JP2003127143A - 微細金型の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 微細金型において、高強度及び高精度を達成
する。 【解決手段】 基板１にレジスト２を形成した母材Ｍに
電気メッキを施す。母材Ｍを除去して金型を製造する方
法である。導電性を備えた基板１にレジスト２をパター
ンに応じて形成する。パターンにおいてはレジスト２が
存在しない基板１の露出部分にのみに一次電気メッキ３
をおこなう。その後、レジスト２上の少なくとも一部に
導電性被膜４を形成する。導電性被膜４が形成されたレ
ジスト２上及び一次電気メッキ３上に二次電気メッキ５
をおこなう。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、微細金型の製造方
法に関し、詳しくは、微細金型において、高強度及び高
精度を達成しようとする技術に係るものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、微細金型を製造するのに当たっ
て、機械加工では精度に限界があるものである。そこ
で、フォトレジストを用いて高精度の微細金型を製造す
る手段が種々提案されている。そのうち、図９に示す従
来例（特開平２−２９７４０９号及び特開平９−２９５
０７８号）においては、基板１ａにレジストパターン２
ａを形成し、基板１ａ及びレジストパターン２ａ上に導
電性被膜４ａを形成し、メッキ３ａをおこない、その
後、基板１ａ及びレジストパターン２ａを除去して微細
金型Ａａを製造するのである。

【０００３】ところで、このような製造方法において
は、レジストパターン２ａのレジスト孔の上部のメッキ
５ａの成長によってレジスト孔が塞がれて液溜まりＥが
生じ、金型の強度が大きく低下し、金型寿命が短くなる
のである。

【０００４】又、図１０に示す他の従来例（特開平９−
２１７１９１号）においては、基板１ａにレジスト２ａ
を形成した後、レジスト２ａの開口部にメッキ５ｂをお
こない、その後、薬品を用いてレジスト２ａを溶解し除
去して微細金型Ａｂを製造するのである。

【０００５】ところで、このような製造方法において
は、基板１ａとメッキ５ｂとの密着力を高め難く、金型
強度を高め難いものである。更に、メッキ５ｂの表面の
平坦度を高め難く、金型精度を高め難いものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題に鑑みてなされたものであり、高強度及び高精度の微
細金型を得ることができる微細金型の製造方法を提供す
ることを課題とするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明において
は、基板１にレジスト２を形成した母材Ｍに電気メッキ
を施し、母材Ｍを除去して金型を製造する方法であっ
て、導電性を備えた基板１にレジスト２をパターンに応
じて形成し、パターンにおいてはレジスト２が存在しな
い基板１の露出部分にのみに一次電気メッキ３をおこな
い、その後、レジスト２上の少なくとも一部に導電性被
膜４を形成し、導電性被膜４が形成されたレジスト２上
及び一次電気メッキ３上に二次電気メッキ５をおこなう
ことを特徴とするものである。このような構成によれ
ば、電気メッキ部を一次電気メッキ３と二次電気メッキ
５に分け、一次電気メッキ３はレジスト２が存在しない
基板１の露出部分にのみにおこなうことで、従来のよう
に、パターンにおけるレジスト孔がメッキの成長に起因
して塞がれるようなことがなく、液溜まりが発生するこ
とを防止することができ、レジスト孔には充分に一次電
気メッキ３を充填することができ、結果として、微細金
型の強度を高めることができ、しかも、レジスト２が存
在しない基板１部分に施す一次電気メッキ３の表面が基
板１を除去して得られる金型の表面となるのであり、微
細金型の表面の精度を高めることができ、しかして、微
細金型において高強度、高精度、かつ、高アスペクトを
達成できる。

【０００８】請求項２の発明においては、基板１は、基
板本体６に導電性の被膜７を形成したものであり、少な
くとも一部における基板本体６への被膜７の密着力が基
板本体６の強度よりも小さくしていることを特徴とする
ものである。このような構成によれば、基板１の材料選
択における自由度を拡大することができ、かつ、基板１
の除去が容易となり、除去時の応力による変形を防止す
ることができる。

【０００９】請求項３の発明においては、一次電気メッ
キ３をレジスト２よりも厚く形成することを特徴とする
ものである。このような構成によれば、一次電気メッキ
３はレジスト２よりも突出して一次電気メッキ３と導電
性被膜４との接合面積及び二次電気メッキ５と導電性被
膜４との接合面積を増すことができ、相互の密着力を高
め、一層、金型強度を高めることができる。

【００１０】請求項４の発明においては、一次電気メッ
キ３の後、レジスト２の表面層をエッチング処理にて除
去することを特徴とするものである。このような構成に
よれば、レジスト２の表面はエッチング処理によって粗
面になっていて、粗面によるアンカー効果及び接合面積
の増大によって、二次電気メッキ５との密着力を高める
ことができる。

【００１１】請求項５の発明においては、一次電気メッ
キ３の後、レジスト２に紫外線照射或いは熱処理等の硬
化促進処理をおこなうことを特徴とするものである。こ
のような構成によれば、紫外線照射や熱処理等による硬
化促進処理によってレジスト２を硬化収縮させることが
でき、レジスト２の硬化収縮に伴うアンカー効果及び接
合面積の増大によって、二次電気メッキ５との密着力を
高めることができる。

【００１２】請求項６の発明においては、レジスト２を
二層構造とし、上層８と下層９で異なる除去手段となる
レジスト２を用いることを特徴とするものである。この
ような構成によれば、レジスト２の上層８をエッチング
にて除去する際に、下層９の表面部への侵食を防止でき
るのであり、上層８を除去した下層９の表面が転写され
て金型面となることから、金型面の表面粗度を小さくす
ることができる。しかも、レジスト２は上層８と下層９
で異なる除去手段となることから、上層８をエッチング
にて除去する際に、エッチング量の制御及びエッチング
量分の膜厚考慮が不要となり、レジストエッチングが容
易となる。

【００１３】請求項７の発明においては、一次電気メッ
キ３の金属は二次電気メッキ５の金属に比べて線膨張率
が大きい金属を用いていることを特徴とするものであ
る。このような構成によれば、得られた金型において凸
部となる一次電気メッキ３の金属が二次電気メッキ５の
金属よりも熱膨張・収縮が大きく、したがって、樹脂成
形において冷却時の凸部の収縮が大きく、成形される樹
脂との分離が容易となる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。図１（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）は微細金型
の製造手順を示す説明図である。

【００１５】本発明の方法により製造される微細金型Ａ
は、基板１にレジスト２を形成した母材Ｍに電気メッキ
を施し、母材Ｍを除去して得られたものであり、図１
（ｅ）に示すように、例えば、φ２０μｍ、高さ２００
μｍのアスペクト比１０の円柱物（ピール）がピッチ４
０μｍで整列している。以下、製造手順を図面にしたが
って説明する。

【００１６】図１（ａ）はレジスト形成行程を示し、導
電性を備えた基板１は、例えば、ＳＵＳ、ニッケル、ニ
ッケル合金及び銀等を用い、このような導電性を備えた
基板１に例えばフォトレジストのようなレジスト２を２
００μｍ程度成膜し、紫外線により露光後、パターン以
外を現像除去してレジスト２をパターンに応じて形成す
る。レジストパターンは、ＰＭＭＡにＸ線露光、或い
は、レーザーにて直接描画等の手段がある。

【００１７】同図（ｂ）は一次メッキ行程を示し、レジ
スト２が存在しない基板１の露出部分にのみに一次電気
メッキ３をおこなう。一次電気メッキ３は、電気ニッケ
ルメッキ、ニッケル合金メッキ、及び、銅メッキ等があ
る。

【００１８】一次メッキの液組成は、 スルファミン酸ニッケル ３５０ｇ／Ｌ 塩化ニッケル １０ｇ／Ｌ ホウ酸 ３５ｇ／Ｌ メッキ条件は、 温度 ５０℃ 電流密度 ２Ａ／ｄｍ² メッキ厚 ２００μｍ 同図（ｃ）は導電性被膜４を形成する行程を示し、一次
電気メッキ３を施した後、レジスト２及び一次電気メッ
キ３の上に導電性被膜４を形成する。導電性被膜４は、 物質：ニッケル、厚さ０．２μｍ、他に、銅、銀等があ
る。 成膜方法：スパッタリング、他に、蒸着、化学メッキ等
がある。 ところで、導電性被膜４とレジスト２との密着が悪い
と、二次メッキ中に膨れが生じやすいため、前処理とし
てレジスト２の表面にプラズマ処理をおこなうことが好
ましい。

【００１９】同図（ｄ）は二次電気メッキ５を施す行程
を示す。二次電気メッキ５は一次電気メッキ３と同種の
金属である。

【００２０】二次メッキの液組成は、 スルファミン酸ニッケル ３５０ｇ／Ｌ 塩化ニッケル １０ｇ／Ｌ ホウ酸 ３５ｇ／Ｌ メッキ条件は、 温度 ５０℃ 電流密度 ４Ａ／ｄｍ² メッキ厚 ３００μｍ このような二次電気メッキ５においては、一次電気メッ
キ３に比べて微細部分がないことから、電流密度を大き
くできて生産性を向上することができる。

【００２１】同図（ｅ）は基板１及びレジスト２にて構
成される母材Ｍの除去行程を示す。母材Ｍのうち基板１
の除去は機械的（例えば手でピール除去）或いは溶解除
去をおこなう。レジスト２の剥離行程は、溶剤剥離をお
こなう。この場合、残さ分を除去するため、レーザーや
プラズマ等の処理をおこなうことが好ましい。

【００２２】このように本発明においては、電気メッキ
部を一次電気メッキ３と二次電気メッキ５に分け、一次
電気メッキ３はレジスト２が存在しない基板１の露出部
分にのみにおこなうことで、パターンにおけるレジスト
孔がメッキの成長に起因して塞がれるようなことがな
く、液溜まりが発生することを防止することができ、レ
ジスト孔には充分に一次電気メッキ３を充填することが
でき、微細金型の強度を高めることができるのであり、
しかも、レジスト２が存在しない基板１部分に施す一次
電気メッキ３の表面が基板１を除去して得られる金型の
表面となるのであり、微細金型の表面の精度を高めるこ
とができ、しかして、微細金型において高強度、高精
度、かつ、高アスペクトを達成できる。 ＜実施例結果＞従来の製造方法で得られた微細金型で
は、射出成形を１０ショット以下で変形又は脱ピン（ピ
ールの外れ）が発生したが、本発明の微細金型Ａでは射
出成形を１０００ショット後にも変形が見られなかっ
た。

【００２３】図２は他の実施の形態を示し、但し、本実
施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であり、共
通する部分には同一の符号を付して説明は省略する。本
実施の形態においては、一次電気メッキ３の表面を粗面
化するものである（図２（ａ）（ｂ）参照）。粗面化処
理方法としは、プラズマ処理、ブラスト処理、及び、液
体による粗化処理があり、液体による場合、一次電気メ
ッキ３の金属によりエッチング液を選定して表面層をエ
ッチング粗化する。一例として、一次電気メッキ３の金
属がニッケルの場合はエッチング液は塩化第二鉄水溶
液、硝酸を使用し、一次電気メッキ３の金属が銅の場合
は過硝酸アンモニウムを使用する。又、粗面化する手段
として粗化状メッキによってもよい。この手段は、例え
ば、一次電気メッキ３上に一次メッキ液を用いて樹枝状
の析出をする高電流密度条件でおこなう。粗化状メッキ
のメッキ金属として、一次及び二次メッキ金属以外のも
のでもよい。ところで、レジスト２の表面が粗化される
と製造される金型の表面粗さが大きくなるため、表面粗
さを小に抑えるのに際して、液体による粗化処理及び粗
化状メッキによる粗化手段が好ましい。

【００２４】このように、一次電気メッキ３の表面を粗
面化することで、接合面積が増大することとアンカー効
果が増すことにより、二次電気メッキ５との密着力が増
大する（図２（ｃ）参照）。

【００２５】ところで、本発明においては、一次電気メ
ッキ３は金型としての強度のある金属及びメッキ条件を
用いておこなわれるのであり、二次電気メッキ５は一次
電気メッキ３より高速メッキが可能な金属及びメッキ条
件にておこなわれるのである。以下、詳述する。

【００２６】一次メッキとして、ニッケル・コバルト合
金メッキをおこなった。この場合、 ＜メッキ液組成＞ 硫酸ニッケル ２００ｇ／Ｌ 硫酸コバルト ２０ｇ／Ｌ 塩化ナトリウム １５ｇ／Ｌ ホウ酸 ３０ｇ／Ｌ ＜メッキ条件＞ ＰＨ ５．５ 温度 ３０ ℃ 電流密度 １．０Ａ／ｄｍ² 液攪拌 エアバブリング メッキ液、条件を上記のように設定し、一次メッキを厚
さ２００μｍでおこなった。メッキ析出速度としては、
１２μｍ／時間であった。上記メッキで得られた合金被
膜中にはコバルトが４０％含まれていた。この合金メッ
キの機械的性質は、引っ張り強度として１４０ｋｇ／ｍ
ｍ²と、ニッケルメッキの２倍の強度が得られた。

【００２７】次に、金属被膜を形成後、下記二次メッキ
をおこなった。この場合、 ＜二次（ニッケル）メッキの液組成＞ スルファミン酸ニッケル ５００ｇ／Ｌ 塩化ニッケル ５ｇ／Ｌ ホウ酸 ４０ｇ／Ｌ ＜メッキ条件＞ 温度 ５０℃ 電流密度 ４Ａ／ｄｍ２ メッキ厚 ３００μｍ ＜メッキ液＞ ＰＨ ３．８ 温度 ５０ ℃ 電流密度 ２０Ａ／ｄｍ² 液攪拌 噴流および回転電極 メッキ液、メッキ条件を上記のように設定し、一次メッ
キを厚さ３００μｍでおこなった。メッキ析出速度とし
ては、２４０μｍ／時間であった。他の工程は図１の工
程と同じである。

【００２８】このように、一次電気メッキ３は金型とし
ての強度のある金属及びメッキ条件を用いておこなわれ
るのであり、二次電気メッキ５は一次電気メッキ３より
高速メッキが可能な金属及びメッキ条件にておこなわれ
ることから、一次電気メッキ３と二次電気メッキ５の各
々は金型として要求される物性を保ちかつ生産性を向上
させることができる。

【００２９】図３は更に他の実施の形態を示し、但し、
本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であ
り、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略す
る。

【００３０】本実施の形態においては、基板１は、基板
本体６に導電性の被膜７を形成したものであり、少なく
とも一部における基板本体６への被膜７の密着力が基板
本体６の強度よりも小さくしている。以下、具体例を詳
述する。

【００３１】＜基板本体６の材料＞シリコン基板、その
他、有機、無機基板等があり、平坦な基板本体６を用い
ることで金型精度が向上する。

【００３２】＜導電性の被膜７の形成＞ 物質：銅 厚さ０．２μｍ、その他、ニッケル及びニッ
ケル合金、銀等 成膜方法：スパッタリング、その他、蒸着、化学メッキ
等 導電性の被膜７と基板本体６との密着力は後工程の基板
本体６の除去までの間、ふくれや応力剥離しない程度に
低いことが好ましく、高すぎると基板本体６の除去が困
難になる。このため、基板本体６の表面には汚れがな
く、表面粗度として、Ｒａが０．１μｍ以下であること
が好ましい。又、レジスト２及び一次電気メッキ３との
密着力は導電性の上記被膜７と基板本体６との密着力よ
り大きい方が好ましい。

【００３３】＜基板本体６の剥離工程＞機械的除去（例
えば手でピール除去）をおこなう。この場合、基板本体
６と導電性の被膜７が界面で容易に剥離可能となる。

【００３４】＜導電性の被膜７のエッチング工程＞ エッチング液：過硫酸ソーダ １００ｇ／Ｌ エッチング量：一次電気メッキ３が露出するまで エッチング液では導電性の被膜７の銅のみをエッチング
し、一次電気メッキ３のニッケルには影響を与えない
（図３（ｄ）参照）。

【００３５】この場合、金型精度を確保するため、導電
性の被膜７のエッチングには一次電気メッキ３に影響を
与えない選択性エッチングが好ましく、選択性エッチン
グ液を用いるものである。この他、レーザーにより除去
量を制御した除去をおこなってもい。他の工程は図１の
工程と同じである。

【００３６】このように、基板１は、基板本体６に導電
性の被膜７を形成したものであり、少なくとも一部にお
ける基板本体６への被膜７の密着力が基板本体６の強度
よりも小さくしていることから、基板１の材料選択にお
ける自由度を拡大することができ、かつ、基板１の除去
が容易となり、除去時の応力による変形を防止すること
ができる。

【００３７】図４は更に他の実施の形態を示し、但し、
本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であ
り、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略す
る。

【００３８】本実施の形態においては、一次電気メッキ
３をレジスト２よりも厚く形成するものである。

【００３９】具体的には、一次電気メッキ３の厚みを２
５０μｍとしてレジスト２よりも高さで５０μｍオーバ
ーハングするように、一次電気メッキ３をレジスト２よ
り厚くなるように析出させる。

【００４０】一次電気メッキ３はレジスト２より高くな
ると横方向にも析出成長するため、図４（ａ）のよう
に、析出面はドーム（きのこ）状になり、二次電気メッ
キ５との接続面積が増大する。この場合、オーバーハン
グするメッキ厚としては厚い方が表面積が増大するが、
レジスト２上で隣接するパターンと接触すると、接触部
分に液溜まりが生じるため、接触しない程度のメッキ厚
が好ましい。他の工程は図１の工程と同じである。

【００４１】このように、一次電気メッキ３はレジスト
２よりも突出して一次電気メッキ３と導電性被膜４との
接合面積及び二次電気メッキ５と導電性被膜４との接合
面積を増すことができ、相互の密着力を高め、一層、金
型強度を高めることができる。

【００４２】図５は更に他の実施の形態を示し、但し、
本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であ
り、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略す
る。

【００４３】本実施の形態においては、一次電気メッキ
３の後、レジスト２の表面層をエッチング処理にて除去
するものである。具体的には、図５に示すように一次電
気メッキ３をおこなった後、レジスト２の表面層をエッ
チング除去する。

【００４４】＜レジスト２の表面のエッチング工程＞ 方法：ＣＯ₂レーザー等のレーザー処理または、プラズ
マエッチングまたは、レジスト剥離液（レジストメーカ
ー品）等、レジスト溶剤、その他 これらを使用するレジスト２に対応して選択する。

【００４５】（例）レジスト２→ＳＵ−８（Ｓｈｉｐｌ
ｅｙ社製）とする場合に、 レジストエッチング→Ｍｉｃｒｏｐｏｓｉｔ Ｒｅｍｏ
ｖｅｒ１１６５（Ｓｈｉｐｌｅｙ社製） 処理条件：上記剥離液に１５分浸漬処理 この処理によりレジスト２の表面層が５０μｍエッチン
グされた。

【００４６】エッチングにより除去されることでレジス
ト２の厚みが薄くなるため、必要に応じてレジスト２の
成膜を厚くしておく。

【００４７】エッチング除去され一次電気メッキ３が露
出したアンカー部分は微細形状となっており、二次電気
メッキ５開始時に気泡または液溜まりが生じやすいた
め、二次電気メッキ５の初期のメッキ電流密度として低
電流にてこおなうことが好ましい。

【００４８】このように、レジスト２の表面はエッチン
グ処理によって粗面になっていて、粗面によるアンカー
効果及び接合面積の増大によって、二次電気メッキ５と
の密着力を高めることができる。

【００４９】図６は更に他の実施の形態を示し、但し、
本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であ
り、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略す
る。

【００５０】本実施の形態においては、一次電気メッキ
３の後、レジスト２に紫外線照射或いは熱処理等の硬化
促進処理をおこなうものである。具体的には、図６
（ａ）に示すように、レジスト２にＳＵ−８（Ｓｈｉｐ
ｌｅｙ社製）を使用し、図４に示すように一次電気メッ
キ３を施した後、以下のようにレジスト２層を硬化収縮
させる。

【００５１】＜熱処理＞ 処理温度：８０℃ 処理時間：３０分 この処理によりレジスト２の表面層が３０μｍ収縮した
（図６（ｂ）参照）。

【００５２】また、レジスト２の成膜後のベーキング温
度を低くする、または処理時間を短くすることで、この
工程での硬化収縮量を増加することができる。硬化収縮
により一次電気メッキ３が露出したアンカー部分は微細
形状になっており、二次電気メッキ５の開始時に気泡ま
たは液溜まりが生じやすいため、二次電気メッキ５の初
期の電流密度として低電流にてこおなうことが好まし
い。

【００５３】このように、紫外線照射や熱処理等による
硬化促進処理によってレジスト２を硬化収縮させること
ができ、レジスト２の硬化収縮に伴うアンカー効果及び
接合面積の増大によって、二次電気メッキ５との密着力
を高めることができる。

【００５４】図７は更に他の実施の形態を示し、但し、
本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であ
り、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略す
る。

【００５５】本実施の形態においては、レジスト２を二
層構造とし、上層８と下層９で異なる除去手段となるレ
ジスト２を用いるものである。以下、詳述する。

【００５６】＜レジスト２の種類＞ レジスト２の下層９：溶剤現像、剥離型レジスト ＳＵ−８（Ｓｈｉｐｌｅｙ社製） レジスト２の上層８：アルカリ現像、剥離型レジスト ドライフィルムＡＱ−４０３６（旭化成社製） ＜レジスト２の形成工程＞レジスト２の下層９を成膜、
露光、現像し、レジストパターンを形成後、上層８をラ
ミネートする。ここで下層９の凹部分はテンティングさ
れた状態となる。次に、下層９のパターンに位置合わせ
をおこない露光し、現像をおこなう。この現像時には下
層９の凹部分に上層８が埋め込まれていないため、凹部
分にレジストが残ることなく現像できる。また、下層９
は溶剤現像タイプであり、上層８のアルカリ現像液によ
る侵食はない。また、上層８のパターンは下層９のパタ
ーンよりオーバーハングしても金型形状に影響ははく、
露光時の位置合わせが容易になる。このように、レジス
トパターンを形成し、一次電気メッキ３後、上層８のエ
ッチングをおこなう（図７（ａ）（ｂ）参照）。

【００５７】＜レジスト２の上層８のエッチング工程＞
上層８はアルカリ剥離タイプであり、例えば、２％水酸
過ナトリウム水溶液で剥離できる。この結果、上層８の
厚みである４０μｍのレジストエッチングができた。こ
のとき、下層９は溶剤剥離タイプのため上記剥離液によ
り侵食されることはない（図７（ｃ）参照）。

【００５８】このように、レジスト２を二層構造とし、
上層８と下層９で異なる除去手段となるレジスト２を用
いるから、レジスト２の上層８をエッチングにて除去す
る際に、下層９の表面部への侵食を防止できるのであ
り、上層８を除去した下層９の表面が転写されて金型面
となることから、金型面の表面粗度を小さくすることが
できる。しかも、レジスト２は上層８と下層９で異なる
除去手段となることから、上層８をエッチングにて除去
する際に、エッチング量の制御及びエッチング量分の膜
厚考慮が不要となり、レジストエッチングが容易とな
る。

【００５９】図８は更に他の実施の形態を示し、但し、
本実施の形態の基本構成は上記実施の形態と共通であ
り、共通する部分には同一の符号を付して説明は省略す
る。

【００６０】本実施の形態においては、一次電気メッキ
３の金属は二次電気メッキ５の金属に比べて線膨張率が
大きい金属を用いるものである。

【００６１】具体的には、二次電気メッキ５の金属とし
て、ニッケルまたはニッケル・クロム合金を使用し、一
次電気メッキ３の金属として銅を使用する。

【００６２】このように、一次電気メッキ３の金属は二
次電気メッキ５の金属に比べて線膨張率が大きい金属を
用いるから、得られた金型Ａにおいて凸部となる一次電
気メッキ３の金属が二次電気メッキ５の金属よりも熱膨
張・収縮が大きく、したがって、樹脂成形において冷却
時の凸部の収縮が大きく、成形される樹脂１０との分離
が容易となる（図８（ｂ）（ｃ）参照）。

【００６３】

【発明の効果】請求項１の発明においては、基板にレジ
ストを形成した母材に電気メッキを施し、母材を除去し
て金型を製造する方法であって、導電性を備えた基板に
レジストをパターンに応じて形成し、パターンにおいて
はレジストが存在しない基板の露出部分にのみに一次電
気メッキをおこない、その後、レジスト上の少なくとも
一部に導電性被膜を形成し、導電性被膜が形成されたレ
ジスト上及び一次電気メッキ上に二次電気メッキをおこ
なうから、電気メッキ部を一次電気メッキと二次電気メ
ッキに分け、一次電気メッキはレジストが存在しない基
板の露出部分にのみにおこなうことで、従来のように、
パターンにおけるレジスト孔がメッキの成長に起因して
塞がれるようなことがなく、液溜まりが発生することを
防止することができ、レジスト孔には充分に一次電気メ
ッキを充填することができ、結果として、微細金型の強
度を高めることができ、しかも、レジストが存在しない
基板部分に施す一次電気メッキの表面が基板を除去して
得られる金型の表面となるのであり、微細金型の表面の
精度を高めることができ、しかして、微細金型において
高強度、高精度、かつ、高アスペクトを達成できるとい
う利点がある。

【００６４】請求項２の発明においては、請求項１の効
果に加えて、基板は、基板本体に導電性の被膜を形成し
たものであり、少なくとも一部における基板本体への被
膜の密着力が基板本体の強度よりも小さくしているか
ら、基板の材料選択における自由度を拡大することがで
き、かつ、基板の除去が容易となり、除去時の応力によ
る変形を防止することができるという利点がある。

【００６５】請求項３の発明においては、請求項１又は
２の効果に加えて、一次電気メッキをレジストよりも厚
く形成するから、一次電気メッキはレジストよりも突出
して一次電気メッキと導電性被膜との接合面積及び二次
電気メッキと導電性被膜との接合面積を増すことがで
き、相互の密着力を高め、一層、金型強度を高めること
ができるという利点がある。

【００６６】請求項４の発明においては、請求項３の効
果に加えて、一次電気メッキの後、レジストの表面層を
エッチング処理にて除去するから、レジストの表面はエ
ッチング処理によって粗面になっていて、粗面によるア
ンカー効果及び接合面積の増大によって、二次電気メッ
キとの密着力を高めることができるという利点がある。

【００６７】請求項５の発明においては、請求項３の効
果に加えて、一次電気メッキの後、レジストに紫外線照
射或いは熱処理等の硬化促進処理をおこなうから、請求
項３の効果に加えて、紫外線照射や熱処理等による硬化
促進処理によってレジストを硬化収縮させることがで
き、レジストの硬化収縮に伴うアンカー効果及び接合面
積の増大によって、二次電気メッキとの密着力を高める
ことができるという利点がある。

【００６８】請求項６の発明においては、請求項４の効
果に加えて、レジストを二層構造とし、上層と下層で異
なる除去手段となるレジストを用いるから、レジストの
上層をエッチングにて除去する際に、下層の表面部への
侵食を防止できるのであり、上層を除去した下層の表面
が転写されて金型面となることから、金型面の表面粗度
を小さくすることができるという利点がある。しかも、
レジストは上層と下層で異なる除去手段となることか
ら、上層をエッチングにて除去する際に、エッチング量
の制御及びエッチング量分の膜厚考慮が不要となり、レ
ジストエッチングが容易となるという利点がある。

【００６９】請求項７の発明においては、請求項１〜３
のいずれかの効果に加えて、一次電気メッキの金属は二
次電気メッキの金属に比べて線膨張率が大きい金属を用
いているから、得られた金型において凸部となる一次電
気メッキの金属が二次電気メッキの金属よりも熱膨張・
収縮が大きく、したがって、樹脂成形において冷却時の
凸部の収縮が大きく、成形される樹脂との分離が容易と
なるという利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の一形態を示し、（ａ）（ｂ）
（ｃ）（ｄ）（ｅ）は微細金型の製造手順を示す説明図
である。

【図２】同上の他の実施の形態を示し、（ａ）（ｂ）
（ｃ）は微細金型の製造手順を示す説明図である。

【図３】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）
（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）は微細金型の製造手順を示す
説明図である。

【図４】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）
（ｂ）（ｃ）（ｄ）は微細金型の製造手順を示す説明図
である。

【図５】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）
（ｂ）は微細金型の製造手順を示す説明図である。

【図６】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）
（ｂ）は説明図である。

【図７】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）
（ｂ）（ｃ）は説明図である。

【図８】同上の更に他の実施の形態を示し、（ａ）
（ｂ）（ｃ）は説明図である。

【図９】従来例を示し、（ａ）（ｂ）は説明図である。

【図１０】他の従来例を示し、（ａ）（ｂ）は説明図で
ある。

【符号の説明】

１ 基板 ２ レジスト ３ 一次電気メッキ ４ 導電性被膜 ５ 二次電気メッキ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平田 雅也 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 朝日 信行 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 内田 雄一 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 4F202 CA30 CB01 CD01 CD22

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板にレジストを形成した母材に電気メ
   ッキを施し、母材を除去して金型を製造する方法であっ
   て、導電性を備えた基板にレジストをパターンに応じて
   形成し、パターンにおいてはレジストが存在しない基板
   の露出部分にのみに一次電気メッキをおこない、その
   後、レジスト上の少なくとも一部に導電性被膜を形成
   し、導電性被膜が形成されたレジスト上及び一次電気メ
   ッキ上に二次電気メッキをおこなうことを特徴とする微
   細金型の製造方法。
2. 【請求項２】 基板は、基板本体に導電性の被膜を形成
   したものであり、少なくとも一部における基板本体への
   被膜の密着力が基板本体の強度よりも小さくしているこ
   とを特徴とする請求項１記載の微細金型の製造方法。
3. 【請求項３】 一次電気メッキをレジストよりも厚く形
   成することを特徴とする請求項１又は２記載の微細金型
   の製造方法。
4. 【請求項４】 一次電気メッキの後、レジストの表面層
   をエッチング処理にて除去することを特徴とする請求項
   ３記載の微細金型の製造方法。
5. 【請求項５】 一次電気メッキの後、レジストに紫外線
   照射或いは熱処理等の硬化促進処理をおこなうことを特
   徴とする請求項３記載の微細金型の製造方法。
6. 【請求項６】 レジストを二層構造とし、上層と下層で
   異なる除去手段となるレジストを用いることを特徴とす
   る請求項４記載の微細金型の製造方法。
7. 【請求項７】 一次電気メッキの金属は二次電気メッキ
   の金属に比べて線膨張率が大きい金属を用いることを特
   徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の微細金型の製
   造方法。