KR200231868Y1

KR200231868Y1 - 반도체웨이퍼의포토레지스트제거장치

Info

Publication number: KR200231868Y1
Application number: KR2019980021291U
Authority: KR
Inventors: 우종식
Original assignee: 김영환; 현대반도체 주식회사
Priority date: 1998-11-03
Filing date: 1998-11-03
Publication date: 2001-10-25
Also published as: KR20000009381U

Abstract

본 고안은 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치에 관한 것으로, 종래에는 적어도 2개 이상의 장치가 필요하게 되는 것은 물론 포토레지스트 제거공정이 길어지게 되어 생산성이 저하되고, 메인 아암의 세팅 오류시 웨이퍼가 웨이퍼 척에 편심 흡착되어 패턴이 손상되거나 포토레지스트형 파티클이 발생되는 문제점이 있었던 바, 본 고안에서는 메인몸체에 설치되어 웨이퍼를 흡착하는 웨이퍼 척과, 그 웨이퍼 척에 흡착된 웨이퍼의 상측에 배치되어 희석제를 분사시키는 시너라인과, 상기 웨이퍼 척을 θ방향으로 회전운동시키는 θ방향 구동모터와, 상기 웨이퍼 척을 X방향으로 수평이동시키는 X방향 구동모터와, 상기 웨이퍼 척을 Y방향으로 수평이동시키는 Y방향 구동모터와, 상기 메인몸체에 고정 설치되어 웨이퍼의 중심을 검지하는 센터링용 감지수단과, 상기 메인몸체에 고정 설치되어 웨이퍼의 플랫존을 양측을 검지하는 플랫존 감지수단을 포함하여 구성함으로써, 웨이퍼의 라운드부위는 물론 플랫존부위의 포토레지스트를 하나의 장치로 일괄 처리할 수 있게 되고, 웨이퍼의 중심과 웨이퍼 척의 중심을 일치시키게 되어 웨이퍼의 플랫존에 대한 포토레지스트의 제거작업이 정확하게 수행될 수 있다.

Description

반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치

본 고안은 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치에 관한 것으로, 특히 플랫존 린스를 정확하게 수행할 수 있을 뿐만 아니라 하나의 유니트(Unit)를 이용하여 슬라이드 린스는 물론 웨이퍼의 플랫존 린스까지 함께 수행할 수 있는 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 제조공정중에서 포토공정기술(Photolithography)은 필요한 패턴이 형성된 마스크 또는 레티클을 실제 반도체 칩을 만드는 기판 위에 도포, 노광, 현상, 식각 등의 여러 공정을 통하여 만드는 작업으로, 이때 상기 웨이퍼의 플랫존에 남는 포토레지스트는 기존의 라운드 포토레지스트 제거장치만으로는 제거되지 않기 때문에 별도의 에지 노광장치(WEE ; Wafer Edge Exposure)가 스테퍼에 구비되어 플랫존의 포토레지스트를 제거시키도록 하고 있다.

도 1은 종래 라운드 포토레지스트 제거장치의 일례를 보인 개략도로서, 이에 도시된 바와 같이 종래의 라운드 포토레지스트 제거장치는, 웨이퍼(W)를 진공으로 흡착하여 회전시키는 웨이퍼 척(1)과, 그 웨이퍼 척(1)의 하단에 장착되어 회전시키는 θ방향 구동모터(2)와, 상기 웨이퍼(W)의 라운드부위 상측에 배치되어 희석제(Thinner)를 분사하는 시너라인(Thinner Line)(3)으로 구성되어 있다.

상기와 같은 종래 라운드 포토레지스트 제거장치는 다음과 같이 동작된다.

즉, 상기 웨이퍼 척(1)의 상면에 웨이퍼(W)를 얹어 흡착시킨 다음에, 상기 θ방향 구동모터(2)를 구동시켜 웨이퍼 척(1)을 회전시키게 되면, 그 웨이퍼 척(1)의 회전에 의해 웨이퍼(W)가 회전을 하게 되고, 상기 웨이퍼(W)의 라운드부위 상측에 배치되어 있던 시너라인(3)에서 희석제가 분사되어 웨이퍼(W)의 에지부위중에서 라운드부위에 있는 포토레지스트(P/R)를 제거시키게 된다.

이때, 상기 웨이퍼(W)의 플랫존에 남아 있던 포토레지스트는 제거되지 않고 그대로 남게 되므로, 상기 스테퍼(미도시)에 구비된 에지 노광장치(WEE)(미도시)를 이용하여 플랫존을 포함하는 웨이퍼(W)의 전 에지부위에 남은 포토레지스트를 제거시키게 되는 것이었다.

그러나, 상기와 같은 종래 포토레지스트 제거장치는, 전술한 바와 같이 웨이퍼(W)의 라운드부위를 먼저 희석제로 제거한 다음에 별도의 노광장치(미도시)를 이용하여 플랫존에 남은 포토레지스트를 제거하여야 하므로, 적어도 2개 이상의 장치가 필요하게 되는 것은 물론 포토레지스트 제거공정이 길어지게 되어 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.

또한, 상기 라운드 포토레지스트 제거장치의 경우에, 웨이퍼(W)를 단순 회전시켜 포토레지스트를 제거하므로, 웨이퍼(W)를 취급하는 메인 아암(미도시)의 세팅 오류시 웨이퍼(W)가 웨이퍼 척(1)에 편심 흡착되고, 이로 인해 단경측의 포토레지스트는 제거되지 못하는 반면 장방경측의 포토레지스트는 과도하게 제거되어 패턴이 손상되거나 포토레지스트형 파티클이 발생될 우려가 있었다.

따라서, 본 고안은 상기와 같은 종래 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치가 가지는 문제점을 감안하여 안출한 것으로, 하나의 장치로 웨이퍼의 라운드부위는 물론 플랫존부위의 포토레지스트를 모두 제거할 수 있는 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치를 제공하려는데 본 고안의 목적이 있다.

또한, 메인 아암의 세팅 오류시 웨이퍼의 센터링을 보정할 수 있도록 하여 웨이퍼의 라운드부위에 대한 포토레지스트를 정확하게 제거시킬 수 있는 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치를 제공하려는데도 본 고안의 목적이 있다.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼의 라운드 포토레지스트 제거장치를 보인 개략도.

도 2는 본 고안 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치를 보인 개략도.

***도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명***

10 : 메인몸체 11 : 웨이퍼 척

12 : 시너라인 13 : X방향 구동모터

14 : Y방향 구동모터 15a : 센터링용 엘이디

15b : 센터링용 시시디 16a,17a : 플랫존 감지용 엘이디

16b,17b : 플랫존 감지용 엘이디 W : 웨이퍼

이와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여, 메인몸체에 설치되어 웨이퍼를 흡착하는 웨이퍼 척과, 그 웨이퍼 척에 흡착된 웨이퍼의 상측에 배치되어 희석제를 분사시키는 시너라인과, 상기 웨이퍼 척을 θ방향으로 회전운동시키는 θ방향 구동모터와, 상기 웨이퍼 척을 X방향으로 수평이동시키는 X방향 구동모터와, 상기 웨이퍼 척을 Y방향으로 수평이동시키는 Y방향 구동모터와, 상기 메인몸체에 고정 설치되어 웨이퍼의 중심을 검지하는 센터링용 감지수단과, 상기 메인몸체에 고정 설치되어 웨이퍼의 플랫존을 양측을 검지하는 플랫존 감지수단을 포함하여 구성한 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치가 제공된다.

이하, 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치를 첨부도면에 도시된 일실시예에 의거하여 상세하게 설명한다.

도 2는 본 고안 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치를 보인 개략도이다.

이에 도시된 바와 같이 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치는, 메인몸체(10)의 중앙부에 설치되어 웨이퍼를 흡착하는 웨이퍼 척(11)과, 그 웨이퍼 척(11)에 흡착된 웨이퍼(W)의 상측에 배치되어 희석제를 분사시켜 포토레지스트를 제거시키는 시너라인(12)과, 상기 웨이퍼 척(11)을 θ방향으로 회전운동시키는 θ방향 구동모터(미도시)와, 상기 웨이퍼 척(11)을 X방향으로 수평이동시키는 X방향 구동모터(13)와, 상기 웨이퍼 척(11)을 Y방향으로 수평이동시키는 Y방향 구동모터(14)와, 상기 메인몸체(10)에 고정 설치되어 웨이퍼(W)의 중심을 검지하여 상기한 X,Y방향 구동모터(13,14)를 동작시키기 위한 센터링용 감지수단(15)과, 상기 메인몸체(10)에 고정 설치되어 웨이퍼(W)의 플랫존을 양측을 검지하여 그 플랫존이 시너라인의 하측에 배치되도록 웨이퍼 척(11)을 이동시키기 위한 플랫존 감지수단(16,17)을 포함하여 구성된다.

상기 센터링용 감지수단(15)은 웨이퍼 척(11)에 흡착된 웨이퍼(W)의 하측에 고정되어 그 웨이퍼(W)의 에지부위를 향해 빛을 발산하는 엘이디(LED)(15a)와, 상기 웨이퍼(W)의 상측에 고정되어 상기한 엘이디(15a)에서 발산되는 빛을 수광하여 웨이퍼(W)에 의해 빛이 가려진 면적과 빛이 통과한 면적을 계산하고 그 면적차에 따라 웨이퍼의 편심여부를 판단하는 시시디(CCD)(15b)로 이루어 진다.

상기 프랫존 감지수단(16,17)은 웨이퍼 척(11)에 흡착된 웨이퍼(W)의 플랫존 하측에 고정되어 그 웨이퍼(W)를 향해 빛을 발산하는 좌,우측 엘이디(LED)(16a,17a)와, 상기 웨이퍼(W)의 플랫존 상측에 고정되어 상기한 각 엘이디(16a,17a)에서 발산되는 빛을 수광하여 웨이퍼의 플랫존을 감지하는 좌,우측 시시디(CCD)(16b,17b)로 이루어 진다.

도면중 종래와 동일한 부분에 대하여는 동일한 부호를 부여하였다.

도면중 미설명 부호인 18,19는 각각 X방향 및 Y방향 구동모터의 이동을 안내하는 가이드봉이다.

상기와 같이 구성되는 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치는 다음과 같이 동작된다.

즉, 상기 메인 아암(미도시)이 웨이퍼(W)를 웨이퍼 척(11)에 세팅하기 전에, 상기 센터링용 엘이디(15a)가 발광하고, 그 빛을 받는 센터링용 시시디(15b)가 웨이퍼(W)에 의해 가려진 면적과 통과한 면적을 계산하여 웨이퍼(W)의 에지부위를 검지하면서 웨이퍼(W)의 센터링을 수행한 다음에, 상기 메인 아암(미도시)이 웨이퍼(W)의 중심을 웨이퍼 척(11)의 중심에 세팅시키게 된다.

이후, 상기 θ방향 구동모터(미도시)에 의해 웨이퍼 척(11)이 회전을 함과 아울러 상기 시너라인(12)에서는 희석제가 분사되어 웨이퍼의 에지부위, 정확게는 라운드부위에 남아 있던 포토레지스트를 제거시키게 된다.

다음, 상기 웨이퍼(W)의 플랫존을 검지하는 좌,우측 엘이디(16a,17a)에서 빛이 웨이퍼(W)를 향해 발광되고, 그 빛을 받은 좌,우측 시시디(16b,17b)에 의해 웨이퍼(W)의 플랫존이 검지되며, 이 웨이퍼(W)의 플랫존이 검지되면 상기 X방향 구동모터(13)가 동작되어 웨이퍼(W)가 흡착된 웨이퍼 척(11)을 시너라인(12)의 하측으로 이동시키게 된다.

이후, 상기 시너라인(12)이 웨이퍼(W)의 플랫존 범위내에서 수평으로 이동하면서 상기한 웨이퍼(W)의 플랫존에 남아 있던 포토레지스트를 제거시키게 된다.

이렇게 하여, 하나의 포토레지스트 제거장치로 웨이퍼(W)의 라운드부위는 물론 플랫존부위까지 포토레지스트를 제거할 수 있게 되어 공정수가 감소하게 된다.

또한, 상기 웨이퍼(W)가 웨이퍼 척(11)에 흡착되기 전에 별도의 센터링용 엘이디(15a) 및 시시디(15b)에 의해 웨이퍼(W)의 중심과 웨이퍼 척의 중심을 일치시키게 되므로, 상기 웨이퍼(W)가 편심되지 않게 되어 플랫존에 대한 포토레지스트 작업이 정확하게 수행되고, 이를 통해 패턴의 파손 및 포토레지스트형 파티클의 생성을 방지할 수 있게 되는 것이다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치는, 메인몸체에 설치되어 웨이퍼를 흡착하는 웨이퍼 척과, 그 웨이퍼 척에 흡착된 웨이퍼의 상측에 배치되어 희석제를 분사시키는 시너라인과, 상기 웨이퍼 척을 θ방향으로 회전운동시키는 θ방향 구동모터와, 상기 웨이퍼 척을 X방향으로 수평이동시키는 X방향 구동모터와, 상기 웨이퍼 척을 Y방향으로 수평이동시키는 Y방향 구동모터와, 상기 메인몸체에 고정 설치되어 웨이퍼의 중심을 검지하는 센터링용 감지수단과, 상기 메인몸체에 고정 설치되어 웨이퍼의 플랫존을 양측을 검지하는 플랫존 감지수단을 포함하여 구성함으로써, 웨이퍼의 라운드부위는 물론 플랫존부위의 포토레지스트를 하나의 장치로 일괄 처리할 수 있게 되고, 웨이퍼의 중심과 웨이퍼 척의 중심을 일치시키게 되어 웨이퍼의 플랫존에 대한 포토레지스트의 제거작업이 정확하게 수행될 수 있다.

Claims

메인몸체의 중앙부에 회전가능하게 설치되어 웨이퍼가 얹혀져 흡착되는 웨이퍼 척과, 그 웨이퍼 척에 흡착된 웨이퍼의 상측에 배치되어 희석제를 분사시켜 포토레지스트를 제거시키는 시너라인과, 상기 웨이퍼 척을 -방향으로 회전시키는 -방향 구동모터와, 상기 웨이퍼 척을 X방향으로 수평이동시키는 X방향 구동모터와, 상기 웨이퍼 척을 Y방향으로 수평이동시키는 Y방향 구동모터와, 상기 메인몸체에 고정 설치되어 웨이퍼의 중심을 검지하여 상기한 X방향 구동모터 및 Y방향 구동모터를 각각 적당량 동작시키기 위한 센터링용 감지수단과, 상기 메인몸체에 고정 설치되어 웨이퍼의 플랫존을 양측을 검지하여 그 플랫존이 시너라인의 하측에 배치되도록 웨이퍼 척을 이동시키기 위한 플랫존 감지수단을 포함한 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치.
제 1 항에 있어서, 상기 센터링용 감지수단은 웨이퍼 척에 흡착된 웨이퍼의 하측에 고정되어 그 웨이퍼의 에지부위를 향해 빛을 발산하는 엘이디(LED)와, 상기 웨이퍼의 상측에 고정되어 상기한 엘이디에서 발산되는 빛을 수광하는지 그 여부에 따라 웨이퍼의 편심여부를 판단하는 시시디(CCD)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치.
제 1항에 있어서, 상기 프랫존 감지수단은 웨이퍼 척에 흡착된 웨이퍼의 플랫존 하측에 고정되어 그 웨이퍼를 향해 빛을 발산하는 좌,우측 엘이디(LED)와, 상기 웨이퍼의 플랫존 상측에 고정되어 상기한 각 엘이디에서 발산되는 빛을 수광하는지 그 여부에 따라 웨이퍼의 플랫존을 감지하는 좌,우측 시시디(CCD)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 포토레지스트 제거장치.