JP2001110101A - 記録媒体とその製造方法 - Google Patents

記録媒体とその製造方法

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JP2001110101A JP2000211148A JP2000211148A JP2001110101A JP 2001110101 A JP2001110101 A JP 2001110101A JP 2000211148 A JP2000211148 A JP 2000211148A JP 2000211148 A JP2000211148 A JP 2000211148A JP 2001110101 A JP2001110101 A JP 2001110101A
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弘一 飯田
Yuzuru Yamakage
譲 山影
Takahiro Umada
孝博 馬田
Mineo Moribe
峰生 守部
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ランドグルーブ記録を適用した場合に必要な
再生用磁場の強度の増加を軽減することができる磁気超
解像再生に適した記録媒体とその製造方法を提供する。 【解決手段】 記録媒体は、基板上に形成されたランド
１及びグルーブ２に情報を記録し、磁気超解像法による
再生に適した記録媒体であって、ランド１及びグルーブ
２の少なくとも一方のエッジ部３，４の曲率半径をラン
ド又はグルーブ幅の６分の１以上とする。基板のスパッ
タエッチング、レジストパターンの加熱変形、紫外線照
射によるオゾンエッチング等の方法により、エッジ部
３，４の曲率半径を大きくする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に形成され
たランド及びグルーブに情報を記録する記録媒体、特
に、磁気超解像法によって記録情報の再生を行う磁気超
解像記録媒体と、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気超解像法は、多層構造の磁性膜を有
する磁気超解像記録媒体を用い、レーザ光の照射と磁場
の印加によって情報を記録し、再生時もレーザ光の照射
と磁場の印加を行うことにより、レーザ光の回折限界よ
り小さい記録ビットの再生を可能にする方法である。こ
れにより、光磁気記録媒体の記録密度を高め、近年のパ
ーソナルコンピュータ及びその周辺技術の進歩に伴って
記録媒体に要求される大容量化に対応することができ
る。
【０００３】磁気超解像法にはいくつかの方法が含まれ
るが、例えば、特開平７−２４４８７７号公報に記載さ
れているダブルマスクＲＡＤ法は、フロントマスクとリ
アマスクの２つの磁気的マスクを用いる方法である。フ
ロントマスクは、レーザ光の照射によって加熱された比
較的低温の領域であり、リアマスクはレーザ光の照射に
よって最も高温に加熱された領域である。これらのマス
ク領域では、多層構造の磁性膜のうちの記録層から再生
層への磁化情報の転写が遮断され、両マスク領域の中間
に位置する中温領域においてのみ、記録層から再生層へ
の磁化情報の転写が行われ、磁化情報が再生される。
【０００４】近年の更なる記録密度の向上及び大容量化
に応えるために、上記のような磁気超解像記録媒体にお
いても、ランド及びグルーブの両方に情報を記録するラ
ンドグルーブ記録を適用することが研究されている。こ
こで、ランドとは、従来から情報の記録に使用されてい
る突条トラック部を意味し、グルーブとは、ランドに挟
まれた溝部を意味する。
【０００５】上記のような磁気超解像記録媒体を含む記
録媒体（光磁気ディスク）は、一般に、以下のようなプ
ロセスで製造される。まず、ガラス原盤にフォトレジス
トを塗布し、これにレーザ光を照射してグルーブやピッ
トのパターンを露光する。露光されたガラス原盤を現像
処理することにより、露光された部分が除去されて凹凸
レリーフが形成される。
【０００６】次に、凹凸レリーフに蒸着又は無電解めっ
き、若しくはスパッタ法により電極膜を形成し、電鋳め
っきを行うことによりスタンパが完成する。更に、紫外
線硬化樹脂法（フォトポリマ法：２Ｐ法）を用いて、又
は射出成形法によってスタンパからレプリカを作製す
る。このような従来の製造方法では、ランド又はグルー
ブのエッジ部の曲率半径や壁角度の制御が困難である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、磁気超
解像記録媒体にランドグルーブ記録を適用した場合、再
生時に必要な磁場の強度が大きくなるという問題があ
る。特に、上述のダブルマスクＲＡＤ法にランドグルー
ブ記録を適用した場合、フロントマスクを形成するため
に必要な磁場（磁界とも言う）が５００Ｏｅを越えてし
まう。このため、磁場を発生させるコイル及び駆動回路
の消費電力が大きくなる。あるいは、磁場発生用コイル
の大幅な設計変更が必要になる。
【０００８】本発明は、上記のような従来の課題を解決
し、ランドグルーブ記録を適用した場合に必要な再生用
磁場の強度の増加を軽減することができる磁気超解像再
生に適した記録媒体とその製造方法を提供することを目
的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による記録媒体
は、基板上に形成されたランド及びグルーブに情報を記
録する記録媒体であって、ランド及びグルーブの少なく
とも一方のエッジ部の曲率半径をランド又はグルーブ幅
の６分の１以上としたことを特徴とする。好ましくは、
磁気超解像法によって記録情報の再生を行うことを特徴
とする磁気超解像記録媒体である。
【００１０】このようにエッジ部の形状を丸くすること
により、詳しくは後述するように、磁気超解像法による
再生に必要な印加磁場の強度を小さくできることが実験
で確認された。その理由としては、エッジ部の形状を丸
くすることにより、レーザ光が照射される部分の熱分布
形状が変化することが考えられる。また、磁気記録膜を
形成したときに、エッジ部の曲率半径が大きいほど膜厚
が均一になりやすいことも理由の一つと考えられる。ま
た、どちらかといえば、グルーブのエッジ部の曲率半径
を大きく（ランド又はグルーブ幅の６分の１以上）する
ことの効果が大きいことが分かった。
【００１１】上記のような記録媒体を製造するための本
発明による第１の製造方法は、プラズマエッチングが可
能な基板上にフォトリソグラフィ法によりレジストパタ
ーンを形成し、前記レジストパターンをマスクとしてド
ライエッチングを行い、残余レジストパターンを除去し
た後、前記基板にスパッタエッチングを行うことによ
り、グルーブのエッジ部の曲率半径を大きくし、前記エ
ッチングパターンの形状を転写したスタンパを作製し、
前記スタンパを用いて記録媒体の基板を製造し、前記記
録媒体の基板に記録膜を形成する工程を有することを特
徴とする。
【００１２】この方法によれば、グルーブのエッジ部の
曲率半径をランド又はグルーブ幅の６分の１以上とした
磁気超解像記録媒体を容易に製造することができる。な
お、この製造方法は上記のような磁気超解像記録媒体の
製造に適しているが、それに限るわけではなく、他の記
録媒体の製造にも適用可能である。以下の製造方法につ
いても同様である。
【００１３】記録媒体を製造するための本発明による第
２の製造方法は、フォトリソグラフィ法によりレジスト
パターンを基板上に形成し、前記レジストパターンに熱
による変形を加え、前記レジストパターンの形状を転写
したスタンパを作製し、前記スタンパを用いて記録媒体
の基板を製造し、前記記録媒体の基板に記録膜を形成す
る工程を有することを特徴とする。
【００１４】記録媒体を製造するための本発明による第
３の製造方法は、上記のいずれかの製造方法で得られた
スタンパの凹凸形状を転写した第２のスタンパを作製
し、前記第２のスタンパを用いて記録媒体の基板を製造
し、前記記録媒体の基板に記録膜を形成する工程を有す
ることを特徴とする。
【００１５】記録媒体を製造するための本発明による第
４の製造方法は、表面凹凸形状が形成された原盤に低圧
水銀灯から放射される紫外線を照射することにより、前
記凹凸形状のエッジ部の曲率半径を大きくし、前記エッ
ジ部の曲率半径を大きくした原盤を用いてスタンパを作
製し、前記スタンパを用いて記録媒体の基板を製造し、
前記記録媒体の基板に記録膜を形成する工程を有するこ
とを特徴とする。
【００１６】好ましくは、前記低圧水銀灯から放射され
る紫外線の波長が２５４ｎｍ以下である。また、フォト
リソグラフィ法によりレジストパターンの凹凸形状を形
成し、得られた凹凸形状の表面に電極膜を形成し、前記
電極膜を用いて電鋳めっきを行うことによりスタンパを
作製し、前記スタンパを用いて紫外線硬化樹脂へ前記凹
凸形状を転写することにより前記原盤を作製する工程を
更に有することが好ましい。
【００１７】原盤を作製する別の方法として、スタンパ
を用いて紫外線硬化樹脂へ前記凹凸形状を転写する代わ
りに、スタンパを用いて樹脂モールドによる凹凸形状の
転写を行ってもよい。
【００１８】記録媒体を製造するための本発明による第
５の製造方法は、基板上にフォトレジストを塗布し、所
定の非活性化処理を施すことにより中間層とし、前記中
間層の上に更にフォトレジストを塗布して凹凸形成層と
し、フォトリソグラフィ法により前記凹凸形成層にレジ
ストパターンの凹凸形状を形成し、所定の処理を施すこ
とにより前記凹凸形状のエッジ部の曲率半径を大きく
し、前記エッジ部の曲率半径を大きくした原盤を用いて
スタンパを作製し、前記スタンパを用いて記録媒体の基
板を製造し、前記記録媒体の基板に記録膜を形成する工
程を有することを特徴とする。
【００１９】好ましくは、前記非活性化処理は、プリベ
ークより高い温度で行うベーキング処理であり、この処
理によって前記中間層が前記凹凸形成層のフォトレジス
トとミキシングを起こさず（相溶せず）、かつ、感光性
を失う。
【００２０】また、前記凹凸形成層にレジストパターン
の凹凸形状を形成した後、前記非活性化処理と同じベー
キング処理を行う工程を更に有することが好ましい。ま
た、中間層を形成する工程において、フォトレジストを
用いる代わりに、紫外線硬化樹脂を塗布し硬化させるこ
とにより中間層としてもよい。
【００２１】また、前記凹凸形状のエッジ部の曲率半径
を大きくする処理において、前記中間層の露出面も処理
される。前記凹凸形状のエッジ部の曲率半径を大きくす
る処理の一つとして、低圧水銀灯から放射される波長２
５４ｎｍ以下の紫外線によるオゾンエッチング処理を使
用することができる。
【００２２】別の実施形態では、前記凹凸形状のエッジ
部の曲率半径を大きくする処理は、スパッタエッチング
処理である。更に別の実施形態では、前記凹凸形状のエ
ッジ部の曲率半径を大きくする処理は、ガラス転移点に
近い温度における加熱処理である。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１は、本発明の磁気超解像記録媒
体（光磁気ディスク）のランド及びグルーブの構造を示
す拡大図である。この磁気超解像記録媒体では、ランド
１のエッジ部３及びグルーブ２のエッジ部４が共に尖っ
た角形状ではなくＲ形状を有する。その曲率半径はラン
ド又はグルーブ幅の６分の１以上に設定される。曲率半
径の上限はランド１及びグルーブ２の幅によって自ずと
制限される。
【００２４】図２は、本発明の磁気超解像記録媒体のラ
ンド及びグルーブの他の構造を示す拡大図である。この
磁気超解像記録媒体では、ランド５のエッジ部７は尖っ
た角形状を有するが、グルーブ６のエッジ部８がＲ形状
を有し、その曲率半径はランド又はグルーブ幅の６分の
１以上に設定される。
【００２５】図３は、本発明の第１実施形態に係る記録
媒体の製造工程を示す図である。まず、工程（ａ）にお
いて、表面粗さ５０オングストローム以下である表面精
度の高い合成石英原盤９を用意する。
【００２６】工程（ｂ）において、合成石英原盤９の上
に、ポジ型フォトレジストをスピンコートすることによ
り、レジスト膜１０を形成する。レジスト膜１０の厚み
は約１００ｎｍとする。
【００２７】工程（ｃ）において、プリグルーブライタ
を用いてランド幅（グルーブ幅）が０．６μｍとなるよ
うにレジスト膜１０を露光し、ウェットプロセスによっ
て現像する。こうして、ランド幅とグルーブ幅がそれぞ
れ０．６μｍであるレジストパターン１１が形成され
る。
【００２８】工程（ｄ）において、レジストパターン１
１をマスクとして、合成石英原盤９に対して反応性イオ
ンエッチング（ＲＩＥ）を行う。エッチングガスとし
て、好ましくはＣＨＦ3（３フッ化メタン）を用い、ガ
ス圧力０．５Ｐａ、流量５ｓｃｃｍ、ＲＦ強度２００Ｗ
のエッチング条件下で合成石英原盤９を約５０ｎｍエッ
チングする。ただし、このエッチングプロセスは上記の
条件に限定されず、例えばエッチングガスとしてＣＦ4
（４フッ化メタン）、Ｃ4Ｆ8（８フッ化ブタン）等を用
いてもよい。エッチング後、残ったレジストパターン１
１を酸素プラズマアッシングにより除去する。この結
果、図に示すような矩形断面のプリグルーブが合成石英
原盤９に形成される。
【００２９】工程（ｅ）において、プリグルーブが形成
された合成石英原盤９に対し、好ましくはアルゴンガス
を用い、ガス圧力０．５Ｐａ、流量６０ｓｃｃｍ、ＲＦ
強度１ｋＷのエッチング条件下で約１０分間スパッタエ
ッチングを行う。スパッタエッチングの効果として、グ
ルーブのエッジ部１２の曲率半径が大きくなる。エッチ
ング条件を変えることによって曲率半径の増加量を調節
することができる。エッチングガスとして、ＣＦ4、Ｃ
ＨＦ3、Ｃ4Ｆ8等を用いてもよい。
【００３０】工程（ｆ）では、工程（ｅ）における真空
状態を維持したままで、スパッタ法によりニッケル薄膜
１３を約５０ｎｍ形成する。更に、工程（ｇ）におい
て、ニッケル薄膜１３を電極膜として、ニッケル膜厚が
３００μｍになるまで電鋳めっきを行うことにより、ニ
ッケル膜１４を形成する。
【００３１】工程（ｈ）において、ニッケル膜１４を合
成石英原盤９から剥離する。このようにして、ニッケル
膜からなるスタンパ１４が完成する。最後に工程（ｉ）
において、スタンパ１４を用いて、紫外線硬化性樹脂法
（２Ｐ法）により、あるいは射出成形によって、レプリ
カディスク１５が製造される。このようにして、レプリ
カディスク１５のグルーブエッジ部１６の曲率半径をラ
ンド又はグルーブ幅の６分の１以上にすることができ
る。
【００３２】このようにして製造されたレプリカディス
ク１５を基板として、特開平７−２４４８７７号公報に
記載されているような３層構造の磁性膜を製膜すること
により、磁気超解像記録媒体である光磁気ディスクが製
造され、そのグルーブのエッジ部の曲率半径はランド又
はグルーブ幅の６分の１以上となる。
【００３３】上記のようにして試作した光磁気ディスク
を光磁気ディスクテスタ（光源波長６８５ｎｍ、対物レ
ンズの開口数０．５５）によって測定した結果、グルー
ブでのフロントマスク形成に必要な磁界が従来の５００
Ｏｅに比べて大きく低減し、１８０Ｏｅであることが分
かった。
【００３４】図４は、グルーブのエッジ部の曲率半径を
変化させたときに、磁気超解像法による再生においてフ
ロントマスク及びリアマスクを形成するのに必要な磁界
（磁気超解像マスク形成磁界）の変化を示すグラフであ
る。このグラフから分かるように、曲率半径を大きくす
るにしたがって、特にフロントマスクを形成するのに必
要な磁界が低くなる。グルーブのエッジ部の曲率半径を
１００ｎｍ以上にすることにより、磁気超解像マスク形
成磁界を４００Ｏｅ以下にすることができる。すなわ
ち、製造した磁気超解像媒体のランド幅（グルーブ幅）
が０．６μｍであることから、グルーブのエッジの曲率
半径をランド幅（グルーブ幅）の６分の１以上にするこ
とで磁気超解像マスク形成磁界を４００Ｏｅ以下にでき
ることになる。
【００３５】また、磁気超解像マスク形成磁界は、ラン
ドよりグルーブにおいて高く、曲率半径を大きくするこ
とによる磁気超解像マスク形成磁界の低減の効果は、グ
ルーブにおいて顕著であることが分かった。したがっ
て、必ずしもランド及びグルーブの両方のエッジ部の曲
率半径を大きくする必要はなく、グルーブのエッジ部の
曲率半径のみを大きくすることによって十分な効果が得
られる。
【００３６】また、反応性イオンエッチングにより石英
原盤にプリグルーブパターンを形成すると、異方性エッ
チングの効果でランド及びグルーブのエッジ部は直角に
近くなる。これに等方的にエッチングされる条件でスパ
ッタエッチングを施すことにより、グルーブのエッジ部
の曲率半径を大きくすることができる。
【００３７】図５は、本発明の第２実施形態に係る記録
媒体の製造工程を示す図である。まず、工程（ａ）にお
いて、表面荒さ５０オングストローム以下である表面精
度の高いガラス原盤１７を用意する。
【００３８】工程（ｂ）において、ガラス原盤１７の上
にポジ型フォトレジストをスピンコートすることによ
り、レジスト膜１８を形成する。レジスト膜１８の厚み
は約５０ｎｍとする。
【００３９】次の工程（ｃ）において、プリグルーブラ
イタを用いてレジスト膜１８を露光し、ウェットプロセ
スによって現像する。こうして、レジストパターン１９
が形成される。ウェットプロセスによる現像が溶液中で
の溶解という等方的なプロセスであることから、このプ
ロセスによって形成されるレジストパターン１９は、ラ
ンドのエッジ部２０の曲率半径が大きくなる。
【００４０】工程（ｄ）において、レジストパターン１
９上に、好ましくはスパッタ法又は蒸着法若しくは電鋳
めっき法により厚み約５０ｎｍのニッケル薄膜２１を形
成する。
【００４１】更に工程（ｅ）において、ニッケル薄膜２
１を電極膜として電鋳めっきを行い、膜厚約３００μｍ
のニッケル膜２２を形成する。ニッケル膜２２をレジス
トパターン１９から剥離すると、ニッケル膜からなるス
タンパ２２が完成する。
【００４２】次の工程（ｆ）では、スタンパ２２を用い
て、紫外線硬化性樹脂法（２Ｐ法）又は射出成形法によ
って中間型２３を作製する。次の工程（ｇ）では、中間
型２３の凹凸パターンをガラス原盤２４に積層された紫
外線硬化樹脂２５に転写する。
【００４３】次の工程（ｈ）では、紫外線硬化樹脂２５
の凹凸表面にスパッタリングによりニッケル膜２７を形
成する。次の工程（ｉ）では、ニッケル膜２７を電極と
する電鋳めっきにより、スタンパ２８となるニッケル層
を形成する。
【００４４】最後の工程（ｊ）において、スタンパ２８
を用いて、紫外線硬化性樹脂法（２Ｐ法）により、ある
いは射出成形法によって、レプリカディスク２９が製造
される。このようにして、レジストパターン１９の凹凸
パターンは、中間型２３に転写され、更にスタンパ２８
に転写されることになる。したがって、レジストパター
ン１９に形成された曲率半径の大きいランドのエッジ部
２０は、中間型２３から紫外線硬化樹脂２５のグルーブ
エッジ部２６へ転写され、更にスタンパ２８から製造さ
れるレプリカディスク２９のグルーブエッジ部３０へ転
写される。
【００４５】なお、露光及び現像によって形成されたレ
ジストパターンの鏡像を作製するための方法は、上記実
施形態の方法に限らない。また、ランド及びグルーブの
エッジ部の曲率半径を大きくする別の方法として、プリ
グルーブライタによりレジスト膜１８に形成したレジス
トパターン１９をレジストの母材樹脂のガラス転移温度
近傍まで加熱してもよい。この結果、レジストパターン
１９のランド及びグルーブのエッジ部の曲率半径が大き
くなり、このレジストパターン１９を用いて作製された
スタンパ２２のグルーブのエッジ部の曲率半径が大きく
なる。そして、このスタンパ２２を用いて製造したレプ
リカディスクのランド及びグルーブのエッジ部の曲率半
径が大きくなる。
【００４６】また、スタンパを用いて作製されたレプリ
カディスクをガラス転移温度より１０度程度低い温度で
加熱することによっても、ランド及びグルーブのエッジ
部の曲率半径を大きくすることが可能である。なお、レ
プリカディスクの材質として好ましくは、ポリカーボネ
ート、ＰＭＭＡ（ポリメチルアクリレート）等の熱可塑
性樹脂を用い、熱処理は摂氏１３０度で１２時間程度行
う。
【００４７】図６は、本発明の第３実施形態に係る記録
媒体の製造工程を示す図である。まず、工程（ａ）にお
いて、表面粗さ５０オングストローム以下である表面精
度の高いガラス原盤３１の上に、ポジ型フォトレジスト
をスピンコートすることにより、レジスト膜３２を形成
する。レジスト膜３２の膜厚は約５０ｎｍとする。
【００４８】工程（ｂ）において、プリグルーブライタ
を用いてレジスト膜３２を露光し、ウェットプロセスに
よって現像する。こうして、レジストパターン３３が形
成される。
【００４９】工程（ｃ）において、レジストパターン３
３上にニッケル薄膜３４を蒸着法によって形成する。膜
厚は約５０ｎｍとする。工程（ｄ）において、ニッケル
薄膜３４を電極膜として電鋳めっきを行い、膜厚約３０
０μｍのニッケル膜３５を形成する。
【００５０】工程（ｅ）において、ニッケル膜３５をガ
ラス原盤３１及びレジストパターン３３から剥離し、ス
タンパ３５が完成する。工程（ｆ）において、スタンパ
３５をマザーとして、その凹凸面に紫外線硬化樹脂３６
を塗布し、更にその上にガラス原盤３７を密着させる。
スタンパ３５とガラス原盤３７との間の紫外線硬化樹脂
３６の膜厚は約３０μｍに設定する。
【００５１】工程（ｇ）において、密着させたスタンパ
３５、紫外線硬化樹脂３６及びガラス原盤３７に対して
紫外線照射装置３８から紫外線を照射し、紫外線硬化樹
脂３６を硬化させる。
【００５２】工程（ｈ）において、スタンパ３５を剥離
すると、ガラス原盤３７及び凹凸形状が形成された紫外
線硬化樹脂３６からなる転写ガラス原盤３９が完成す
る。工程（ｉ）において、低圧水銀灯４０を用いた紫外
線照射装置に、上記の転写ガラス原盤３９を入れる。低
圧水銀灯４０から出る波長２５４μｍ以下の紫外線を転
写ガラス原盤３９の紫外線硬化樹脂３６側から約２分間
照射する。望ましくは、転写ガラス原盤３９と低圧水銀
灯４０との距離を約１０ｍｍに設定する。
【００５３】この紫外線照射処理により、転写ガラス原
盤３９の凹凸形状（紫外線硬化樹脂３６の凹凸形状）の
エッジ部の曲率半径が大きくなる。紫外線によって発生
するオゾンによって紫外線硬化樹脂３６のエッジ部がエ
ッチングされることによると考えられる。
【００５４】図７は、工程（ｉ）における紫外線の照射
時間とエッジ部の曲率半径及び側壁の傾斜角度との関係
を測定した結果を示すグラフである。このグラフからわ
かるように、紫外線の照射時間が長くなるほどエッジ部
の曲率半径（一点鎖線）が大きくなり、側壁の傾斜角度
（実線）が小さくなる（なだらかになる）。ちなみに、
この測定結果では紫外線を２分間照射したときのエッジ
部の曲率半径は約２８０ｎｍ、側壁の角度は約４９度で
ある。
【００５５】この後のスタンパの作製、スタンパからレ
プリカディスクの作成、そして光磁気ディスクの作製に
ついては、第１実施形態の説明（図３の工程（ｆ）以降
の説明）と同様である。この実施形態の方法によって作
製された光磁気ディスクについても、第１実施形態と同
様に、グルーブでのフロントマスク形成に必要な外部磁
界が１８０Ｏｅまで減少していることがわかった。
【００５６】上記の第３実施形態の変形例として、工程
（ｆ）以降で用いたガラス原盤３７を省略し、その代わ
りに紫外線硬化樹脂３６の厚みを６ｍｍ程度まで増やし
てもよい。この場合、約４分間の紫外線照射で紫外線硬
化樹脂３６が硬化する。紫外線硬化樹脂の厚みを６ｍｍ
程度まで増やすことにより、ガラス原盤３７が無くても
強度的に問題が無くなる。硬化後、スタンパ３５を剥離
して得られた紫外線硬化樹脂原盤を用いて、図３の工程
（ｉ）以降を実行すればよい。
【００５７】また、上記の第３実施形態の別の変形例と
して、工程（ｆ）以降で用いた紫外線硬化樹脂３６に代
えてポリカーボネートのような熱可塑性樹脂を用いても
よい。この場合も熱可塑性樹脂３６の厚みを６ｍｍ程度
まで増やすことにより強度を増して、ガラス原盤３７を
省略することができる。具体的な工程としては、工程
（ｅ）で完成したスタンパ３５を射出成形機に取り付
け、ポリカーボネート樹脂を射出して約６ｍｍ厚の樹脂
モールドを作製する。この後、スタンパ３５を剥離して
得られた樹脂モールド原盤を用いて、図３の工程（ｉ）
以降を実行すればよい。なお、樹脂モールドの材料はポ
リカーボネートに限らず、微細形状の複製が可能であれ
ば他の熱可塑性樹脂を用いてもよい、また、熱硬化性樹
脂を用いて樹脂モールドを行ってもよい。
【００５８】図８は、本発明の第４実施形態に係る記録
媒体の製造工程を示す図である。まず、工程（ａ）にお
いて、ガラス原盤４１の上に、フォトレジストをスピン
コートすることにより、中間層４２を形成する。
【００５９】次の工程（ｂ）において、オーブンで１８
０℃、６０分間のベーキングを行う。これにより、中間
層４２が、その上に形成される凹凸形成用のフォトレジ
ストと混ざらないようになり、かつ、感光性を失う。
【００６０】工程（ｃ）において、表面凹凸形成用のフ
ォトレジストを５０ｎｍ塗布してレジスト膜４３を形成
する。なお、中間層４２に使用するフォトレジストの材
料とレジスト膜４３に使用するフォトレジストの材料は
同じであり、例えば（株）東京応化ＴＨＭＲ−ｉＰ３３
００を使用することができる。
【００６１】工程（ｄ）において、１００℃３０分のプ
リベークの後、露光、現像を行い、表面凹凸層４４が形
成される。この表面凹凸層４４が中間層と同様の表面強
度を得るように、中間層と同じ条件でベーキングを行
う。この工程は省略してもよいが、あったほうが好まし
い。
【００６２】工程（ｅ）において、低圧水銀灯４５を用
いた紫外線照射装置に、上記のガラス原盤４１、中間層
４２及び表面凹凸層４４からなる原盤を入れる。低圧水
銀灯４５から出る波長２５４μｍ以下の紫外線を原盤の
表面凹凸層４４側から約２０分間照射する。望ましく
は、原盤と低圧水銀灯４５との距離を約１０ｍｍに設定
する。
【００６３】この紫外線照射処理により、表面凹凸層４
４のエッジ部の曲率半径が大きくなる。紫外線によって
発生するオゾンにより表面凹凸層４４のエッジ部がエッ
チングされることによると考えられる。
【００６４】図９は、工程（ｅ）における紫外線の照射
時間とエッジ部の曲率半径との関係を測定した結果を示
すグラフである。このグラフからわかるように、紫外線
の照射時間が長くなるほどエッジ部の曲率半径が大きく
なる。
【００６５】この後のスタンパの作製、スタンパからレ
プリカディスクの作成、そして光磁気ディスクの作製に
ついては、第１実施形態の説明（図３の工程（ｆ）以降
の説明）と同様である。この実施形態の方法によって試
作されたレプリカディスクの凹凸形状は、曲率半径が約
２５０ｎｍであった。また、このようにして作製した光
磁気ディスクについても、第１実施形態と同様に、グル
ーブでのフロントマスク形成に必要な外部磁界が１８０
Ｏｅまで減少していることがわかった。
【００６６】また、この実施形態の方法は、第１及び第
２の実施形態に比べて、記憶媒体のＩＤ部におけるピッ
ト形成の深さを制御することが容易であるというメリッ
トを有する。つまり、第１及び第２の実施形態では、記
録領域であるグルーブと上記ピットを独立して深さ制御
すること、又は、複数種類の深さのピットを形成するこ
とが困難であるが、本実施形態では容易である。
【００６７】上記の第４実施形態の変形例として、図８
の工程（ａ）における中間層４２をフォトレジストでは
なく、紫外線硬化樹脂を用いて形成してもよい。一実施
例において、紫外線硬化樹脂を３０μｍ厚になるように
均一に塗布し、波長３６５ｎｍの紫外線を約４分間照射
して紫外線硬化樹脂を硬化させた。この後は、図８の工
程（ｃ）以降と同じ処理を行った。この場合も、第４実
施形態と同様の効果が得られた。
【００６８】また、第４実施形態の別の変形例として、
図８の工程（ｅ）における紫外線の照射に代えてスパッ
タエッチングを行ってもよい。紫外線によるオゾンエッ
チングと同様に表面凹凸層４４のエッジ部の曲率半径が
大きくなる。一実施例において、アルゴンガスを用い、
ガス圧０．５Ｐａ、流量６０ｓｃｃｍ、ＲＦ強度１ｋＷ
の条件下で５分間のスパッタエッチングを行った。この
後は、図８の工程（ｃ）以降と同じ処理を行った。この
場合も、第４実施形態と同様の効果が得られた。
【００６９】上記の２つの変形例を組み合わせてもよ
い。つまり、図８の工程（ａ）における中間層４２を紫
外線硬化樹脂を用いて形成し、かつ、図８の工程（ｅ）
における紫外線の照射に代えて上記条件のスパッタエッ
チングを行う。この場合も、第４実施形態と同様の効果
が得られた。
【００７０】更に別の変形例として、図８の工程（ｄ）
に続いて、原盤をレジスト材料のガラス転移点に近い温
度の２７０℃で３０分間加熱処理する。これにより、表
面凹凸層４４のエッジ部の曲率半径が大きくなる。した
がって、図８の工程（ｅ）における紫外線の照射は省略
できる。この方法の場合も、第４実施形態と同様の効果
が得られた。
【００７１】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の記録媒
体によれば、ランド及びグルーブの両方に情報を記録す
る場合に、ランド及びグルーブの少なくとも一方（特に
グルーブ）のエッジ部の曲率半径をランド又はグルーブ
幅の６分の１以上としたことにより、磁気超解像マスク
形成のために印加する磁界の強さを４００Ｏｅ以下に抑
えることができる。
【００７２】また、上記のような記録媒体を製造するの
に適した種々の製造方法が本発明によって提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気超解像記録媒体のランド及びグル
ーブの構造を示す拡大図である。
【図２】本発明の磁気超解像記録媒体のランド及びグル
ーブの他の構造を示す拡大図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る記録媒体の製造工
程を示す図である。
【図４】グルーブのエッジ部の曲率半径と磁気超解像法
による再生においてマスクを形成するのに必要な磁界と
の関係を示すグラフである。
【図５】本発明の第２実施形態に係る記録媒体の製造工
程を示す図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係る記録媒体の製造工
程を示す図である。
【図７】図６の工程（ｉ）における紫外線の照射時間と
エッジ部の曲率半径及び側壁の傾斜角度との関係を測定
した結果を示すグラフである。
【図８】本発明の第４実施形態に係る記録媒体の製造工
程を示す図である。
【図９】図８の工程（ｅ）における紫外線の照射時間と
エッジ部の曲率半径との関係を測定した結果を示すグラ
フである。
【符号の説明】
１，５ ランド ２，６ グルーブ ３，７ ランドのエッジ部 ４，８ グルーブのエッジ部 ９ プラズマエッチングが可能な基板 １０ レジスト膜 １１ レジストパターン １４ スタンパ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年７月２５日（２０００．７．２
５）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４０】工程（ｄ）において、レジストパターン１
９上に、好ましくはスパッタ法又は蒸着法若しくは無電
解めっき法により厚み約５０ｎｍのニッケル薄膜２１を
形成する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/26 ５１１ Ｇ１１Ｂ 7/26 ５１１ ５２１ ５２１ (72)発明者 馬田 孝博 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 守部 峰生 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 5D029 KB12 WB06 5D075 EE03 FG18 GG06 GG14 GG16 5D121 AA01 AA02 BB02 BB32 BB33 CB03 CB07

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板上に形成されたランド及びグルーブに
    情報を記録する記録媒体であって、前記ランド及びグル
    ーブの少なくとも一方のエッジ部の曲率半径をランド又
    はグルーブ幅の６分の１以上としたことを特徴とする記
    録媒体。
  2. 【請求項２】記録媒体の製造方法であって、 プラズマエッチングが可能な基板上にフォトリソグラフ
    ィ法によりレジストパターンを形成し、 前記レジストパターンをマスクとしてドライエッチング
    を行い、 残余レジストパターンを除去した後、前記基板にスパッ
    タエッチングを行うことにより、グルーブのエッジ部の
    曲率半径を大きくし、 前記エッチングパターンの形状を転写したスタンパを作
    製し、 前記スタンパを用いて記録媒体の基板を製造し、 前記記録媒体の基板に記録膜を形成する工程を有するこ
    とを特徴とする記録媒体の製造方法。
  3. 【請求項３】記録媒体の製造方法であって、 フォトリソグラフィ法によりレジストパターンを基板上
    に形成し、 前記レジストパターンに熱による変形を加え、 前記レジストパターンの形状を転写したスタンパを作製
    し、 前記スタンパを用いて記録媒体の基板を製造し、 前記記録媒体の基板に記録膜を形成する工程を有するこ
    とを特徴とする記録媒体の製造方法。
  4. 【請求項４】請求項２又は３の製造方法で得られたスタ
    ンパの凹凸形状を転写した第２のスタンパを作製し、 前記第２のスタンパを用いて記録媒体の基板を製造し、 前記記録媒体の基板に記録膜を形成する工程を有するこ
    とを特徴とする記録媒体の製造方法。
  5. 【請求項５】記録媒体の製造方法であって、 表面凹凸形状が形成された原盤に低圧水銀灯から放射さ
    れる紫外線を照射することにより、前記凹凸形状のエッ
    ジ部の曲率半径を大きくし、 前記エッジ部の曲率半径を大きくした原盤を用いてスタ
    ンパを作製し、 前記スタンパを用いて記録媒体の基板を製造し、 前記記録媒体の基板に記録膜を形成する工程を有するこ
    とを特徴とする記録媒体の製造方法。
  6. 【請求項６】フォトリソグラフィ法によりレジストパタ
    ーンの凹凸形状を形成し、 得られた凹凸形状の表面に電極膜を形成し、 前記電極膜を用いて電鋳めっきを行うことによりスタン
    パを作製し、 前記スタンパを用いて紫外線硬化樹脂へ前記凹凸形状を
    転写することにより前記原盤を作製する工程を更に有す
    ることを特徴とする請求項５記載の記録媒体の製造方
    法。
  7. 【請求項７】フォトリソグラフィ法によりレジストパタ
    ーンの凹凸形状を形成し、 得られた凹凸形状の表面に電極膜を形成し、 前記電極膜を用いて電鋳めっきを行うことによりスタン
    パを作製し、 前記スタンパを用いて樹脂モールドによる前記凹凸形状
    の転写を行うことにより前記原盤を作製する工程を更に
    有することを特徴とする請求項５記載の記録媒体の製造
    方法。
  8. 【請求項８】記録媒体の製造方法であって、 基板上にフォトレジストを塗布し、所定の非活性化処理
    を施すことにより中間層とし、 前記中間層の上に更にフォトレジストを塗布して凹凸形
    成層とし、 フォトリソグラフィ法により前記凹凸形成層にレジスト
    パターンの凹凸形状を形成し、 所定の処理を施すことにより前記凹凸形状のエッジ部の
    曲率半径を大きくし、 前記エッジ部の曲率半径を大きくした原盤を用いてスタ
    ンパを作製し、 前記スタンパを用いて記録媒体の基板を製造し、 前記記録媒体の基板に記録膜を形成する工程を有するこ
    とを特徴とする記録媒体の製造方法。
  9. 【請求項９】前記非活性化処理は、プリベークより高い
    温度で行うベーキング処理であり、この処理によって前
    記中間層が前記凹凸形成層のフォトレジストとミキシン
    グを起こさず、かつ、感光性を失うことを特徴とする請
    求項８記載の記録媒体の製造方法。
  10. 【請求項１０】前記凹凸形成層にレジストパターンの凹
    凸形状を形成した後、前記非活性化処理と同じベーキン
    グ処理を行う工程を更に有することを特徴とする、 請求項９記載の記録媒体の製造方法。
  11. 【請求項１１】記録媒体の製造方法であって、 基板上に紫外線硬化樹脂を塗布し硬化させることにより
    中間層とし、 前記中間層の上に更にフォトレジストを塗布して凹凸形
    成層とし、 フォトリソグラフィ法により前記凹凸形成層にレジスト
    パターンの凹凸形状を形成し、 所定の処理を施すことにより前記凹凸形状のエッジ部の
    曲率半径を大きくし、 前記エッジ部の曲率半径を大きくした原盤を用いてスタ
    ンパを作製し、 前記スタンパを用いて記録媒体の基板を製造し、 前記記録媒体の基板に記録膜を形成する工程を有するこ
    とを特徴とする記録媒体の製造方法。
  12. 【請求項１２】前記凹凸形状のエッジ部の曲率半径を大
    きくする処理において、前記中間層の露出面も処理され
    ることを特徴とする請求項８から１１のいずれか１項記
    載の記録媒体の製造方法。
  13. 【請求項１３】前記凹凸形状のエッジ部の曲率半径を大
    きくする処理は、低圧水銀灯から放射される波長２５４
    ｎｍ以下の紫外線によるオゾンエッチングであることを
    特徴とする請求項８から１２のいずれか１項記載の記録
    媒体の製造方法。
  14. 【請求項１４】前記凹凸形状のエッジ部の曲率半径を大
    きくする処理は、スパッタエッチングであることを特徴
    とする請求項８から１２のいずれか１項記載の記録媒体
    の製造方法。
  15. 【請求項１５】前記凹凸形状のエッジ部の曲率半径を大
    きくする処理は、ガラス転移点に近い温度における加熱
    処理であることを特徴とする請求項８から１２のいずれ
    か１項記載の記録媒体の製造方法。
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