JPH02292893A - プリント基板の製造方法 - Google Patents
プリント基板の製造方法Info
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Landscapes
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〕
本発明はプリント基板の回路形成法に係り、特に、高密
度で微細な回路を形成するのに適したプリント基板の製
造方法に関する。
度で微細な回路を形成するのに適したプリント基板の製
造方法に関する。
従来、両面プリント基板や多層プリント板などのプリン
1・基板は銅張積層板を出発材料とし、パネル電気銅め
っきによりスルー・ホールを形成した後、回路部分以外
の銅をエッチング除去することによって得る方法が主流
であった。しかし、この方法は.厚さのばらつきの大き
い電気鋼めっきを用いること、回路精度がエッチング・
レジス1・の形成精度と銅のエッチング精度の両方に依
存することなどにより、微細回路形成には不向きであっ
た。そこで、微細化に適した回路形成法が種々提供され
てきた。その一つにパターン化学銅めっき法がある。こ
れは、銅張積層板を使用し、回路形成予定部分以外を感
光性めっきレジストなどでマスクし,次いで回路形成予
定部分のみに選択的に化学銅めっきを行った後、さらに
、銅めっき表面に半田めっきなどのエッチングレジスト
を形成してめっきレジストを除去し、半田めっきレジス
トのない銅層の部分をエッチング除去して回路を形成す
る方法である。
1・基板は銅張積層板を出発材料とし、パネル電気銅め
っきによりスルー・ホールを形成した後、回路部分以外
の銅をエッチング除去することによって得る方法が主流
であった。しかし、この方法は.厚さのばらつきの大き
い電気鋼めっきを用いること、回路精度がエッチング・
レジス1・の形成精度と銅のエッチング精度の両方に依
存することなどにより、微細回路形成には不向きであっ
た。そこで、微細化に適した回路形成法が種々提供され
てきた。その一つにパターン化学銅めっき法がある。こ
れは、銅張積層板を使用し、回路形成予定部分以外を感
光性めっきレジストなどでマスクし,次いで回路形成予
定部分のみに選択的に化学銅めっきを行った後、さらに
、銅めっき表面に半田めっきなどのエッチングレジスト
を形成してめっきレジストを除去し、半田めっきレジス
トのない銅層の部分をエッチング除去して回路を形成す
る方法である。
しかし、上記従来技術は回路幅が狭くなり、回路厚みを
厚くすることが要求される微細回路形成時には、半田め
っきをレジストとしだ銅エッチング時にサイド・エッチ
ングが大きくなり,理想的な矩形状の回路パターンが得
られにくいという問題があった。
厚くすることが要求される微細回路形成時には、半田め
っきをレジストとしだ銅エッチング時にサイド・エッチ
ングが大きくなり,理想的な矩形状の回路パターンが得
られにくいという問題があった。
本発明の目的は、パターン化学銅めっき法における銅エ
ッチングのサイドエッチング量を減らし、良好な回路断
面をもつ微細回路形成に適したプリント基板の製造方法
を提供することにある。
ッチングのサイドエッチング量を減らし、良好な回路断
面をもつ微細回路形成に適したプリント基板の製造方法
を提供することにある。
(課題を解決するための手段〕
上記目的は、絶縁板上に設けた金属層の表面の回路形成
部分をめっきレジストでマスクしてパターンめっきを行
い,次いで、回路形成部分にエッチング・レジストを形
成し、エッチングにより回路形成を行うプリント基板の
製造方法において、パターンめっきを行った後で、金属
層に接したごく薄い層のめつきレジストを残して大部分
のめつきレジストを除去し、次いで、回路形成部分、及
び、回路側壁にエッチングレジストを形成して残存する
めつきレジスト薄層を完全に除去し、エッチングを行っ
て回路形成することにより達成される。
部分をめっきレジストでマスクしてパターンめっきを行
い,次いで、回路形成部分にエッチング・レジストを形
成し、エッチングにより回路形成を行うプリント基板の
製造方法において、パターンめっきを行った後で、金属
層に接したごく薄い層のめつきレジストを残して大部分
のめつきレジストを除去し、次いで、回路形成部分、及
び、回路側壁にエッチングレジストを形成して残存する
めつきレジスト薄層を完全に除去し、エッチングを行っ
て回路形成することにより達成される。
本発明は導体回路を形成する回路側壁にもエッチング・
レジストを適用するので、サイド・エッチングが少なく
、矩形に近い良好な回路断面を得ることができる。
レジストを適用するので、サイド・エッチングが少なく
、矩形に近い良好な回路断面を得ることができる。
以下,本発明を第1図により具体的に説明する。
第1図(A)は絶縁板1の表面に設けた金属層2を粗化
した状態を示す。(B)は金属層表面に第二金属層3を
形成した図である。金IAI2は、般に、銅層が用いら
れる。また、金属M2の表面粗化、第二金属層3の形成
は(C)のめつきレジスト4との密着性を確保する上で
行うことが望ましいが、パターンめつき5に電気めっき
を用いるような場合は必ずしも必要としない。(C)の
めつきレジスト4には微細パターン形成という観点から
感光性のものが好ましい.(E)はパターンめつき5を
行った状態を示すが、このめっきには化学めっき,電気
めっきの両方が適用できる。微細パターン形成という観
点からは化学めっきの方が好ましい。めっきは一般に銅
が適用される。第1図CF)は、めっきレジスト4の大
部分を除去し、めっきレジスト薄層6のみを残した状態
を示す。このようなめつきレジスト薄層6を形成する方
法として,めっきレジストに除去されにくい組成のもの
を適用する方法、また、現像後、あるいは、パターンめ
っき後に露光して硬化を進める方法、さらには、下地表
面に凹凸を設け、そこに食い込んだめっきレジストを取
れにくくする方法などがある。次の工程(G)でエッチ
ング・レジスト7を形成する。エッチング・レジスト7
には半田めっき、電着膜、金めつきなどが適用できる。
した状態を示す。(B)は金属層表面に第二金属層3を
形成した図である。金IAI2は、般に、銅層が用いら
れる。また、金属M2の表面粗化、第二金属層3の形成
は(C)のめつきレジスト4との密着性を確保する上で
行うことが望ましいが、パターンめつき5に電気めっき
を用いるような場合は必ずしも必要としない。(C)の
めつきレジスト4には微細パターン形成という観点から
感光性のものが好ましい.(E)はパターンめつき5を
行った状態を示すが、このめっきには化学めっき,電気
めっきの両方が適用できる。微細パターン形成という観
点からは化学めっきの方が好ましい。めっきは一般に銅
が適用される。第1図CF)は、めっきレジスト4の大
部分を除去し、めっきレジスト薄層6のみを残した状態
を示す。このようなめつきレジスト薄層6を形成する方
法として,めっきレジストに除去されにくい組成のもの
を適用する方法、また、現像後、あるいは、パターンめ
っき後に露光して硬化を進める方法、さらには、下地表
面に凹凸を設け、そこに食い込んだめっきレジストを取
れにくくする方法などがある。次の工程(G)でエッチ
ング・レジスト7を形成する。エッチング・レジスト7
には半田めっき、電着膜、金めつきなどが適用できる。
次に(H)に示すようにめっきレジスト薄層6を除去す
る。この除去には塩化メチレン、濃硫酸,アルカリなど
が適用できる。この工程では超音波やプラズマ・アツシ
ングなどを併用することもできる。(I)で第二金属薄
層2及び金属層2をエッチング除去する。エッチング・
レジス1・が回路側面まで形成されているため、エッチ
ングによるサイド・エッチングが大幅に低減できる。(
J)はエッチング・レジスト7を除去した図で、プリン
ト基板の回路形成が完了した状態を示す。
る。この除去には塩化メチレン、濃硫酸,アルカリなど
が適用できる。この工程では超音波やプラズマ・アツシ
ングなどを併用することもできる。(I)で第二金属薄
層2及び金属層2をエッチング除去する。エッチング・
レジス1・が回路側面まで形成されているため、エッチ
ングによるサイド・エッチングが大幅に低減できる。(
J)はエッチング・レジスト7を除去した図で、プリン
ト基板の回路形成が完了した状態を示す。
次に、本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。
く実施例1〉
(工程1): 1.6nn+厚の両面銅張ガラス・エボ
キシ積層板(銅箔厚18μm)に0,4uu径のドリル
で孔をあけた。表面をブラシ研磨した後、高圧水洗で孔
内を洗浄した。次いで、過硫酸アンモニウム水溶液によ
って表面のソフト・エッチングを行い、さらに酸洗した
。ひき続き、化学銅めっきのための触媒(日立化成社製
増感剤}ISIOIB)に浸漬して活性化した。次に、
酸洗いをしてから下記組成の化学銅めっき液に70℃で
二時間浸漬し,約6μmの厚さの化学銅めっき層を形成
した。
キシ積層板(銅箔厚18μm)に0,4uu径のドリル
で孔をあけた。表面をブラシ研磨した後、高圧水洗で孔
内を洗浄した。次いで、過硫酸アンモニウム水溶液によ
って表面のソフト・エッチングを行い、さらに酸洗した
。ひき続き、化学銅めっきのための触媒(日立化成社製
増感剤}ISIOIB)に浸漬して活性化した。次に、
酸洗いをしてから下記組成の化学銅めっき液に70℃で
二時間浸漬し,約6μmの厚さの化学銅めっき層を形成
した。
元した。
(工程2):工程1を終Yした後,表面を酸洗いし,過
硫酸アンモニウム水溶液(200g/R)で軽く粗化し
た。次いで、下記組成の液で70℃,90秒処理し微細
凹凸をもつ酸化膜層を形成した。
硫酸アンモニウム水溶液(200g/R)で軽く粗化し
た。次いで、下記組成の液で70℃,90秒処理し微細
凹凸をもつ酸化膜層を形成した。
さらに、下記の組成の処理液で上記酸化膜を還水洗を行
って十分表面をきれいにした後、0.05A/dm2で
4分間無光沢の電気ニッケルめっき液でめっきした。水
洗乾燥後、デュポン社製の感光性ドライフイルム、リス
トン1220を110℃に加熱したホットロールにより
ラミネートした。
って十分表面をきれいにした後、0.05A/dm2で
4分間無光沢の電気ニッケルめっき液でめっきした。水
洗乾燥後、デュポン社製の感光性ドライフイルム、リス
トン1220を110℃に加熱したホットロールにより
ラミネートした。
さらに,80mJ/a7の光量で露光、次いでクロロセ
ンによる現像を行うことによって、回路形成部分以外に
めっきレジス]・を形成した。次に、140℃で1時間
加熱して二一ジングした。
ンによる現像を行うことによって、回路形成部分以外に
めっきレジス]・を形成した。次に、140℃で1時間
加熱して二一ジングした。
(工程3)二次に、過硫酸アンモニウム水溶液(200
g/Q)に浸漬し、表面に露出しているニッケルめっき
層を銅とともにエッチングして除去した。酸洗,水洗を
行った後、下記の組成の化学銅めっき液に72℃で浸漬
して約30μmの厚さのパターン化学銅めっきを行った
。
g/Q)に浸漬し、表面に露出しているニッケルめっき
層を銅とともにエッチングして除去した。酸洗,水洗を
行った後、下記の組成の化学銅めっき液に72℃で浸漬
して約30μmの厚さのパターン化学銅めっきを行った
。
めっき終了後十分水洗し、パターン化学銅めっきまでの
工程を終了した。
工程を終了した。
(工程4):次に、高圧水銀灯で0.2J/cd全面に
露光した後、塩化メチレンをスブレし、感光性ドライ・
フイルムの大部分を除去して回路形成部分以外にドライ
・フイルムの薄層のみを残存させた。次いで、銅の露出
している回路部分,及び,その壁部分などに半田めっき
を行ってマスクしてエッチング・レジストを形成した。
露光した後、塩化メチレンをスブレし、感光性ドライ・
フイルムの大部分を除去して回路形成部分以外にドライ
・フイルムの薄層のみを残存させた。次いで、銅の露出
している回路部分,及び,その壁部分などに半田めっき
を行ってマスクしてエッチング・レジストを形成した。
さらに、濃硫酸に浸漬し、ドライ・フイルムの薄層を除
去した。
去した。
(工程5):次いでアルカリエツチャントをスプレし、
半田レジストのない部分をエッチングして導体回路を形
成した。最後に、ホウフツ化水素酸、及び、過酸化水素
を含む処理液で処理し、半田レジストを選択的に溶解し
、プリント基板を作製した。
半田レジストのない部分をエッチングして導体回路を形
成した。最後に、ホウフツ化水素酸、及び、過酸化水素
を含む処理液で処理し、半田レジストを選択的に溶解し
、プリント基板を作製した。
作製したプリント基板の回路断面を調べたところ,80
μm回路幅の導体回路もほぼ矩形状であり,サイド・エ
ッチングが極めて少ない(5μm以下)ことがわかった
。
μm回路幅の導体回路もほぼ矩形状であり,サイド・エ
ッチングが極めて少ない(5μm以下)ことがわかった
。
く比較例〉
実施例1の工程4を次の工程6のように代えた以外は実
施例1と全く同様の方法でプリント基板を作製した。
施例1と全く同様の方法でプリント基板を作製した。
(工程6):次いで、半田めっきを行い、塩化メチレン
のスブレでめっきレジストを完全に除去した。
のスブレでめっきレジストを完全に除去した。
作製したプリント基板の回路断面を調べた結果、80μ
m回路幅の導体回路でサイド・エッチングが15μm以
上あり、裾がだいぶ細くなっていた.〔発明の効果〕 本発明によれば,サイド・エッチングを実質的に防ぐこ
とができるので、微細パターンを形成する上で効果があ
る。
m回路幅の導体回路でサイド・エッチングが15μm以
上あり、裾がだいぶ細くなっていた.〔発明の効果〕 本発明によれば,サイド・エッチングを実質的に防ぐこ
とができるので、微細パターンを形成する上で効果があ
る。
第1図は本発明の一実施例のプリント配線板製造工程の
断面工程図である。
断面工程図である。
Claims (1)
- 1.絶縁板上に設けた金属層表面の回路形成部分以外を
めつきレジストでマスクしてパターンめつきを行い、次
いで回路形成部分にエッチングレジストを形成し、エッ
チングにより回路形成を行うプリント基板の製造方法に
おいて、 パターンめつきを行つた後で前記金属層に接したごく薄
い層の前記めつきレジストを残して大部分の前記めつき
レジストを除去し、次いで、前記回路形成部分、及び、
回路側壁にエッチング・レジストを形成して残存するめ
つきレジスト薄層を完全に除去し、エッチングを行つて
回路形成することを特徴とするプリント基板の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11374689A JPH02292893A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | プリント基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11374689A JPH02292893A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | プリント基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02292893A true JPH02292893A (ja) | 1990-12-04 |
Family
ID=14620074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11374689A Pending JPH02292893A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | プリント基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02292893A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030005008A (ko) * | 2001-07-05 | 2003-01-15 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 회로기판과 그 제조방법 및 고출력 모듈 |
KR100797699B1 (ko) * | 2006-04-28 | 2008-01-23 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
-
1989
- 1989-05-08 JP JP11374689A patent/JPH02292893A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030005008A (ko) * | 2001-07-05 | 2003-01-15 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 회로기판과 그 제조방법 및 고출력 모듈 |
KR100797699B1 (ko) * | 2006-04-28 | 2008-01-23 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
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