JP2872890B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板や液晶用又
はフォトマスク用ガラス基板等の薄板状基板（以下、単
に「基板」という。）を加熱状態で処理するための基板
処理装置に関する。
はフォトマスク用ガラス基板等の薄板状基板（以下、単
に「基板」という。）を加熱状態で処理するための基板
処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、液晶基板製造におけるフォトリ
ソグラフィー工程においては、ガラス基板表面に塗布さ
れたレジストを乾燥するため、当該基板をホットプレー
トなどの発熱体を備えた加熱装置により加熱し、高温で
熱処理する工程が含まれる。安全のため基板はケーシン
グ内に収納された状態で加熱され、必要に応じてケーシ
ング内を換気することにより熱排気が行なわれる。
ソグラフィー工程においては、ガラス基板表面に塗布さ
れたレジストを乾燥するため、当該基板をホットプレー
トなどの発熱体を備えた加熱装置により加熱し、高温で
熱処理する工程が含まれる。安全のため基板はケーシン
グ内に収納された状態で加熱され、必要に応じてケーシ
ング内を換気することにより熱排気が行なわれる。
【０００３】図４は、従来の基板処理装置の例として熱
処理装置の概要を示す図である。
処理装置の概要を示す図である。
【０００４】同図に示すようにケーシング１内に発熱体
であるホットプレート２が収納され、このホットプレー
ト２の側方には、断面が矩形の排気管３が配設されてい
る。当該排気管３の上面にはスリット状の吸引穴３ａが
設けられるとともに、双方の排気管３はその下方部分で
相互に連通し、ケーシング１を貫通する排出管４に接続
される。ケーシング１内部の気体は、排出管４の開口部
（排気口）５から外部に排気される。
であるホットプレート２が収納され、このホットプレー
ト２の側方には、断面が矩形の排気管３が配設されてい
る。当該排気管３の上面にはスリット状の吸引穴３ａが
設けられるとともに、双方の排気管３はその下方部分で
相互に連通し、ケーシング１を貫通する排出管４に接続
される。ケーシング１内部の気体は、排出管４の開口部
（排気口）５から外部に排気される。
【０００５】このような従来の熱処理装置にあっては、
必要に応じて自然排気による熱排気を行なうようにして
おり、排出管４の途中にモータ６によって開閉駆動され
るオートバルブ７を設け、さらに排気量を微調整するた
めの手動バルブ８を付設していた。
必要に応じて自然排気による熱排気を行なうようにして
おり、排出管４の途中にモータ６によって開閉駆動され
るオートバルブ７を設け、さらに排気量を微調整するた
めの手動バルブ８を付設していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
熱処理装置における排気構造であると、排出管４内には
高温の気体が流動することになるので、排出管４自体が
高温になり、特にケーシング１より外側にある高温の排
出管４が、当該熱処理装置内に内蔵された制御装置にお
ける電子部品や、隣接する熱処理処置における温度制御
に対して悪影響を与える結果となり、問題となってい
た。
熱処理装置における排気構造であると、排出管４内には
高温の気体が流動することになるので、排出管４自体が
高温になり、特にケーシング１より外側にある高温の排
出管４が、当該熱処理装置内に内蔵された制御装置にお
ける電子部品や、隣接する熱処理処置における温度制御
に対して悪影響を与える結果となり、問題となってい
た。
【０００７】このような弊害を避けるため、排出管４の
周囲に断熱部材を巻付けることが考えられるが、そのた
め配管スペースを大きくとることになり、装置全体が大
型化してしまう。しかも、自然排気による換気効率をよ
くするため、排出管４の径を大きくする必要があり、上
記弊害はなおさらとなる。
周囲に断熱部材を巻付けることが考えられるが、そのた
め配管スペースを大きくとることになり、装置全体が大
型化してしまう。しかも、自然排気による換気効率をよ
くするため、排出管４の径を大きくする必要があり、上
記弊害はなおさらとなる。
【０００８】また、このように断熱部材で断熱しても排
気口５からの排気熱の温度を下げることはできず、少な
からず他の機器に影響を与える結果となっていた。
気口５からの排気熱の温度を下げることはできず、少な
からず他の機器に影響を与える結果となっていた。
【０００９】本発明は、上述のような問題を解消して、
排気熱による悪影響を排しながら、効率的に熱排気を行
なうことができる基板処理装置を提供することを目的と
する。
排気熱による悪影響を排しながら、効率的に熱排気を行
なうことができる基板処理装置を提供することを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に係る基板処理装置は、基板を加熱して処
理を行なう基板処理装置において、基板を加熱する加熱
手段と、前記加熱されるべき基板を収容する空間を形成
するケーシングと、前記空間内に開口する排気口と、前
記排気口に連結されたディフューザ式真空発生手段と、
前記ディフューザ式真空発生手段に気体を供給する気体
供給手段と、を備え、前記ディフューザ式真空発生手段
によりケーシング内部の排気を行なうようにしている。
め、請求項１に係る基板処理装置は、基板を加熱して処
理を行なう基板処理装置において、基板を加熱する加熱
手段と、前記加熱されるべき基板を収容する空間を形成
するケーシングと、前記空間内に開口する排気口と、前
記排気口に連結されたディフューザ式真空発生手段と、
前記ディフューザ式真空発生手段に気体を供給する気体
供給手段と、を備え、前記ディフューザ式真空発生手段
によりケーシング内部の排気を行なうようにしている。
【００１１】また、請求項２に係る基板処理装置では、
請求項１における気体供給手段は流量制御手段を備え、
当該流量制御手段によって前記真空発生手段に供給され
る前記気体の流量を調節することにより、前記ケーシン
グからの排気量の調整を行なうようにしている。
請求項１における気体供給手段は流量制御手段を備え、
当該流量制御手段によって前記真空発生手段に供給され
る前記気体の流量を調節することにより、前記ケーシン
グからの排気量の調整を行なうようにしている。
【００１２】なお、この明細書において、「ディフュー
ザ式真空発生手段」とは、気体をノズル状流路に供給
し、その部分に生じる気圧の低下を利用して吸引する真
空発生手段を総称するものである。
ザ式真空発生手段」とは、気体をノズル状流路に供給
し、その部分に生じる気圧の低下を利用して吸引する真
空発生手段を総称するものである。
【００１３】
【作用】請求項１の発明によれば、ケーシング内の熱排
気は、ディフューザ式真空発生手段によって行なわれる
ので、内部の高温の気体が上記ディフューザ式真空発生
手段に供給された気体とともに、ケーシング外部に排出
される。ケーシング内部の高温の気体は上記ディフュー
ザ式真空発生手段に供給された気体と交じり合って温度
が低下する。
気は、ディフューザ式真空発生手段によって行なわれる
ので、内部の高温の気体が上記ディフューザ式真空発生
手段に供給された気体とともに、ケーシング外部に排出
される。ケーシング内部の高温の気体は上記ディフュー
ザ式真空発生手段に供給された気体と交じり合って温度
が低下する。
【００１４】請求項２の発明によれば、ディフューザ式
真空発生手段に供給される気体の流量が、流量制御手段
によって制御されるので、これによりケーシング内の熱
排気量を調整できる。
真空発生手段に供給される気体の流量が、流量制御手段
によって制御されるので、これによりケーシング内の熱
排気量を調整できる。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照して本発明を適用した熱処
理装置の実施例を詳細に説明するが、これにより本発明
の技術的範囲が熱処理装置に限定されるものではない。
なお、以下に述べる図面において図４と同じ符号を付し
たものは同じ内容を示すので詳しい説明は省略される。
理装置の実施例を詳細に説明するが、これにより本発明
の技術的範囲が熱処理装置に限定されるものではない。
なお、以下に述べる図面において図４と同じ符号を付し
たものは同じ内容を示すので詳しい説明は省略される。
【００１６】図１は、熱処理装置の第１の実施例の構成
を示す概要図である。同図に示すようにケーシング１内
にホットプレート２が収納され、ホットプレート２の側
方には、断面が矩形の排気管３が配設される。ホットプ
レート２には図外の電源供給源から電力が供給され所定
の温度で基板Ｗが加熱される。
を示す概要図である。同図に示すようにケーシング１内
にホットプレート２が収納され、ホットプレート２の側
方には、断面が矩形の排気管３が配設される。ホットプ
レート２には図外の電源供給源から電力が供給され所定
の温度で基板Ｗが加熱される。
【００１７】排気管３の上面にはスリット状の吸引穴３
ａが設けられるとともに、双方の排気管３は，下方で相
互に連通して接続管９に連結される。接続管９は、ディ
フューザ式真空発生手段の１種であるエジェクター式真
空発生装置１０に接続されており、このエジェクター式
真空発生装置１０には気体供給装置１１から気体、例え
ば空気が気体供給管１２を介して圧送され、ケーシング
１内の高温の気体を吸引して、排出管１３を介してその
開口部１３ａから大気中に放出する。
ａが設けられるとともに、双方の排気管３は，下方で相
互に連通して接続管９に連結される。接続管９は、ディ
フューザ式真空発生手段の１種であるエジェクター式真
空発生装置１０に接続されており、このエジェクター式
真空発生装置１０には気体供給装置１１から気体、例え
ば空気が気体供給管１２を介して圧送され、ケーシング
１内の高温の気体を吸引して、排出管１３を介してその
開口部１３ａから大気中に放出する。
【００１８】基板Ｗの加熱によりケーシング１内にレジ
スト中の有機溶媒などが蒸発し有害ガスが発生するよう
な場合には、直接大気中に放出するのではなく、気体処
理装置（図示せず）によって処理してから大気中に放出
される。
スト中の有機溶媒などが蒸発し有害ガスが発生するよう
な場合には、直接大気中に放出するのではなく、気体処
理装置（図示せず）によって処理してから大気中に放出
される。
【００１９】上述のエジェクター式真空発生装置１０の
構成を図２に示す。エジェクター式真空発生装置１０
は、本体１０１内に図示のような流路を形成してなり、
気体供給装置１１から圧送されて気体供給管１２を通過
してきた気体は、ノズル１０２において流速を増し、そ
の後側で気圧が低下する。この低圧部分に連結された接
続管９からケーシング１内の高温の気体が吸収され、上
記気体供給装置１１の圧送気体と一緒になってディフュ
ーザ部１０３を通過して排出管１３から外部に排出され
るようになっている。
構成を図２に示す。エジェクター式真空発生装置１０
は、本体１０１内に図示のような流路を形成してなり、
気体供給装置１１から圧送されて気体供給管１２を通過
してきた気体は、ノズル１０２において流速を増し、そ
の後側で気圧が低下する。この低圧部分に連結された接
続管９からケーシング１内の高温の気体が吸収され、上
記気体供給装置１１の圧送気体と一緒になってディフュ
ーザ部１０３を通過して排出管１３から外部に排出され
るようになっている。
【００２０】このような構成によれば、排出管１３を通
過するケーシング１内部の気体は、気体供給装置１１か
ら供給された気体と混ざってその温度が低下しており、
従来のように排出管１３が熱せられて他の機器に悪影響
を与えるおそれがなくなる。本願発明者の実験によれ
ば、ケーシング１内部が１００℃であって、気体供給装
置１１から常温の空気を供給した場合には、排気温度は
約５０℃ほどまで低下しており、他の機器への影響はほ
とんどなくなっていた。
過するケーシング１内部の気体は、気体供給装置１１か
ら供給された気体と混ざってその温度が低下しており、
従来のように排出管１３が熱せられて他の機器に悪影響
を与えるおそれがなくなる。本願発明者の実験によれ
ば、ケーシング１内部が１００℃であって、気体供給装
置１１から常温の空気を供給した場合には、排気温度は
約５０℃ほどまで低下しており、他の機器への影響はほ
とんどなくなっていた。
【００２１】また、気体供給装置１１は、コンンプレッ
サ１１１と、圧力制御弁１１２と電磁弁１１３と圧力計
１１４とからなっており、気体供給のオン・オフは電磁
弁１１３を操作して行なうとともに、圧力計を見ながら
圧力制御弁１１２を調整して、気体の供給圧を調節する
ようになっている。ケーシング１内の排気量は、当該供
給気体の圧力の大きさに応じて決定されるので、この方
法により容易に排気量を調整することができる。この場
合、圧力制御弁１１２は流量制御弁によって、電磁弁１
１３はエアー弁によって、それぞれ代替可能である。
サ１１１と、圧力制御弁１１２と電磁弁１１３と圧力計
１１４とからなっており、気体供給のオン・オフは電磁
弁１１３を操作して行なうとともに、圧力計を見ながら
圧力制御弁１１２を調整して、気体の供給圧を調節する
ようになっている。ケーシング１内の排気量は、当該供
給気体の圧力の大きさに応じて決定されるので、この方
法により容易に排気量を調整することができる。この場
合、圧力制御弁１１２は流量制御弁によって、電磁弁１
１３はエアー弁によって、それぞれ代替可能である。
【００２２】なお、このようにしてエジェクター式真空
発生装置１０によりケーシング１内部を強制的に排気す
ると、内部圧力が次第に低下していくが、排気時間が短
い場合には特に問題はない。しかし、長時間熱排気を行
なう場合には、内部の真空度が増して排気効率が悪くな
るので、ケーシング１の適当な箇所に小さな空気穴や隙
間を設けておくか、窒素ガス等の適当な気体を供給する
方が望ましい。
発生装置１０によりケーシング１内部を強制的に排気す
ると、内部圧力が次第に低下していくが、排気時間が短
い場合には特に問題はない。しかし、長時間熱排気を行
なう場合には、内部の真空度が増して排気効率が悪くな
るので、ケーシング１の適当な箇所に小さな空気穴や隙
間を設けておくか、窒素ガス等の適当な気体を供給する
方が望ましい。
【００２３】図３は、熱処理装置の第２の実施例の概要
を示すものである。図１の実施例においてはエジェクタ
ー式真空発生装置１０をケーシング１内部に設置してい
るが、図３の実施例ではケーシング１外部の側壁に設置
しているため、気体供給装置１１との接続が容易になっ
ている。この場合、エジェクター式真空発生装置１０を
ケーシング１からあまり離すと、高温状態の接続管９が
ケーシング１から外部に突出することになり望ましくな
い。
を示すものである。図１の実施例においてはエジェクタ
ー式真空発生装置１０をケーシング１内部に設置してい
るが、図３の実施例ではケーシング１外部の側壁に設置
しているため、気体供給装置１１との接続が容易になっ
ている。この場合、エジェクター式真空発生装置１０を
ケーシング１からあまり離すと、高温状態の接続管９が
ケーシング１から外部に突出することになり望ましくな
い。
【００２４】このようにしてディフューザ式真空発生手
段により強制的に排気すると、従来の自然排気の場合に
おけるように排出管の径を大きくする必要もなく、ま
た、断熱部材を排出管の周囲に巻く必要もないので、排
出部において大幅な省スペースが図れる。また、従来の
オートダンパ７や手動バルブ８による排気制御に比べ、
圧力制御弁１１２により排気量を微妙かつ容易に調節で
きるので、ケーシング１内の温度制御の精度が向上す
る。
段により強制的に排気すると、従来の自然排気の場合に
おけるように排出管の径を大きくする必要もなく、ま
た、断熱部材を排出管の周囲に巻く必要もないので、排
出部において大幅な省スペースが図れる。また、従来の
オートダンパ７や手動バルブ８による排気制御に比べ、
圧力制御弁１１２により排気量を微妙かつ容易に調節で
きるので、ケーシング１内の温度制御の精度が向上す
る。
【００２５】なお、上述の実施例においては、ディフュ
ーザ式真空発生手段としてエジェクター式真空発生装置
１０を使用したが、これに限定されるものではなく、同
様の吸引原理に基づくコアンダ式の真空発生装置や、ト
ランスベクター式の真空発生装置を用いてもよい。一般
に、小排気量の場合はエジェクター式、大排気量の場合
は、コアンダ式、トランスベクター式の真空発生装置が
適しており、それぞれの用途に従って使用される。
ーザ式真空発生手段としてエジェクター式真空発生装置
１０を使用したが、これに限定されるものではなく、同
様の吸引原理に基づくコアンダ式の真空発生装置や、ト
ランスベクター式の真空発生装置を用いてもよい。一般
に、小排気量の場合はエジェクター式、大排気量の場合
は、コアンダ式、トランスベクター式の真空発生装置が
適しており、それぞれの用途に従って使用される。
【００２６】また、本発明は、基板の熱処理装置のみな
らず、例えばレジスト塗布前のＨＭＤＳの基板表面への
塗布装置など、およそケーシング内に基板を収納して高
温状態で処理し、熱排気する必要のある基板処理装置の
全てに適用できるものである。
らず、例えばレジスト塗布前のＨＭＤＳの基板表面への
塗布装置など、およそケーシング内に基板を収納して高
温状態で処理し、熱排気する必要のある基板処理装置の
全てに適用できるものである。
【００２７】
【発明の効果】以上述べたように、請求項１の発明によ
れば、ディフューザ式真空発生手段によってケーシング
内の熱排気が行なわれるので、内部の高温の気体が上記
ディフューザ式真空発生手段に供給された気体ととも
に、ケーシング外部に排出される。ケーシング内部の気
体は上記ディフューザ式真空発生手段に供給された気体
と交じり合った状態で排出されるので、温度が低下して
おり、制御機器や他の装置に熱による悪影響を与えるお
それがない。
れば、ディフューザ式真空発生手段によってケーシング
内の熱排気が行なわれるので、内部の高温の気体が上記
ディフューザ式真空発生手段に供給された気体ととも
に、ケーシング外部に排出される。ケーシング内部の気
体は上記ディフューザ式真空発生手段に供給された気体
と交じり合った状態で排出されるので、温度が低下して
おり、制御機器や他の装置に熱による悪影響を与えるお
それがない。
【００２８】請求項２の発明によれば、ディフューザ式
真空発生手段に供給される気体の流量が、流量制御手段
によって制御されるので、これによりケーシング内の熱
排気量を容易に調整でき、ケーシング内の温度制御を精
度よく行なうことができる。
真空発生手段に供給される気体の流量が、流量制御手段
によって制御されるので、これによりケーシング内の熱
排気量を容易に調整でき、ケーシング内の温度制御を精
度よく行なうことができる。
【図１】本発明の第１の実施例にかかる熱処理装置の構
成を示す概要図である。
成を示す概要図である。
【図２】エジェクター式真空発生装置の構成を示す縱断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の第２の実施例にかかる熱処理装置の構
成を示す概要図である。
成を示す概要図である。
【図４】従来の熱処理装置の構成を示す概要図である。
１ ケーシング ２ ホットプレート ３ 排気管 ９ 接続管 １０ エジェクター式真空発生装置 １１ 気体供給装置 １２ 気体供給管 １３ 排出管 １３ａ 排気口 Ｗ 基板
Claims (2)
- 【請求項１】 基板を加熱して処理を行なう基板処理装
置において、 基板を加熱する加熱手段と、 前記加熱されるべき基板を収容する空間を形成するケー
シングと、 前記空間内に開口する排気口と、 前記排気口に連結されたディフューザ式真空発生手段
と、 前記ディフューザ式真空発生手段に気体を供給する気体
供給手段と、を備え、 前記ディフューザ式真空発生手段によりケーシング内部
の排気を行なうようにしたことを特徴とする基板処理装
置。 - 【請求項２】 前記気体供給手段は流量制御手段を備
え、当該流量制御手段によって前記真空発生手段に供給
される前記気体の流量を調節することにより、前記ケー
シングからの排気量の調整を行なうようにしたことを特
徴とする請求項１記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19533193A JP2872890B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19533193A JP2872890B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729869A JPH0729869A (ja) | 1995-01-31 |
| JP2872890B2 true JP2872890B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=16339398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19533193A Expired - Fee Related JP2872890B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2872890B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6027465B2 (ja) * | 2013-03-11 | 2016-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP6406192B2 (ja) * | 2014-12-10 | 2018-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理装置、加熱処理方法及び記憶媒体 |
-
1993
- 1993-07-12 JP JP19533193A patent/JP2872890B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0729869A (ja) | 1995-01-31 |
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| Date | Code | Title | Description |
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