JPH09246178A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
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- JPH09246178A JPH09246178A JP8082064A JP8206496A JPH09246178A JP H09246178 A JPH09246178 A JP H09246178A JP 8082064 A JP8082064 A JP 8082064A JP 8206496 A JP8206496 A JP 8206496A JP H09246178 A JPH09246178 A JP H09246178A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】マスクパターンの投影倍率の経時的な変化を抑
制できる露光方法を提供すること。 【解決手段】所定の露光条件に基づいて、露光動作中の
マスク（１０）の経時的な温度変化の状態を求め、求め
られた温度変化の状態に基づいてマスクの目標温度
（ｂ）を設定する。そして、露光動作を開始するに先立
ち、マスク（１０）の温度を目標温度に調整する。ま
た、露光動作中においては、マスク（１０）が目標温度
を維持するようにマスク（１０）の温度制御を行う。
制できる露光方法を提供すること。 【解決手段】所定の露光条件に基づいて、露光動作中の
マスク（１０）の経時的な温度変化の状態を求め、求め
られた温度変化の状態に基づいてマスクの目標温度
（ｂ）を設定する。そして、露光動作を開始するに先立
ち、マスク（１０）の温度を目標温度に調整する。ま
た、露光動作中においては、マスク（１０）が目標温度
を維持するようにマスク（１０）の温度制御を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスク上に形成さ
れたパターンの像を感光基板上に転写露光する露光方法
に関し、特に、マスクの温度制御方法の改良に関する。
れたパターンの像を感光基板上に転写露光する露光方法
に関し、特に、マスクの温度制御方法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化等の要
請に伴い、露光装置においては感光性基板上でのパター
ン像の高い重ね合わせ精度が要求されるようになった。
マスクの重ね合わせ精度に影響する要因として、投影光
学系の結像特性（焦点位置、投影倍率）がある。そこ
で、従来の投影露光装置においては、例えば、光透過率
の高いパターンが形成されたマスク（コンタクトホール
用）を用いて実際に露光を行い、その時の露光光の照射
量を感光基板側の照射量センサで計測する。そして、計
測された照射量に基づいて、投影光学系の露光エネルギ
ーによるフォーカス変動及び倍率変動の時間的推移を求
める。露光作業中においては、この様に求められたデー
タに基づいて、投影光学系のフォーカス位置及び倍率を
補正している。
請に伴い、露光装置においては感光性基板上でのパター
ン像の高い重ね合わせ精度が要求されるようになった。
マスクの重ね合わせ精度に影響する要因として、投影光
学系の結像特性（焦点位置、投影倍率）がある。そこ
で、従来の投影露光装置においては、例えば、光透過率
の高いパターンが形成されたマスク（コンタクトホール
用）を用いて実際に露光を行い、その時の露光光の照射
量を感光基板側の照射量センサで計測する。そして、計
測された照射量に基づいて、投影光学系の露光エネルギ
ーによるフォーカス変動及び倍率変動の時間的推移を求
める。露光作業中においては、この様に求められたデー
タに基づいて、投影光学系のフォーカス位置及び倍率を
補正している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の方
法によれば、投影光学系自体の特性は補正できるが、実
際の露光作業における他の要因による位置合わせ（重ね
合わせ）誤差を十分に防止することができない。すなわ
ち、所定のパターンが形成されたマスクは、露光作業を
繰り返すうちに照明光のエネルギーを吸収し、それ自体
が熱膨張することがある。マスクの熱膨張により、一定
倍率の投影光学系によって感光基板上に投影されたパタ
ーンの像も膨張してしまう。その結果、１枚の感光基板
に複数のパターンを重ねて露光した際に、重ね合わせ位
置がずれてしまう。特にこのような問題は、透過率の低
いマスクを使用したときに顕著に現れる。
法によれば、投影光学系自体の特性は補正できるが、実
際の露光作業における他の要因による位置合わせ（重ね
合わせ）誤差を十分に防止することができない。すなわ
ち、所定のパターンが形成されたマスクは、露光作業を
繰り返すうちに照明光のエネルギーを吸収し、それ自体
が熱膨張することがある。マスクの熱膨張により、一定
倍率の投影光学系によって感光基板上に投影されたパタ
ーンの像も膨張してしまう。その結果、１枚の感光基板
に複数のパターンを重ねて露光した際に、重ね合わせ位
置がずれてしまう。特にこのような問題は、透過率の低
いマスクを使用したときに顕著に現れる。
【０００４】本発明は上記のような状況に鑑みて成され
たものであり、マスクパターンの投影倍率の経時的な変
化を抑制できる露光方法を提供することを目的とする。
たものであり、マスクパターンの投影倍率の経時的な変
化を抑制できる露光方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の方法においては、先ず露光条件（露光波
長、フォトレジスト及びマスク特性等）に基づいて、露
光動作中のマスク（１０）の経時的な温度変化の状態を
求め、求められた温度変化の状態に基づいてマスクの目
標温度（ｂ）を設定する。そして、露光動作を開始する
に先立ち、マスク（１０）の温度を目標温度に調整す
る。また、露光動作中においては、マスク（１０）が目
標温度を維持するようにマスク（１０）の温度制御を行
う。
に、本発明の方法においては、先ず露光条件（露光波
長、フォトレジスト及びマスク特性等）に基づいて、露
光動作中のマスク（１０）の経時的な温度変化の状態を
求め、求められた温度変化の状態に基づいてマスクの目
標温度（ｂ）を設定する。そして、露光動作を開始する
に先立ち、マスク（１０）の温度を目標温度に調整す
る。また、露光動作中においては、マスク（１０）が目
標温度を維持するようにマスク（１０）の温度制御を行
う。
【０００６】マスク（１０）の目標温度としては、露光
動作中にマスク（１０）の温度が上昇して飽和状態に達
するその時の温度（ｂ）に設定することが望ましい。ま
た、マスク（１０）の目標温度（ｂ）を決定するために
使用される露光条件としてはマスク（１０）の透過率、
マスク（１０）の反射率、感光基板（１４）上に塗布さ
れるフォトレジストの感度等を含むことができる。
動作中にマスク（１０）の温度が上昇して飽和状態に達
するその時の温度（ｂ）に設定することが望ましい。ま
た、マスク（１０）の目標温度（ｂ）を決定するために
使用される露光条件としてはマスク（１０）の透過率、
マスク（１０）の反射率、感光基板（１４）上に塗布さ
れるフォトレジストの感度等を含むことができる。
【０００７】
【作用及び効果】上記のような本発明においては、露光
開始時にはマスク（１０）の温度を目標温度（ｂ）に調
整しているため、露光作業を繰り返してもマスク（１
０）自体の温度が大きく変動することがない。すなわ
ち、露光開始時にマスク（１０）は既に熱的に安定な状
態に調整されており、露光作業中に照明光のエネルギー
を吸収してマスク（１０）の熱膨張の量が変化するよう
なことがなくなる。このため、投影光学系（１２）によ
って感光基板（１４）上に投影されたマスク（１０）の
パターンの像の倍率を一定に保つことができる。その結
果、１枚の感光基板に複数のパターンを重ねて露光した
際の、重ね合わせ精度の低下を抑制することができる。
開始時にはマスク（１０）の温度を目標温度（ｂ）に調
整しているため、露光作業を繰り返してもマスク（１
０）自体の温度が大きく変動することがない。すなわ
ち、露光開始時にマスク（１０）は既に熱的に安定な状
態に調整されており、露光作業中に照明光のエネルギー
を吸収してマスク（１０）の熱膨張の量が変化するよう
なことがなくなる。このため、投影光学系（１２）によ
って感光基板（１４）上に投影されたマスク（１０）の
パターンの像の倍率を一定に保つことができる。その結
果、１枚の感光基板に複数のパターンを重ねて露光した
際の、重ね合わせ精度の低下を抑制することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を以下
に示す実施例に基づいて説明する。本実施例は、半導体
デバイス製造用の投影露光装置による露光方法に本発明
を適用したものである。
に示す実施例に基づいて説明する。本実施例は、半導体
デバイス製造用の投影露光装置による露光方法に本発明
を適用したものである。
【０００９】
【実施例】図１は、本実施例にかかる投影露光装置の全
体の構成を示す。この投影露光装置は、レチクル１０上
にクロム等で形成されたパターンを投影光学系１２を介
してウエハ１４上に転写露光する。図において、水銀ラ
ンプ等の光源１６から射出された露光用の光は、シャッ
タ１８を透過後、ミラー２０、ビームスプリッタ２２及
びミラー２４から成る照明系によってレチクル１０を均
一な照度で照明する。ビームスプリッタ２２に入射した
光の一部は、反射され、インテグレータセンサ２３によ
って受光される。
体の構成を示す。この投影露光装置は、レチクル１０上
にクロム等で形成されたパターンを投影光学系１２を介
してウエハ１４上に転写露光する。図において、水銀ラ
ンプ等の光源１６から射出された露光用の光は、シャッ
タ１８を透過後、ミラー２０、ビームスプリッタ２２及
びミラー２４から成る照明系によってレチクル１０を均
一な照度で照明する。ビームスプリッタ２２に入射した
光の一部は、反射され、インテグレータセンサ２３によ
って受光される。
【００１０】レチクル１０は、レチクルホルダ２６に真
空吸着された状態で、レチクルステージ２８上に載置さ
れている。レチクル１０の上方には、レチクル１０の温
度を非接触で計測する赤外線温度センサ３０が配置され
ている。また、レチクルホルダ２６には、図示しない加
熱体が設置されており、温度制御部３２からの信号によ
り、レチクルホルダ２６を介してレチクル１０の温度を
制御するようになっている。レチクル１０の温度制御機
構としては、電熱線を利用した方式や、マイクロ波によ
る非接触式の方式等が適用できる。
空吸着された状態で、レチクルステージ２８上に載置さ
れている。レチクル１０の上方には、レチクル１０の温
度を非接触で計測する赤外線温度センサ３０が配置され
ている。また、レチクルホルダ２６には、図示しない加
熱体が設置されており、温度制御部３２からの信号によ
り、レチクルホルダ２６を介してレチクル１０の温度を
制御するようになっている。レチクル１０の温度制御機
構としては、電熱線を利用した方式や、マイクロ波によ
る非接触式の方式等が適用できる。
【００１１】図２は、温度制御部３２によるレチクル１
０の制御温度の変位を示す。ライン１００は、温度制御
を行わない状態でのレチクル１０の露光作業中の温度変
化を示す。各露光サイクルの中では、レチクル１０の温
度は、露光光が照射されている間は、徐々に上昇し、露
光光の照射が停止すると一旦降下する。また、全体の温
度変化を見ると、露光開始時ｔ０から露光が進むに連れ
て、露光光の照射エネルギーがレチクル１０に蓄積さ
れ、レチクル１０の温度はａからｂへと上昇する。そし
て、温度ｂの時点でほぼ飽和状態となる。ライン１００
に示す温度変化は、後述する制御部４０により、露光波
長、露光時間、レチクル１０の透過率及び、レチクル１
０の反射率、レチクルの材質等に基づいて求めることが
できる。一方、２００のラインは、本実施例におけるレ
チクル１０の温度制御の様子を示し、実際の露光時の安
定状態である飽和温度ｂをレチクル１０の目標温度とす
る。すなわち、露光開始時ｔ０までに、レチクル１０の
温度を目標温度ｂまで上昇させ、その後は、レチクル１
０が目標温度ｂを維持するように温度制御部３２が作用
する。
０の制御温度の変位を示す。ライン１００は、温度制御
を行わない状態でのレチクル１０の露光作業中の温度変
化を示す。各露光サイクルの中では、レチクル１０の温
度は、露光光が照射されている間は、徐々に上昇し、露
光光の照射が停止すると一旦降下する。また、全体の温
度変化を見ると、露光開始時ｔ０から露光が進むに連れ
て、露光光の照射エネルギーがレチクル１０に蓄積さ
れ、レチクル１０の温度はａからｂへと上昇する。そし
て、温度ｂの時点でほぼ飽和状態となる。ライン１００
に示す温度変化は、後述する制御部４０により、露光波
長、露光時間、レチクル１０の透過率及び、レチクル１
０の反射率、レチクルの材質等に基づいて求めることが
できる。一方、２００のラインは、本実施例におけるレ
チクル１０の温度制御の様子を示し、実際の露光時の安
定状態である飽和温度ｂをレチクル１０の目標温度とす
る。すなわち、露光開始時ｔ０までに、レチクル１０の
温度を目標温度ｂまで上昇させ、その後は、レチクル１
０が目標温度ｂを維持するように温度制御部３２が作用
する。
【００１２】レチクル１０のクロム部分を透過した光
は、投影光学系１２によって縮小投影されてウエハ１４
上に達する。投影光学系１２には、レンズコントローラ
３４が接続されている。ウエハ１４は、ウエハステージ
３６上に載置されている。ウエハステージ３６上には、
レチクル１０及び投影光学系１２を透過した光の光量を
検出する照射量モニタ３８が配置されている。本実施例
の投影露光装置は、制御部４０によって統括制御される
ように構成されており、上述したシャッタ１８，インテ
グレータセンサ２３，赤外線温度センサ３０，温度制御
部３２，レンズコントローラ３４及び照射量モニタ３８
がそれぞれ制御部４０に接続されている。
は、投影光学系１２によって縮小投影されてウエハ１４
上に達する。投影光学系１２には、レンズコントローラ
３４が接続されている。ウエハ１４は、ウエハステージ
３６上に載置されている。ウエハステージ３６上には、
レチクル１０及び投影光学系１２を透過した光の光量を
検出する照射量モニタ３８が配置されている。本実施例
の投影露光装置は、制御部４０によって統括制御される
ように構成されており、上述したシャッタ１８，インテ
グレータセンサ２３，赤外線温度センサ３０，温度制御
部３２，レンズコントローラ３４及び照射量モニタ３８
がそれぞれ制御部４０に接続されている。
【００１３】制御部４０には、ロードされたレチクル１
０の反射率、ウエハ１４上に塗布されたフォトレジスト
の感度等の露光条件が入力される。そして、制御部４０
は入力されたフォトレジストの感度から、ウエハ１４の
露光時間を算出する。また、制御部４０は、照射量モニ
タ３８の出力信号、すなわち、レチクル１０の透過光量
及び、インテグレータセンサ２３の出力信号に基づい
て、レチクル１０の透過率を算出する。制御部４０は、
シャッタ１８の開閉データと、照射量モニタ３８及びイ
ンテグレータセンサ２３の出力データに基づき、投影光
学系１４のフォーカスと倍率が一定の状態になるよう
に、不図示のフォーカスセンサ及び投影光学系１２の制
御を行う。
０の反射率、ウエハ１４上に塗布されたフォトレジスト
の感度等の露光条件が入力される。そして、制御部４０
は入力されたフォトレジストの感度から、ウエハ１４の
露光時間を算出する。また、制御部４０は、照射量モニ
タ３８の出力信号、すなわち、レチクル１０の透過光量
及び、インテグレータセンサ２３の出力信号に基づい
て、レチクル１０の透過率を算出する。制御部４０は、
シャッタ１８の開閉データと、照射量モニタ３８及びイ
ンテグレータセンサ２３の出力データに基づき、投影光
学系１４のフォーカスと倍率が一定の状態になるよう
に、不図示のフォーカスセンサ及び投影光学系１２の制
御を行う。
【００１４】次に、本実施例の動作について図３のフロ
ーチャートに沿って説明する。なお、図３のフローチャ
ートは、露光開始までの手順のみを示す。ステップ１に
おいて、レチクル１０をロードし、ロードされたレチク
ル１０をレチクルホルダ２６で真空吸着する。次に、ス
テップ２において、ロードされたレチクル１０の反射
率、ウエハ１４上に塗布されたフォトレジストの感度等
の露光条件を制御部４０に入力する。制御部４０は、フ
ォトレジストの感度からウエハ１４の露光時間を算出す
る。ステップ３においては、図示しないアライメント機
構によってレチクル１０をアライメントする。次に、ス
テップ４において、レチクル１０の透過光量を求めるた
め、露光光をレチクル１０に対して照射し、ウエハステ
ージ３６上の照射モニタ３８によって、投影光学系１２
を透過する光量を計測する。制御部４０は、照射モニタ
３８の出力信号及び、インテグレータセンサ２３の検出
信号に基づいてレチクル１０の透過率を算出する。
ーチャートに沿って説明する。なお、図３のフローチャ
ートは、露光開始までの手順のみを示す。ステップ１に
おいて、レチクル１０をロードし、ロードされたレチク
ル１０をレチクルホルダ２６で真空吸着する。次に、ス
テップ２において、ロードされたレチクル１０の反射
率、ウエハ１４上に塗布されたフォトレジストの感度等
の露光条件を制御部４０に入力する。制御部４０は、フ
ォトレジストの感度からウエハ１４の露光時間を算出す
る。ステップ３においては、図示しないアライメント機
構によってレチクル１０をアライメントする。次に、ス
テップ４において、レチクル１０の透過光量を求めるた
め、露光光をレチクル１０に対して照射し、ウエハステ
ージ３６上の照射モニタ３８によって、投影光学系１２
を透過する光量を計測する。制御部４０は、照射モニタ
３８の出力信号及び、インテグレータセンサ２３の検出
信号に基づいてレチクル１０の透過率を算出する。
【００１５】ステップ５では、制御装置４０によりレチ
クル１０の目標温度を算出する。詳述すると、上記のよ
うに算出したウエハ１４の露光時間、レチクル１０の透
過率及び、既に露光条件として入力されたレチクル１０
の反射率等に基づいて、レチクルの温度変化の状態を示
す曲線（図２のライン１００）を求める。そして、ライ
ン１００の飽和温度である温度ｂをレチクル１０の目標
温度として設定する。次に、ステップ６において、制御
部４０は温度制御部３２を制御することにより、レチク
ル１０の温度を露光開始時ｔ０までに目標温度ｂまで上
昇させる。そして、赤外線温度センサ３０によりレチク
ル１０の温度が目標温度ｂに達したことが確認されたら
（ステップ７）、ウエハ１４の露光を開始する（ステッ
プ８）。レチクル１０の目標温度ｂが決定すると、制御
部４０は、温度ａから目標温度ｂに加熱されたことによ
るレチクル１０の熱膨張分を算出する。そして、この誤
差を補正すべく、レンズコントローラ３４を介して投影
光学系１２の倍率を調整する。
クル１０の目標温度を算出する。詳述すると、上記のよ
うに算出したウエハ１４の露光時間、レチクル１０の透
過率及び、既に露光条件として入力されたレチクル１０
の反射率等に基づいて、レチクルの温度変化の状態を示
す曲線（図２のライン１００）を求める。そして、ライ
ン１００の飽和温度である温度ｂをレチクル１０の目標
温度として設定する。次に、ステップ６において、制御
部４０は温度制御部３２を制御することにより、レチク
ル１０の温度を露光開始時ｔ０までに目標温度ｂまで上
昇させる。そして、赤外線温度センサ３０によりレチク
ル１０の温度が目標温度ｂに達したことが確認されたら
（ステップ７）、ウエハ１４の露光を開始する（ステッ
プ８）。レチクル１０の目標温度ｂが決定すると、制御
部４０は、温度ａから目標温度ｂに加熱されたことによ
るレチクル１０の熱膨張分を算出する。そして、この誤
差を補正すべく、レンズコントローラ３４を介して投影
光学系１２の倍率を調整する。
【００１６】露光作業が始まった後も、赤外線温度セン
サ３０によって、常時レチクル１０の温度を計測し、レ
チクル１０が目標温度ｂを維持するように温度制御部３
２が作用する。すなわち、露光作業中にレチクル１０の
温度が目標温度ｂよりも高くなった場合には、レチクル
１０の熱をレチクルホルダ２６を介して放出する。逆
に、レチクル１０の温度が目標温度ｂよりも低くなった
場合には、レチクル１０にレチクルホルダ２６を介して
熱を供給する。その後、ウエハ１４に対する一連の露光
作業が終了すると、ウエハの交換とウエハアライメント
動作が行われるが、その間はレチクル１０の温度が徐々
に下がるが、この場合にも露光作業中と同様にレチクル
１０が目標温度ｂを維持するように温度制御部３２を制
御する。
サ３０によって、常時レチクル１０の温度を計測し、レ
チクル１０が目標温度ｂを維持するように温度制御部３
２が作用する。すなわち、露光作業中にレチクル１０の
温度が目標温度ｂよりも高くなった場合には、レチクル
１０の熱をレチクルホルダ２６を介して放出する。逆
に、レチクル１０の温度が目標温度ｂよりも低くなった
場合には、レチクル１０にレチクルホルダ２６を介して
熱を供給する。その後、ウエハ１４に対する一連の露光
作業が終了すると、ウエハの交換とウエハアライメント
動作が行われるが、その間はレチクル１０の温度が徐々
に下がるが、この場合にも露光作業中と同様にレチクル
１０が目標温度ｂを維持するように温度制御部３２を制
御する。
【００１７】以上説明したように、本実施例において
は、ウエハ１４の露光開始前からレチクル１０の加熱
し、露光中も常に一定温度（目標温度ｂ）に保っている
ため、ウエハ１４上に露光されるレチクル１０のパター
ンの投影倍率を一定に保つことが可能となる。その結
果、ウエハ１４上に複数のパターンを重ねて露光した際
にも、倍率誤差によって重ね合わせ精度が劣化すること
がない。
は、ウエハ１４の露光開始前からレチクル１０の加熱
し、露光中も常に一定温度（目標温度ｂ）に保っている
ため、ウエハ１４上に露光されるレチクル１０のパター
ンの投影倍率を一定に保つことが可能となる。その結
果、ウエハ１４上に複数のパターンを重ねて露光した際
にも、倍率誤差によって重ね合わせ精度が劣化すること
がない。
【００１８】以上、本発明の実施例について説明した
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
く、特許請求の範囲に示された本発明の技術的思想とし
ての要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
く、特許請求の範囲に示された本発明の技術的思想とし
ての要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【図１】図１は、本発明の実施例にかかる投影露光装置
の構成を示す概念図（正面図）である。
の構成を示す概念図（正面図）である。
【図２】図２は、図１に示す実施例の作用（目標温度の
設定）を説明するために用いられるのグラフである。
設定）を説明するために用いられるのグラフである。
【図３】図３は、実施例の動作手順（シーケンス）を説
明するために用いられるフローチャートである。
明するために用いられるフローチャートである。
１０・・・レチクル １２・・・投影光学系 １４・・・ウエハ １６・・・光源 ２６・・・レチクルホルダ ３０・・・赤外線温度センサ ３２・・・温度制御部 ３４・・・レンズコントローラ ３８・・・照射量モニタ ４０・・・制御部 ｂ・・・・レチクル目標温度 ｔ０・・・露光開始時間
Claims (6)
- 【請求項１】 マスクに形成されたパターンの像を投影
光学系を介して感光基板上に転写露光する露光方法にお
いて、 露光光量及び前記マスクの特性に基づいて、露光動作中
の前記マスクの経時的な温度変化の状態を求め；前記求
められた温度変化の状態に基づき、前記マスクの目標温
度を設定し；露光動作を開始するに先立ち、前記マスク
の温度を前記目標温度に調整するとともに、 露光動作中は、前記マスクが前記目標温度を維持するよ
うに前記マスクの温度を制御することを特徴とする露光
方法。 - 【請求項２】 前記目標温度は、前記露光動作中に前記
マスクの温度が上昇して飽和状態に達するその時の温度
に設定することを特徴とする請求項１に記載の露光方
法。 - 【請求項３】 前記マスクの特性は、前記マスクの透過
率又は反射率を含むことを特徴とする請求項１又は２に
記載の露光方法。 - 【請求項４】 前記マスクの特性は、前記マスクの材質
を含むことを特徴とする請求項１，２又は３に記載の露
光方法。 - 【請求項５】 前記露光光量は、前記感光基板上に塗布
されるフォトレジストの感度に依存することを特徴とす
る請求項１，２，３又は４に記載の露光方法。 - 【請求項６】 前記目標温度での前記マスクの状態に基
づき、前記投影光学系の結像特性を制御することを特徴
とする請求項１，２，３，４又は５に記載の露光方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8082064A JPH09246178A (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 露光方法 |
| US09/505,143 US6342941B1 (en) | 1996-03-11 | 2000-02-15 | Exposure apparatus and method preheating a mask before exposing; a conveyance method preheating a mask before exposing; and a device manufacturing system and method manufacturing a device according to the exposure apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8082064A JPH09246178A (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246178A true JPH09246178A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=13764081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8082064A Pending JPH09246178A (ja) | 1996-03-11 | 1996-03-11 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09246178A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007232890A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
| JP2010161344A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-07-22 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| JP2011082549A (ja) * | 2005-09-29 | 2011-04-21 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびそれによって製造されたデバイス |
| JP2013502063A (ja) * | 2009-08-11 | 2013-01-17 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | マスクの大きさを一定に維持するための方法および装置 |
-
1996
- 1996-03-11 JP JP8082064A patent/JPH09246178A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011082549A (ja) * | 2005-09-29 | 2011-04-21 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびそれによって製造されたデバイス |
| JP2007232890A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 |
| JP2010161344A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-07-22 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| JP2013502063A (ja) * | 2009-08-11 | 2013-01-17 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | マスクの大きさを一定に維持するための方法および装置 |
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