JP2000223394A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置及び基板処理方法Info
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Abstract
回転させて1枚ずつ処理する装置において、処理液が基
板上に保持された状態の間に処理液の液温が変動せずに
処理できる。 【解決手段】ポリマー除去洗浄装置1は、基板保持・回
転手段20によって保持された基板Wの表面に供給され
保持された洗浄液が、その液温の状態を検出した温度検
出手段43と44の検出信号に基づいて液温調節手段4
の発光体41が洗浄液を放射加熱することにより調節さ
れる。温度検出手段43と44は基板Wに保持された洗
浄液Lの液面に近接配置されたセンサー部431と44
1により洗浄液Lの液温状態を検出する。
Description
マスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、
光ディスク用等の基板上面に現像液や洗浄液等の処理液
を供給する供給手段を備えた基板処理装置及び処理方
法、特に、基板を水平姿勢に保持して鉛直軸周りに回転
させ、基板表面へ処理液を供給して、基板を1枚ずつ枚
葉方式で処理する基板処理装置及び処理方法に関する。
板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の
基板上に形成された感光性膜に現像処理を行なうための
現像工程は、例えば、基板の表面へ加熱された現像液を
供給して基板上で現像液を保持して現像処理する。現像
装置としては、基板を水平姿勢に保持して鉛直軸周りに
回転させ基板の表面へ加熱された現像液を供給して基板
を枚葉方式で処理する基板処理装置が使用される。この
装置においては、基板を水平に保持して鉛直軸の周りで
回転させる基板保持・回転手段と、基板の表面に現像液
を供給する現像液吐出ノズルを備える。現像液吐出ノズ
ルは、水平面内で回動自在に設けられたノズルアームの
先端に取り付けられており、基板の上方位置と待機位置
との間を移動することができる。
処理時に現像液吐出ノズルが待機位置から基板の上方に
移動した後、基板上のフォトレジスト等の感光性膜に現
像液を供給する。供給された現像液は、基板の回転によ
って基板の全面に塗り広げられ、感光性膜と接触する。
表面張力により基板上に現像液を保持した状態(液盛
り)で一定時間基板を静止させることにより感光性膜の
現像が行なわれる。現像液の供給が終了すると、現像液
吐出ノズルはノズルアームの回動により基板の上方から
退いた待機位置に移動する工程を有する。
された多様な薄膜をエッチング工程、イオン注入工程お
よび化学機械的研磨工程などを用い用途に応じて加工す
ることにより製作される。しかしながら、導電膜(例え
ば、アルミニウム膜、チタン膜、アルミニウム/シリコ
ン膜、タングステン膜、タングステン/チタン膜、チタ
ン窒化膜など)の加工時に用いられるエッチングガスと
フォトレジストおよび前記導電膜は相互反応し側壁ポリ
マーと呼ばれる副産物を形成して製品の信頼性に大きな
影響を及ぼす。従って、上記副産物を効率良く取り除く
為に基板処理装置による洗浄工程の重要性がますます増
大している。この半導体素子の製造段階で発生する有機
金属性ポリマー、金属物質および蝕刻残留物などの汚染
物質を効率よく取り除くためにポリマー除去洗浄工程が
用いられる。
理装置は、現像工程と同じく乾式エッチング工程により
導電膜が露出されるコンタクトホールの形成段階又は導
電膜パターンの形成段階後の基板上に洗浄液を保持した
状態で基板表面の汚染物質を取り除く。
供給装置は、タンクに満たされた現像液、洗浄液等の処
理液を送液ポンプにより吐出ノズルに供給し、この吐出
ノズルから基板処理装置の基板保持・回転手段に支持さ
れて回転する基板面上へ供給するようになっている。と
ころが、従来のこの種の装置においては、清浄な空気が
常時天井から吹き降ろされているクリーンルームに設置
されているので処理液供給系が空気の下降流に直接さら
されている。この室内温度による処理液の変動によって
供給すべき処理液の粘度や活性度等が変動し、基板面上
に保持された処理液による表面均一処理と基板毎の均一
処理に影響を及ぼしていた。
その供給系を巡る処理液の温度が所定の高温に常時保持
されるように、インラインヒータおよび投げ込みヒータ
により供給系内を循環する処理液を加熱し続ける必要が
ある。そこでタンクから送液ポンプによって吸出した処
理液を恒温槽に導いた後、これをノズルアームにて支持
された処理液供給管を通して吐出ノズルから供給するよ
うにしたもの(特開昭61−71632号公報)が開発
されている。また、供給すべき処理液の温度を一定に保
つために、タンクから吐出ノズルに至る全装置部分を恒
温装置内に納設して、処理液の温度調節をするようにし
たもの(特開昭54−78981号公報)が提供されて
いる。
装置においては、一応恒温槽において処理液の温度調節
は行われるが、この恒温槽から吐出ノズルまでの処理液
供給管部分においては温度調節が行われず、室内温度の
影響を受けることから、恒温槽を設けているにも拘らず
供給する処理液の温度が変動し、基板面上に供給された
処理液質等が僅かながらも変動してしまう。さらに、恒
温槽にはその恒温槽に恒温水を供給するための熱源や温
度検出手段、制御手段等が必要となるための大きなスペ
ースが必要となる等の欠点があった。後者の装置にあっ
ては、処理液供給装置の全体を恒温装置内に納設するも
のであって、装置全体が大型化しコスト面において難点
がある。さらに、処理液供給装置の全体を恒温装置内に
納設するため更に大きなスペースが必要となる難点もあ
る。
れた後の処理液の温度管理が十分に出来てはいなかっ
た。特に現像及びポリマー除去洗浄工程においては処理
液が基板上に保持された状態が数十分に渡る場合があ
り、この間における液温管理が安定した処理を行なう上
で重要であるが、従来の構成では処理液を基板上に保持
している間に処理液の液温が変動してまうという問題が
あった。また、一定液温度の処理液を1枚の基板及び複
数の基板処理工程において吐出し続け無ければならない
が、従来技術では高額にならざるお得ない問題があっ
た。この発明は、上記従来の問題点を解消し、基板面上
に保持された処理液の温度を簡単な構成でもって調節可
能とすることにより、均一で安定した処理を行うことが
できる基板処理装置及び処理方法を提供することを目的
とする。
の請求項1に係る発明は、基板を水平姿勢に保持して鉛
直軸周りに回転させる基板保持・回転手段と、この基板
保持・回転手段によって保持された基板の表面に対向す
るように配置される処理液吐出部と、この処理液吐出部
へ処理液供給路を通して処理液を供給する処理液供給手
段と、この処理液供給手段により供給され前記処理液吐
出部から基板上に供給され保持された処理液の液温の状
態を検出し、この検出信号に基づいて基板上で保持され
た間、処理液の液温を調節する液温調節手段とを設けた
ことを特徴とする基板処理装置が提供される。
板処理装置において、上記液温調節手段は、基板上に保
持された処理液を加熱する放射加熱手段と、基板に近接
して配置された温度検出手段と、温度検出手段からの信
号に応じて放射加熱手段を制御する制御部とを備えたこ
とを特徴とする。
板処理装置において、放射加熱手段は基板と平行に間隔
を空けて配置され、基板の処理液保持面の面積に相当す
る大きさの発光体よりなることを特徴とする。
段に静止状態で保持された基板を所定の回転数で回転さ
せる工程と、回転中の基板上に処理液吐出部により処理
液を供給する工程と、処理液の供給終了から基板保持・
回転手段により基板を所定時間静止状態で保持させると
共に基板上に保持された処理液の液温を調節する処理工
程と、処理工程の後、基板を所定の回転数で回転させ保
持された処理液を振り切る工程とを備えたことを特徴と
する基板処理方法が提供される。
板処理方法において、処理工程は基板上に保持された処
理液の液温の状態を検出して、その検出信号に応じて液
温を調節することを特徴とする。
ては、基板保持・回転手段によて保持された基板の表面
に処理液吐出部から処理液供給路を通して処理液供給手
段によって処理液が供給される。この前記処理液吐出部
から基板上に供給され保持された処理液は、その液温の
状態を検出した検出信号に基づいて基板上で保持された
間、液温調節手段により調節される。従って、基板の処
理液保持状態における処理工程中、処理液の液温を必要
状態とすることが可能となる。例えば、液温が変動する
状態であれば一定とするように液温調節手段により調節
される。
液温調節が基板に近接して配置された温度検出手段から
の信号に応じて、制御部が放射加熱手段により基板上に
保持された処理液を加熱するよう制御される。従って、
液温がより正確に検出できると共に処理液に向けて熱を
放射するため温度制御も効率良く行なえる。また、この
構成によれば、熱の伝導効率が良いため基板上で処理液
を昇温することも可能である。よって、加熱処理された
処理液が処理液供給手段により供給されなくとも基板上
で加熱し目標温度に達した後、処理液を一定に維持する
ことが出来る。
放射加熱手段の発光体が基板と平行に間隔を空けて配置
され、基板の処理液保持面の面積に相当する大きさでも
って処理液を加熱することができる。従って、処理液の
液温調節において処理液全体に渡って均一に加熱するこ
とができる。
基板保持・回転手段に保持され所定の回転数で回転中の
基板上に処理液吐出部により処理液を供給する。処理液
の供給終了から基板を所定時間静止状態で保持させると
共に基板上に保持された処理液の液温を調節し、この処
理工程の後、基板を所定の回転数で回転させ保持された
処理液を振り切る。このような基板処理方法によると基
板上に処理液を保持した処理工程において液温を調節す
る為、安定した処理を実施することが可能となる。
処理工程は基板上に保持された処理液の液温の状態を検
出して、その検出信号に応じて液温を調節する。このた
め、基板上における処理液の液温をより正確に必要状態
とすることが可能となる。
の実施形態について図1及び図2を参照して説明する。
図1は本発明の一実施形態における基板処理装置の一種
であるポリマー除去洗浄装置の概略構成を示す模式図で
ある。図2は放射加熱手段を示す平面概略図である。こ
のポリマー除去洗浄装置1は基板Wの洗浄処理が行なわ
れる基板洗浄部2と、基板洗浄部2へ洗浄液(処理液)
を供給する洗浄液供給手段3と、基板W上に供給され保
持された処理液の液温を調節する液温調節手段4とから
構成される。
するスピンチャック21、このスピンチャック21を水
平姿勢に支持し回転自在に保持された回転支軸22、こ
の回転支軸22に回転軸が連接されてスピンチャック2
1を鉛直軸周りに回転させるスピンモータ23とより構
成される基板保持・回転手段20が配設される。そして
スピンチャック21に保持された基板Wの周囲を取り囲
むように配設され上面が開口し上下動可能な洗浄液回収
用のカップ24を備えて構成されている。カップ24の
底部には、その内底部に集まるドレンを排出するための
ドレン排出管25が接続されており、ドレン排出管25
の途中でドレン回収管26が分岐している。ドレン排出
管25には、ドレン回収管26にも開閉制御弁27、2
8が介挿されている。さらに、カップ24の底部には、
カップ24の内部を排気するための排気管29が接続さ
れている。
板Wの表面へ洗浄液を供給する吐出ノズル30を有す
る。吐出ノズル30は、図1に示すようにその側面に数
個の吐出孔301が形成されている。吐出ノズル30は
本発明の処理液吐出部に相当するものであって、この吐
出孔301と、この吐出ノズル30を支持するノズル支
持アーム31とによって構成されるとともに、ノズル支
持アーム31の基端部側に連動連結された昇降・揺動駆
動機構32によって昇降可能に保持されるとともに鉛直
軸回りに揺動可能に保持されている。昇降・揺動駆動機
構32は、吐出ノズル30が基板回転中心P1に位置す
るように回転中心P2周りにノズル支持アーム31を適
宜に昇降、下降させると共に揺動することによって吐出
ノズル30を移動させるようになっている。この構成に
より、基板のスピンチャック21への受け渡しやカップ
24の上下動に昇降・揺動駆動機構32が支障とならな
い。また、洗浄液供給手段3は吐出ノズル30へ洗浄液
を供給するために洗浄液が貯留される図示しない洗浄液
貯留タンクからの供給系が開閉制御弁33を介して洗浄
液(処理液)供給路34に流路的に接続され構成されて
いる。洗浄液供給路34の下流側はノズル支持アーム3
1内を貫通し配設され、その先端部側が吐出ノズル30
に接続されている。
て上記ノズル支持アーム31の揺動駆動の妨げにならな
い上方空間に配置された放射加熱手段としての発光体4
1と、発光体41に近接下方で基板Wとの間において基
板W上に供給された洗浄液が飛散した際に発光体41に
付着するのを防止する防護カバー42と、基板W端縁部
の上方に近接して配置された2個の温度検出手段43、
44と、この温度検出手段43、44により検出された
検出信号により前記発光体41の光量を制御する制御部
5とにより構成される。
ゲンランプが一定間隔を有して複数配置されている。
尚、発光体41はハロゲンランプの他、赤外線ランプ、
キセノンアークランプ等でも良い。また、発光体41は
基板Wの洗浄液を保持する上面の面積に近似する範囲を
覆うようにその長さや配置個数を適宜決定される。そし
て、防護カバー42はこの発光体41を全て覆う大きさ
で、発光体41の放射熱を透過する透明な耐熱性ガラ
ス、プラスチック等で構成される。この構成により図3
に示すように発光体41により基板Wに供給し保持され
る洗浄液Lが加熱されることとなる。
近接した先端側のセンサー部431、441と、このセ
ンサー部431、441を支持する支持アーム432
(図1中、温度検出手段43と44は同一構成に為、温
度検出手段43側のみ開示する)と、支持アーム432
の基端部側に連動連結された昇降・揺動駆動機構45と
によって構成されている。ここで2個の温度検出手段4
3、44はどちらも後述するように洗浄液の液温を制御
する為に配置されているが、一方の温度検出手段43に
よる検出信号は洗浄液の液温の検出用として、他方の温
度検出手段44の検出信号は液温の 過昇温防止用とし
て用いられている。尚、この構成は検出信号を制御部側
で判断処理する構成とするなら温度検出手段を1個とし
て良い。
31が基板端縁部上方に位置するように回転中心P3周
りに支持アーム432を揺動することによってセンサー
部431を移動させるようになっている。即ち昇降・揺
動駆動機構45は昇降・揺動駆動機構32と同様に、基
板のスピンチャック21への受け渡しやカップ24の上
下動の支障とならないよう配置され作動する。温度測定
は基板W表面に接触することなく行なわれなければなら
ない。また、図3に示すように洗浄液Lの温度の望まし
くない乱れを起こさないために洗浄液Lにも接触するこ
となく行なわれる必要がある。よってセンサー部431
は図3に示すように基板W上に洗浄液Lを保持した状態
で洗浄液L液面に近接した状態で間隙を有するように配
置される。洗浄液Lの膜厚は洗浄液の種類によって決ま
ってくるとともに、一定量の洗浄液が供給されることに
伴い処理毎のバラツキが抑えられる。よって、センサー
部431と洗浄液L液面とが接触しないように配置する
ことを可能としている。このように配置することにより
センサー部431、441は検出した温度値に対して補
正値を掛ける事により洗浄液Lの液温の状態として後述
するように制御部5にて処理を行なう。
プローブとして具体的には放射温度計を用いる。放射温
度計は洗浄液L液面から放射されるエネルギーを測定し
てその物体(基板Wの上面に洗浄液Lが保持されたも
の)の温度を測定するもので、物体の放射する赤外線を
検出する赤外線放射温度計を用いる。
浄装置1による処理動作を制御する制御部5は、温度検
出手段43、44と昇降・揺動駆動機構45と発光体4
1とに接続されており、更にスピンモータ23と、処理
液供給手段3の昇降・揺動駆動機構32と、洗浄液吐出
しコントローラ51を介して開閉制御弁33に接続され
ている。制御部5により、基板Wの回転数やノズル支持
アーム31と支持アーム432の昇降や回転、洗浄液の
吐出タイミングや吐出量、発光体41の光量が統括的に
制御されるようになっている。
使用して基板Wの表面に洗浄液を供給する場合について
図3及び図4をも参照して説明する。図1に示すように
吐出ノズル30が基板Wの基板回転中心P1の上方に位
置するようにノズル支持アーム31を揺動・移動し、基
板Wを回転させつつ現像液を供給する。詳細には、カッ
プ24を下降させた状態で、図示しない基板搬送ロボッ
トにより搬送された基板Wをスピンチャック21上に載
置して吸着保持させ、その後に、カップ24を上昇さ
せ、吐出ノズル30を図示しない待機ポッド内の待機位
置から基板Wの上方の洗浄液吐出位置である基板回転中
心P1へ移動させる。そしてスピンモータ23によって
スピンチャック21に保持されて回転している基板Wの
表面へ吐出ノズル30から洗浄液を吐出して、基板Wの
表面に洗浄液を塗布する。
は時間t1で基板Wを低速、例えば900rpm程度の
回転数で回転させ、この間に基板Wの表面の基板回転中
心P1位置へ洗浄液を吐出し、徐々に回転数を落として
時間t2で静止させる。洗浄液が基板Wの全面に拡がっ
た時間t3の後で洗浄液の吐出を停止し、この時、表面
張力で洗浄液を基板W全面に盛って保持する。この状態
で適切な時間、静止もしくは数回の攪拌の為の回転を行
いながら洗浄する。時間t4が経過したなら続いて基板
Wを高速、例えば3,000rpm程度の回転数(時間
t5)で回転させ、これにより、基板Wの表面上から洗
浄液を振り切り基板Wを乾燥させる。尚、基板Wの回転
を開始し洗浄液を振り切ると同時に純粋またはイソプロ
ピルアルコール液等のリンス液を図示しない供給手段に
より基板W上に供給し基板W上の洗浄液を洗浄した後、
回転を続けて基板Wを乾燥させる。
て、温度調節手段4は以下のように制御される。時間t
3において図3に示すように基板Wの端縁部に洗浄液L
が拡がったタイミングでセンサー部431、441によ
る検出信号、この時点では洗浄液の液温の検出用として
設定されている温度検出手段43から出力される検出信
号に基づいて発光体41を制御する。具体的に洗浄液液
温を一定値に保持する場合は、センサー部431からの
検出信号が一定値を維持するように発光体41の発光量
の強弱を制御部5により制御する。他方の温度検出手段
44の検出信号は液温の過昇温防止用として洗浄液液温
が設定値以上に昇温されたことが検出された際に制御部
5が発光体41の発光を強制的に停止させるように機能
する。即ち、上記の構成によれば基板Wの全面上に洗浄
液Lが保持される洗浄工程である時間t3からt4まで
の間、常に洗浄液Lは所定温度に維持されるため、安定
した均一的なポリマー除去の洗浄処理が行なわれること
になる。尚、この時、図3に示すように、ノズル支持ア
ーム31は基板W上面より退去されており、発光体31
による洗浄液Lの加熱の妨げとはならない。
給手段3より供給し基板W上で高温処理を施したい場合
は、温度検出手段43の検出信号が目標の高温値となる
まで発光体41による加熱制御を行なえば良い。発光体
41によれば加熱したい対象に向けて放熱する為、熱伝
導効率を有効に行なうことができる。よって、保温効果
のみならず昇温効果により加熱制御が行なわれる。具体
的に洗浄液を80〜100℃にて洗浄工程を実施する場
合、洗浄液供給手段3にて洗浄液を予め80〜100℃
に維持しなくも常温(室温)で供給される洗浄液を基板
W上に供給された時間t2から急速加熱を行ない、80
〜100℃に昇温させ、その後その液温を維持するよう
にすればよい。このようにすることで、洗浄液供給手段
3において洗浄液の加熱手段を有する必要がなくなる
し、洗浄液供給手段3における洗浄液貯留条件を洗浄液
に応じて変更する必要は無くなる。
としての基板処理装置を説明する。図5は、現像工程に
適用される基板処理装置の概略構成を示す模式的要部断
面図である。この現像処理装置6は、主に基板Wの現像
処理が行なわれる基板現像部7と、基板現像部7に現像
液を供給する現像液供給手段8により構成されている
が、各部の構成は図1に示したポリマー除去洗浄装置1
と同じ構成要素に関しては、図1で使用した符号と同一
の符号を付して、それらについての説明は省略する。
1と同様に基板保持・回転手段20と、カップ24とが
配設されている。カップ24の近傍には、現像液(処理
液)供給手段8の恒温槽80が配設されている。恒温槽
80内の後述する現像液の供給系は、昇降・揺動駆動機
構32に保持されたノズル支持アーム31内に貫挿され
た現像液供給路81に接続されている。
液82が貯留される現像液貯留タンク83と、吐出ノズ
ル30と現像液貯留タンク83とを流路的に接続する現
像液供給配管84、および現像液供給配管84から分岐
され現像液貯留タンク83に流路的に接続された戻り配
管85から流路構成されている。戻り配管85には、ド
レン排出管25から分岐したドレン回収管26が合流さ
せられている。現像液供給配管84の、戻り配管85へ
の分岐位置より下流側の位置、および、戻り配管85
の、ドレン回収管26との合流位置より上流側の位置に
は、それぞれ開閉制御弁86、87が介挿されている。
ク83と戻り配管85への分岐位置との間に循環ポンプ
90、インラインヒータ91、フィルタ92および流量
センサ93がそれぞれ介挿して設けられている。また、
現像液供給配管84には、インラインヒータ91の下流
側に温度センサ94が介挿されており、温度センサ94
から出力される検出信号に基づいてインラインヒータ9
1を制御し基板現像部7へ送られる現像液の温度を所定
温度に保つ温度調節器95が設けられている。
図示しない投げ込みヒータが設置されており、その投げ
込みヒータにより現像液貯留タンク83内の現像液82
が加熱される。流量センサ93から出力される検出信号
は、流量監視器96に入力されて、流量監視器96によ
り現像液供給配管84内を流れる現像液の流量が監視さ
れる。また、現像液貯留タンク83の内部には、現像液
A、例えばポジ型レジストでは、有機アルカリ現像液を
供給するための現像液補充配管97の先端が連通してい
る。現像液補充配管97には、開閉制御弁98が介挿さ
れている。そして、レベルセンサ99から出力される検
出信号に基づいて開閉制御弁98を制御することによ
り、現像液補充配管97を通して現像液貯留タンク83
内へ供給される現像液量を調整されるようになってい
る。
内を貫通して配設される現像液供給路81に連通接続さ
れており、現像液供給路81は、恒温槽80内にて開閉
制御弁87を介して現像液供給配管84に流路接続され
ている。また、ノズル支持アーム31は、図5に縦断面
図で示すように温調チューブ100内部に挿通されてお
り、現像液の温度を一定に保つための恒温気体の流路1
01が形成されている。そして、この恒温気体流路10
1は、図示しない気体供給源Bに流路接続されており、
流路途中に介挿された加熱装置10により加熱された恒
温気体が温調チューブ100内へ供給される。そして恒
温気体流路101を通って先端の吐出ノズル30の方向
へ流れる間に現像液供給路81内の現像液を、その温度
が一定に保たれるように保温した後、吐出ノズル30の
先端開口103から基板Wに向かって吐出されるように
なっている。気体供給源Bからは不活性ガスが供給され
るのが好ましく、例えば窒素ガスが供給され加熱装置1
02により加熱される。
現像液供給配管84から供給される現像液は、恒温槽8
0により所定温度に加熱された状態で現像液供給路81
を通って吐出ノズル30から基板W面上に供給されるよ
うになる。そして現像処理工程の開始に伴い温調チュー
ブ100に恒温気体が流入し、現像液が現像液供給路8
1によりノズル支持アーム31を流通する際に熱交換が
行なわれて、現像液は一定の温度に維持されるのであ
る。ここでノズル支持アーム31は恒温気体からの熱交
換を効率良く行なうために熱伝導率の良い材質で構成さ
れていることは言うまでもない。
その周辺雰囲気を置換するとともに基板W表面に塗布さ
れた現像液とも熱交換を行う。よって現像液は温度検出
手段43の検出信号に応じて加熱された恒温気体の供給
により、その液温の状態を調節することが可能となる。
よって、図5の現像処理装置6においても恒温槽80よ
り下流側において現像液の液温を常に一定温度に維持可
能であり、それば基板W上に供給された後も同様であり
安定した現像処理工程を実施できる。
るのもではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。例えば、発光体41
の形態は図6に示すように基板Wの円周に沿った円形状
の発光体411を複数配置する構成としても良い。ま
た、発光体41、411は棒状のランプにより構成して
いるが、複数個の発光素子の集合体によりそれぞれ図2
に示す棒状、図6に示す円形状に発光領域が構成される
ようにしてもよい。
面の処理液の液温の状態の調節を基板Wに保持された処
理液面側から加熱するように構成しているが、基板Wの
他方面、即ち基板Wを介して処理液を加熱するように構
成してもよい。
・回転手段によって保持された基板の表面に供給され保
持された処理液は、その液温の状態を検出した検出信号
に基づいて基板上で保持された間、液温調節手段により
調節される。従って、基板の処理液保持状態における処
理工程中、処理液の液温を必要状態とすることが可能と
なり、変動の無い安定した処理が行える。
回転手段に保持され所定の回転数で回転中の基板上に処
理液吐出部により処理液を供給する。処理液の供給終了
から基板を所定時間静止状態で保持させると共に基板上
に保持された処理液の液温を調節し、この処理工程の
後、基板を所定の回転数で回転させ保持された処理液を
振り切る。このような基板処理方法によると基板上に処
理液を保持した処理工程において液温を調節する為、安
定した処理を実施することが可能となる。
置の構成を示す模式図である。
る。
示す要部模式図である。
度波形図である。
置の構成を示す模式図である
る。
Claims (5)
- 【請求項1】 基板を水平姿勢に保持して鉛直軸周りに
回転させる基板保持・回転手段と、この基板保持・回転
手段によって保持された基板の表面に対向するように配
置される処理液吐出部と、この処理液吐出部へ処理液供
給路を通して処理液を供給する処理液供給手段と、この
処理液供給手段により供給され前記処理液吐出部から基
板上に供給され保持された処理液の液温の状態を検出
し、この検出信号に基づいて基板上で保持された間、処
理液の液温を調節する液温調節手段と、を設けたことを
特徴とする基板処理装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の基板処理装置において、
上記液温調節手段は、基板上に保持された処理液を加熱
する放射加熱手段と、基板に近接して配置された温度検
出手段と、温度検出手段からの信号に応じて放射加熱手
段を制御する制御部とを備えたことを特徴とする基板処
理装置。 - 【請求項3】 請求項2記載の基板処理装置において、
放射加熱手段は基板と平行に間隔を空けて配置され、基
板の処理液保持面の面積に相当する大きさの発光体より
なることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項4】 基板保持・回転手段に静止状態で保持さ
れた基板を所定の回転数で回転させる工程と、回転中の
基板上に処理液吐出部により処理液を供給する工程と、
処理液の供給終了から基板保持・回転手段により基板を
所定時間静止状態で保持させると共に基板上に保持され
た処理液の液温を調節する処理工程と、処理工程の後、
基板を所定の回転数で回転させ保持された処理液を振り
切る工程とを備えたことを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項5】 請求項4記載の基板処理方法において、
処理工程は基板上に保持された処理液の液温の状態を検
出して、その検出信号に応じて液温を調節することを特
徴とする基板処理方法。
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