JP2003231764A - ポリイミドエッチング方法 - Google Patents
ポリイミドエッチング方法Info
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- JP2003231764A JP2003231764A JP2002034168A JP2002034168A JP2003231764A JP 2003231764 A JP2003231764 A JP 2003231764A JP 2002034168 A JP2002034168 A JP 2002034168A JP 2002034168 A JP2002034168 A JP 2002034168A JP 2003231764 A JP2003231764 A JP 2003231764A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、高精度なポリイミドエッチング加工
ができる、ハードディスク用配線付きサスペンションブ
ランクスを製造する方法を提供する。 【解決手段】バネ特性を発現させる金属層の上に電気的
な絶縁層を介して導電性層が積層された３層構造の積層
体を用いてハードディスク用配線付きサスペンションブ
ランクを製造する方法であって、エッチング対象物をエ
ッチング液中に浸漬せしめ、エッチング液を液中スプレ
ーノズルにより噴霧させ、かつ治具に固定されたエッチ
ング対象物が揺動し、またエッチング槽のオーバーフロ
ーを上部左右に設ける。これらにより、積層体加工面の
液更新状態の均一化を図られ、高精度にてポリイミドエ
ッチング加工を行うことが出来る。
ができる、ハードディスク用配線付きサスペンションブ
ランクスを製造する方法を提供する。 【解決手段】バネ特性を発現させる金属層の上に電気的
な絶縁層を介して導電性層が積層された３層構造の積層
体を用いてハードディスク用配線付きサスペンションブ
ランクを製造する方法であって、エッチング対象物をエ
ッチング液中に浸漬せしめ、エッチング液を液中スプレ
ーノズルにより噴霧させ、かつ治具に固定されたエッチ
ング対象物が揺動し、またエッチング槽のオーバーフロ
ーを上部左右に設ける。これらにより、積層体加工面の
液更新状態の均一化を図られ、高精度にてポリイミドエ
ッチング加工を行うことが出来る。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、ハードディスク用
配線付きサスペンションブランクの製造方法に関する発
明である。特に積層材料を加工する工程において、電気
絶縁材料をウェットエッチング法での加工する際の、エ
ッチング処理方法に関する発明である。
配線付きサスペンションブランクの製造方法に関する発
明である。特に積層材料を加工する工程において、電気
絶縁材料をウェットエッチング法での加工する際の、エ
ッチング処理方法に関する発明である。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術として特開２００２−２５２
１３「ワイヤレスサスペンションブランクの製造方法」
がある。この製造方法では積層体として、ポリイミドフ
ィルムの片面にバネ特性を発現させる金属層としてのＳ
ＵＳ（ステンレス）、他のもう片面に、ポリイミドフィ
ルムとの積層面に、密着性を上げる為に粗化処理の施さ
れた導電性層としてのＣｕ（銅）を積層した３層のもの
を用いている。そしてこの製造方法は、ポリイミドフィ
ルムの両面に積層した各金属箔上にそれぞれレジストパ
ターンを形成し、両方の金属箔をエッチング液でエッチ
ング処理をした後、レジストパターンを剥離してから、
表面に露出されたポリイミドフィルムにレジストパター
ンを形成し、エッチング液でエッチング処理を行い、レ
ジストパターンを剥離して、低コストで高精度なハード
ディスク用配線付きサスペンションブランクを得ること
ができるものである。
１３「ワイヤレスサスペンションブランクの製造方法」
がある。この製造方法では積層体として、ポリイミドフ
ィルムの片面にバネ特性を発現させる金属層としてのＳ
ＵＳ（ステンレス）、他のもう片面に、ポリイミドフィ
ルムとの積層面に、密着性を上げる為に粗化処理の施さ
れた導電性層としてのＣｕ（銅）を積層した３層のもの
を用いている。そしてこの製造方法は、ポリイミドフィ
ルムの両面に積層した各金属箔上にそれぞれレジストパ
ターンを形成し、両方の金属箔をエッチング液でエッチ
ング処理をした後、レジストパターンを剥離してから、
表面に露出されたポリイミドフィルムにレジストパター
ンを形成し、エッチング液でエッチング処理を行い、レ
ジストパターンを剥離して、低コストで高精度なハード
ディスク用配線付きサスペンションブランクを得ること
ができるものである。
【０００３】また、エッチング方法に関する従来技術と
して特開平１０−１９５２１４「樹脂エッチング液及び
エッチング方法」がある。この方法では、ポリイミドフ
ィルムをエッチング液中に浸漬し、かつ、超音波を照射
してのエッチング、またはエッチング液をスプレーノズ
ルにて噴射してのエッチングを実施し、良好なエッチン
グ形状を得ることができるものである。
して特開平１０−１９５２１４「樹脂エッチング液及び
エッチング方法」がある。この方法では、ポリイミドフ
ィルムをエッチング液中に浸漬し、かつ、超音波を照射
してのエッチング、またはエッチング液をスプレーノズ
ルにて噴射してのエッチングを実施し、良好なエッチン
グ形状を得ることができるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た方法では、３層の積層体におけるポリイミドフィルム
両面を、エッチング液よりエッチングするというウェッ
トエッチングを行っているが、エッチング液中に浸漬、
またはスプレーノズルによる噴霧によりエッチング処理
を行うと、エッチングのレートのばらつきが発生し、高
精度の加工ができなかった。本発明は、エッチング処理
面において、面内のエッチングレートの差、および表裏
のエッチングレートの差を極力抑えることができ、高精
度のウェットエッチング処理を実施することを目的とす
る。
た方法では、３層の積層体におけるポリイミドフィルム
両面を、エッチング液よりエッチングするというウェッ
トエッチングを行っているが、エッチング液中に浸漬、
またはスプレーノズルによる噴霧によりエッチング処理
を行うと、エッチングのレートのばらつきが発生し、高
精度の加工ができなかった。本発明は、エッチング処理
面において、面内のエッチングレートの差、および表裏
のエッチングレートの差を極力抑えることができ、高精
度のウェットエッチング処理を実施することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】バネ特性を発現させる金
属層の上に電気的な絶縁層を介して導電性層が積層され
た３層構造の積層体を用いてハードディスク用配線付き
サスペンションブランクを製造する方法であって、エッ
チングレートの差を軽減させることを特徴とする、ウェ
ットエッチングにおけるポリイミドエッチング方法。前
記エッチング処理方法が、エッチング対象物をエッチン
グ液中に浸漬せしめ、かつ液中スプレーノズルにより噴
霧され、かつエッチング対象物が揺動することによりエ
ッチング処理されることを特徴とする請求項１記載のポ
リイミドエッチング方法。前記エッチング処理方法が、
エッチング液流れの均一化を図るために、エッチング槽
のオーバーフローを上部左右に設けた請求項１記載のポ
リイミドエッチング方法。前記エッチング処理方法にお
いて、エッチング対象物の四隅に穴をあけ、あらかじめ
その穴のサイズにピンをたてた治具に取り付け、固定治
具により固定したエッチング治具にて、エッチング処理
されることを特徴とする請求項１もしくは２記載のポリ
イミドエッチング方法。本発明は、ハードディスク用配
線付きサスペンションブランクの製造において、ポリイ
ミドフィルムの加工面の液更新状態の違いと、エッチン
グ処理中にパターンエッチングをする為のレジストの収
縮による基板の変形に着目し、ポリイミドフィルムに当
たるエッチング液の均等化を実施することより、高精度
のウェットエッチングを行う技術を確立したものであ
る。
属層の上に電気的な絶縁層を介して導電性層が積層され
た３層構造の積層体を用いてハードディスク用配線付き
サスペンションブランクを製造する方法であって、エッ
チングレートの差を軽減させることを特徴とする、ウェ
ットエッチングにおけるポリイミドエッチング方法。前
記エッチング処理方法が、エッチング対象物をエッチン
グ液中に浸漬せしめ、かつ液中スプレーノズルにより噴
霧され、かつエッチング対象物が揺動することによりエ
ッチング処理されることを特徴とする請求項１記載のポ
リイミドエッチング方法。前記エッチング処理方法が、
エッチング液流れの均一化を図るために、エッチング槽
のオーバーフローを上部左右に設けた請求項１記載のポ
リイミドエッチング方法。前記エッチング処理方法にお
いて、エッチング対象物の四隅に穴をあけ、あらかじめ
その穴のサイズにピンをたてた治具に取り付け、固定治
具により固定したエッチング治具にて、エッチング処理
されることを特徴とする請求項１もしくは２記載のポリ
イミドエッチング方法。本発明は、ハードディスク用配
線付きサスペンションブランクの製造において、ポリイ
ミドフィルムの加工面の液更新状態の違いと、エッチン
グ処理中にパターンエッチングをする為のレジストの収
縮による基板の変形に着目し、ポリイミドフィルムに当
たるエッチング液の均等化を実施することより、高精度
のウェットエッチングを行う技術を確立したものであ
る。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１は本研究に係るハードディス
ク用配線付きサスペンションブランクの製造におけるポ
リイミドエッチングの手順の一例を示す工程であり、以
下、その各工程を順を追って説明する。
ク用配線付きサスペンションブランクの製造におけるポ
リイミドエッチングの手順の一例を示す工程であり、以
下、その各工程を順を追って説明する。
【０００７】まず図１（ａ）に示すようには、ポリイミ
ドフィルム１２の両面に金属層１１と導電層１３を積層
した３層の基盤を用意する。この基板に所定の前処理、
レジスト処理、エッチング処理、レジスト剥離処理を施
し、図１（ｂ）に示すポリイミドフィルム１２の両面に
パターン加工された金属層１１と、パターン加工された
導電層１３からなる基板を得る。
ドフィルム１２の両面に金属層１１と導電層１３を積層
した３層の基盤を用意する。この基板に所定の前処理、
レジスト処理、エッチング処理、レジスト剥離処理を施
し、図１（ｂ）に示すポリイミドフィルム１２の両面に
パターン加工された金属層１１と、パターン加工された
導電層１３からなる基板を得る。
【０００８】図１（ｃ）はポリイミドフィルム１２をウ
ェットエッチング加工するため、パターンニングされた
金属層１１の下面と導電性層１３の上面との両面で、ポ
リイミドフィルム１２を残す領域にポリイミド加工レジ
スト１４を形成した状態を示す。
ェットエッチング加工するため、パターンニングされた
金属層１１の下面と導電性層１３の上面との両面で、ポ
リイミドフィルム１２を残す領域にポリイミド加工レジ
スト１４を形成した状態を示す。
【０００９】図１（ｄ）はウェットエッチングを行って
ポリイミドフィルム１２を加工した状態を示す。また図
２は、そのエッチング処理の方法をに示す。上記基板を
エッチング液中に浸漬せしめ、かつ液中スプレーノズル
２３により噴霧され、かつ上記基板を固定した揺動治具
２４が揺動する。また上記にてエッチング槽２１内に供
給されたエッチング液はオーバーフロー２５にて槽外へ
排出される。また図３に上記基板の揺動治具２４への固
定方法を示す。上記基板３２の四隅に穴をあけ、あらか
じめその穴のサイズにピンをたてた揺動治具２４に取り
付け、固定治具３３により固定したエッチング治具に
て、エッチング処理を行う。これらにより上記基板３２
加工面の液更新状態の均一化が図られ、かつエッチング
処理中にパターンエッチングをする為のレジストフィル
ム１４の収縮による基板３２の変形を少量化し、ポリイ
ミドフィルム１２に当たるエッチング液の更なる均等化
が図られる。そのため精度のよい加工ができる効果があ
る。
ポリイミドフィルム１２を加工した状態を示す。また図
２は、そのエッチング処理の方法をに示す。上記基板を
エッチング液中に浸漬せしめ、かつ液中スプレーノズル
２３により噴霧され、かつ上記基板を固定した揺動治具
２４が揺動する。また上記にてエッチング槽２１内に供
給されたエッチング液はオーバーフロー２５にて槽外へ
排出される。また図３に上記基板の揺動治具２４への固
定方法を示す。上記基板３２の四隅に穴をあけ、あらか
じめその穴のサイズにピンをたてた揺動治具２４に取り
付け、固定治具３３により固定したエッチング治具に
て、エッチング処理を行う。これらにより上記基板３２
加工面の液更新状態の均一化が図られ、かつエッチング
処理中にパターンエッチングをする為のレジストフィル
ム１４の収縮による基板３２の変形を少量化し、ポリイ
ミドフィルム１２に当たるエッチング液の更なる均等化
が図られる。そのため精度のよい加工ができる効果があ
る。
【００１０】図１（ｆ）はウェットエッチングのマスク
として使用したポリイミドフィルム加工レジスト１４を
剥離して、ポリイミドフィルム１２の加工を終了した状
態を示す。この剥離工程では５０〜７０℃の水酸化ナト
リウム１〜２０ｗｔ％の高温アルカリ溶液での剥離が一
般的であるが、使用するポリイミドがアルカリ耐性に乏
しい場合には、エタノールアミン等の有機アルカリを使
用する。
として使用したポリイミドフィルム加工レジスト１４を
剥離して、ポリイミドフィルム１２の加工を終了した状
態を示す。この剥離工程では５０〜７０℃の水酸化ナト
リウム１〜２０ｗｔ％の高温アルカリ溶液での剥離が一
般的であるが、使用するポリイミドがアルカリ耐性に乏
しい場合には、エタノールアミン等の有機アルカリを使
用する。
【００１１】以上説明したように、図１に示す手順によ
り、ハードディスク用配線付きサスペンションブランク
の製造におけるポリイミドエッチングが実施され、その
後導電層１３にメッキもしくは印刷等が施され、その上
に導電層保護のためのカバーコートが施され、ハードデ
ィスク用配線付きサスペンションブランクの製造が完了
する。その後最終的に機械加工等のアッセンブリ加工を
行い、ハードディスク用配線付きサスペンションが完成
する。
り、ハードディスク用配線付きサスペンションブランク
の製造におけるポリイミドエッチングが実施され、その
後導電層１３にメッキもしくは印刷等が施され、その上
に導電層保護のためのカバーコートが施され、ハードデ
ィスク用配線付きサスペンションブランクの製造が完了
する。その後最終的に機械加工等のアッセンブリ加工を
行い、ハードディスク用配線付きサスペンションが完成
する。
【００１２】
【実施例】絶縁層のポリイミドフィルム（宇部興産株式
会社製ユーピレックスＶＴ）を厚み２０ｍｍのＳＵＳ
（新日本製鉄製「３０４ＨＴＡ箔」）と、厚み１８μｍ
の銅合金箔（オーリン社製「Ｃ７０２５」）に挟み（銅
箔の粗化面をフィルム側に向ける）、１ＭＰａの圧力を
かけ、３００℃で１０分間、真空圧着して、金属層：絶
縁層：導電層の積層体を形成した。
会社製ユーピレックスＶＴ）を厚み２０ｍｍのＳＵＳ
（新日本製鉄製「３０４ＨＴＡ箔」）と、厚み１８μｍ
の銅合金箔（オーリン社製「Ｃ７０２５」）に挟み（銅
箔の粗化面をフィルム側に向ける）、１ＭＰａの圧力を
かけ、３００℃で１０分間、真空圧着して、金属層：絶
縁層：導電層の積層体を形成した。
【００１３】上記の積層体に対し、銅合金箔の上面とＳ
ＵＳの下面の両方の面にアクリル系のドライフィルムレ
ジスト（旭化成株式会社製「ＡＱ−５０３８」）をラミ
ネートした後、両方のドライフィルムレジストをそれぞ
れ所定のフォトマスクパターンに従って露光・現像して
パターニングした、露光はｇ線により露光量３０〜６０
ｍＪ／ｃｍ２で行い、現像は３０℃、１ｗｔ％Ｎａ２Ｃ
Ｏ３でスプレー現像した。
ＵＳの下面の両方の面にアクリル系のドライフィルムレ
ジスト（旭化成株式会社製「ＡＱ−５０３８」）をラミ
ネートした後、両方のドライフィルムレジストをそれぞ
れ所定のフォトマスクパターンに従って露光・現像して
パターニングした、露光はｇ線により露光量３０〜６０
ｍＪ／ｃｍ２で行い、現像は３０℃、１ｗｔ％Ｎａ２Ｃ
Ｏ３でスプレー現像した。
【００１４】次いで、ＳＵＳ側をマスクし、塩化第二鉄
溶液を使用して銅箔をエッチングした後、水酸化ナトリ
ウムからなる剥離液でドライフィルムレジストを剥離し
た。続いて、銅箔側をマスクし、塩化第二鉄溶液を使用
してＳＵＳの片面をエッチングした後、水酸化ナトリウ
ムからなる剥離液でドライフィルムレジストを剥離し
た。これにより、ポリイミドフィルムの一方の面に銅箔
がパターンニングされるとともに、他方の面にＳＵＳが
パターンニングされた３層の積層体が得られた。
溶液を使用して銅箔をエッチングした後、水酸化ナトリ
ウムからなる剥離液でドライフィルムレジストを剥離し
た。続いて、銅箔側をマスクし、塩化第二鉄溶液を使用
してＳＵＳの片面をエッチングした後、水酸化ナトリウ
ムからなる剥離液でドライフィルムレジストを剥離し
た。これにより、ポリイミドフィルムの一方の面に銅箔
がパターンニングされるとともに、他方の面にＳＵＳが
パターンニングされた３層の積層体が得られた。
【００１５】続いて、導電性層により配線部が形成され
たポリイミドフィルムの上面と、パターンニングされた
ＳＵＳのポリイミド下面との両方の面で、ポリイミドを
残す領域にポリイミド加エレジストを形成した。具体的
には、アクリル系ドライフィルムレジスト（旭化成製
「ＡＱ−５０３８」）を１００℃でラミネートし、露光
はｇ線により露光量３０〜６０ｍＪ／ｃｍ２で行い、現
像は３０℃、１ｗｔ％Ｎａ ２ＣＯ３でスプレー現像し
た。
たポリイミドフィルムの上面と、パターンニングされた
ＳＵＳのポリイミド下面との両方の面で、ポリイミドを
残す領域にポリイミド加エレジストを形成した。具体的
には、アクリル系ドライフィルムレジスト（旭化成製
「ＡＱ−５０３８」）を１００℃でラミネートし、露光
はｇ線により露光量３０〜６０ｍＪ／ｃｍ２で行い、現
像は３０℃、１ｗｔ％Ｎａ ２ＣＯ３でスプレー現像し
た。
【００１６】そして、パターニングされた積層体に対
し、四隅に穴をあけ、あらかじめその穴のサイズにピン
をたてた揺動治具に取り付け、固定治具により固定した
エッチング治具を上下に揺動させ、エッチング液（東レ
エンジニアリング社製「ＴＰＥ−３０００」）に浸漬し
ながら、且つ液中にてスプレー処理を行い、且つエッチ
ング槽上部側面よりエッチング液をオーバーフローさせ
ながらエッチング処理を行い、ポリイミドフィルムを除
去した。その後、５０℃の水酸化ナトリウム３ｗｔ％の
高温アルカリ溶液で、スプレー圧１ｋｇ／ｃｍ２でドラ
イフィルムレジストを剥離した。このようにウェットエ
ッチングを終えた積層体を観察したところ、エッチング
が良好に行われていた。
し、四隅に穴をあけ、あらかじめその穴のサイズにピン
をたてた揺動治具に取り付け、固定治具により固定した
エッチング治具を上下に揺動させ、エッチング液（東レ
エンジニアリング社製「ＴＰＥ−３０００」）に浸漬し
ながら、且つ液中にてスプレー処理を行い、且つエッチ
ング槽上部側面よりエッチング液をオーバーフローさせ
ながらエッチング処理を行い、ポリイミドフィルムを除
去した。その後、５０℃の水酸化ナトリウム３ｗｔ％の
高温アルカリ溶液で、スプレー圧１ｋｇ／ｃｍ２でドラ
イフィルムレジストを剥離した。このようにウェットエ
ッチングを終えた積層体を観察したところ、エッチング
が良好に行われていた。
【００１７】上記のようにして形成された積層体におけ
る配線部に加工の仕上げとして金メッキを施した。金メ
ッキは、日本高純度化学製のシアン金メッキ浴で行っ
た。具体的には、テンペレジストExを用いて、６５℃に
て電流密度Ｄｋ＝０．４Ａ／ｄｍ ２で約４分間通電して
１μｍ厚の成膜を行った。そして、この配線部の必要な
箇所に保護層としてエポキシ系のカバーレイヤを形成
し、ハードディスク用配線付きサスペンションブランク
を製造した。もちろん、カバーレイヤはエポキシ系には
限らない。
る配線部に加工の仕上げとして金メッキを施した。金メ
ッキは、日本高純度化学製のシアン金メッキ浴で行っ
た。具体的には、テンペレジストExを用いて、６５℃に
て電流密度Ｄｋ＝０．４Ａ／ｄｍ ２で約４分間通電して
１μｍ厚の成膜を行った。そして、この配線部の必要な
箇所に保護層としてエポキシ系のカバーレイヤを形成
し、ハードディスク用配線付きサスペンションブランク
を製造した。もちろん、カバーレイヤはエポキシ系には
限らない。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、積層材料を加工する工
程において、電気絶縁材料であるポリイミドフィルムを
ウェットエッチング法にて加工する際に、高精度のウェ
ットエッチングが可能となった。
程において、電気絶縁材料であるポリイミドフィルムを
ウェットエッチング法にて加工する際に、高精度のウェ
ットエッチングが可能となった。
【図１】ハードディスク用配線付きサスペンションブラ
ンクスの製造における、ポリイミドエッチング工程図で
ある。
ンクスの製造における、ポリイミドエッチング工程図で
ある。
【図２】エッチング態様を示す。
【図３】基板の固定方法を示す。
【符号の説明】
１１ 金属層
１２ 絶縁層
１３ 導電層
１４ レジスト
２１ エッチング槽
２２ スプレーパイプ
２３ スプレーノズル
２４ 揺動治具
２５ オーバーフロー
３１ 揺動治具
３２ 積層基板
３３ 固定用治具
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 萩原 重信
鹿児島県鹿児島市南栄３丁目１番地 株式
会社渕上ミクロ内
(72)発明者 鶴ヶ崎 正人
鹿児島県鹿児島市南栄３丁目１番地 株式
会社渕上ミクロ内
Ｆターム(参考） 4F073 AA21 AA32 BA31 BB01 BB07
BB08 EA01
5D042 NA01 PA10 TA07
5D059 AA01 BA01 DA31 DA36 EA08
Claims (4)
- 【請求項１】 バネ特性を発現させる金属層の上に電気
的な絶縁層を介して導電層が積層された３層構造の積層
体を用いてハードディスク用配線付きサスペンションブ
ランクを製造する方法であって、エッチングレートの差
を軽減させることを特徴とする、ウェットエッチングに
おけるポリイミドエッチング方法。 - 【請求項２】 前記エッチング処理方法が、エッチング
対象物をエッチング液中に浸漬せしめ、かつ液中スプレ
ーノズルにより噴霧され、かつエッチング対象物が揺動
することによりエッチング処理されることを特徴とする
請求項１記載のポリイミドエッチング方法。 - 【請求項３】 前記エッチング処理方法が、エッチング
液流れの均一化を図るために、エッチング槽のオーバー
フローを上部左右に設けた請求項１記載のポリイミドエ
ッチング方法。 - 【請求項４】 前記エッチング処理方法において、エッ
チング対象物の四隅に穴をあけ、あらかじめその穴のサ
イズにピンをたてた治具に取り付け、固定治具により固
定したエッチング治具にて、エッチング処理されること
を特徴とする請求項１もしくは２記載のポリイミドエッ
チング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002034168A JP2003231764A (ja) | 2002-02-12 | 2002-02-12 | ポリイミドエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002034168A JP2003231764A (ja) | 2002-02-12 | 2002-02-12 | ポリイミドエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003231764A true JP2003231764A (ja) | 2003-08-19 |
Family
ID=27776752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002034168A Pending JP2003231764A (ja) | 2002-02-12 | 2002-02-12 | ポリイミドエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003231764A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012235132A (ja) * | 2012-06-19 | 2012-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 液処理におけるノズル洗浄、処理液乾燥防止方法及びその装置 |
| JP2012232298A (ja) * | 2012-06-19 | 2012-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 液処理におけるノズル洗浄方法及びその装置 |
| US9143104B2 (en) | 2012-03-16 | 2015-09-22 | Rohm Co., Ltd. | Audio signal processing circuit, car audio apparatus using the same, audio component apparatus, electronic device and output audio signal generating method |
| JP2016522990A (ja) * | 2013-05-07 | 2016-08-04 | ヘソン・ディーエス・カンパニー・リミテッド | 基板ホール形成方法及び基板ホール形成装置 |
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-
2002
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