JPH03259511A - 半導体製造用フォトレジスト現像装置 - Google Patents
半導体製造用フォトレジスト現像装置Info
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- JPH03259511A JPH03259511A JP5894390A JP5894390A JPH03259511A JP H03259511 A JPH03259511 A JP H03259511A JP 5894390 A JP5894390 A JP 5894390A JP 5894390 A JP5894390 A JP 5894390A JP H03259511 A JPH03259511 A JP H03259511A
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体製造用フォトレジスト現像装置に関し、
特にウェハーやマスクに塗布、Ｕ光されたフォトレジス
トの現像処理に関する。
特にウェハーやマスクに塗布、Ｕ光されたフォトレジス
トの現像処理に関する。
［従来の技術］
従来のフォトレジスト現像装置の現像処理部は第３図に
示すように、ウェハーチャック３５と、ウェハーチャッ
ク３５を回転させるチャック回転モータ２３と、現像液
８をウェハー２０上に滴下する移動式ノズル１９と、現
像液回収用のカップ２１と、現像液温調部３４を有して
いる。２４はモータ駆動回路である。
示すように、ウェハーチャック３５と、ウェハーチャッ
ク３５を回転させるチャック回転モータ２３と、現像液
８をウェハー２０上に滴下する移動式ノズル１９と、現
像液回収用のカップ２１と、現像液温調部３４を有して
いる。２４はモータ駆動回路である。
従来の現像処理では、フォトレジストを塗布し、露光さ
れたウェハーをあらかじめセンタリングし、これをウェ
ハーチャック３５に吸着した後、ノズル１９をウェハー
２０の上部に移動し、現像液８を滴下していた。次にウ
ェハー２０を回転させながら、フォトレジストを現像し
、所定のレジストパターンが形成されるまでこの状態を
維持する。その後、ウェハーチャック３５の回転により
現像＃！８を振り切り、純水でリンスを行い、さらに高
速でウェハー２０を回転させることにより、水分を取り
除き、現像処理が完了する。
れたウェハーをあらかじめセンタリングし、これをウェ
ハーチャック３５に吸着した後、ノズル１９をウェハー
２０の上部に移動し、現像液８を滴下していた。次にウ
ェハー２０を回転させながら、フォトレジストを現像し
、所定のレジストパターンが形成されるまでこの状態を
維持する。その後、ウェハーチャック３５の回転により
現像＃！８を振り切り、純水でリンスを行い、さらに高
速でウェハー２０を回転させることにより、水分を取り
除き、現像処理が完了する。
従来は、現像液滴下時に、ノズル部に設けられた現像液
温調部３４により、液温を制御していた。
温調部３４により、液温を制御していた。
〔発明が解決しようとする課題］
この従来の現像処理部では、現像液を滴下するノズル近
傍で温度調整を行っているため、ウェハー２０上に滴下
された現像液の温度を滴下中及び滴下完了後まで一定に
保つことが困難であった。また、処理カップ２１内の温
度は通常設置環境温度と同等となるため、ウェハー上に
滴下された現像液の温度を制御することが困難であった
。
傍で温度調整を行っているため、ウェハー２０上に滴下
された現像液の温度を滴下中及び滴下完了後まで一定に
保つことが困難であった。また、処理カップ２１内の温
度は通常設置環境温度と同等となるため、ウェハー上に
滴下された現像液の温度を制御することが困難であった
。
また、一般的に現像液温度を上げると、現像速度が速く
なり、現像時間を短縮できるが、液温を精度良く制御す
ることが困難であり、処理速度を速くできないという問
題があった。さらに、現像液がウェハーの中央部に滴下
され外周方向に広がるため、中央部と周辺部で現像の速
度差が生じ、ウェハー面内の現像後のフォトレジストパ
ターンの形成において、ばらつきを生ずるという問題が
あった。
なり、現像時間を短縮できるが、液温を精度良く制御す
ることが困難であり、処理速度を速くできないという問
題があった。さらに、現像液がウェハーの中央部に滴下
され外周方向に広がるため、中央部と周辺部で現像の速
度差が生じ、ウェハー面内の現像後のフォトレジストパ
ターンの形成において、ばらつきを生ずるという問題が
あった。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体製造用フォト
レジスト現像装置を提供することにある。
レジスト現像装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段］
前記目的を達成するため、本発明に係る半導体製造用フ
ォトレジスト現像装置においては、ウェハーに塗布され
たフォトレジストに現像液を滴下して現像を行うフォト
レジスト現像装置であって、フォトレジストが感光しな
い非感光光線をウェハーに向けて照射する光線照射部と
、 非感光光線の照射時間を制御するシャッタ部と、ウェハ
ー上への光線照射強度をモニタするセンサ部と、 ウェハー表面温度をモニタするセンサ部と、積算照射量
演算制御とを少なくとも有し、前記積算照射量演算制御
部は、少なくとも非感光光線の照射強度検出信号とウェ
ハー表面温度の検出信号とに基づいて前記シャッタ部を
駆動制御することにより、ウェハー上の現像液の温度を
制御する機能を備えたものである。
ォトレジスト現像装置においては、ウェハーに塗布され
たフォトレジストに現像液を滴下して現像を行うフォト
レジスト現像装置であって、フォトレジストが感光しな
い非感光光線をウェハーに向けて照射する光線照射部と
、 非感光光線の照射時間を制御するシャッタ部と、ウェハ
ー上への光線照射強度をモニタするセンサ部と、 ウェハー表面温度をモニタするセンサ部と、積算照射量
演算制御とを少なくとも有し、前記積算照射量演算制御
部は、少なくとも非感光光線の照射強度検出信号とウェ
ハー表面温度の検出信号とに基づいて前記シャッタ部を
駆動制御することにより、ウェハー上の現像液の温度を
制御する機能を備えたものである。
［実施例］
次に、本発明について図面を参照して説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の実施例１を示す構成図である。
図において、本発明装置は光線照射部２７と現像処理部
２８とからなる。まず光線照射部２７から説明する。光
源であるランプ１から出た光線はだ円鏡２で集光され、
反射鏡３．シャッタ４を経て、非感光光線のみを取り出
す波長制限フィルタ５と、照射範囲内の照度の均一性を
向上させるレンズ６とを通過し、レンズ７及び部分透過
型反射鏡８並びに平行光線にするレンズ１１により、ウ
ェハー２０面上に均一に照射される。ウェハー２０上へ
の照射エネルギーを制御するために、部分透過型反射鏡
８及びレンズ９を通した光線の照射強度をモニタする照
度センサ１０と、ウェハー２０上の表面温度をモニタす
る赤外線式等の温度センサ３０と、各センサ１０．３０
よりの照射強度信号１７とウェハー温度３１により、エ
ネルギー量を計算する積算照射量演算制御部１４と、ラ
ンプ１よりの光線をＯＮ、ＯＦＦ制御するシャッタ４と
、シャッタ４を駆動するシャッタ駆動モータ１２と、モ
ータ１２を制御してシャッタ４を開閉制御するシャッタ
駆動回路１３とを備えている。
２８とからなる。まず光線照射部２７から説明する。光
源であるランプ１から出た光線はだ円鏡２で集光され、
反射鏡３．シャッタ４を経て、非感光光線のみを取り出
す波長制限フィルタ５と、照射範囲内の照度の均一性を
向上させるレンズ６とを通過し、レンズ７及び部分透過
型反射鏡８並びに平行光線にするレンズ１１により、ウ
ェハー２０面上に均一に照射される。ウェハー２０上へ
の照射エネルギーを制御するために、部分透過型反射鏡
８及びレンズ９を通した光線の照射強度をモニタする照
度センサ１０と、ウェハー２０上の表面温度をモニタす
る赤外線式等の温度センサ３０と、各センサ１０．３０
よりの照射強度信号１７とウェハー温度３１により、エ
ネルギー量を計算する積算照射量演算制御部１４と、ラ
ンプ１よりの光線をＯＮ、ＯＦＦ制御するシャッタ４と
、シャッタ４を駆動するシャッタ駆動モータ１２と、モ
ータ１２を制御してシャッタ４を開閉制御するシャッタ
駆動回路１３とを備えている。
また、現像処理部２８は、現像液滴下用移動式ノズル１
９．カップ２＋、ウェハーチャック２２．チャック回転
用モータ２３．モータ駆動回路２４とを備えている点で
従来と同じであるが、本発明はウェハーチャック２２が
ウェハー２０を冷却する冷却機能を有する点で従来と異
なる。
９．カップ２＋、ウェハーチャック２２．チャック回転
用モータ２３．モータ駆動回路２４とを備えている点で
従来と同じであるが、本発明はウェハーチャック２２が
ウェハー２０を冷却する冷却機能を有する点で従来と異
なる。
実施例において、現像処理では、まず、予めフォトレジ
ストを塗布し露光されたウェハー２０をセンタリングし
、これをウェハーチャック２２に吸着した後、ノズル１
９をウェハー２０の上方に移動させ、ウェハー２０上に
現像液８を滴下させる。次いで、モータ２３によりウェ
ハーチャック２２を回転させてウェハー２０のフォトレ
ジストを現像し、所定のしシストパターンが形成される
までこの状態を維持する。その後、ウェハーチャック２
２の回転により現像液８を振り切り、純水でリンスを行
い、さらに高速でウェハー２０を回転させることにより
、水分を取り除いて現像処理が完了する。その際に、ウ
ェハーチャック２２を回転駆動するモータ２３は、モー
タ制御信号２５．モータ回転信号２６に基づいてモータ
駆動回路２４により駆動制御される。
ストを塗布し露光されたウェハー２０をセンタリングし
、これをウェハーチャック２２に吸着した後、ノズル１
９をウェハー２０の上方に移動させ、ウェハー２０上に
現像液８を滴下させる。次いで、モータ２３によりウェ
ハーチャック２２を回転させてウェハー２０のフォトレ
ジストを現像し、所定のしシストパターンが形成される
までこの状態を維持する。その後、ウェハーチャック２
２の回転により現像液８を振り切り、純水でリンスを行
い、さらに高速でウェハー２０を回転させることにより
、水分を取り除いて現像処理が完了する。その際に、ウ
ェハーチャック２２を回転駆動するモータ２３は、モー
タ制御信号２５．モータ回転信号２６に基づいてモータ
駆動回路２４により駆動制御される。
一方、ランプ１よりの光線はだ両鏡２で集光され、反射
鏡３及びシャッタ４を経て波長制限フィルタ５に入力す
る。波長制限フィルタ５はランプ１よりの光線から、ウ
ェハー２０上のフォトレジストを感光させない領域の非
感光光線２９のみを取出し、これを照度均一性向上用レ
ンズ６及びレンズ７を通して部分透過型反射鏡８にてそ
の一部をウェハーチャック２２上のウェハー２０に向け
て反射゛させる。この非感光光線２９の照射によりウェ
ハー２０の表面が加温される。
鏡３及びシャッタ４を経て波長制限フィルタ５に入力す
る。波長制限フィルタ５はランプ１よりの光線から、ウ
ェハー２０上のフォトレジストを感光させない領域の非
感光光線２９のみを取出し、これを照度均一性向上用レ
ンズ６及びレンズ７を通して部分透過型反射鏡８にてそ
の一部をウェハーチャック２２上のウェハー２０に向け
て反射゛させる。この非感光光線２９の照射によりウェ
ハー２０の表面が加温される。
これと同時に照度センサ１０は、部分透過型反射鏡８を
透過した非感光光線２９の照射強度をモニタする。また
、温度センサ３０は、非感光光線により照射されて加温
されたウェハー２０の表面温度をモニタする。
透過した非感光光線２９の照射強度をモニタする。また
、温度センサ３０は、非感光光線により照射されて加温
されたウェハー２０の表面温度をモニタする。
積算照射量演算制御部１４は、照度センサｌＯよりの照
度信号１７及び温度センサ３０の温度信号３１に基づい
て積算照射量を演算し、その演算信号をモータ制御信号
１６として出力する。
度信号１７及び温度センサ３０の温度信号３１に基づい
て積算照射量を演算し、その演算信号をモータ制御信号
１６として出力する。
シャッタ駆動回路１３はモータ制御信号１６を受けてモ
ータ１２を駆動制御し、シャッタ４の開閉制御を行って
ランプｌの光線による照射時間を調整する。１５はモー
タ回転信号であり、この信号が積算照射量演算制御部１
４にフィードバックされる。
ータ１２を駆動制御し、シャッタ４の開閉制御を行って
ランプｌの光線による照射時間を調整する。１５はモー
タ回転信号であり、この信号が積算照射量演算制御部１
４にフィードバックされる。
このように、フォトレジストが感光しない非感光光線２
９がウェハー２０上に照射されて加温されるため、ウェ
ハー２０上に滴下された現像液８の温度制御が行われる
こととなる。
９がウェハー２０上に照射されて加温されるため、ウェ
ハー２０上に滴下された現像液８の温度制御が行われる
こととなる。
また、ウェハーチャック２２によるウェハー２０の冷却
機能を、非感光光線照射によるウェハー２０の加温機能
と併用することにより、ウェハー２０上に滴下した現像
液８の温度をさらに精度よく制御する。
機能を、非感光光線照射によるウェハー２０の加温機能
と併用することにより、ウェハー２０上に滴下した現像
液８の温度をさらに精度よく制御する。
（実施例２）
第２図は本発明の実施例２を示す構成図である。
本実施例では、ウェハー２０上の現像液８の温度をさら
に精度良く制御するために、ウェハー表面の光線の反射
率をモニタするウェハー反射照度モニタ用センサ３２を
付加し、その反射照度信号３３を積算照射量演算制御部
１４に入力するようにしたものである。
に精度良く制御するために、ウェハー表面の光線の反射
率をモニタするウェハー反射照度モニタ用センサ３２を
付加し、その反射照度信号３３を積算照射量演算制御部
１４に入力するようにしたものである。
本実施例によれば、積算照射量演算制御部１４は、照度
センサｌＯの照度信号１７及び温度センサ３０の温度信
号３１に加えてセンサ３２の反射照度信号３３を用いて
積算照射量を補正し、照射エネルギーをさらに正確に制
御することができるという利点がある。
センサｌＯの照度信号１７及び温度センサ３０の温度信
号３１に加えてセンサ３２の反射照度信号３３を用いて
積算照射量を補正し、照射エネルギーをさらに正確に制
御することができるという利点がある。
［発明の効果］
以上説明したように本発明はウェハー上に滴下された現
像液を、フォトレジストが感光しない非感光光線を照射
することにより、任意の温度に直接的に制御することが
可能となり、現像処理速度を大幅に向上させる効果を有
する。従って、現像装置の処理能力は大幅に向上するこ
とになる。
像液を、フォトレジストが感光しない非感光光線を照射
することにより、任意の温度に直接的に制御することが
可能となり、現像処理速度を大幅に向上させる効果を有
する。従って、現像装置の処理能力は大幅に向上するこ
とになる。
また、ウェハー全面に均一な照度の非感光光線を照射す
ることにより、現像液温度が強制的に均一化される。よ
って、ウェハー面内では、現像速度の速い領域で、かつ
均一に現像液温度を制御できるので、現像後のフォトレ
ジストパターン形成が、面内で均一に行われるという効
果を有する。
ることにより、現像液温度が強制的に均一化される。よ
って、ウェハー面内では、現像速度の速い領域で、かつ
均一に現像液温度を制御できるので、現像後のフォトレ
ジストパターン形成が、面内で均一に行われるという効
果を有する。
第１図は本発明の実施例１を示す構成図、第２図は本発
明の実施例２を示す構成図、第３図は従来例を示す構成
図である。
明の実施例２を示す構成図、第３図は従来例を示す構成
図である。
Claims (1)
- （１）ウェハーに塗布されたフォトレジストに現像液を
滴下して現像を行うフォトレジスト現像装置であって、 フォトレジストが感光しない非感光光線をウェハーに向
けて照射する光線照射部と、 非感光光線の照射時間を制御するシャッタ部と、ウェハ
ー上への光線照射強度をモニタするセンサ部と、 ウェハー表面温度をモニタするセンサ部と、積算照射量
演算制御とを少なくとも有し、 前記積算照射量演算制御部は、少なくとも非感光光線の
照射強度検出信号とウェハー表面温度の検出信号とに基
づいて前記シャッタ部を駆動制御することにより、ウェ
ハー上の現像液の温度を制御する機能を備えたものであ
ることを特徴とする半導体製造用フォトレジスト現像装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5894390A JPH03259511A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 半導体製造用フォトレジスト現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5894390A JPH03259511A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 半導体製造用フォトレジスト現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03259511A true JPH03259511A (ja) | 1991-11-19 |
Family
ID=13098914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5894390A Pending JPH03259511A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 半導体製造用フォトレジスト現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03259511A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000223394A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US6196734B1 (en) * | 1999-10-05 | 2001-03-06 | Advanced Micro Devices | CD uniformity by active control of developer temperature |
| US6485203B2 (en) * | 1999-12-20 | 2002-11-26 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| JP2012119480A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
-
1990
- 1990-03-09 JP JP5894390A patent/JPH03259511A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000223394A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US6196734B1 (en) * | 1999-10-05 | 2001-03-06 | Advanced Micro Devices | CD uniformity by active control of developer temperature |
| US6485203B2 (en) * | 1999-12-20 | 2002-11-26 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| JP2012119480A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
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