JPS5817263B2 - 液体ソ−スのガス化方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の製造工程である減圧下での化学気
相成長工程やドライエツチング工程での液化ソースのガ
ス化を減圧下で行なうことができ、。

さらにガス濃度を制御することができる方法に関するも
のである。

最近の化学気相成長法やドライエツチング法は減圧法が
主流を占めてきている。

そしてその反応ガスの導入手段として、液体ソースをエ
バボレー、りによりガス化する手段がある。

第１図及び第２図は従来のガス化方法を説明するための
概略図である。

１は恒温槽、２は液体ソース、３はエバポレータで、エ
バポレータ３にはキャリアガスが導入管４より導入され
、エバポレータ３内で蒸発した液体ソースのガスとキャ
リアガスとが混合され、導入管６を介して反応管７に導
ひかれる。

反応管７内は、真空ポンプ８により減圧状態に保たれて
いる。

９はバルブである。第１図の場合、導入管６に流量制御
装置５が設けられ、それにより反応管に導入されるガス
の流量を制御している。

しかしながら、使用流量が小さい場合流量制御装置５の
コンダクタンスを小にするため、流量制御装置５の反応
管γ側は減圧状態、エバポレータ３側は常圧状態になる
。

そのため液体ソースの蒸発量は恒温槽の温度に依存する
ことになり、所定の濃度のガスを得るために恒温槽の温
度を常温以上で使用した場合、反応管に導入されるまで
に温度が下がりガスが液化してしまう。

また腐蝕性のガスを使用した場合、流量制御装置５の故
障が発生しやすくなる。

そこで第２図の如く流量制御装置５を導入管４側に設け
たとする。

しかしながら、種々の液体ソースを最適の温度領域と減
圧の領域でガス化するためには、種々の液体ソースに応
じた導入管６のコンダクタンスを設定する必要がある。

例えばＰＣｌ３の液体ソースをガス化するのに一３０℃
程度で可能なコンダクタンスをもつ導入管に対して、Ｐ
Ｏ（ＯＣＨ３）３の液体ソースでは２５°Ｃ〜３０℃の
常温以上の温度になり、前述した理由より好ましくない
。

これは導入管のコンダクタンスが最適のコンダクタンス
より小さい場合は、その蒸発量は温度に依存し、大きい
場合は減圧度に依存するためである。

そこで第２図の場合導入管６のコンダクタンスを制御す
る必要がある。

さらにコンダクタンスを匍御し、流量制御装置５により
キャリアガスの流量を制御してその減圧度と恒温槽の温
度とを制御しても、それは間接制御にすぎず、たとえば
液体ソースの液量の変化により生じる圧力の変化に伴う
蒸発量の変化を制御することはできない。

そこで本発明は上記従来の欠点に鑑み、液体ソースのガ
ス化を減圧下で行なうことができ、その蒸発量を容易に
制御することができる方法を提供することを目的とし、
その特徴は、恒温槽内に収容され液体ソースを収容した
エバポレータに所定の量のキャリアガスを導入し、該エ
バポレータ内の反応ガスを被処理体を収容し内部が減圧
状態にある反応管に導入するための導入管に設けたニー
ドルバルブを制御して、該導入管のコンダクタンスを前
記液体ソースに応じて所定の値にし、該エバポレータ内
の圧力に応じて、該エバポレータに導入されるキャリア
ガスの量及び該反応管に直接導入されるキャリアガスの
量を制御して、該反応管に導入される液体ソースのガス
量のキャリアガスに対する濃度を制御するようにしたこ
とにある。

以下本発明の一実施例を図面に従って詳細に説明する。

第３図は本実施例を説明するための液体ソースのガス化
装置１００及び反応管７の概略図で、第１．２図と同じ
番地を付した部分は同一のものをあられす。

本実施例では導入管４には導量制御装置５が、導入管６
にはそのコンダクタンスを変えるためのニードルバルブ
１０が設けられている。

そしてキャリアガスはエバポレータ３に導入されると共
に、その一部は導入管１３を介して直接反応管に導入さ
れる。

さらに、導入管６には圧力センサ１１が設けられ、エバ
ポレータ内の圧力に応じて導入管１３に設けられた流量
制御装置１２を制御することにより、エバポレータ３に
導入されるキャリアガスの量を変え、エバポレータ３内
の圧力を一定に保つようにしている。

まず液体ソース２に応じて、導入管６のコンダクタンス
がエバポレータ３内の蒸発量が温度と減圧度の両方で制
御できる範囲になるようニードルバルブ１０を調節する
。

そしてエバポレータ３内の減圧度が所定値に保たれるよ
う圧力センサ１１や流量制御装置１２を設定する。

あとはある程度の範囲内で蒸発量を変えるために恒温槽
１の温度を調節してやればよい。

このようにすれば、従来例に比べて液化ソースのガス化
を最適の状態で行なうことができる。

以上説明した様に、本発明によれば、液体ソースのガス
化を減圧下が行なうことができ、その蒸発量を容易に制
御することができるので、減圧下での化学気相成長法や
ドライエツチング法等にとってはなはだ有効なガス化方
法である。

【図面の簡単な説明】

第１，２図は従来のガス化方法を説明するための概略図
、第３図は本発明のガス化方法を説明するための概略図
である。 図中、１：恒温槽、２：液体ソース、３：エバポレータ
、４，６，１３：導入管、７：反応管、１０：ニードル
バルブ、１１：圧力センサー、５゜１２：流量制御装置
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 恒温槽内に収容され液体ソースを収容したエバポレ
   ータに所定の量のキャリアガスを導入し、該エバポレー
   タ内の反応ガスを被処理体を収容し、内部が減圧状態に
   ある反応管に導入するための導入管に設けたニードルバ
   ルブを制御して、該導入管のコンダクタンスを前記液体
   ソースに応じて所。 定の値にし、該エバポレータ内の圧力に応じて、該エバ
   ポレータに導入されるキャリアガスの量及び該反応管に
   直接導入されるキャリアガスの量を制御して、該反応管
   に導入される液体ソースのガス量のキャリアガスに対す
   る濃度を制御するようシにしたことを特徴とする液体ソ
   ースのガス化方法。