CN114141600A - 半导体工艺设备及下电极腔室的温度控制方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种半导体工艺设备及下电极腔室的温度控制方法，上述设备包括控制单元、吹扫单元和检测单元；其中，检测单元用于检测下电极腔室内部气体的当前温度和当前湿度；吹扫单元与下电极腔室内部连通，用于向下电极腔室中通入吹扫气体并调节吹扫气体的温度；控制单元用于根据基座的预设温度获取对应的目标露点温度，再根据目标露点温度和预设的与当前湿度对应的下电极腔室内部气体的温度和露点温度的对应关系，获取下电极腔室内部气体的目标温度；判断当前温度是否达到目标温度，若否，则控制吹扫单元调节吹扫气体的温度，直至当前温度达到目标温度，从而能够避免下电极腔室内部发生冷凝。

Description

半导体工艺设备及下电极腔室的温度控制方法

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种半导体工艺设备及下电极腔室的温度控制方法。

背景技术

在等离子体工艺进行的过程中，晶圆通常被放置在下电极上，例如放置在内置有下电极的静电卡盘(Electro Static Chuck，简称ESC)上，以进行等离子体刻蚀或沉积等工艺。而由于工艺中的等离子体往往具有极高的化学活性和较高的温度，因此需要利用下电极或静电卡盘对晶圆进行冷却，以保证晶圆的温度不会过高。

现有技术方案中，工艺设备中通常设置有冷却管道，以利用冷却管道中持续流动的冷却液调节下电极的温度，进而调节晶圆的温度。当冷却管路外壁与气体中的水蒸气接触时会产生冷凝水，而由于冷却管道需要从下电极下方引出，冷却管路的下电极底部接口处以及冷却管路靠近下电极的部分都会设置在腔室内部，因此冷凝水可以会与下电极发生接触，而影响下电极的性能，进而影响工艺效果。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体工艺设备及下电极腔室的温度控制方法，其能够通过调节下电极腔室内部气体温度来防止下电极腔室内部发生冷凝。

为实现本发明的目的而提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、设置在所述工艺腔室中的基座、下电极腔室和调温单元，所述调温单元用于通过调温管路向所述基座中输送调温介质以调节所述基座的温度，所述调温管路部分位于所述下电极腔室中；还包括控制单元、吹扫单元和检测单元；其中，所述检测单元用于检测所述下电极腔室内部气体的当前温度和当前湿度，并发送至所述控制单元；所述吹扫单元与所述下电极腔室内部连通，用于向所述下电极腔室中通入吹扫气体并调节所述吹扫气体的温度；所述控制单元用于根据所述基座的预设温度获取对应的目标露点温度，再根据所述目标露点温度和预设的与所述当前湿度对应的所述下电极腔室内部气体的温度和露点温度的对应关系，获取所述下电极腔室内部气体的目标温度；判断所述当前温度是否达到所述目标温度，若否，则控制所述吹扫单元调节吹扫气体的温度，直至所述当前温度达到所述目标温度。

可选的，所述控制单元还用于在所述半导体工艺设备初始化时，根据所述检测单元检测到的当前湿度，判断所述下电极腔室内部气体是否处于预设的校准湿度范围内，若是，则控制吹扫单元调节吹扫气体的温度，以使所述下电极腔室内部气体温度达到多个不同的预设校准温度；所述检测单元还用于在所述下电极腔室内部气体处于多个所述预设校准温度时，检测与每个所述预设校准温度一一对应的露点温度；所述控制单元还用于根据多个所述预设校准温度和对应的多个所述露点温度拟合出与所述当前湿度对应的所述下电极腔室内部气体的温度和露点温度的对应关系。

可选的，所述检测单元包括设置在所述下电极腔室中的测温模块、测湿模块和露点检测模块；其中，

所述测温模块用于实时检测所述下电极腔室内部气体的温度；

所述测湿模块用于实时检测所述下电极腔室内部气体的湿度；

所述露点检测模块用于实时检测所述下电极腔室内部气体的露点温度。

可选的，所述吹扫单元包括出气装置和吹扫管路；其中，

所述出气装置与所述下电极腔室连接，且所述出气装置分别与所述下电极腔室内部和吹扫管路连通；

所述吹扫管路的出气端与所述出气装置连通，所述吹扫管路的出气端与吹扫气源连通，以将吹扫气体通入所述下电极腔室内部。

可选的，所述出气装置包括空气放大器，所述空气放大器的出气端与所述下电极腔室内部连通，所述空气放大器的第一进气端与所述吹扫管路的出气端连通，所述空气放大器的第二进气端与大气环境连通；

所述吹扫气源为压缩气体源。

可选的，所述吹扫单元还包括温度调节装置，所述温度调节装置与所述吹扫管路连通，所述温度调节装置用于接收所述控制单元发出的调温信号，以根据所述调温信号调节所述吹扫管路中吹扫气体的温度。

可选的，温度调节装置包括调温腔，所述调温腔的进气口和出气口均与所述吹扫管路连通，所述调温腔的腔室壁中设置有调温管路；

所述调温管路用于通入调温介质，且调温介质由所述调温管路的进液口流入并由所述调温管路的出液口流出，以使所述调温腔与所述吹扫气体进行热量传递。

可选的，所述调温腔中还设置有过滤装置，用于过滤所述吹扫气体中的水汽。

可选的，所述过滤装置包括沿所述调温腔的进气口至出气口方向并排设置的多个过滤网，所述过滤网用于吸收所述吹扫气体中的水汽。

作为另一种技术方案，本发明还提供一种下电极腔室温度控制方法，应用于上述任意一个实施例所述的半导体工艺设备，其包括：

检测下电极腔室内部气体的当前温度和当前湿度；

根据基座的预设温度获取对应的目标露点温度，再根据所述目标露点温度和预设的与所述当前湿度对应的所述下电极腔室内部气体的温度和露点温度的对应关系，获取下电极腔室内部气体的目标温度；

判断所述下电极腔室内部气体的当前温度是否达到所述目标温度，若否，则开启吹扫单元，并调节吹扫气体的温度，直至所述当前温度达到所述目标温度。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的半导体工艺设备，通过结合控制单元和检测单元，来根据基座的预设温度获取目标露点温度，并根据该目标露点温度以及预设的与当前湿度对应的下电极腔室内部气体的温度和露点温度的对应关系求得下电极腔室内部气体的目标温度，并利用吹扫单元调节向下电极腔室通入的吹扫气体的温度，使下电极腔室内部气体温度达到该目标温度，以使下电极腔室内部的露点温度能够低于下电极腔室内部当前温度，从而能够保证下电极腔室内部不会发生冷凝现象，进而可以避免基座中的下电极性能被冷凝水影响。

本发明提供的下电极腔室的温度控制方法，应用于上述实施例提供的半导体工艺设备，其根据下电极腔室的目标露点温度和预设的与当前湿度对应的下电极腔室内部气体的温度和露点温度的对应关系，获取下电极腔室内部气体的目标温度，然后不断地调节吹扫气体的温度，直至下电极腔室内部气体的温度达到目标温度，从而能够避免下电极腔室内部发生冷凝现象。

附图说明

图1为本发明实施例1提供的半导体工艺设备的结构示意图；

图2为本发明实施例1提供的出气装置的一种结构示意图；

图3a为本发明实施例1提供的吹扫单元的局部俯视剖视图；

图3b为本发明实施例1提供的吹扫单元的局部侧视剖视图；

图4为本发明实施例1提供的一种下电极腔室内部气体温度与露点温度的关系曲线；

图5为本发明实施例1提供的过滤网的一种结构示意图；

图6为本发明实施例2提供的下电极腔室温度控制方法的流程图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的半导体工艺设备及下电极腔室的温度控制方法详细描述。

实施例1

本实施例提供一种半导体工艺设备，如图1所示，其包括工艺腔室6，工艺腔室6中设置有基座2，基座2用于承载晶圆并对晶圆加载射频功率；工艺腔室6底部设置有下电极腔室1。为了对晶圆温度进行调节，半导体工艺设备中设置有调温单元3，调温单元3与基座2底部相连，用于通过部分位于下电极腔室1内部的调温管路31向基座2中输送调温介质以调节基座2的温度，从而能够通过调节基座2的温度来调节晶圆的温度。当调温单元3对基座2进行冷却时，下电极腔室1内部气体中的水汽在接触调温管路31的外表面和基座2底面时极易发生冷凝并形成冷凝水，而冷凝水会影响基座2中下电极的性能，进而影响工艺效果。

为了防止下电极腔室1内部发生冷凝，如图1所示，本实施例提供的半导体工艺设备还包括控制单元(图中未示出)、吹扫单元4和检测单元5。其中，检测单元5用于检测下电极腔室1内部气体的当前温度和当前湿度，并发送至控制单元；具体的，检测单元5设置在下电极腔室1中。吹扫单元4与下电极腔室1内部连通，用于向下电极腔室1中通入吹扫气体，并调节吹扫气体的温度。

控制单元用于根据基座的预设温度确定对于对应的目标露点温度；再根据该目标露点温度以及预设的温度和露点温度对应关系，获取下电极腔室1内部气体的目标温度。其中，前述对应关系用于表示在当前湿度下，下电极腔室1内部气体温度和露点温度的关系。

具体的，露点温度为固定气压下气体中所含水汽达到饱和而形成液态水时的温度，当气体当前温度低于露点温度时，则会发生冷凝，例如在基座2底面上形成冷凝水、在调温单元3外表面形成冷凝水或在下电极腔室1内部空间中形成雾气；而当气体当前温度高于露点温度时，则气体环境中的水会保持气体状态，即水汽。需要说明的是，露点温度是一种用以表征气体环境湿度的物理性质，而且露点温度由气体温度和湿度决定，即其会随着气体环境温度和湿度的变化而变化。可见，只要露点温度低于气体环境温度，即可保证气体环境中不会发生冷凝现象。因此，上述的目标露点温度应当低于基座2的预设温度，以避免水汽在基座2底面形成冷凝水，从而能够避免冷凝水影响基座中的下电极性能；而且由于调温管路3外表面通常与基座2的工艺温度相近，因此，使目标露点温度低于基座2的预设温度，还可以避免水汽在调温管路3外表面形成冷凝水。

控制单元还用于判断下电极腔室1的当前温度是否达到前述目标温度，若否，则控制吹扫单元4调节吹扫气体的温度，直至当前温度达到目标温度，以使下电极腔室1内部的露点温度低于目标温度，从而能够避免下电极腔室1内部发生冷凝现象，进而能够避免基座2中的下电极性能被冷凝水影响。

如上述，露点温度受气体温度因素和湿度因素的影响。而在现今的气象学领域中，露点温度通常利用以下公式进行推算：

其中，T_d为露点温度，T为气体环境温度，RH为气体环境相对湿度，a、b则为常系数。但在实际生产中，下电极腔室1的内部环境还存在诸多影响因素，例如下电极腔室内部气压、吹扫气体流速等，因此上述函数关系并不适用于半导体工艺设备。为了获取更为准确的函数关系，可以利用实际下电极腔室内部气体的湿度、温度和露点温度直接拟合出三者的对应关系。

具体的，在一些实施例中，在半导体工艺设备初始化阶段，控制单元还用于根据检测单元检测到的当前湿度，判断下电极腔室1内部气体是否处于预设的校准湿度范围内，若是，则控制吹扫单元4调节吹扫气体的温度，以使下电极腔室1内部气体温度达到多个不同的预设校准温度。在下电极腔室1内部气体湿度处于预设校准湿度的条件下，检测单元5还用于在下电极腔室1内部气体处于预设校准温度时，检测与每个预设校准温度一一对应的露点温度。在检侧到多组预设校准温度和露点温度后，控制单元还用于根据多个预设校准温度和对应的多个露点温度拟合出在与当前湿度对应的下电极腔室内部气体的温度和露点温度的对应关系，即，在确定了下电极腔室1内部气体湿度的情况下对两个未知参数(下电极腔室1内部气体温度和露点温度)的关系进行拟合，这样拟合过程计算量大大减少，且获得的对应关系也较为符合下电极腔室内部气体的实际情况。

而且，上述预设对应关系的获取过程还可以在多个不同的湿度下进行。分别以当前湿度为30％和35％为例，本实施例还提供一种上述对应关系的实际拟合的过程，具体包括：将下电极腔室1的内部气体湿度分别调节至30％和35％；控制单元控制吹扫单元4将下电极腔室1内部气体调节至多个不同的预设校准温度，并利用检测单元5分别在当前湿度为30％和35％时，检测多个预设校准温度和对应的露点温度，具体获得的数据如下表所示：

表1下电极腔室湿度为30％和35％时，温度和露点温度检测值

	湿度30％	湿度35％
			下电极腔室温度	露点温度a	露点温度b
T1	t1a	t1b
			T2	t2a	t2b
T3	t3a	t3b
			T4	t4a	t4b
T5	t5a	t5b
			T6	t6a	t6b
T7	t7a	t7b
			T8	t8a	t8b
T9	t9a	t9b
			T10	t10a	t10b

根据以上多组数据可以拟合出在当前湿度为30％时，下电极腔室1内部露点温度和目标温度的对应关系例如为以下函数关系式：

T＝3×10^-7t⁶-2×10^-5t⁵+0.0008t⁴-0.0113t³+0.0694t²+0.7928t-7.9882

在当前湿度为35％时，下电极腔室1内部露点温度和目标温度的对应关系例如为以下函数关系式：

T＝-2×10^-7t⁶+2×10^-5t⁵-0.0007t⁴+0.0134t³-0.1229t²+1.3989t-6.337

其中，T为下电极腔室1内部温度，t为露点温度。具体的，受基座2的预设工艺温度的限制，下电极腔室1内部温度T的取值范围为：10℃≤T≤40℃，且露点温度t的取值范围为：-7℃≤t≤21.6℃。图4示出了下电极腔室内部温度与露点温度的关系曲线，可见，不同湿度下，下电极腔室内部温度与露点温度的关系也不相同。

而且，上述对应关系不限于被拟合成连续的函数关系，其也可以被拟合成非连续的数列或数组，并以数据表的形式存储于控制单元中。

在一些实施例中，检测单元5包括设置在下电极腔室1中的测温模块51、测湿模块52和露点检测模块53。其中，测温模块51用于实时检测下电极腔室1内部气体的温度；测湿模块52用于实时检测下电极腔室1内部气体的湿度；露点检测模块53用于实时检测下电极腔室1内部气体的露点温度，具体的，露点检测模块53可以采用露点仪，其能够直接测出气体环境的露点温度。

在一些实施例中，如图1所示，吹扫单元4包括出气装置41和吹扫管路42。其中，出气装置41与下电极腔室1壁连接固定，其分别与下电极腔室1内部和吹扫管路42连通，具体的，出气装置41例如为喷嘴。吹扫管路42的出气端与出气装置41连通，吹扫管路42的出气端与吹扫气源连通，以将吹扫气体通入下电极腔室1内部。

在一些实施例中，出气装置41包括空气放大器。如图2所示，空气放大器的出气端a与下电极腔室1内部连通，空气放大器的第一进气端b与吹扫管路42的出气端连通，空气放大器的第二进气端c与大气环境连通；而且，吹扫气源43为压缩气体源(CDA)，用以利用少量高压、高速的压缩气体带动大气环境中的空气，从而向下电极腔室1内部输入大量高速的吹扫气体，在这种情况下，吹扫气体为压缩气体和空气的混合体。可见，相较于仅向下电极腔室1内部通入压缩空气，利用空气放大器可以向下电极腔室1内部通入更多的吹扫气体，从而能够获得更好的吹扫效果。

在一些实施例中，吹扫单元4还包括温度调节装置，温度调节装置与吹扫管路42连通，温度调节装置用于接收控制单元发出的调温信号，以根据调温信号调节吹扫管路42中吹扫气体的温度。

在一些实施例中，如图1所示，前述温度调节装置包括调温腔44，调温腔44的进气口和出气口均与吹扫管路连通；如图3a和图3b所示，调温腔44的腔室壁中设置有调温管路441，调温管路441用于通入调温介质，且调温介质由调温管路441的进液口流入并由出液口流出，以与吹扫管路42的管壁之间进行热量传递，以在调温介质流过时，能够带走吹扫管路42中吹扫气体的热量，或对吹扫管路42中吹扫气体进行加热，基于此，可以通过调节调温介质的温度来调节吹扫气体的温度。但调温管路441的结构并不仅限于此，在另一些实施例中，调温管路还可以为绕调温腔44的腔室壁设置的螺旋状管路，其能够与调温腔44的腔室壁接触，以使调温介质能够与吹扫气体进行热量传递即可。

如图3a和图3b所示，在一些实施例中，吹扫管路42中还设置有气体温度检测装置421，用以检测吹扫气体的温度。

在一些实施例中，调温腔44内部还设置有过滤装置442，用于过滤吹扫气体中的水汽。由于下电极腔室1内部湿度越大，露点温度就越高，进而下电极腔室1内部就越容易发生冷凝，因此通过去除吹扫气体中的水汽来降低下电极腔室1内部湿度，能够有效避免下电极腔室1内部发生冷凝现象。

在一些实施例中，过滤装置442包括沿调温腔的进气口至出气口方向并排设置的多个过滤网，过滤网用于吸收吹扫气体中的水汽。在一些实施例中，过滤网可以例如为如图5所示的网状结构。而且，如图3a和图3b所示，为了尽可能地去除吹扫气体中的水汽，前述过滤网还可以呈多层蜂窝状。

不过，本实施例中的过滤装置442不限于仅设置于调温腔中，在另一些可选的实施例中，过滤装置442还可以设置在吹扫管路42中，或设置在出气装置41的进气口处，或设置在出气装置41的出气口处，或设置在出气装置41中，以在吹扫气体流经过滤装置时，吹扫气体中的水汽能够被吸收。

在一些实施例中，过滤网例如由诸如硅酸干凝胶等的吸水材质制成，以吸收吹扫气体中的水汽。

本实施例提供的半导体工艺设备，通过结合控制单元和检测单元，来根据基座的预设温度获取目标露点温度，并根据该目标露点温度以及预设的与当前湿度对应的下电极腔室内部气体的温度和露点温度的对应关系求得下电极腔室内部气体的目标温度，并利用吹扫单元调节向下电极腔室通入的吹扫气体的温度，使下电极腔室内部气体温度达到该目标温度，以使下电极腔室内部的露点温度能够低于下电极腔室内部当前温度，从而能够保证下电极腔室内部不会发生冷凝现象，进而可以避免基座中的下电极性能被冷凝水影响。

实施例2

在实施例1提出的半导体工艺设备的基础上，如图6所示，本实施例提供一种应用于上述半导体工艺设备的下电极腔室温度控制方法，其包括以下步骤：

步骤S1：检测下电极腔室内部气体的当前湿度和当前湿度；

步骤S2：根据基座的预设温度获取对应的目标露点温度，再根据目标露点温度和预设的与当前湿度对应的下电极腔室内部气体的温度和露点温度的对应关系，获取下电极腔室内部气体的目标温度；

步骤S3：判断下电极腔室内部气体的当前温度是否达到目标温度，若否，则开启吹扫单元，并调节吹扫气体的温度，直至当前温度达到目标温度。

在一些实施例中，在上述下电极腔室温度调节过程开始之前的初始化阶段，温度控制方法还包括拟合出上述对应关系的步骤，具体包括：

步骤S01：检测下电极腔室内部气体的当前湿度，并判断当前湿度是否处于预设的校准湿度范围内；若是，则进行步骤S02；

步骤S02：将下电极腔室内部气体调节至多个预设校准温度，并一一对应地检测多个相应的露点温度；

步骤S03：根据多个预设校准温度和对应的多个露点温度拟合出在当前湿度下的下电极腔室内部气体的温度和露点温度的对应关系；

若需要拟合出在多个不同湿度下，例如为30％和35％，下电极腔室内部气体的温度和露点温度的对应关系，则可以在完成步骤S03后，返回步骤S01，调节当前湿度。

作为另一种技术方案，本实施例还提供一种半导体工艺设备的温度控制方法，其具体包括以下步骤：

步骤S10：获取基座的预设温度，并根据基座的预设温度获取目标露点温度；

其中，基座预设温度高于目标露点温度，以避免水汽在位于基座底部的连接处发生冷凝，进而能够避免基座受到冷凝水影响；具体的，可以通过在基座的预设温度基础上减去一预定值得到目标露点温度；

步骤S20：采用实施例2中所述的下电极腔室的温度控制方法，将下电极腔室内部温度调节至目标温度；

具体的，由于步骤S10中设定的基座预设工艺温度高于预设露点温度，因此步骤S20中得到的下电极腔室的目标温度能够满足下电极腔室内部水汽不会发生冷凝，且不会在基座底部发生冷凝；

步骤S30：当下电极腔室内部温度达到目标温度时，控制冷却单元将基座调节至预设温度。

本实施例还提供一种应用于实际生产中的温度初始化流程，其具体包括以下步骤：

步骤S01：读取基座的预设温度T_E；

步骤S02：根据T_E计算目标露点温度，具体的，目标露点温度t＝T_E-a，其中，a为补偿温度，其取值范围为：3℃≤a≤5℃；

步骤S03：将目标露点温度代入到预设的对应关系中，以得到下电极腔室的目标温度T；

步骤S04：根据目标温度T调节下电极腔室的当前温度；

步骤S05：实时检测下电极腔室的当前温度，并判断下电极腔室的当前温度是否达到目标温度T，若是，则继续进行步骤S06；若否，则返回步骤S04；

步骤S06：将基座的温度调节至预设工艺温度T_E。

本实施例提供的下电极腔室的温度控制方法，其根据下电极腔室的目标露点温度和预设的与当前湿度对应的下电极腔室内部气体的温度和露点温度的对应关系，获取下电极腔室内部气体的目标温度，然后不断地调节吹扫气体的温度，直至下电极腔室内部气体的温度达到目标温度，从而能够避免下电极腔室内部发生冷凝现象。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、设置在所述工艺腔室中的基座、下电极腔室和调温单元，所述调温单元用于通过调温管路向所述基座中输送调温介质以调节所述基座的温度，所述调温管路部分位于所述下电极腔室中；其特征在于，还包括控制单元、吹扫单元和检测单元；其中，

所述检测单元用于检测所述下电极腔室内部气体的当前温度和当前湿度，并发送至所述控制单元；

所述吹扫单元与所述下电极腔室内部连通，用于向所述下电极腔室中通入吹扫气体并调节所述吹扫气体的温度；

所述控制单元用于根据所述基座的预设温度获取对应的目标露点温度，再根据所述目标露点温度和预设的与所述当前湿度对应的所述下电极腔室内部气体的温度和露点温度的对应关系，获取所述下电极腔室内部气体的目标温度；判断所述当前温度是否达到所述目标温度，若否，则控制所述吹扫单元调节吹扫气体的温度，直至所述当前温度达到所述目标温度。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述控制单元还用于在所述半导体工艺设备初始化时，根据所述检测单元检测到的当前湿度，判断所述下电极腔室内部气体是否处于预设的校准湿度范围内，若是，则控制吹扫单元调节吹扫气体的温度，以使所述下电极腔室内部气体温度达到多个不同的预设校准温度；

所述检测单元还用于在所述下电极腔室内部气体处于多个所述预设校准温度时，检测与每个所述预设校准温度一一对应的露点温度；

所述控制单元还用于根据多个所述预设校准温度和对应的多个所述露点温度拟合出与所述当前湿度对应的所述下电极腔室内部气体的温度和露点温度的对应关系。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述检测单元包括设置在所述下电极腔室中的测温模块、测湿模块和露点检测模块；其中，

所述测温模块用于实时检测所述下电极腔室内部气体的温度；

所述测湿模块用于实时检测所述下电极腔室内部气体的湿度；

所述露点检测模块用于实时检测所述下电极腔室内部气体的露点温度。

4.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述吹扫单元包括出气装置和吹扫管路；其中，

所述出气装置与所述下电极腔室连接，且所述出气装置分别与所述下电极腔室内部和吹扫管路连通；

所述吹扫管路的出气端与所述出气装置连通，所述吹扫管路的出气端与吹扫气源连通，以将吹扫气体通入所述下电极腔室内部。

5.根据权利要求4所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述出气装置包括空气放大器，所述空气放大器的出气端与所述下电极腔室内部连通，所述空气放大器的第一进气端与所述吹扫管路的出气端连通，所述空气放大器的第二进气端与大气环境连通；

所述吹扫气源为压缩气体源。

6.根据权利要求4所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述吹扫单元还包括温度调节装置，所述温度调节装置与所述吹扫管路连通，所述温度调节装置用于接收所述控制单元发出的调温信号，以根据所述调温信号调节所述吹扫管路中吹扫气体的温度。

7.根据权利要求6所述的半导体工艺设备，其特征在于，温度调节装置包括调温腔，所述调温腔的进气口和出气口均与所述吹扫管路连通，所述调温腔的腔室壁中设置有调温管路；

所述调温管路用于通入调温介质，且调温介质由所述调温管路的进液口流入并由所述调温管路的出液口流出，以使所述调温腔与所述吹扫气体进行热量传递。

8.根据权利要求7所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述调温腔中还设置有过滤装置，用于过滤所述吹扫气体中的水汽。

9.根据权利要求8所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述过滤装置包括沿所述调温腔的进气口至出气口方向并排设置的多个过滤网，所述过滤网用于吸收所述吹扫气体中的水汽。

10.一种下电极腔室温度控制方法，应用于权利要求1-9任意一项所述半导体工艺设备，其特征在于，包括：

检测下电极腔室内部气体的当前温度和当前湿度；

根据基座的预设温度获取对应的目标露点温度，再根据所述目标露点温度和预设的与所述当前湿度对应的所述下电极腔室内部气体的温度和露点温度的对应关系，获取下电极腔室内部气体的目标温度；

判断所述下电极腔室内部气体的当前温度是否达到所述目标温度，若否，则开启吹扫单元，并调节吹扫气体的温度，直至所述当前温度达到所述目标温度。

Images