TWI237823B - Preparation of optical disk master - Google Patents

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1237823 A7 ___ B7 五、發明説明ο ) 發明背景 發明領域 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於一種製造光碟原盤的方法，而此原盤是 用於製造光碟基底。 習知技術說明 光碟包括一次寫入可多次讀取或可再寫入的光學記錄 碟片以及唯讀碟片。光學記錄碟片具有形成在碟片基底上 的記錄層，這些基底在表面上設置有用以追蹤及其他目的 的（導引）溝紋。在唯讀碟片中，帶有資訊的坑是被整體 地形成在碟片基底的表面上。 碟片基底一般是藉由射出成形樹脂利用具有負的坑與 溝紋圖案之模子而製成。此模子一般是由鎳形成的。爲了 製造模子，首先要製造光碟原盤。一般使用以下的程序來 製造光碟原盤。首先，將一光阻層塗敷到玻璃基底的表面 上。此光阻層以雷射光曝光而形成想要圖案的潛影（latent 1 m a g e )，接著是顯影。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 使用光碟原盤，通常藉由以下程序來製造模子。首先 ，在光碟原盤上的光阻層之表面產生導性·，藉由濺射或無 電電鍍而形成鎳或類似物的一金屬薄膜。然後施加電成型 (electroformmg )以沉澱鎳模或類似物在此金屬薄膜上。 然後，將金屬薄膜與此電成型膜的疊層從光阻層上剝下。 此疊層就是用以作爲模子原盤。此模子原盤可以直接作爲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-4 - 1237823 A7 B7 五、發明説明p ) 淸洗及烘乾步驟，則光阻層表面大致上是不會溶解的，如 此可允許溝紋或坑形成具有較窄的寬度或較小的直徑。在 此專利案中，在曝光之前的顯影是在濃度5 0 %下進行 1 0秒鐘。 曰本專利案6 — 2 6 0 4 0 7中揭示一種形成光阻圖 案的方法，藉由在一半導體基底上塗敷光阻層，在此光阻 層上以強鹼處理而在光阻層的表面中形成一不溶層，接著 曝光及顯影。這種處理的機制如下··由於強鹼的處理，在 光阻中低分子重量的成分在強鹼的作用下會溶.解出來，藉 此光阻層的表面會變硬，且同時，在合成酚醛樹脂與光阻 中的光敏群組之間會發生偶氮偶合作用（azo-coupling reaction )以在光阻層表面中形成一不溶解層。此不溶解層 維持光阻層的未曝光區中之溶解速率，導致正向作用光阻 的溶解度提昇。在此專利中，藉由在光阻層上建立一氫氧 化季錢（quaternary ammonium hydroxide )而產生強驗處理 〇 在上面所提到的日本專利案1 一 3 1 7 2 4 1與 6 - 2 6 0 4 0 7中，光阻層藉由以顯影劑或氫氧化季銨 處理之後大致上是不溶解的，藉此可以達到增加的溶解度 。像這樣作爲顯影劑與氫氧化季銨溶液的強鹼溶液是需要 藉由中和而予以安全處理的，如此的後續處理會增加成本 〇 在曝光之後光阻變得可溶解於強鹼中。因此，如上述 專利案中所提到的，在曝光之前就必須產生強鹼處理。藉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-6 - .-IU---,——— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1237823 A7 B7 五、發明説明（4 ) 由浸入強鹼溶液或噴淋強鹼溶液可產生強鹼處理，如此必 定無可避免必須接著以純水淸洗與烘乾。由於在實施照相 石版印刷線內模式（in-line mode ) —系列步驟中通常沒有 合倂於光阻塗敷步驟與曝光步驟之間的淸洗與烘乾單元， 所以強驗處理必須在線外（〇 f f - Π n e )貫施。 發明槪述 本發明的一目的是要提供一種製造光碟原盤的方法， 此原盤具有較細微的圖案，且成本減少，對於製造系統來 說僅產生最小的負擔。 ‘ 本發明係關於一種製造光碟原盤的方法，此原盤在其 表面上具有突起/凹下的圖案，包含以下步驟：在一基底 上塗敷光阻層、將此光阻層曝光以形成突起/凹下圖案的 潛影，以及將此潛影予以顯影。根據本發明，以表面活化 劑處理光阻層的步驟是在曝光步驟之前或在曝光步驟與顯 影步驟之間實施的。處理步驟最好是在曝光步驟與顯影步 驟之間實施。處理步驟最好包括將表面活化劑的溶液藉由 旋轉沖洗或浸泡而與光阻層接觸。典型的表面活化劑是一 種非離子表面活化劑。最好是在處理步驟中使用〇 · 1到 1 0 %重量百分率濃度的表面活化劑溶液。· 曝光步驟最好是將光阻層曝光至D i的放射劑量，以滿 足以下的關係：1 · 1< = Di/D〇< = 2 ，其中D。是 當不包括處理步驟時，用於光阻層的最佳曝光劑量。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-7 - I I —Γ- I— 1, - »11 - - * ...... I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1237823 A7 ____ _ B7 五、發明説明（5 ) 圖示簡易說明 圖1說明根據本發明製造光碟原盤及製造模子原盤的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一系列步驟。 圖2是一顯示溝紋寬度對溝紋深度之圖形。 圖3是一顯示相對溝紋深度對曝光劑量之圖形。 圖4是一顯示相對溝紋深度對曝光劑量之圖形。 圖5是一顯示相對溝紋深度對曝光劑量之圖形。 主要元件對照表

基底 光阻層 模子原盤 碟片原盤 潛影圖案 金屬薄膜 金屬膜 經濟部智慧財1局員工消費合作社印製 較佳實施例之詳細說明 習知的製造光碟原盤之方法中包括以下步驟：在一基 底上塗敷光阻層，將此光阻層用高士光線·（ Gaussian beam )的雷射光曝光以形成潛影，以及將此潛影予以顯影。 根據本發明，在塗敷步驟與曝光步驟之間，或者在曝 光步驟與顯影步驟之間設置一用表面活化劑處理光阻層的 步驟。在接下來的曝光步驟之前，使光阻層與表面活化劑 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） 1237823 A7 B7 五、發明説明@ ) 接觸能夠形成一較細微的圖案。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 雖然目前尙未完全了解爲什麼可以藉由表面活化劑而 減少有小的光點直徑，但是可以確信的是在表面活化劑之 後的顯影會選擇性地被限制在光阻層的光阻層的平面方向 上。當相較於其中凹下的圖案到達光阻層底部之情形時， 本發明可以形成比習知技術更窄寬度的凹下圖案。 在上面提到的日本專利案1一317241及 6 — 2 6 0 4 0 7中，光阻層是不溶解於顯影劑或氫氧化 季銨中的，藉此達成增加的解析度（resolution.)。本發明 中光阻層用一劑予以處理而變得大致上不溶解，這一點是 與其他專利案可相比的。然而，不像顯影劑或氫氧化季銨 等強鹼劑，本發明所使用的表面活化劑不需要小心處理或 不需要將用過的溶液予以中和。此外，相較於強鹼劑來說 ，表面活化劑並不昂貴。在使用本發明時，即使一般商業 可得的中性洗滌劑亦可以大約1 %如此低的濃度來作爲表 面活化劑。本發明在減少額外處理所產生的成本增加上是 相當成功的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由於在曝光之後會變成可溶解性的光阻並不會溶解在 表面處理劑中，所以可在曝光步驟之後實施本發明的表面 活化劑處理。如上所述，在光阻塗敷步驟與曝光步驟之間 ，線內照相石版印刷系統不需要淸洗與烘乾，所以習知技 術中在曝光之前所進行的強鹼處理則必須是線外操作。相 比之下，曝光步驟之後的顯影步驟具有一個需要修邊的邊 界，且因此使得表面活化劑處理、水淸洗及烘乾可以在顯 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） ~ 1237823 A7 B7 五、發明説明（7 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 影步驟之前合倂成線內步驟。因此，本發明可允許表面活 化劑處理在曝光步驟與顯影步驟之間產生，且可以應用至 習知的線內照相石版印刷系統上。 參考圖1 A到1 F，將一步一步地說明根據本發明製 造光碟原盤的方法。 首先，如圖1 A所示，供應一基底1。由玻璃形成的 基底1已經將一表面予以拋光、淸潔與烘乾。一般基底1 具有一預先形成在表面上的偶合層，以增強欲塗敷的光阻 之黏著性。要知道的是基底1可以由任何除了 .玻璃以外的 材質而形成。· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然後，如圖1 B所示，具有正光阻材質的光阻層2是 被塗敷到基底1上。光阻層2是藉由塗敷一光阻溶液且將 它預烘或熱處理以蒸發溶劑而形成的。雖然一般厚度是在 2 0到2 0 0 n m的範圍內，但是光阻層2的厚度仍可以 藉由考慮想要的坑或溝紋深度而適當地決定。所使用的光 阻材質並非十分要緊，但最好是具有高靈敏性，在顯影時 不會剝落且會產生很平滑的表面等性質之材質。這樣的光 阻材質可以從T〇K股份有限公司在〇F P R及T S M R 系列，從Clanant公司的ΑΖ1500及ΑΖ7000系列 、Nippon Zeon股份有限公司的D V R系列，以及Shipley 公司的S 1 8〇〇與S 9 9 0 0系列中獲得。 其次，光阻層的表面以一表面活化劑予以處理。爲了 進行此表面活化劑處理，光阻層最好是藉由旋轉沖洗或浸 泡而與表面活化劑溶液接觸。表面活化劑溶液最好具有 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^1〇 - 一 1237823 A7 B7 五、發明説明@ ) 0 · 1到1 0 %的重量百分率濃度。濃度太低會導致處理 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 不夠完全，但是濃度太高則會使表面活化劑即使以水淸洗 之後仍會傾向殘留在光阻層上，如此會產生不均勻的顯影 。在此所使用的表面活化劑也不是很要緊的，可以選擇包 括兩性的、陰離子、陽離子及非離子的表面活化劑。水在 此通常作爲溶劑。 表面活化劑保持與光阻層接觸的時間也不是很要緊。 建議至少1 0秒的接觸時間。然而，不需要保持接觸超過 1 2 0秒，因爲僅增加接觸時間並不會增強處理的效果。 要知道的是表面活化劑處理亦可以在曝光步驟與顯影 步驟之間進行。 在表面活化劑處理之後，光阻層整個以水淸洗且被烘 乾。其次，光阻層藉由一雷射記錄器而曝光成想要的圖案 ，形成如圖1 C所示的潛影圖案2 1。雖然最好是較多的 曝光劑量，但是如習知一般的曝光條件也是可以的。明確 地說，光阻層被曝光至D i的放射劑量，以滿足以下的關係 :1 · l< = Di/D〇< = 2 ，其中D。是當不包括處理 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 步驟時，用於光阻層的最佳曝光劑量，而D τ是當包括表面 活化劑處理時，用於光阻層的最佳曝光劑量。由於表面活 化劑處理，顯影被有一點限制，且光阻層溶解成想要圖案 的溶解程度會有一點受到阻礙，如此便需要延長顯影時間 。然而，較長的顯影時間會使光阻層剝落。因此最好是設 定D i / D 〇大於等於1 · 1以避免長期的顯影。然而，太 大的D ^ / D 〇値，會過度增加光阻層溶解成想要圖案的溶 本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-11 - 1237823 A7 B7 五、發明説明（9 ) 解速率’致使所需的顯影時間變得很短。結果，難以控制 顯影且顯影的再現性（reproducibity )就會變得不完全。 因此，最好限制D z / D 〇爲小於等於2。最佳曝光劑是指 允許凹下圖案能夠在顯影結束時完全抵達光阻層底部之曝 光劑量，亦即’圖案會藉由完全溶解而妥善界定且圖形輪 廓會產生最小的崩潰。由於相較於習知技術，本發明並不 需要求曝光劑量很明顯地增加，所以對雷射光記錄器所產 生的額外負荷很小。 在曝光之後的顯影產生有圖案的光阻層2 .。獲得一光 碟原盤1 0具有如圖1 D所示的圖案光阻層2。顯影條件 並不是很要緊，且可以如同習知技術的條件。最好是顯影 時間大約在1 0到1 5 0秒。顯影時間太短會難以控制顯 影’但是顯影時間太長又會使光阻層剝落。 在顯影及烘乾之後，假如需要的話，可以在帶有光阻 層的表面上形成鎳的金屬薄膜3 1或類似物。例如，此金 屬薄膜3 1可以藉由無電電鍍或濺射而沉澱。其次，藉由 電成型，如圖1 E所示在金屬薄膜3 1上形成鎳的金屬膜 3 2或類似物。包含金屬薄膜3 1及金屬膜3的疊層被從 帶有光阻層的表面上剝落。此疊層則變成模子原盤3。 範例 以下用以說明而非限制地提供本發明之範例。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）· 12 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 、可 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1237823 A7 _B7 五、發明説明（1〇 ) 範例1 (兩性表面活化劑） 利用T〇K股份有限公司的正向作用光阻〇F P R -800，藉由旋轉塗敷而塗敷至碟片狀的玻璃基底上，然 後熱處理以形成大約1 5 0 n m厚的光阻層。 其次，在基底上的光阻層以1 %兩性表面活性劑溶於 純水中所成的溶液藉由旋轉沖洗3 0秒。在此所使用的兩 性表面活性劑是Create Chemicals股份有限公司的烷基胺氯 化物C P - 6。在此處理之後，光阻層以超純水藉由旋轉 沖洗9〇秒。 使用雷射光記錄器，包括一光學系統，其物鏡具有 〇.9的數値孔徑，且其雷射照射源具有4 1 3 n m的波 長，光阻層被曝光雷射光以形成含有坑圖案及溝紋圖案的 潛影。曝光劑量設定在D ! / D 〇爲1 . 4。 其次，已曝光的光阻層利用Shipley公司的Microposit 顯影劑予以顯影，產生一光碟原盤。然後，使用無電鎳電 鍍以在帶有光阻層的表面上形成一鎳薄膜。在此鎳薄膜上 電成型另一個鎳膜。鎳薄膜與電成型的鎳膜之疊層被從基 底剝落，產生一模子。使用此模子實施聚碳酸脂的射出成 型，製造具有聚碳酸脂的光碟基底。 爲求比較，所以利用上述方式製造一，（習知）光碟基 底，除了省略表面活化劑之外。 這些光碟基底在掃描型電子顯微鏡下觀察其坑與溝紋 寬度。根據本發明的光碟基底在坑與溝紋寬度上，比起習 知光碟基底大約小2 0 %。以下資料顯示出本發明的效果 本纸張又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐）-Ίΐ3 - --.---.I--l··裝II (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1237823 A7 B7 五、發明説明（11 ) 〇 範例2 (兩性表面活化劑） 塗敷如範例1之光阻層，除了厚度大約爲2 0 0 n m 之外。然後如同範例1以表面活化劑處理，且以水淸洗。 使用如範例1之相同的雷射光記錄器，於是在光阻層亦形 成含有坑及溝紋圖案的潛影。實施曝光使得曝光劑量可以 從內圍到外圍連續地減少。接著的程序均與範例1相同， 獲得一光碟基底。 爲求比較，所以利用上述方式製造一（習知）光碟基 底，除了省略表面活化劑之外。 這些光碟基底在掃描型電子顯微鏡下觀察其坑與溝紋 寬度。圖2顯示在光碟基底中的溝紋之寬度與深度。在暴 露於相當大劑量的照射區中，溝紋抵達光阻層的下表面且 具有寬度件增的U形剖面，由於曝光劑量很充分，即使在 觀點的外圍。溝紋寬度隨著曝光劑量的減少而減少。當曝 光劑量更進一步減少時，溝紋則不會抵達光阻層的下表面 且具有V形的剖面。當剖面形狀從U形改變成V形時，溝 紋寬度在此則表示可以達到的最小溝紋寬度。最小溝紋寬 度對於本發明所測量的光碟基底來說是0 .· Γ 8 // m，而 習知光碟基底是0 · 2 3//m。 如此指出本發明可以允許最小溝紋寬度能夠減少大約 2 0%。 ---.---ΓI-—丨 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） '14 * 1237823 A7 B7 五、發明説明（12 ) 範例3 (兩性表面活化劑） 製造如範例2的光碟基底，除了實施浸泡9 0秒的表 面活化劑處理之外。正如同範例2的光碟基底，相較於習 知光碟基底，此範例的光碟基底亦在最小溝紋寬度上減少 大約2 0 % 〇 圖3顯示相對溝紋寬度作爲曝光劑量的函數。圖3亦 顯示經由以旋轉沖洗表面活化劑處理所製造的光碟基底與 沒有經過表面活化劑處理的習知光碟機構之資料。要注意 的是相對溝紋深度是溝紋深度對於光阻層厚度.的比率（百 分比）。本發明在相對溝紋深度與曝光劑量上提供很大的 改變率（解析度）。高解析度相應於顯影的高臨界値，促 進形成較窄的溝紋。從這些結果可以推斷本發明的效果與 解析度的增進有很大的關聯。 範例4 (非離子表面活化劑） 製造如範例2的光碟基底，除了使用1 %非離子表面 活化劑的溶液代替1 %兩性表面活化劑溶液之外。正如範 例2的光碟基底，相較於習知光碟基底，此範例的光碟基 底亦在最小溝紋寬度上減少大約2 0 %。 圖4顯示相對溝紋寬度作爲曝光劑量的函數。圖4亦 顯示經由兩性表面活化劑處理所製造的光碟基底與沒有經 過表面活化劑處理的習知光碟機構之資料。從圖4可以看 出使用中性洗滌劑（非離子表面活化劑）可以在相對溝紋 深度與曝光劑量上產生很高的改變率（解析度），正如兩 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNSyA4規格（210X297公釐）~5 - ： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) |裝- 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1237823 Α7 Β7 五、發明説明（13 ) 性表面活化劑一樣。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 範例5 比較在曝光之前處理與在曝光之後處理 製造如範例4的光碟基底，除了表面活化劑處理是在 曝光步驟之後以外。如同範例4的光碟基底（其中表面活 化劑處理是在曝光步驟之前），正如範例2的光碟基底， 相較於習知光碟基底，此範例的光碟基底亦在最小溝紋寬 度上減少大約2 0 %。 . 爲求比較，如範例4 一樣製造光碟基底，除了實施以 顯影劑的強鹼處理代替表面活化劑之外。正如範例4的光 碟基底，相較於習知光碟基底，此範例的光碟基底亦在最 小溝紋寬度上減少大約2 0 %。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖5顯示相對溝紋爲曝光劑量的函數，其中表面活化 劑處理是在曝光步驟之後（後處理）。圖5亦顯示如圖4 其中表面活化劑處理步驟在曝光步驟之前的光碟基底（預 處理）、經由強鹼處理製造的比較性光碟基底，及沒有經 過表面活化劑處理的習知光碟基底之資料。從圖5可以看 出，預處理及後處理兩者其相對溝紋深度與曝光劑量的改 變率（解析度）均可以相比於強鹼處理所得的結果。 範例6 就表面活化劑濃度所作的比較 製造如範例2的光碟基底，除了光阻層的厚度爲3 0 ί紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐) 「16 - " 一 1237823 B7 五、發明説明（14 ) n m，且表面活化劑溶液的濃度及顯影時間是如袠1所$ 的變化之外。而且，在雷射光記錄器中的入射光通量直徑 也有所改變，以便產生0 · 3 7 // m的光點直徑（提供在 高士光線中心強度爲1 / e 2的直徑），反之在範例2中的 光點直徑爲0 · 4 5//m。要注意的是在表1中的顯影時 間式直到以2 m J / m的曝光劑量所形成之監視器溝紋的 潛影變成具有〇 · 2 5 A m的寬度之可見影像時所經歷的 時間。 如範例2，測量這些光碟基底以取得最小.溝紋寬度。 所顯影的光阻模型可以根據顯影變化而可被觀察出來。結 果顯示在表1中。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表1 溶液濃度（％) 顯影時間（s) 最小溝紋寬度（// m) 變化 101* 未處理 47 0.185 零 102 0.1 75 0.15 零 103 1 126 0.14 零 104 5 121 0.135 零 105 10 107 0.14 — 106 20 118 0.14 有變化 *表示習知 本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）-17- 1237823 A7 ___ B7 五、發明説明（15 ) 從表1中很明顯的是即使當表面活化劑溶液具有 0 · 1 %的濃度而已，表面活化劑對於減少最小溝紋寬度 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 仍很有效果。亦可以看出表面活化劑處理需要延長顯影時 間。只要表面活化劑溶液具有大於等於0 · 1 %的濃度， 則所需的顯影時間對於增加的濃度大致上不會有太大的變 化，同時最小溝紋寬度大致上也沒有什麼變化。 範例7 就曝光劑量之間的比較 製作如範例2的光碟基底，除了表面活化劑溶液具有 0 · 1 %的濃度、曝光劑量將D i / D 〇設定爲表所示的値 ，且顯影時間亦如表2所示。光點直徑是0 . 3 7 # m。 表2的顯影時間是利用如範例2的監視器溝紋而決定的， 且用於監視器溝紋，曝光劑量被設定爲D : / D 〇的因素。 如範例2，測量這些光碟基底以取得最小溝紋寬度。 結果如表2所示。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 適 尺 紙一本 準 標 家 國 國 公 97 2 1237823 A7 ______ B7 五、發明説明（16 ) 表2 溶液濃度（％) Di/D〇 顯影時間（s) 最小溝紋寬度ΠΊ) 201* 未處理 1 47 0.185 202 1 1 126 0.14 203 1 1.1 76 0.135 204 1 1.5 30 0.14 205 1 2 13 0.135 *表示爲習知 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) i裝- 、τ 從表2可以看出，可藉由增加曝光劑量而減少顯影時 間。但是最小溝紋寬度仍然大致上不會隨增加的曝光劑量 而變化。 本發明的優點 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據本發明的製造光碟原盤之方法，以表面活化劑處 理光阻層表面之步驟是在曝光之前或之後進行的，可以在 光阻層上產生比習知技術更小的坑或溝紋。表面活化劑並 不昂貴且消除了特別處理或用過溶液的中和之需要。本發 明可以在現存光碟原盤製造系統中實施而不需增加任何特 別的機器。 日本專利申請案Nos · 2000-1 1 3708及 2 0 0 1 - 0 7 3 8 6 2在此倂入作爲參考。 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-19 -

Claims (1)

1. 1237823 六、申請專利範圍 1--— 第90 1 08580號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國94年5月6日修正 1 · 一種製造光碟原盤的方法’此原盤在其表面上具 有突起/凹下的圖案，包含以下步驟： 在一基底上塗敷一光阻層， 將此光阻層曝光以形成此突起/凹下圖案的潛影， 將此潛影予以顯影，及 在曝光步驟之前或在曝光步驟與顯影步驟之間以表面 活化劑處理此光阻層。 2 ·根據申請專利範圍第1項之方法，其中該表面活 化劑是非離子表面活化劑。 3 ·根據申請專利範圍第1項之方法，其中以表面活 化劑處理光阻層的步驟使用具有重量百分率0 . 1到1 0 %的表面活化劑溶液。 4 ·根據申請專利範圍第1項之方法，其中曝光步驟 是將光阻層曝光至D〗的放射劑量，而滿足以下的關係： 1 · 其中D。是當不包括處理步驟時 ，用於光阻層的最佳曝光劑量。 5 ·根據申請專利範圍第1項之方法，其中以表面活 化劑處理光阻層的步驟包括藉由旋轉沖洗或浸泡將表面活 化劑溶液與光阻層接觸。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、π 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 1 1237823 第9010858〇號專利申請案中文圖式替換百 民國9斗年5月6日修正 敗' 第2圖 .鱷... • 窗 # · 赢 1 竇------------------------- 1 250 ^ 200 1 150 |100 * 50 0 0.05 0.15 0.25 溝寬度(//m) 0.35 已處理 ❼未處理 圖 3第 ο ο ο ο 5 0 5 if 1. S-11 5 1— 2. Φ未處理 _旋轉沖洗 ►:>浸泡