に示すように、所
望のパターンを形成する。次に、レジスト１を剥離した
後、図２（ｄ）に示すように、ガラス基板２上に多結晶
シリコン（以下、Ｐｏｌｙ Ｓｉという）膜を形成す
る。そして再びレジスト１１を塗布し、マスク４ｂを介
して露光し、現像する（図２（ｅ））。次に図２（ｆ）
に示すようにレジスト１１のパターンをマスクとしてＰ
ｏｌｙＳｉ膜をエッチングし、レジストを剥離する。続
いてガラス基板上に形成したＰｏｌｙ Ｓｉパターン上
に図２（ｇ）に示すように例えばＣＶＤ法によりＳｉＯ
2 膜を形成する。次に図２（ｈ）に示すように、Ｐｏｌ
ｙ Ｓｉが現われるまで、ＳｉＯ2 膜をエッチバックし
た後、Ｐｏｌｙ Ｓｉ膜のみエッチングを行うと、図２
（ｉ）に示すように所望の２段型位相シフトレチクルが
得られる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、シフター材
料をレジストではなくＳｉＯ2 膜とし、シフター膜厚の
制御をガラス基板のエッチング時間、及びレジスト膜厚
で行うので、膜厚制御が比較的容易である。ここで、レ
ジストの代りにＰｏｌｙ−Ｓｉを用いることにより、使
用するＳｉＯ2 膜の膜種の選択が拡がるので、さらに膜
厚制御が容易になる。また、ガラス基板は上部のレジス
トによりエッチングを行うため、側壁の形状が垂直なシ
フターが得られるので、出来上った位相シフトレチクル
を通る光のコントラストがさらに向上できる。ＳｉＯ2
膜はレジスト膜と異なり、無機材料であるため、光の吸
収がほとんどなく、透過率が高く、光を効率良く使え
る。そのため膜の変質もおこりにくく、寿命が長いなど
の効果がある。
料をレジストではなくＳｉＯ2 膜とし、シフター膜厚の
制御をガラス基板のエッチング時間、及びレジスト膜厚
で行うので、膜厚制御が比較的容易である。ここで、レ
ジストの代りにＰｏｌｙ−Ｓｉを用いることにより、使
用するＳｉＯ2 膜の膜種の選択が拡がるので、さらに膜
厚制御が容易になる。また、ガラス基板は上部のレジス
トによりエッチングを行うため、側壁の形状が垂直なシ
フターが得られるので、出来上った位相シフトレチクル
を通る光のコントラストがさらに向上できる。ＳｉＯ2
膜はレジスト膜と異なり、無機材料であるため、光の吸
収がほとんどなく、透過率が高く、光を効率良く使え
る。そのため膜の変質もおこりにくく、寿命が長いなど
の効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例を説明する図で、二段型
位相シフトレチクルの製造過程を示す断面図。
位相シフトレチクルの製造過程を示す断面図。
【図２】本発明の第２の実施例を説明する図で、さらに
膜厚制御を容易にした二段型位相シフトレチクルの製造
過程を示す断面図。
膜厚制御を容易にした二段型位相シフトレチクルの製造
過程を示す断面図。
【図３】従来の方法を説明する図で、レジストを用いた
二段型位相シフトレチクルの製造過程を示す断面図。
二段型位相シフトレチクルの製造過程を示す断面図。
１，１１ レジスト ２ ガラス基板 ３ 露光光 ４ａ，４ｂ マスク ５ ＳｉＯ2 膜 ６ Ｐｏｌｙ Ｓｉ膜 ７ ＰＧＭＡ ８ 電子線
Claims (7)
- 【請求項１】 透過する光に位相差を与える位相シフト
レチクルの製造方法において、レチクル基板上に第１の
レジストパターンを形成する工程と、前記第１のレジス
トパターンをマスクにして前記レチクル基板を所望の深
さまでエッチングして前記第１のレジストパターンと同
じパターンのシフターの１層目を前記レチクル基板によ
り形成する工程と、前記第１のレジストパターンを剥離
する工程と、前記レチクル基板上に第２のレジストパタ
ーンを形成する工程と、前記レチクル基板上から前記第
２のレジストパターン上にかけて酸化シリコン膜を形成
する工程と、前記酸化シリコン膜をエッチバックして前
記第２のレジストパターンを露出させしかる後に前記第
２のレジストパターンを除去することにより、前記第２
のレジストパターンと逆のパターンのシフターの２層目
を前記酸化シリコン膜により形成する工程とを有するこ
とを特徴とする位相シフトレチクルの製造方法。 - 【請求項２】 前記第１のレジストパターンを剥離する
工程の後に、前記レチクル基板上に多結晶シリコン膜を
形成する工程と、前記多結晶シリコン膜上に第２のレジ
ストパターンを形成する工程と、前記第２のレジストパ
ターンをマスクにして前記多結晶シリコン膜を選択的に
エッチング除去することにより前記第２のレジストパタ
ーンと同じパターンの多結晶シリコン膜パターンを形成
する工程と、前記第２のレジストパターンを除去する工
程と、前記レチクル基板上から前記多結晶シリコン膜パ
ターン上にかけて酸化シリコン膜を形成する工程と、前
記酸化シリコン膜をエッチバックして前記多結晶シリコ
ン膜パターンを露出させしかる後に前記多結晶シリコン
膜パターンを除去することにより、前記第２のレジスト
パターンと逆のパターンのシフターの２層目を前記酸化
シリコン膜により形成する工程とを有することを特徴と
する請求項１に記載の位相シフトレチクルを製造方法。 - 【請求項３】 前記レチクル基板はガラス基板であり、
前記基板エッチング深さで定まるシフターの１層目の厚
さｔおよび前記酸化シリコン膜の膜厚で定まるシフター
の２層目の厚さｔはそれぞれ、ｔ＝１／ｍ［λ／｛２
（ｎ−１）｝］、［但し、ｎはガラスもしくは酸化シリ
コン膜の屈折率、λは露光波長、ｍはシフターの断数で
ここでは２］であることを特徴とする請求項１もしくは
請求項２に記載の位相シフトレチクルの製造方法。 - 【請求項４】 前記シフターの１層目の端部分と前記シ
フターの２層目の端部分との距離が０．５μｍ以内であ
ることを特徴とする請求項１、請求項２もしくは請求項
３に記載の位相シフトレチクルの製造方法。 - 【請求項５】 前記酸化シリコン膜をスピン塗布法によ
って形成することを特徴とする請求項１、請求項２、請
求項３もしくは請求項４に記載の位相シフトレチクルの
製造方法。 - 【請求項６】 前記酸化シリコン膜をスパッタリング法
によって形成することを特徴とする請求項１、請求項
２、請求項３もしくは請求項４に記載の位相シフトレチ
クルの製造方法。 - 【請求項７】 前記酸化シリコン膜をＣＶＤ法によって
形成することを特徴とする請求項１、請求項２、請求項
３もしくは請求項４に記載の位相シフトレチクルの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15487592A JPH05346658A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 位相シフトレチクルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15487592A JPH05346658A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 位相シフトレチクルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05346658A true JPH05346658A (ja) | 1993-12-27 |
Family
ID=15593849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15487592A Withdrawn JPH05346658A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 位相シフトレチクルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05346658A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7960090B2 (en) | 2007-05-23 | 2011-06-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming method, pattern formed thereby, mold, processing apparatus, and processing method |
-
1992
- 1992-06-15 JP JP15487592A patent/JPH05346658A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7960090B2 (en) | 2007-05-23 | 2011-06-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming method, pattern formed thereby, mold, processing apparatus, and processing method |
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