KR100815966B1 - 기판 처리액의 온도를 조절하기 위한 장치 - Google Patents
기판 처리액의 온도를 조절하기 위한 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100815966B1 KR100815966B1 KR1020070036381A KR20070036381A KR100815966B1 KR 100815966 B1 KR100815966 B1 KR 100815966B1 KR 1020070036381 A KR1020070036381 A KR 1020070036381A KR 20070036381 A KR20070036381 A KR 20070036381A KR 100815966 B1 KR100815966 B1 KR 100815966B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- tank
- processing liquid
- temperature
- temperature control
- control device
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
Claims (9)
- 기판 처리 공정에서 사용되는 처리액을 수용하는 제1 탱크;상기 제1 탱크와 연결되어 상기 제1 탱크에 수용된 처리액의 온도를 조절하기 위한 히터; 및상기 제1 탱크를 감싸도록 배치되며 상기 제1 탱크에 수용된 처리액의 온도를 조절하기 위한 냉각수를 수용하는 제2 탱크를 포함하는 처리액의 온도 조절 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 탱크는 상방으로 연장하는 통 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 온도 조절 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 히터는 상기 제1 탱크를 감싸도록 배치되는 것을 특징으로 하는 온도 조절 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 히터는 전기저항열선인 것을 특징으로 하는 온도 조절 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 탱크와 연결되어 상기 제1 탱크 내부로 상기 처리액을 공급하는 제1 처리액 배관; 및상기 제1 탱크와 연결되어 상기 제1 탱크 내에서 온도가 조절된 처리액을 상기 제1 탱크로부터 추출하는 제2 처리액 배관을 더 포함하는 온도 조절 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 제2 처리액 배관은 상기 제1 탱크 내부로 연장하며, 상기 제2 처리액 배관의 단부는 상기 제1 탱크의 하부에 위치되는 것을 특징으로 하는 온도 조절 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 제1 탱크의 상부에 연결되어 상기 제1 탱크 내에 수용된 처리액으로부터 발생된 기포 또는 가스를 배출하기 위한 배기 배관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 조절 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 탱크와 연결되어 상기 냉각수를 순환시키기 위한 냉각수 순환 배관들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 조절 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 탱크에 설치되어 상기 제1 탱크에 수용된 처리액의 온도를 측정하기 위한 온도 센서; 및상기 온도 센서의 신호에 따라 상기 히터의 동작 및 냉각수의 유량을 제어하는 온도 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 조절 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070036381A KR100815966B1 (ko) | 2007-04-13 | 2007-04-13 | 기판 처리액의 온도를 조절하기 위한 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070036381A KR100815966B1 (ko) | 2007-04-13 | 2007-04-13 | 기판 처리액의 온도를 조절하기 위한 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100815966B1 true KR100815966B1 (ko) | 2008-03-24 |
Family
ID=39411410
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070036381A KR100815966B1 (ko) | 2007-04-13 | 2007-04-13 | 기판 처리액의 온도를 조절하기 위한 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100815966B1 (ko) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101066597B1 (ko) | 2010-01-05 | 2011-09-22 | 세메스 주식회사 | 초음파 유량계 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 |
KR101090075B1 (ko) | 2010-11-09 | 2011-12-07 | 주식회사 고려반도체시스템 | 웨이퍼 코팅 장치 및 이에 코팅액을 공급하는 방법 |
KR20180079547A (ko) * | 2016-12-30 | 2018-07-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 온도 센서 |
CN115059955A (zh) * | 2022-05-26 | 2022-09-16 | 袁鸣 | 一种半导体温差集温地热取暖器 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH097934A (ja) * | 1995-06-19 | 1997-01-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理用流体供給装置 |
KR20010017724A (ko) * | 1999-08-13 | 2001-03-05 | 윤종용 | 포토 레지스트 점도 조절 장치 |
-
2007
- 2007-04-13 KR KR1020070036381A patent/KR100815966B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH097934A (ja) * | 1995-06-19 | 1997-01-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理用流体供給装置 |
KR20010017724A (ko) * | 1999-08-13 | 2001-03-05 | 윤종용 | 포토 레지스트 점도 조절 장치 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101066597B1 (ko) | 2010-01-05 | 2011-09-22 | 세메스 주식회사 | 초음파 유량계 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 |
KR101090075B1 (ko) | 2010-11-09 | 2011-12-07 | 주식회사 고려반도체시스템 | 웨이퍼 코팅 장치 및 이에 코팅액을 공급하는 방법 |
KR20180079547A (ko) * | 2016-12-30 | 2018-07-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 온도 센서 |
KR101964654B1 (ko) * | 2016-12-30 | 2019-04-04 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 온도 센서 |
CN115059955A (zh) * | 2022-05-26 | 2022-09-16 | 袁鸣 | 一种半导体温差集温地热取暖器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108461418B (zh) | 基板处理装置 | |
KR102303329B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법 | |
US9793176B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR100802667B1 (ko) | 상부 전극, 플라즈마 처리 장치 및 처리 방법, 및 제어 프로그램을 기록한 기록매체 | |
KR102057383B1 (ko) | 처리액 공급 장치, 기판 처리 장치, 및 처리액 공급 방법 | |
KR101656333B1 (ko) | 소수화 처리 장치, 소수화 처리 방법 및 기억 매체 | |
KR100815966B1 (ko) | 기판 처리액의 온도를 조절하기 위한 장치 | |
US20110087378A1 (en) | Control method and processor of exhaust gas flow rate of processing chamber | |
KR101696194B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102134949B1 (ko) | 처리액 공급 장치, 기판 처리 장치, 및 처리액 공급 방법 | |
JP6847726B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR100741475B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 습식 식각 및 세정 약품 가열용 인라인 히터 | |
KR100938242B1 (ko) | 약액 공급 시스템 | |
KR20170029153A (ko) | 처리액 혼합 탱크 | |
KR100741478B1 (ko) | 반도체 공정액 항온기 | |
KR100864645B1 (ko) | 기판 처리 장치에 사용되는 고온 폐수 처리 장치 | |
KR200409072Y1 (ko) | 반도체 및 액정패널 제조설비용 서셉터의 냉각장치 | |
JP4034285B2 (ja) | 温度調節システム及び温度調節方法 | |
KR20080077857A (ko) | 소정 온도의 냉각수를 보충하기 위한 공급부를 구비하는반도체 제조 설비 및 이를 이용한 냉각수 공급 방법 | |
JP4511900B2 (ja) | 洗浄液加熱装置及びそれを用いた洗浄液加熱方法 | |
KR101342991B1 (ko) | 플라즈마 식각 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 시스템 | |
KR20180125077A (ko) | 약액 가열 장치와 약액 가열 방법 | |
US20230184574A1 (en) | Apparatus and method of supplying chemical liquid and substrate treating apparatus | |
KR100785372B1 (ko) | 항온수공급장치 및 이의 제어방법 | |
JP2005243814A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130305 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140304 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150303 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160226 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170303 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180302 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200303 Year of fee payment: 13 |