JPH05167227A - プリント配線板の製造法 - Google Patents
プリント配線板の製造法Info
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- JPH05167227A JPH05167227A JP32882791A JP32882791A JPH05167227A JP H05167227 A JPH05167227 A JP H05167227A JP 32882791 A JP32882791 A JP 32882791A JP 32882791 A JP32882791 A JP 32882791A JP H05167227 A JPH05167227 A JP H05167227A
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- copper
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- printed wiring
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Abstract
(57)【要約】
【目的】無電解めっきを用いるパターンめっき法により
回路形成を行うに際し、パターン形成性やめっき面の平
滑性を向上させる。 【構成】 アディティブ法用絶縁基板にレジストパター
ンを形成し、下地無電解めっきをした後、ドライプロセ
スによる洗浄を含む処理を施してから、厚付け無電解め
っきを行う。
回路形成を行うに際し、パターン形成性やめっき面の平
滑性を向上させる。 【構成】 アディティブ法用絶縁基板にレジストパター
ンを形成し、下地無電解めっきをした後、ドライプロセ
スによる洗浄を含む処理を施してから、厚付け無電解め
っきを行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプリント配線板の製造法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器は、小型・軽量化、多機
能化などの要求が一段と活発化し、それに伴いプリント
配線板においても、高密度・高信頼性化の要求が高まっ
ている。
能化などの要求が一段と活発化し、それに伴いプリント
配線板においても、高密度・高信頼性化の要求が高まっ
ている。
【０００３】このようなニーズに対して、現在プリント
配線板の主流となっているのはサブトラクティブ法であ
るが、この製造法では、細線化や小径スルーホール化が
困難で、高密度化への十分な対応には限界がある。
配線板の主流となっているのはサブトラクティブ法であ
るが、この製造法では、細線化や小径スルーホール化が
困難で、高密度化への十分な対応には限界がある。
【０００４】これを改良する方法として、絶縁基板に無
電解めっきによって導電性金属を所望の厚さまでめっき
し、配線パターンを形成するアディティブ法が提案され
ている。
電解めっきによって導電性金属を所望の厚さまでめっき
し、配線パターンを形成するアディティブ法が提案され
ている。
【０００５】アディティブ法は、スルーホールに対する
無電解めっきのつきまわり性の良好なため、サブトラク
ティブ法に比べ、アスペクト比の高いスルーホール内で
も均一なめっきが得られる。また、パターン精度は、サ
ブトラクティブ法ではレジストとエッチングに影響され
るのに対し、アディティブ法ではレジストのみによるた
めその精度が高い。よって、さらにファインパターン、
高アスペクト比の高密度配線板の製造に原理的に適して
いる。
無電解めっきのつきまわり性の良好なため、サブトラク
ティブ法に比べ、アスペクト比の高いスルーホール内で
も均一なめっきが得られる。また、パターン精度は、サ
ブトラクティブ法ではレジストとエッチングに影響され
るのに対し、アディティブ法ではレジストのみによるた
めその精度が高い。よって、さらにファインパターン、
高アスペクト比の高密度配線板の製造に原理的に適して
いる。
【０００６】このアディティブ法では、無電解めっきを
行う際に、いかに回路パターン部分のみに選択的に無電
解めっきを析出させるか、すなわちどれだけめっきレジ
スト上の異常析出を抑えらりるかが製造上の重要ポイン
トのひとつとなっている。
行う際に、いかに回路パターン部分のみに選択的に無電
解めっきを析出させるか、すなわちどれだけめっきレジ
スト上の異常析出を抑えらりるかが製造上の重要ポイン
トのひとつとなっている。
【０００７】レジストの上部やコーナー部に異常析出が
起こると、回路間に短絡が生じ易くなり、特に高密度配
線板の製造では大きな問題となる。また、レジストのコ
ーナー部や側壁に異常析出が発生した場合には、導体中
央部に対し導体端部（レジスト近傍部）が厚くなり、め
っき膜厚の偏差が大きくなって、配線表面の平滑性が損
なわれ、無電解めっきの特長が十分生かせない。
起こると、回路間に短絡が生じ易くなり、特に高密度配
線板の製造では大きな問題となる。また、レジストのコ
ーナー部や側壁に異常析出が発生した場合には、導体中
央部に対し導体端部（レジスト近傍部）が厚くなり、め
っき膜厚の偏差が大きくなって、配線表面の平滑性が損
なわれ、無電解めっきの特長が十分生かせない。
【０００８】この異常析出現象を抑制する方法として、
めっき液中に安定化剤を添加する方法が知られている。
一般に、プリント配線板の製造には無電解銅めっきが使
用されているが、無電解銅めっき浴の場合、安定化剤と
して硫化カリウム、２−メルカプトベンゾチアゾールな
どのイオウ化合物をめっき浴に添加することで、めっき
液の局所的分解が緩和され、異常析出の発生核となる微
細銅粒子の生成を抑えることができる。
めっき液中に安定化剤を添加する方法が知られている。
一般に、プリント配線板の製造には無電解銅めっきが使
用されているが、無電解銅めっき浴の場合、安定化剤と
して硫化カリウム、２−メルカプトベンゾチアゾールな
どのイオウ化合物をめっき浴に添加することで、めっき
液の局所的分解が緩和され、異常析出の発生核となる微
細銅粒子の生成を抑えることができる。
【０００９】また、めっき液中の蓄積イオンの除去も異
常析出対策として有効である。無電解銅めっきの場合、
一般にその浴はめっき液の各部分を補給しながら長期に
わたって用いられる。このため、浴中には硫酸イオンは
もちろん、ホルムアルデヒドの酸化反応及びカニッツァ
ロ反応によりギ酸イオンが蓄積する。これら副生成物等
が浴中に蓄積してくると、異常析出が起こり易くなる。
蓄積イオン除去の具体策としては、隔膜電解法を用いた
り、銅イオンを硫酸塩のような塩の形で供給するかわり
に無電解銅めっき浴中の錯化剤を回収し、これに酸化銅
を溶解させる方法や、またこの回収錯化剤を用いて金属
銅をアノード溶解により銅錯イオンを製造し供給する方
法などがある。
常析出対策として有効である。無電解銅めっきの場合、
一般にその浴はめっき液の各部分を補給しながら長期に
わたって用いられる。このため、浴中には硫酸イオンは
もちろん、ホルムアルデヒドの酸化反応及びカニッツァ
ロ反応によりギ酸イオンが蓄積する。これら副生成物等
が浴中に蓄積してくると、異常析出が起こり易くなる。
蓄積イオン除去の具体策としては、隔膜電解法を用いた
り、銅イオンを硫酸塩のような塩の形で供給するかわり
に無電解銅めっき浴中の錯化剤を回収し、これに酸化銅
を溶解させる方法や、またこの回収錯化剤を用いて金属
銅をアノード溶解により銅錯イオンを製造し供給する方
法などがある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】前記の異常析出抑制法
は、それぞれアプローチの手法は異なるものの、そのい
ずれもめっき浴に着目したものであり、液の安定性を向
上させることでめっき液の局所的分解を緩和して、レジ
ストに付着し異常析出の発生核となる微細粒子の生成を
抑えるものである。
は、それぞれアプローチの手法は異なるものの、そのい
ずれもめっき浴に着目したものであり、液の安定性を向
上させることでめっき液の局所的分解を緩和して、レジ
ストに付着し異常析出の発生核となる微細粒子の生成を
抑えるものである。
【００１１】しかしながら、前記めっき液の局所的分解
により生じる微細粒子以外にも、異常析出の要因となる
活性点の存在することが明かとなった。この活性点の特
定は十分ではないが、めっき反応を開始させるため付与
したり、基板材料中に入れためっき触媒金属やめっき反
応ガスである水素などに関与するものである。これら活
性点が、液中の微細粒子の場合と同様に、レジスト表面
に付着、吸着するため、異常析出を誘発する。
により生じる微細粒子以外にも、異常析出の要因となる
活性点の存在することが明かとなった。この活性点の特
定は十分ではないが、めっき反応を開始させるため付与
したり、基板材料中に入れためっき触媒金属やめっき反
応ガスである水素などに関与するものである。これら活
性点が、液中の微細粒子の場合と同様に、レジスト表面
に付着、吸着するため、異常析出を誘発する。
【００１２】したがって、めっき液の安定化を図るだけ
では異常析出の抑制策として必ずしも十分といえず、特
に高密度配線の形成を目的とする場合には、新たな抑制
法との併用が望ましい。
では異常析出の抑制策として必ずしも十分といえず、特
に高密度配線の形成を目的とする場合には、新たな抑制
法との併用が望ましい。
【００１３】本発明は、無電解めっきにおけるレジスト
上への異常析出の抑制をより効果的な手法により実現す
るもので、回路パターン部へのめっき選択性に優れ、か
つめっき膜厚が均一な高精度・高密度対応のプリント配
線板の製造法を提供するものである。
上への異常析出の抑制をより効果的な手法により実現す
るもので、回路パターン部へのめっき選択性に優れ、か
つめっき膜厚が均一な高精度・高密度対応のプリント配
線板の製造法を提供するものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明のプリント配線板
の製造法は、レジストパターンを形成したアディティブ
法用絶縁基板において、無電解めっきを用いるパターン
めっき法により回路形成を行うに際し、上記絶縁基板に
導電材料の下地めっきを行い、その後ドライプロセスに
よる洗浄を含む処理を施し、次いで所望の厚さまで厚付
けめっきすることを特徴とする。
の製造法は、レジストパターンを形成したアディティブ
法用絶縁基板において、無電解めっきを用いるパターン
めっき法により回路形成を行うに際し、上記絶縁基板に
導電材料の下地めっきを行い、その後ドライプロセスに
よる洗浄を含む処理を施し、次いで所望の厚さまで厚付
けめっきすることを特徴とする。
【００１５】本発明で使用するアディティブ法用絶縁基
板としては、有機質基板、無機質基板のどちらでも用い
ることができ、またそれら基板にめっき金属との密着力
を付与する方法も特に限定する必要はない。有機質基板
の場合、その基板にめっき金属との密着力を付与する主
な方法は、有機質基板表面を物理的または化学的な方法
で処理してその基板表面を親水化と粗面化する方法であ
る。この方法の中で実用化されている代表的な方法は、
化学粗化液で処理すると親水化でき、微細な凹凸形状を
もつ粗面が得られる樹脂層を基板表面に設け、酸化剤を
含む化学粗化液で処理する方法である。
板としては、有機質基板、無機質基板のどちらでも用い
ることができ、またそれら基板にめっき金属との密着力
を付与する方法も特に限定する必要はない。有機質基板
の場合、その基板にめっき金属との密着力を付与する主
な方法は、有機質基板表面を物理的または化学的な方法
で処理してその基板表面を親水化と粗面化する方法であ
る。この方法の中で実用化されている代表的な方法は、
化学粗化液で処理すると親水化でき、微細な凹凸形状を
もつ粗面が得られる樹脂層を基板表面に設け、酸化剤を
含む化学粗化液で処理する方法である。
【００１６】また基板表面に化学粗化液で粗面化可能な
樹脂層を基板表面に設けず、粗面化する方法もある。例
えば、銅箔を酸化剤含有の処理液を接触させて、銅箔粗
面に酸化銅を形成し、酸化銅が形成された面に絶縁性有
機基材を積層し、基材から銅箔および酸化銅を除去する
ことによって、絶縁性有機基材を粗面化し、無電解めっ
きと良好な接着力を得るものである。
樹脂層を基板表面に設けず、粗面化する方法もある。例
えば、銅箔を酸化剤含有の処理液を接触させて、銅箔粗
面に酸化銅を形成し、酸化銅が形成された面に絶縁性有
機基材を積層し、基材から銅箔および酸化銅を除去する
ことによって、絶縁性有機基材を粗面化し、無電解めっ
きと良好な接着力を得るものである。
【００１７】絶縁基板上のめっきレジストの形成には、
写真法、印刷法いずれも用いることができるが、微細パ
ターン形成には写真法が有利である。写真法で使う感光
性のめっきレジストは、耐無電解めっき性のものであれ
ば、ドライフィルム、または液状の両タイプのものを使
用することができる。これらのレジストは、デュポン
社、サンノブコ社、日立化成工業株式会社等から販売さ
れている。
写真法、印刷法いずれも用いることができるが、微細パ
ターン形成には写真法が有利である。写真法で使う感光
性のめっきレジストは、耐無電解めっき性のものであれ
ば、ドライフィルム、または液状の両タイプのものを使
用することができる。これらのレジストは、デュポン
社、サンノブコ社、日立化成工業株式会社等から販売さ
れている。
【００１８】無電解めっきに先立つ触媒処理は、プリン
ト配線板り触媒処理に用いられている一般の方法を用い
ることができる。めっき触媒としては、塩化第一スズと
塩化パラジウムの２液タイプ、パラジウムコロイド等が
使用可能である。まためっき触媒イオン吸着性物質を基
材表面のめっき部にコーティングすることで、めっき部
のみに選択的にめっき触媒を付与することも可能であ
る。この場合、めっき触媒としては、パラジウムイオン
などの貴金属イオンが使用できる。なお、触媒を付与す
る代わりに触媒入り材料を用いることもできる。
ト配線板り触媒処理に用いられている一般の方法を用い
ることができる。めっき触媒としては、塩化第一スズと
塩化パラジウムの２液タイプ、パラジウムコロイド等が
使用可能である。まためっき触媒イオン吸着性物質を基
材表面のめっき部にコーティングすることで、めっき部
のみに選択的にめっき触媒を付与することも可能であ
る。この場合、めっき触媒としては、パラジウムイオン
などの貴金属イオンが使用できる。なお、触媒を付与す
る代わりに触媒入り材料を用いることもできる。
【００１９】下地めっきとして行う無電解めっきの種類
に特に制限はなく、２種以上の元素から構成される合金
めっきであってもよい。また下地めっきの厚さは、めっ
き膜が連続膜を形成する厚み以上あることが必要であ
る。この厚さは無電解めっきの種類、使用浴、めっき条
件および触媒処理条件などによっても異なるが、作業上
および基板との密着性の点から、０．０５〜１０μｍが
望ましく、例えば無電解ニッケルめっきの場合、０．１
〜４μｍの厚さが良好である。
に特に制限はなく、２種以上の元素から構成される合金
めっきであってもよい。また下地めっきの厚さは、めっ
き膜が連続膜を形成する厚み以上あることが必要であ
る。この厚さは無電解めっきの種類、使用浴、めっき条
件および触媒処理条件などによっても異なるが、作業上
および基板との密着性の点から、０．０５〜１０μｍが
望ましく、例えば無電解ニッケルめっきの場合、０．１
〜４μｍの厚さが良好である。
【００２０】ドライプロセスによる洗浄処理としては、
紫外線／オゾン洗浄、プラズマ洗浄、レーザー洗浄等が
使用可能である。プラズマ洗浄の場合、放電用ガスには
酸素、炭化フッ素ガス、アルゴンやそれらを混合したも
の等を用いることができる。
紫外線／オゾン洗浄、プラズマ洗浄、レーザー洗浄等が
使用可能である。プラズマ洗浄の場合、放電用ガスには
酸素、炭化フッ素ガス、アルゴンやそれらを混合したも
の等を用いることができる。
【００２１】厚付けめっきとして行う無電解めっきの種
類に特に制限はなく、２種以上の元素から構成される合
金めっきであってもよい。一般的に、プリント配線板の
製造には無電解銅めっきが用いられる。
類に特に制限はなく、２種以上の元素から構成される合
金めっきであってもよい。一般的に、プリント配線板の
製造には無電解銅めっきが用いられる。
【００２２】なお、厚付けめっき前には下地めっき表面
を適当な処理によって、その活性化を行うことが望まし
い。処理方法は、下地めっきの種類および厚付けめっき
の種類やめっき条件によるが、銅下地めっきに銅厚付け
めっきを行う場合には、１０％硫酸水溶液（２５℃）に
１分程度浸漬する。
を適当な処理によって、その活性化を行うことが望まし
い。処理方法は、下地めっきの種類および厚付けめっき
の種類やめっき条件によるが、銅下地めっきに銅厚付け
めっきを行う場合には、１０％硫酸水溶液（２５℃）に
１分程度浸漬する。
【００２３】また厚付けめっきによる導体形成後、基板
表面に形成しためっきレジストは、永久レジストとして
用いることができるものもあるが、また必要に応じてこ
れを剥離除去することも可能である。
表面に形成しためっきレジストは、永久レジストとして
用いることができるものもあるが、また必要に応じてこ
れを剥離除去することも可能である。
【００２４】
【作用】無電解めっきにおけるレジストへの異常析出を
抑制するには、これを誘発するレジスト上の活性点の除
去が有効である。また、無電解めっきにおいて、基板表
面でのめっき析出開始直後は、レジスト上の異常析出は
ほとんど認められない。してがって、下地めっきを施し
た後でのレジスト表面の洗浄、すなわちレジストの上
部、コーナー部、側壁におけるめっきの析出を誘発する
活性点の除去は、異常析出の抑制に効果がある。特にド
ライプロセスによる洗浄は、化学的分解による気化、ま
たは物理的な剥離を行うため得られる洗浄度は極めて高
い。よって、下地めっき後にドライプロセスによる洗浄
を行うことで、めっきの異常析出が抑制でき、パターン
形成性やめっき面の平滑性が向上する。
抑制するには、これを誘発するレジスト上の活性点の除
去が有効である。また、無電解めっきにおいて、基板表
面でのめっき析出開始直後は、レジスト上の異常析出は
ほとんど認められない。してがって、下地めっきを施し
た後でのレジスト表面の洗浄、すなわちレジストの上
部、コーナー部、側壁におけるめっきの析出を誘発する
活性点の除去は、異常析出の抑制に効果がある。特にド
ライプロセスによる洗浄は、化学的分解による気化、ま
たは物理的な剥離を行うため得られる洗浄度は極めて高
い。よって、下地めっき後にドライプロセスによる洗浄
を行うことで、めっきの異常析出が抑制でき、パターン
形成性やめっき面の平滑性が向上する。
【００２５】
【実施例】日本電解株式会社製の銅箔張り積層板用３５
μｍ銅箔を用意し、前処理として銅箔をシップレイ社製
の脱脂液であるニュートラルクリーンに５分間浸漬し、
流水洗し、更に１０％硫酸水に２分間浸漬し、流水洗し
た。この銅箔に次の条件で酸化銅形成処理を行った。 ＮａＯＨ ＝ １５ｇ／ｌ Ｎａ3 ＰＯ4 ・１２Ｈ2 Ｏ ＝ ３０ｇ／ｌ ＮａＣｌＯ2 ＝ ８０ｇ／ｌ 純水 ＝ １ｌになる量 液温度 ＝ ８５℃ 銅箔浸漬時間 ＝ １２０秒 酸化銅形成後流水で洗浄し、８０℃で３０分間乾燥し
た。次に、ガラス布入りエポキシプリプレグＧＥ−６７
（日立化成工業株式会社製商品名）と加熱・加圧積層し
た。積層条件は成形圧力３５ｋｇ／ｃｍ2、１７０℃６
０分間である。次に、過硫酸アンモニウム水溶液を用い
て銅箔と酸化銅を除去した。水洗した後、塩化パラジウ
ムを含む活性化処理液に浸漬して無電解銅めっき反応を
開始させるためのパラジウム触媒を付与した。次に、感
光性の無電解銅めっき用ドライフィルムフォテックＳＲ
−３０００（日立化成工業株式会社製・商品名、厚さ３
５μｍ）を常圧ラミネーターにより、粗面化したエポキ
シ基板上にラミネートした。次に、これに所望のパター
ンが描かれたフォトマスクを密着させ、紫外線露光機で
９０ｍｊ／ｃｍ2 照射し、さらに８０℃で５分間加熱し
た。これを１，１，１−トリクロルエタンをスプレーし
て現像処理することにより、レジスト像を形成した。次
に、ブルーシューマー（無電解ニッケルめっき液、日本
カニゼン株式会社製、商品名）を用いて、下記条件で厚
さ０．５μｍのニッケル下地めっきを行った。 めっき液温度 ＝ ８２℃ めっき時間 ＝ ２分間 ニッケル下地めっき後、流水洗し、８０℃で３０分間加
熱した。その後、ＤＥＡ−５０６ドライエッチング装置
（日電アネルバ株式会社製、商品名）を用いて、下記条
件でプラズマ処理を行った。 高周波出力 ＝ ５００Ｗ プラズマガス種 ＝ Ｏ2 プラズマガス圧力 ＝ １．０×１．０-1Torr プラズマガス流量 ＝ ５０ＳＣＣＭ 処理時間 ＝ ５分間 次に、１０ｖｏｌ％硫酸水溶液（２５℃）に１分間浸漬
し、流水洗後、下記組成および条件の無電解銅めっきを
行った。 ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ ＝ １ｇ／ｌ ＥＤＴＡ・４Ｎａ ＝ ４０ｇ／ｌ ｐＨ ＝ １２．３ ３７％ＣＨ2 Ｏ ＝ ３ｍｌ／ｌ めっき液安定化剤 ＝ 少量 めっき液温度 ＝ ７０℃ めっき時間 ＝ １５時間
μｍ銅箔を用意し、前処理として銅箔をシップレイ社製
の脱脂液であるニュートラルクリーンに５分間浸漬し、
流水洗し、更に１０％硫酸水に２分間浸漬し、流水洗し
た。この銅箔に次の条件で酸化銅形成処理を行った。 ＮａＯＨ ＝ １５ｇ／ｌ Ｎａ3 ＰＯ4 ・１２Ｈ2 Ｏ ＝ ３０ｇ／ｌ ＮａＣｌＯ2 ＝ ８０ｇ／ｌ 純水 ＝ １ｌになる量 液温度 ＝ ８５℃ 銅箔浸漬時間 ＝ １２０秒 酸化銅形成後流水で洗浄し、８０℃で３０分間乾燥し
た。次に、ガラス布入りエポキシプリプレグＧＥ−６７
（日立化成工業株式会社製商品名）と加熱・加圧積層し
た。積層条件は成形圧力３５ｋｇ／ｃｍ2、１７０℃６
０分間である。次に、過硫酸アンモニウム水溶液を用い
て銅箔と酸化銅を除去した。水洗した後、塩化パラジウ
ムを含む活性化処理液に浸漬して無電解銅めっき反応を
開始させるためのパラジウム触媒を付与した。次に、感
光性の無電解銅めっき用ドライフィルムフォテックＳＲ
−３０００（日立化成工業株式会社製・商品名、厚さ３
５μｍ）を常圧ラミネーターにより、粗面化したエポキ
シ基板上にラミネートした。次に、これに所望のパター
ンが描かれたフォトマスクを密着させ、紫外線露光機で
９０ｍｊ／ｃｍ2 照射し、さらに８０℃で５分間加熱し
た。これを１，１，１−トリクロルエタンをスプレーし
て現像処理することにより、レジスト像を形成した。次
に、ブルーシューマー（無電解ニッケルめっき液、日本
カニゼン株式会社製、商品名）を用いて、下記条件で厚
さ０．５μｍのニッケル下地めっきを行った。 めっき液温度 ＝ ８２℃ めっき時間 ＝ ２分間 ニッケル下地めっき後、流水洗し、８０℃で３０分間加
熱した。その後、ＤＥＡ−５０６ドライエッチング装置
（日電アネルバ株式会社製、商品名）を用いて、下記条
件でプラズマ処理を行った。 高周波出力 ＝ ５００Ｗ プラズマガス種 ＝ Ｏ2 プラズマガス圧力 ＝ １．０×１．０-1Torr プラズマガス流量 ＝ ５０ＳＣＣＭ 処理時間 ＝ ５分間 次に、１０ｖｏｌ％硫酸水溶液（２５℃）に１分間浸漬
し、流水洗後、下記組成および条件の無電解銅めっきを
行った。 ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ ＝ １ｇ／ｌ ＥＤＴＡ・４Ｎａ ＝ ４０ｇ／ｌ ｐＨ ＝ １２．３ ３７％ＣＨ2 Ｏ ＝ ３ｍｌ／ｌ めっき液安定化剤 ＝ 少量 めっき液温度 ＝ ７０℃ めっき時間 ＝ １５時間
【００２６】比較例 実施例で用いた銅箔を実施例と同じ酸化処理、水洗、乾
燥を行い、実施例と同じ構成、条件で積層し、実施例と
同じ方法、条件で銅箔と酸化銅をエッチングした。その
後、実施例と同じ方法、条件でめっき触媒の付与を行っ
た。次に、実施例で用いたレジストを実施例と同じ条件
で、ラミネートし・露光・現像し、実施例と同じ方法で
無電解ニッケルめっき、無電解銅めっきを順次行った。
以上の実施例および比較例により製造されたプリント配
線板について、パターン表面と断面の観察を行い、異常
析出の発生および導体厚さを評価、測定し、その結果を
表にした。異常析出の条件については、パターン表面の
レジスト上部における銅めっき粒子の存在を目視により
チェックした。また、導体厚さについては、導体幅５０
μｍのライン断面を電子顕微鏡で観察し、その中央部と
端部（レジスト近傍部）のめっき厚さを測定した。
燥を行い、実施例と同じ構成、条件で積層し、実施例と
同じ方法、条件で銅箔と酸化銅をエッチングした。その
後、実施例と同じ方法、条件でめっき触媒の付与を行っ
た。次に、実施例で用いたレジストを実施例と同じ条件
で、ラミネートし・露光・現像し、実施例と同じ方法で
無電解ニッケルめっき、無電解銅めっきを順次行った。
以上の実施例および比較例により製造されたプリント配
線板について、パターン表面と断面の観察を行い、異常
析出の発生および導体厚さを評価、測定し、その結果を
表にした。異常析出の条件については、パターン表面の
レジスト上部における銅めっき粒子の存在を目視により
チェックした。また、導体厚さについては、導体幅５０
μｍのライン断面を電子顕微鏡で観察し、その中央部と
端部（レジスト近傍部）のめっき厚さを測定した。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、導体厚さが均一な微細
配線を有する高精度・高密度のプリント配線板が製造で
きる。
配線を有する高精度・高密度のプリント配線板が製造で
きる。
【図１】（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施例によるプリン
ト配線板の工程図。
ト配線板の工程図。
【図２】（ａ）は本発明の実施例を示すプリント配線板
の断面図であり、（ｂ）は従来例を示すプリント配線板
の断面図である。
の断面図であり、（ｂ）は従来例を示すプリント配線板
の断面図である。
１ 銅箔 ２ 酸化銅 ３ 絶縁性有機基材 ４ めっきレジス
ト ５ ニッケルめっき ６ 銅めっき
ト ５ ニッケルめっき ６ 銅めっき
Claims (3)
- 【請求項１】無電解めっきによって必要な導体回路パタ
ーンを形成するために絶縁基板にめっきレジストのパタ
ーンを形成するアディティブ法配線板の製造法におい
て、前記めっきレジストのパターンを形成した絶縁基板
にまず導電材料の下地めっきを行い、その後ドライプロ
セスによる洗浄を含む処理を施し、次いで所望の厚さま
で厚付けめっきすることを特徴とするプリント配線板の
製造法。 - 【請求項２】前記ドライプロセスによる洗浄に、紫外線
／オゾンまたはプラズマ処理の少なくともひとつを用い
ることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板の
製造法。 - 【請求項３】前記プラズマ処理を行う際に、放電用ガス
として酸素、炭化フッ素ガス、アルゴンのいずれかもし
くはその混合ガスを用いることを特徴とする請求項１ま
たは２に記載のプリント配線板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32882791A JP2624068B2 (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | プリント配線板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32882791A JP2624068B2 (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | プリント配線板の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05167227A true JPH05167227A (ja) | 1993-07-02 |
| JP2624068B2 JP2624068B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=18214529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32882791A Expired - Lifetime JP2624068B2 (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | プリント配線板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2624068B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6560863B2 (en) * | 2000-08-11 | 2003-05-13 | Shinko Electric Industries, Co., Ltd. | Method of producing wiring board |
| WO2004066690A1 (ja) * | 2003-01-23 | 2004-08-05 | Advanced Systems Japan Inc. | Fpc接続用マイクロコネクタ及びその製造方法 |
| KR100800251B1 (ko) * | 2005-03-17 | 2008-02-01 | 히다찌 덴센 가부시끼가이샤 | 전자 장치 기판 및 그 제조 방법, 그리고 전자 장치 및 그제조 방법 |
-
1991
- 1991-12-12 JP JP32882791A patent/JP2624068B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6560863B2 (en) * | 2000-08-11 | 2003-05-13 | Shinko Electric Industries, Co., Ltd. | Method of producing wiring board |
| WO2004066690A1 (ja) * | 2003-01-23 | 2004-08-05 | Advanced Systems Japan Inc. | Fpc接続用マイクロコネクタ及びその製造方法 |
| KR100819197B1 (ko) * | 2003-01-23 | 2008-04-02 | 가부시키가이샤 어드밴스트 시스템즈 재팬 | 플렉서블 프린트 회로 기판 접속용 마이크로 커넥터 및 그제조 방법 |
| KR100800251B1 (ko) * | 2005-03-17 | 2008-02-01 | 히다찌 덴센 가부시끼가이샤 | 전자 장치 기판 및 그 제조 방법, 그리고 전자 장치 및 그제조 방법 |
| US8101864B2 (en) | 2005-03-17 | 2012-01-24 | Hitachi Cable, Ltd. | Electronic device substrate and its fabrication method, and electronic device and its fabrication method |
| US8230591B2 (en) | 2005-03-17 | 2012-07-31 | Hitachi Cable, Ltd. | Method for fabricating an electronic device substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2624068B2 (ja) | 1997-06-25 |
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