JPH1153777A - スタンパの複製方法 - Google Patents

スタンパの複製方法

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JPH1153777A
JPH1153777A JP21074497A JP21074497A JPH1153777A JP H1153777 A JPH1153777 A JP H1153777A JP 21074497 A JP21074497 A JP 21074497A JP 21074497 A JP21074497 A JP 21074497A JP H1153777 A JPH1153777 A JP H1153777A
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JP
Japan
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stamper
mother
master
electroforming
coating material
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JP21074497A
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English (en)
Inventor
Hironobu Sato
博信 佐藤
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Kao Corp
Original Assignee
Kao Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】電鋳工程におけるスタンパ間の剥離を防止する
ことにより、欠陥の少ないスタンパの複製方法を提供す
る。 【解決手段】マスタースタンパ1、或いは、マザースタ
ンパ4の電鋳処理領域最外周部を被覆材2で覆った後、
電解酸化処理により剥離皮膜3を形成し、次いで、被覆
材2を剥がした後、マスタースタンパ1、或いは、マザ
ースタンパ4の表面に電鋳処理を施してニッケルメッキ
膜を形成し、このニッケルメッキ膜を剥離してマザース
タンパ4、或いは、サンスタンパ5を得るようにしたこ
とを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクのスタ
ンパを複製するための製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、光ディスクを複製するためのスタ
ンパの製造方法は、所定パターンのの凹凸によって情報
が記録されたレジスト膜を形成したガラス原盤から、電
鋳法でニッケルメッキを行ってマスタースタンパを形成
する。次に、ガラス原盤から剥離したマスタースタンパ
に同じく電鋳法でニッケルメッキを施しマザースタンパ
を形成し、更に、マスタースタンパから剥離したマザー
スタンパに同様にしてニッケルメッキを施しサンスタン
パを形成する。そして、マザースタンパから剥離したサ
ンスタンパが、前記情報が転写された光ディスク複製用
スタンパとして用いられる。
【0003】ここで、マスタースタンパとマザースタン
パ、或いは、マザースタンパとサンスタンパの剥離を行
い易くするため、ニッケルメッキを施す前に、マスター
スタンパ、或いは、マザースタンパの表面に剥離皮膜を
形成している。剥離皮膜を形成する方法としては、電気
化学的方法によるウェット処理、UV−O3 及び窒素或
いは酸素ドライアッシングによるドライ処理がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ドライ処理では、剥離皮膜を形成するのに時間がかかる
という問題がある。また、ウェット処理で作製した剥離
皮膜は剥離性が良好過ぎるため、スタンパ全面に剥離皮
膜を形成すると、ニッケルメッキを形成するための電鋳
処理中にスタンパとメッキ膜が一部剥離し、メッキ液が
しみ込んでシミになったり、電鋳後に、スタンパを固定
しているカバーを外す時に、メッキ膜が剥離後スタンパ
と再接触する。そのため、欠陥が多く発生し易く問題と
なっている。
【0005】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
で、マスタースタンパからマザースタンパ、或いは、マ
ザースタンパからサンスタンパを形成する際の電鋳工程
中における、互いのスタンパ型の剥離を防止することに
より、欠陥の発生を防止して良質なスタンパを製造でき
るスタンパの複製方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】このため、請求項1に係
る発明では、凹凸により情報を形成した第1のスタンパ
型の外周部表面を被覆材で覆った後、電解酸化処理によ
り前記第1のスタンパ型表面に剥離皮膜を形成し、次い
で、前記被覆材を剥がした後、第1のスタンパ型表面に
電鋳処理を施して第2のスタンパ型を形成し、この第2
のスタンパ型を剥離して前記情報を転写したスタンパを
製造することを特徴とする。
【0007】かかる構成では、第1のスタンパ型に電鋳
処理を施す前に、第1のスタンパ型の電鋳処理領域外周
部表面を被覆材で覆い外気と遮断させた後に、電解酸化
処理を行って剥離皮膜を形成する。こうすることによ
り、被覆材で覆った表面領域には剥離皮膜が形成され
ず、それより内側の表面領域だけに剥離皮膜が形成され
る。その後、被覆材を剥がして第1のスタンパ型に電鋳
処理を施すことにより、第1のスタンパ型の外周部表面
では密着性の高いメッキ膜が形成され、電鋳処理中に、
第1のスタンパ型と第2のスタンパ型が剥離することを
防止でき、互いのスタンパ型の間に隙間が形成されず電
鋳液のしみ込みを防止できるようになる。
【0008】第1のスタンパ型及び第2のスタンパ型と
しては、具体的には、請求項2に記載のように、第1の
スタンパ型がマスタースタンパであり、第2のスタンパ
型がマザースタンパであってもよく、また、請求項3に
記載のように、第1のスタンパ型がマザースタンパであ
り、第2のスタンパ型がサンスタンパであってもよい。
【0009】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図1(a)〜(f)は、本発明の
スタンパ製造方法の一実施形態を示し、マタスースタン
パからサンスタンパを得るまでの製造工程図を示す。例
えば平滑なガラス基板上にレジストを塗布し、記録する
情報に応じた所定パターンをレーザービームカッティン
グし、続いて現像することより凹凸パターンを形成して
得たガラス原盤表面に電鋳処理によりニッケルメッキを
行い円盤状の第1のスタンパ型となるマスタースタンパ
1を得る。このマスタースタンパ1表面の電鋳処理領域
の外周部を、図1中の(a)で示すように被覆材2で覆
う。被覆材2で覆う領域は、電鋳領域の最外周部から約
5〜15mm内側までとし、好ましくは約10mm程度
がよい。被覆材2としては、スタンパ表面の保護のため
に普通に使用されるラッカーやゴムシートを用いること
ができる。ラッカーを被覆材として使用する場合はスピ
ンコート等により塗布するようにすればよい。
【0010】図2に、マスタースタンパ1を被覆材2で
覆った状態の平面図及び断面図を示す。図2において、
マスタースタンパ1表面の電鋳処理領域の最外周位置1
a(図中点線で示す)より内側に長さA(A=5〜15
mm)まで被覆材2で覆う。図中、1bは凹凸を形成す
る記録領域である。尚、被覆材2は、前記最外周位置1
aの内側のみに存在すればその役割を果たすが、実際に
は、スピンコートで被覆材2を形成する場合には、最外
周位置1aの内側のみにコーティングするのは困難であ
り(つまり、最外周位置1aの内側のみに被覆材を滴下
しても遠心力で被覆材は必然的に最外周位置1aの外側
にまで広がる)、図1(a)、図2で示すように、マス
タースタンパ1の最外縁部から最外周位置1aの内側ま
で被覆材2が存在する状態となる。
【0011】この状態で、マスタースタンパ1表面を電
解酸化処理して剥離皮膜を形成し、その後、被覆材2を
剥がし、マスタースタンパ1表面を洗浄する。このよう
にして、図1中の(b)に示すように、マスタースタン
パ1表面の被覆材2で覆われていた領域を除いた電鋳処
理領域のみに剥離皮膜3を形成する。次いで、剥離皮膜
3を有するマスタースタンパ1の表面に電鋳処理を施
し、図1中の(c)に示すように、ニッケルメッキして
第2のスタンパ型であるマザースタンパ4を形成する。
マスタースタンパ1上に形成したマザースタンパ4を剥
離させることにより、図1中の(d)に示すようなマザ
ースタンパ4が得られる。
【0012】その後は、上述したマザースタンパ4を形
成する工程と同様に、マザースタンパ4の電鋳処理領域
の最外周部から内側5〜15mmの範囲まで被覆材2で
覆った後に電解酸化処理によってマザースタンパ4表面
に剥離皮膜3を形成し、被覆材2を剥がした後に電鋳処
理を施してニッケルメッキすることで、図1の(e)に
示すように、マザースタンパ4上にサンスタンパ5を形
成する。尚、図1の(e)では、剥離皮膜3は省略して
ある。
【0013】そして、マザースタンパ4上に形成したサ
ンスタンパ5を剥離させることにより、図1中の(f)
に示すような、複製用スタンパとして用いられるサンス
タンパ5が得られる。ここで、マザースタンパ4からサ
ンスタンパ5を製造する工程においては、マザースタン
パが第1のスタンパ型に相当し、サンスタンパ5が第2
のスタンパ型に相当する。
【0014】このように、電鋳法によるニッケルメッキ
処理を施す前に、マスタースタンパ1、或いは、マザー
スタンパ4の表面の電鋳処理領域の外周部近傍を被覆材
2で覆い、その後に電解酸化処理して剥離皮膜3を形成
することにより、マスタースタンパ1とマザースタンパ
4の外周部、或いは、マザースタンパ4とサンスタンパ
5の外周部における密着性が良好となる。これによっ
て、電鋳処理中に、両者の一部が剥離して隙間からメッ
キ液がしみ込むことを防止でき、また、剥離後にマスタ
ースタンパとマザースタンパ、或いは、マザースタンパ
とサンスタンパが再接触することもなく、欠陥の極めて
少ないスタンパの複製が可能となる。
【0015】[実施例]以下に本発明の効果を具体的に
示すために、実施例をあげて説明する。 (実施例1)マスタースタンパ表面の外周部(電鋳処理
領域の最外周位置)から約10mm内側まで、スタンパ
の表面保護のために普通に使用されるラッカー(被覆
材)を約30μm厚になるようにスピンコートし、80
℃、20分の条件で乾燥させ、外気と遮断する。その
後、下記に示す電解酸化処理条件の下で、マスタースタ
ンパ表面に電解酸化皮膜処理を15秒間行う。
【0016】 電解酸化処理条件 電解浴: リン酸三ナトリウム・12水 25g/l n−ドデシル硫酸ナトリウム 0.5g/l 浴温度: 50℃ 電圧 : 3V一定 この電解酸化皮膜処理後、外周部のラッカーを剥がし、
マスタースタンパ表面全体を純水で洗浄する。これによ
り、ラッカーを塗布した領域を除く電鋳処理領域に剥離
皮膜が形成される。このような剥離皮膜が形成されたマ
スタースタンパ表面上に、下記の電鋳処理条件の下で電
鋳処理を行い、ニッケルメッキ膜を形成した。
【0017】 電鋳処理条件 電鋳液: ニッケル金属 92g/l スルファミン酸ニッケル 510g/l ホウ酸 34g/l 55℃ pH=4.0 処理条件 3.5mA/mm2 (最大電流密度) 89.3AH(マザー作製時) 78.8AH(サン作製時) メッキ厚: 300μm この電鋳処理後、純水でスタンパに付着している電鋳液
を洗い流し、乾燥窒素を吹きかけて十分に乾燥させる。
そして、鋭利な刃で外周部に切り込みを入れ、マスター
スタンパからメッキ膜を剥離させ、マザースタンパを得
る。
【0018】上述の作業を5回繰り返し行い、マザース
タンパを5枚作製した。次いで、5枚目のマザースタン
パを用いて、上述のマザースタンパ製造工程と同様の作
業を行い、サンスタンパを10枚作製した。そして、作
製したサンスタンパのうち、1枚目、5枚目、10枚目
の各記録面を顕微鏡で全周観察した。その結果、5μm
以上の欠陥が、1枚目は2個、5枚目と10枚目は3個
と少なく、シミ状欠陥はどれも観察されなかった。
【0019】(実施例2)ラッカーの代わりに、厚さ約
0.3mmのシリコンゴムシートを被覆材として使用し
た以外は、実施例1と同様にして、5枚のマザースタン
パ及び10枚のサンスタンパを製造した。そして、作製
したサンスタンパのうち、1枚目、5枚目、10枚目の
各記録面を顕微鏡で全周観察した。
【0020】その結果、5μm以上の欠陥はどれも2個
と少なく、シミ状欠陥は観察されなかった。 (比較例1)ラッカーを塗布しなかった以外は、実施例
1と同様にして、サンスタンパを10枚作製してその表
面を観察した。
【0021】その結果を、下記に示す。 上記の結果から、被覆材を使用しない従来の製造方法で
は、サンスタンパ製造工程中に、マザースタンパとサン
スタンパの剥離が起こり、多数の欠陥やシミが発生した
ものと考えられる。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1〜3に記
載の発明によれば、電鋳処理工程中における、マスター
スタンパとマザースタンパ、或いは、マザースタンパと
サンスタンパの間の外周部が密着されるので、両者の剥
離を防止することができる。これによって、両者の隙間
からの電鋳液の侵入を防止でき、欠陥の極めて少ないス
タンパの複製が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のスタンパの複製方法の一実施形態を示
す製造工程図
【図2】(A)はマスタースタンパ表面に被覆材を設け
た状態の平面図、(B)は(A)図の断面図
【符号の説明】
1 マスタースタンパ 2 被覆材 3 剥離皮膜 4 マザースタンパ 5 サンスタンパ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】凹凸により情報を形成した第1のスタンパ
    型の最外周近傍表面を被覆材で覆った後、電解酸化処理
    により前記第1のスタンパ型表面に剥離皮膜を形成し、
    次いで、前記被覆材を剥がした後、第1のスタンパ型表
    面に電鋳処理を施して第2のスタンパ型を形成し、この
    第2のスタンパ型を剥離して前記情報を転写したスタン
    パを製造することを特徴とするスタンパの複製方法。
  2. 【請求項2】前記第1のスタンパ型がマスタースタンパ
    であり、第2のスタンパ型がマザースタンパである請求
    項1に記載のスタンパの複製方法。
  3. 【請求項3】前記第1のスタンパ型がマザースタンパで
    あり、第2のスタンパ型がサンスタンパである請求項1
    に記載のスタンパの複製方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100746360B1 (ko) 2006-08-31 2007-08-06 삼성전기주식회사 스템퍼 제조방법
US8603349B2 (en) 2010-12-15 2013-12-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing nanoimprint stamp

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100746360B1 (ko) 2006-08-31 2007-08-06 삼성전기주식회사 스템퍼 제조방법
US8603349B2 (en) 2010-12-15 2013-12-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing nanoimprint stamp
US8741162B2 (en) 2010-12-15 2014-06-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing nanoimprint stamp

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