JPS5955022A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
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- JPS5955022A JPS5955022A JP16485682A JP16485682A JPS5955022A JP S5955022 A JPS5955022 A JP S5955022A JP 16485682 A JP16485682 A JP 16485682A JP 16485682 A JP16485682 A JP 16485682A JP S5955022 A JPS5955022 A JP S5955022A
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- Japan
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- etching
- gas
- piping
- valve
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）□発□明め技術分野″′□″′：′ □ “
′□□本発明は半導体装置等のド□ライ郡ツ□チシタ方
法□に関す名。 ′ ゛ ・−：′
□（２）従来技術と問題点 半導体装置等の製造工程においてプラズマエツチングや
活性□イオンエッ□チング等め□ド）イ：普：ツ薔ング
枝術は、蒔に□ＩＣ，ＬＳＩ＃の集輌旋１ア増□矢に伴
ガつてン上：夛倉襄な技術□としゼ仕目去’ｍ％’Ｑ’
シ、今後と１も増々利用されてゆくと考えられる。
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法□に関す名。 ′ ゛ ・−：′
□（２）従来技術と問題点 半導体装置等の製造工程においてプラズマエツチングや
活性□イオンエッ□チング等め□ド）イ：普：ツ薔ング
枝術は、蒔に□ＩＣ，ＬＳＩ＃の集輌旋１ア増□矢に伴
ガつてン上：夛倉襄な技術□としゼ仕目去’ｍ％’Ｑ’
シ、今後と１も増々利用されてゆくと考えられる。
トライエツチングは、例えば、実際にエツチングを行左
う止ツチング装置本体と□、それに配管を介して−・チ
ン〆ガメを供給するガスボンベとか 、１Ｇ
成るエツチング装置本用６て奨施され名が、犀導体装貴
製造工場匈において何らかの都合モｊメがシ４’ｄ（臣
’ ７ヂシ夛ｉ□置禾□休゛から分−されるｉ含かあ□
る：。そしてＴｉの第１表及び第２表□に掲載上たよう
なエッチャント（気体）が用いられてい永。
う止ツチング装置本体と□、それに配管を介して−・チ
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る：。そしてＴｉの第１表及び第２表□に掲載上たよう
なエッチャント（気体）が用いられてい永。
１ １
１
１Ｃ’Ｆ４ □・−１２８，ｆｆ’Ｑ □□常常
温−くら加圧しても液イ師逐いＮＦ、′ 屹〒１２
９．１℃ ・ 〃 □・。
１
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ＣＨＦ、 −８２，２℃・４４＝６４ ＪｃＷ／ｃ
ｙｌ ’ ｇａｕｇ’ｅ ’・ＣｌＦｍ 、 −
７ＪＬ２℃、 ３２．３． ｙ・ 〃
、・。
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、・。
ＣｌＦｍ Ｃ４，二、３８．７℃ ７６１７ １
１ 、、、、、・Ｃ山 ニー６．７℃、、：
、、７．０ ｌ 、〃 。
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Ｃ，Ｑ、 −７８，５℃ ５８，３’＃、
Ｉ 、ｄ ・ □、：１．１１′：。
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Ｃ１電 １１” 、ｌ’、 ’ｌ”、”、’、、下３
４・１．’（、、、、、、、、、、、、、、、、、、、
、、、、、、、、、、、、、、ｌｉ 。
４・１．’（、、、、、、、、、、、、、、、、、、、
、、、、、、、、、、、、、、ｌｉ 。
ＯＣＡ、Ｆ、−２９，８°（３４，９Ｎ
、１ＣＢ ｒＦＢ 二５
７．８°Ｃ１３，４１ｔｔｓＦンー二６３．８”Ｃ”
”’２２．５ Ｎ”” ’ ｘ” −’＊昇華
点 ｇａｕｇｅ ：ゲージ圧；大気に対する圧力ａｂｓｏｌ
ｕｔｅ： 絶対圧；真空 したがって、Ｉ ＡＩ７／ｆｆ１ｇａｕｇｅ ＝ ２１
ｃｙ／ｃｒ／ｌ ａｂｓｏｌｕｔｅ第２表 ドライエツ
チングに使用されるガス（ＩＩ）ＢＣＩ、 １２．
５°ＣＯ，３１ｋＶＡｇａｕｇｅＰＣｌ、７６．０℃
− ＣＣｇ３Ｆ ２３．８°ＣＯ，９４Ｊｒ’ｉ／ｃｕｔ
ａｂｓｏｌｕｔｅＳｉｃｋ４５７．６°Ｃ− ＣＨＣＪ３６１．０°Ｑ Ｏ，２１ＡＹ／ｃｒ／
ｌ ａｂｓｏｌｕｔｅＢｒ、 ５９，５°Ｑ
０．２．６ Ａｙ／ｃ−ｍ ａｂｓｏｌｕｔｅＢ
Ｂ ｒ ｓ ９０．０°Ｃ− ８ｉＣＩＢＦ １２．２℃ −ＣＢｒ、Ｆ、
２４．５℃ ０．８４ ｋｆ／ｃｒｉｌ ａｂｓ
ｏｌｕｔｅ第１表に掲載したようなエツチングガスは蒸
気圧が高いのでガスがンペの出口にある圧力調整弁を用
いて圧力がボンベ内の圧力より低くされてから配管に供
給されるので問題はないが、第２表に掲載したようなエ
ツチングガス（２０℃でｒ−ジ圧２蛇／−以下、又は沸
点０℃以上のもの）は蒸気圧が低いので圧力調整弁が使
用できず、ガスボンベから直接配管を経てエツチング装
置本体にガスを供給しているために、配管やエツチング
装置本体にガスが凝縮（液化）することがある。このガ
スの凝縮が、エツチング装置本体の入口にあるガス流量
制御装置内に溜まると正しいガス流量が得られず、エツ
チングに異常をきたす。又、配管内に凝縮すると、ガス
の種類によっては継手のノ９ツキンをおかし、ガスのリ
ークが起きる。
、１ＣＢ ｒＦＢ 二５
７．８°Ｃ１３，４１ｔｔｓＦンー二６３．８”Ｃ”
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チングに使用されるガス（ＩＩ）ＢＣＩ、 １２．
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− ＣＣｇ３Ｆ ２３．８°ＣＯ，９４Ｊｒ’ｉ／ｃｕｔ
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ｌ ａｂｓｏｌｕｔｅＢｒ、 ５９，５°Ｑ
０．２．６ Ａｙ／ｃ−ｍ ａｂｓｏｌｕｔｅＢ
Ｂ ｒ ｓ ９０．０°Ｃ− ８ｉＣＩＢＦ １２．２℃ −ＣＢｒ、Ｆ、
２４．５℃ ０．８４ ｋｆ／ｃｒｉｌ ａｂｓ
ｏｌｕｔｅ第１表に掲載したようなエツチングガスは蒸
気圧が高いのでガスがンペの出口にある圧力調整弁を用
いて圧力がボンベ内の圧力より低くされてから配管に供
給されるので問題はないが、第２表に掲載したようなエ
ツチングガス（２０℃でｒ−ジ圧２蛇／−以下、又は沸
点０℃以上のもの）は蒸気圧が低いので圧力調整弁が使
用できず、ガスボンベから直接配管を経てエツチング装
置本体にガスを供給しているために、配管やエツチング
装置本体にガスが凝縮（液化）することがある。このガ
スの凝縮が、エツチング装置本体の入口にあるガス流量
制御装置内に溜まると正しいガス流量が得られず、エツ
チングに異常をきたす。又、配管内に凝縮すると、ガス
の種類によっては継手のノ９ツキンをおかし、ガスのリ
ークが起きる。
（３）発明の目的
本発明は、以上の如き従来技術に鑑み、半導体装置等の
ドライエツチング処理において、前述の、ようなガス凝
縮を抑止する方法を提供し、ドライエツチング処理をよ
り安定なものにすることを目的とする。
ドライエツチング処理において、前述の、ようなガス凝
縮を抑止する方法を提供し、ドライエツチング処理をよ
り安定なものにすることを目的とする。
（４）発明の構成
そして、本発明は、上記目的を達成するために、気体エ
ッチャントをガスボンベから配管を通してエツチング装
置本体に供給するドライエツチング方法であって、前記
エツチング装置本体の前記気体エッチャント入口の開閉
に連動して、前記配管の前記ガスボンベ近傍に設けたバ
ルブを開閉することを特徴とするドライエツチング方法
を提供する。
ッチャントをガスボンベから配管を通してエツチング装
置本体に供給するドライエツチング方法であって、前記
エツチング装置本体の前記気体エッチャント入口の開閉
に連動して、前記配管の前記ガスボンベ近傍に設けたバ
ルブを開閉することを特徴とするドライエツチング方法
を提供する。
本発明は、本発明者らによる次のような発見に基づいて
為されたものである。即ち、前述のガス凝縮はエツチン
グ装置ｉ本体におけるエツチングの操作中ではなく、ウ
ェーハの入れ換えや他のガスで処理するためにエツチン
グ装置本体のエッチャント供給口を閉鎖している間に起
こシやずいという事実である。これは、操作中はガスの
ボンベからの蒸発量とエツチング装置本体における消費
量とが約９合っており、また液体表面は気化熱を奪われ
るので、液体表面の温度は低くガス管内に凝縮すること
はない。しかし、操作を中止し、ガスを消費しない場合
には、そうした約９合いがなく、気化熱が奪われないの
で、配管等にガスボンベよシ僅かでも温度の低い箇所が
あるとガスが容易に凝縮してしまうからである。そして
、本発明者らは、エツチング装置本体におけるエツチン
グ操作のためのエツチングガスの使用又は不使用（バル
ブの開閉）に連動して、配管のガ゛スポンペ側に設けた
パルプを開閉することによって、配管中における凝縮を
抑止することができることを見い出した。
為されたものである。即ち、前述のガス凝縮はエツチン
グ装置ｉ本体におけるエツチングの操作中ではなく、ウ
ェーハの入れ換えや他のガスで処理するためにエツチン
グ装置本体のエッチャント供給口を閉鎖している間に起
こシやずいという事実である。これは、操作中はガスの
ボンベからの蒸発量とエツチング装置本体における消費
量とが約９合っており、また液体表面は気化熱を奪われ
るので、液体表面の温度は低くガス管内に凝縮すること
はない。しかし、操作を中止し、ガスを消費しない場合
には、そうした約９合いがなく、気化熱が奪われないの
で、配管等にガスボンベよシ僅かでも温度の低い箇所が
あるとガスが容易に凝縮してしまうからである。そして
、本発明者らは、エツチング装置本体におけるエツチン
グ操作のためのエツチングガスの使用又は不使用（バル
ブの開閉）に連動して、配管のガ゛スポンペ側に設けた
パルプを開閉することによって、配管中における凝縮を
抑止することができることを見い出した。
パルプ間の連動は、電気的、油圧、空気圧等のいずれに
よってもよく、又がンベ側の連動スるバルブは必ずしも
新たに設置する必要はなく、旧来のものを連動させて使
用してもよいことは明らかである（極端には、ボンベ自
身のパルプであってもよい）。
よってもよく、又がンベ側の連動スるバルブは必ずしも
新たに設置する必要はなく、旧来のものを連動させて使
用してもよいことは明らかである（極端には、ボンベ自
身のパルプであってもよい）。
（５）発明の実施例
本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は従来技術のスフ９ツタエツチング装置の代表的
な例を示す。図中一点鎖線で包囲されたエツチング装置
本体１０は、ウェーハ１２を搭載し、エツチングを行な
う真空室（エツチング室）】４に供給するエツチングガ
スの流量を調節するガス流量制御装置１６を含んでいる
。又、この、エツチング装置本体１０にはガスがンベ１
８から配管２０′を経てエツチングガスが蚕給され、そ
してガスボンベ１８はデンベ〆ツクス２２に収納されて
いる。
な例を示す。図中一点鎖線で包囲されたエツチング装置
本体１０は、ウェーハ１２を搭載し、エツチングを行な
う真空室（エツチング室）】４に供給するエツチングガ
スの流量を調節するガス流量制御装置１６を含んでいる
。又、この、エツチング装置本体１０にはガスがンベ１
８から配管２０′を経てエツチングガスが蚕給され、そ
してガスボンベ１８はデンベ〆ツクス２２に収納されて
いる。
この装置におけるエラチン１．グガスの流れ答調整する
パルプとしては、エツチング装置本体１０内のガス流量
制御装置１６の前、後に通常は連ｉされたパルプＡ及び
Ｂ（手動式の場合もｉｋ、又パルプＡのみの場合もある
）、配管２０のエツチング装置本体側の壁及びガスボン
ベ側のがンペデックスにそれぞれ固定された手動のパル
プＣ及びり、そしてがスがンペ１８自身のパルプＥがお
る。パルｆＤとパルプＥの間は枝管２４で連結されてい
る。
パルプとしては、エツチング装置本体１０内のガス流量
制御装置１６の前、後に通常は連ｉされたパルプＡ及び
Ｂ（手動式の場合もｉｋ、又パルプＡのみの場合もある
）、配管２０のエツチング装置本体側の壁及びガスボン
ベ側のがンペデックスにそれぞれ固定された手動のパル
プＣ及びり、そしてがスがンペ１８自身のパルプＥがお
る。パルｆＤとパルプＥの間は枝管２４で連結されてい
る。
こうして、操作においては、ガスボンベのパルプＥを開
放し、配管の両端のパルプＣ及びＤを開放して、エツチ
ングガスをエツチング装置本体１０：に供給する準備を
完了してから、パルプＡ及びＢの開閉によってエツチン
グガスを真空室（エツチング室）１４へ導入しあるいは
導入を止める。
放し、配管の両端のパルプＣ及びＤを開放して、エツチ
ングガスをエツチング装置本体１０：に供給する準備を
完了してから、パルプＡ及びＢの開閉によってエツチン
グガスを真空室（エツチング室）１４へ導入しあるいは
導入を止める。
このような装置において、真空室（エツチング室）１４
にＡ、、ｅの被、膜を有するシリコンウェーハを搭載し
、川■０．３ Ｔｏｒｒの下ｃｃｅ、をエツチングが長
として−・チング処理を連続的に何回も行なった。エツ
チング室のガスの蒸気圧（供給圧）は約７０ ｔｏｎ
であシ、平均流量は２００ＳＣＣＭであった。配管２０
は肉厚１ＭｊＩＬ、長さ約１０ｍのステンレス管である
。エツチング装置本体１０の周囲温度は約２０℃に調整
されていたが、ガスはンペ１８の周囲温度がそれよシ数
℃高くなることがあった。１日間の惣作後、配管２０内
にｃｃｇａの凝縮液が見られた。
にＡ、、ｅの被、膜を有するシリコンウェーハを搭載し
、川■０．３ Ｔｏｒｒの下ｃｃｅ、をエツチングが長
として−・チング処理を連続的に何回も行なった。エツ
チング室のガスの蒸気圧（供給圧）は約７０ ｔｏｎ
であシ、平均流量は２００ＳＣＣＭであった。配管２０
は肉厚１ＭｊＩＬ、長さ約１０ｍのステンレス管である
。エツチング装置本体１０の周囲温度は約２０℃に調整
されていたが、ガスはンペ１８の周囲温度がそれよシ数
℃高くなることがあった。１日間の惣作後、配管２０内
にｃｃｇａの凝縮液が見られた。
第２図は、本発明の方法を実施するだめのエツチング装
置の部分図である。図中、パルプＤのすぐ近くの配管に
パルプＦが新設され、このパルプＦは自分自身連動して
いるパルプＡ及びＢと電気的に、又は油圧、空気圧等で
連動されている。その讐は上記の従来技術例のエツチン
グ装置と同様、 で鼠る。そして、上記の例と同様に操
作したところ、ｃｃｇ、の配管内の凝縮が見られなかっ
た。
置の部分図である。図中、パルプＤのすぐ近くの配管に
パルプＦが新設され、このパルプＦは自分自身連動して
いるパルプＡ及びＢと電気的に、又は油圧、空気圧等で
連動されている。その讐は上記の従来技術例のエツチン
グ装置と同様、 で鼠る。そして、上記の例と同様に操
作したところ、ｃｃｇ、の配管内の凝縮が見られなかっ
た。
（６１発明の効果
本発明に依り、ドライエツチング処理におけるガスボン
ベから供給されるエツチングガスの配管中における凝縮
を抑＋ｈＬ、エツチングの異常を防止することができる
。
ベから供給されるエツチングガスの配管中における凝縮
を抑＋ｈＬ、エツチングの異常を防止することができる
。
第１図は従来技術のエツチング装置の一例の概略図、第
２図は本発明の方法を実施するためのエツチング装置の
メンペ伺近の図である。 １０；エツチング装置本体、１６：ガス流量制御装置、
１８：ガスボンベ、２０：配管、Ａ〜Ｅ：パルプ、Ａ、
Ｂ、Ｆ：連動バルブ。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士青水 朗 弁理士西舘和之 弁理士内田幸男 弁理士 山 口 昭 之
２図は本発明の方法を実施するためのエツチング装置の
メンペ伺近の図である。 １０；エツチング装置本体、１６：ガス流量制御装置、
１８：ガスボンベ、２０：配管、Ａ〜Ｅ：パルプ、Ａ、
Ｂ、Ｆ：連動バルブ。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士青水 朗 弁理士西舘和之 弁理士内田幸男 弁理士 山 口 昭 之
Claims (1)
- １ 気体エッチャジトをガスボンベから蘭管番通しそエ
ツチング装−呆体に供給するドシ猪エッチノグ方法に於
いて、前記エツチング装置本体の前記気体遵ツチャント
１人口のｙｉｔｉＭｔ＜蓮１動して、前記配管の前記ガ
スがンペ近傍に設けたパルプを開□閉することを特徴と
するドライエツチング方蔽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16485682A JPS5955022A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16485682A JPS5955022A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | ドライエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5955022A true JPS5955022A (ja) | 1984-03-29 |
Family
ID=15801209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16485682A Pending JPS5955022A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5955022A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4647338A (en) * | 1984-08-30 | 1987-03-03 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device, in which a semiconductor substrate is subjected to a treatment in a reaction gas |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57104664A (en) * | 1980-12-03 | 1982-06-29 | Fujitsu Ltd | Gasification method for liquid source |
-
1982
- 1982-09-24 JP JP16485682A patent/JPS5955022A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57104664A (en) * | 1980-12-03 | 1982-06-29 | Fujitsu Ltd | Gasification method for liquid source |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4647338A (en) * | 1984-08-30 | 1987-03-03 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device, in which a semiconductor substrate is subjected to a treatment in a reaction gas |
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