KR101596778B1 - 서브스트레이트의 수분건조장치 및 그 건조방법 - Google Patents

서브스트레이트의 수분건조장치 및 그 건조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 서브스트레이트의 수분건조장치 및 그 건조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 가열된 상태의 진공챔버부(10)에 질소가스공급부(20)가 질소가스를 고온 고압으로 공급하여 상기 회로기판을 건조하고, 건조공정의 효과를 높이는 진공상태의 건조공정이 구비됨으로써, 식각공정 후 세척된 상기 회로기판의 수분 제거가 용이하고, 수분과 불순물을 효과적으로 제거하는 서브스트레이트의 수분건조장치 및 그 건조방법에 관한 것이다.

Description

서브스트레이트의 수분건조장치 및 그 건조방법{Water-drying apparatus of substrate and drying process thereof}
본 발명은 서브스트레이트의 수분건조장치 및 그 건조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 식각공정 후 세척된 상기 회로기판의 수분을 제거토록 상기 회로기판이 탑재되는 캐리어가 구비된 진공챔버의 내부에 고온 고압의 질소가스를 공급하여 수분과 불순물을 제거하는 서브스트레이트의 수분건조장치 및 그 건조방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체, 엘씨디(LCD), 오엘이디(OLED), 엘이디(LED), 포토마스크, 태양전지, 연료전지 등의 제조공정 중 기판에 패턴형성을 위한 약액을 이용한 식각 공정을 진행한 후 초순수를 이용하여 약액의 잔존성분을 제거하기 위해 세정하고 다음 공정을 진행하기 전에 반드시 기판상 수분의 제거가 필요하다. 그리고, 엘씨디(LCD), 오엘이디(OLED)의 증착 및 합착 공정 투입 전에 기판의 수분이나 불순물을 제거하기 위해 기판의 건조공정 또한 진행되고 있다.
현재까지 주로 사용되는 기판의 건조방법은 공기나 질소가스를 고압으로 분사시켜 건조하는 나이프 방식의 건조과, 공기나 질소가스를 고온으로 가열하여 기판에 공급시키는 열풍건조 방법과, 기판을 회전가능한 챔버에 단수 또는 복수로 위치시키고 고속으로 회전시키며 원심력을 이용하는 회전건조 방법과, 기판을 초순수조에 담근 후 초순수를 천천히 배수시키고 동시에 기화된 이소프로필알코올 (IPA)을 공급하며 건조하는 IPA기반의 건조방법 및 기판을 챔버에 위치시키고 챔버를 진공으로 유지시킨 후 감압상태에서 수분을 제거하는 진공건조 방법 등이 주로 사용되고 있다.
이와 관련된 종래 기술로 한국 특허공보 특2002-0051668호(2002년06월29일)에는 "기판의 건조장치 및 그 건조방법"이 개시되었다.
상기한 종래 기술은 하우징 하단에 설치되어 표면에 소정의 패턴대로 현상된 레지스트가 형성된 기판을 안착시키고 회전가능한 척과; 상기 척의 상부에 설치되어 상기 레지스트에 온풍을 공급하는 온풍 공급기와; 상기 기판을 하우징 상부 측면에 설치되어 상기 레지스트를 향해 탈이온수를 공급하여 세정하는 탈이 온수 공급기가 구비되고,
상기 온풍공급기가, 외부에 노출되어 공기를 흡기하기 위한 송풍팬; 상기 송풍팬에서 흡기한 공기를 가열하여 배출하는 가열코일; 상기 가열코일의 단부에 연결되어 가열코일로부터 배출된 온풍을 전송하는 전송관; 및 상기 전송관의 단부에 연결되어 공기를 기판의 표면에 균일하게 분사하기 위한 샤워헤드;를 구비하는 것을 특징으로 한다.
다만, 상기한 종래 기술은 기판의 표면에 고온의 공기를 분사하여 건조함으로써, 기판이 온도차이에 의해 불규칙하게 휘거나 건조 공정 후 다량의 이물질이 남는 문제점이 있었다.
또한, 상기한 종래 기술은 건조공정 후 발생되는 이물질로 인한 수율저하와, 환경오염 및 건조공정이 장시간의 공정시간 적용되어 생산성의 저감되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 창작된 것으로 본 발명의 목적은 기판 상의 잔존하는 수분에 의하여 저유전율의 막이 형성되는 것을 방지하여, 기판의 전기적 특성이 변화되어 악화되는 것을 방지하며, 진공상태로 유지되는 진공챔버부의 내부를 고온 고압의 질소가스로 건조하고 다량의 불순물을 자연 배기한 후 진공상태에서 완전히 배출함으로써, 상기 기판의 수율이 향상되고 물리적 손상이 방지되는 서브스트레이트의 수분건조장치 및 그 건조방법를 제공함에 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 서브스트레이트의 수분건조장치는 기판이 탑재되는 캐리어와, 상기 캐리어가 내부에 설치되는 챔버베이스와, 상기 챔버베이스의 상단에 결합되어 상기 기판이 탑재가능토록 개폐되는 챔버도어와, 상기 챔버베이스의 외주연에 구비되어 내부를 120~170℃로 가열하는 챔버히터와, 상기 챔버도어의 개폐를 감지하는 도어센서가 구비된 진공챔버부와; 상기 진공챔버부의 일측에 제1배관으로 연결되어 220~350℃로 질소가스를 가열하여 공급하는 질소가스히터가 구비된 질소가스공급부와; 상기 진공챔버부의 일측에 가스배관으로 연결되어 0.1~0.4%의 수소가스가 포함된 아르곤 또는 헬륨가스를 공급하는 가스공급부와; 상기 진공챔버부의 하부 일측에서 진공배관으로 연결되어 상기 진공챔버부의 내부를 진공상태로 유지시키는 진공펌프가 구비된 진공펌프부와; 상기 진공챔버부와 질소가스공급부와 가스공급부 및 진공펌프부를 제어하는 콘트롤러가 구비된 것을 특징으로 한다.
상기 질소가스공급부에는 상기 질소가스가 정해진 압력으로 공급되도록 가압하는 질소유량조절기와, 상기 질소가스히터를 우회하여 상온의 상기 질소가스를 공급하는 제2배관이 구비된 것을 특징으로 한다.
상기 제1배관에는 상기 질소가스의 공급량을 계측하는 질소가스공급센서와, 온도를 계측하는 질소온도센서가 구비된 것을 특징으로 한다.
상기 가스공급부에는 상기 수소가스가 포함된 아르곤 또는 헬륨가스가 정해진 압력으로 공급되도록 가압하는 가스유량조절기가 구비되고, 상기 가스배관에는 상기 수소가스가 포함된 아르곤 또는 헬륨가스의 공급량을 계측하는 가스공급센서가 구비된 것을 특징으로 한다.
상기 챔버베이스에는 건조공정이 진행된 후 하부로 액체를 배출하는 배수구와, 수증기 및 고압의 상기 질소가스를 자연배기하는 배기구가 구비된 것을 특징으로 한다.
상기 챔버베이스와 진공배관에는 상기 진공챔버부의 내압을 계측하는 가압압력감지센서와, 감압압력감지센서가 구비된 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 의한 수분건조장치를 이용한 서브스트레이트의 건조방법은 상기 진공챔버부가 120~170℃로 가열된 상태에서 상기 캐리어에 기판을 이송하여 배치하는 배치단계와; 상기 챔버도어를 닫은 후 상기 진공챔버부의 내압이 1.3 내지 1.9기압 중 정해진 설정압에 도달될 때까지 상기 질소가스공급부가 220~350℃로 가열된 질소가스를 공급하는 질소가스공급단계와; 상기 진공챔버부의 내압이 상기 설정압에 도달된 후 상온의 질소가스를 공급하며 상기 진공챔버부의 수증기와 불순물을 배기구로 배기시키는 자연배기단계와; 상기 자연배기단계 후 상기 진공챔버부의 내부를 진공상태로 만들어 잔존하는 수증기와 불순물을 완전히 제거하는 진공배기단계와; 상기 진공챔버부의 내부가 상압에 도달되도록 상온의 가스를 공급한 후 상기 챔버도어를 열어 건조를 종료하는 종료단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 종료단계에서 상기 가스는 상온의 상기 질소가스, 0.1~0.4%의 수소가스가 포함된 아르곤 또는 헬륨가스 중 어느 하나로 공급되는 것을 특징으로 한다.
상기 서브스트레이트의 건조방법은 상기 기판의 종류에 따라 단수 또는 복수로 반복되어 수행되는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 본 발명에 따른 서브스트레이트의 수분건조장치 및 그 건조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 진공챔버부에서 건조대상인 기판의 수분을 고온, 고압의 질소를 공급하여 일차적으로 건조하고, 상기 진공챔버부의 내부를 물의 3중점 이하로 감압하여 건조하는 진공방식으로 건조시킴으로써, 종래의 기술보다 단시간 내에 안전하게 건조가 이루어지고,
둘째, 상기 기판을 고온 고압의 질소가스로 건조한 후 상기 진공챔버부의 내압을 상온의 수소가스가 포함된 헬륨이나 아르곤을 공급하여 완전하게 건조시킴으로써, 잔존하는 수분으로 인한 건조불량과 상기 공정 후 발생하는 자연산화막 방지하여 소자특성의 악화를 방지하며,
셋째, 진공챔버부에 질소가스와 아르곤 헬륨가스를 공급하는 질소가스공급부와 가스공급부의 사이에 유량조절기가 구비됨으로써, 과도한 공급량에 따른 내압의 변화가 방지되어 안정적으로 건조할 수 있고,
넷째, 공기중으로 배출 할 수 있는 질소가스를 주 원료로 사용함으로써, 종래기술보다 원재료 비용의 감소되고 사용 후 폐액의 처리를 위한 비용이 저감되며, 건조공정에 의한 추가 환경오염이 방지되는 효과가 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 기판건조장치를 나타낸 도면이고,
도 2는 본 발명에 따른 서브스트레이트의 수분건조장치를 나타낸 블럭도이며,
도 3은 본 발명에 따른 서브스트레이트의 수분건조장치의 구상도이고,
도 4는 본 발명에 따른 서브스트레이트의 건조방법을 나타낸 순서도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 서브스트레이트의 수분건조장치를 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 서브스트레이트의 수분건조장치는 도 2 내지 도 3에 도시된 바와 같이 기판(P)이 탑재되는 캐리어(11)와, 상기 캐리어(11)가 내부에 설치되는 챔버베이스(12)와, 상기 챔버베이스(12)의 상단에 결합되어 상기 기판(P)이 탑재가능토록 개폐되는 챔버도어(13)와, 상기 챔버베이스(12)의 외주연에 구비되어 내부를 120~170℃로 가열하는 챔버히터(14)와, 상기 챔버도어(13)의 개폐를 감지하는 도어센서(15)가 구비된 진공챔버부(10)와; 상기 진공챔버부(10)의 일측에 제1배관(21)으로 연결되어 220~350℃로 질소가스(N)를 가열하여 공급하는 질소가스히터(22)가 구비된 질소가스공급부(20)와; 상기 진공챔버부(10)의 일측에 가스배관(31)으로 연결되어 0.1~0.4%의 수소가스가 포함된 아르곤(R) 또는 헬륨가스(H)를 공급하는 가스공급부(30)와; 상기 진공챔버부(10)의 하부 일측에서 진공배관(41)으로 연결되어 상기 진공챔버부(10)의 내부를 진공상태로 유지시키는 진공펌프(42)가 구비된 진공펌프부(40)와; 상기 진공챔버부(10)와 질소가스공급부(20)와 가스공급부(30) 및 진공펌프부(40)를 제어하는 콘트롤러(50)가 구비된다.
여기서, 상기 기판(P)은 외부 장치에서 세척하는 공정을 거쳐 표면에 수분이 잔존하게 된 상태로 상기 캐리어(11)의 상부에 탑재되게 되며, 상기 캐리어(11)는 건조되는 상기 기판(P)의 매수에 따라 다양한 형태로 개발될 수 있다.
그리고, 상기 진공펌프부(40)에는 상기 진공챔버부(10)의 내부가 진공상태에서 배기펌프(42)가 구비되어 잔여수분과 불순물을 제거하게 된다.
한편, 상기 캐리어(11)는 회전 가능토록 구비되어 종래 기술이 병행으로 운행될 수 있도록 구비되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 질소가스공급부(20)에는 상기 질소가스(N)가 정해진 압력으로 공급되도록 가압하는 질소유량조절기(23)와, 상기 질소가스히터(22)를 우회하여 상온의 상기 질소가스(N)를 공급하는 제2배관(21')이 구비된다. 여기서, 상기 질소유량조절기(23)는 입력되는 유압과 출력되는 유압을 조정하여 공급량을 조절하게 된다.
아울러, 상기 제1배관(21)에는 상기 질소가스(N)의 공급량을 계측하는 질소가스공급센서(21a)와, 온도를 계측하는 질소온도센서(21b)가 구비된다.
그리고, 상기 가스공급부(30)에는 상기 수소가스가 포함된 아르곤(R) 또는 헬륨가스(H)가 정해진 압력으로 공급되도록 가압하는 가스유량조절기(33)가 구비되고, 상기 가스배관(31)에는 상기 수소가스가 포함된 아르곤(R) 또는 헬륨가스(H)의 공급량을 계측하는 가스공급센서(31a)가 구비된다. 상기 가스유량조절기(33)는 질소유량조절기(23)와 동일한 원리로 상기 수소가스가 포함된 아르곤(R) 또는 헬륨가스(H)를 공급하게 된다.
또한, 상기 챔버베이스(12)에는 건조공정이 진행된 후 하부로 액체를 배출하는 배수구(12a)와, 수증기 및 고압의 상기 질소가스를 자연배기하는 배기구(12b)가 구비된다.
그리고, 상기 챔버베이스(12)와 진공배관(41)에는 상기 진공챔버부(10)의 내압을 계측하는 가압압력감지센서(41a)와, 감압압력감지센서(41b)가 구비된다. 여기서, 상기 가압압력감지센서(41a)와, 감압압력감지센서(41b)는 상기 진공챔버부(10)의 내압을 계측하여 상기 콘트롤러(50)에 송신하게 된다.
본 발명에 따른 서브스트레이트의 건조방법은 도 4에 도시된 바와 같이 상기 진공챔버부(10)가 120~170℃로 가열된 상태에서 상기 캐리어(11)에 기판(P)을 이송하여 배치하는 배치단계(S10)와; 상기 챔버도어(13)를 닫은 후 상기 진공챔버부(10)의 내압이 1.3 내지 1.9기압 중 정해진 설정압에 도달될 때까지 상기 질소가스공급부(20)가 220~350℃로 가열된 질소가스(N)를 공급하는 질소가스공급단계(S20)와; 상기 진공챔버부(10)의 내압이 상기 설정압에 도달된 후 상온의 질소가스(N)를 공급하며 상기 진공챔버부(10)의 수증기와 불순물을 배기구(12b)로 배기시키는 자연배기단계(S30)와; 상기 자연배기단계(S30) 후 상기 진공챔버부(10)의 내부를 진공상태로 만들어 잔존하는 수증기와 불순물을 완전히 제거하는 진공배기단계(S40)와; 상기 진공챔버부(10)의 내부가 상압에 도달되도록 상온의 가스를 공급한 후 상기 챔버도어(13)를 열어 건조를 종료하는 종료단계(S50)로 이루어진다.
그리고, 상기 종료단계(S50)에서는 상기 가스는 상온의 상기 질소가스(N), 0.1~0.4%의 수소가스가 포함된 아르곤(R) 또는 헬륨가스(H) 중 어느 하나로 공급된다.
상기 서브스트레이트의 건조방법은 상기 기판(P)의 종류에 따라 단수 또는 복수로 반복되어 수행되게 된다.
상기와 같은 구성으로 이루어진 본 발명에 따른 서브스트레이트의 수분건조장치의 작용은 다음과 같다.
본 발명의 수분건조장치는 도 2 내지 도 3에 도시된 바와 같이 기판(P)에 잔존하는 수분을 제거토록 질소가스(N)를 120~170℃로 가열된 진공챔버부(10)에 공급하며, 이때 상기 질소가스(N)는 고온 고압상태로 공급되어 상기 수분을 기화시키게 된다.
그리고, 상온의 질소가스(N) 또는 0.1~0.4%의 수소가스가 포함된 아르곤(R) 또는 헬륨가스(H)를 공급하여 기화된 수분 및 불순물을 배출하거나 배기하게 된다.
보다 상세하게는, 반도체, 엘씨디, 오엘이디, 포토마스크, 태양전지, 연료전지 등의 제조공정 중 세척을 하여 표면에 수분과 불순물이 잔존하고 있는 상태의 상기 기판(P)을 캐리어(11)의 상부에 탑재하게 된다.
여기서, 상기 캐리어(11)는 챔버베이스(12)의 내부에 배치되고, 상기 기판(P)이 탑재된 후 챔버도어(13)가 닫힘으로써 밀폐되게 된다. 이때, 상기 챔버베이스(12)의 내부는 챔버히터(14)에 의해 120~170℃로 유지되고 있는 상태이다.
그리고, 질소가스공급부(20)는 상기 챔버도어(13)가 닫힌 상기 진공챔버부(10)에 220~350℃로 가열된 질소가스(N)를 1.3 내지 1.9의 내압으로 공급하며, 이를 콘트롤러(50)에서 제어하게 된다.
여기서, 상기 질소가스공급부(20)는 질소유량조절기(23)가 구비되어 공급되는 상기 질소가스(N)를 조절하게 된다.
한편, 상기 콘트롤러(50)는 도어센서(15)를 통해 상기 챔버도어(13)의 열리고 닫힌 상태를 파악하게 된다.
앞에서 살펴본 바와 같이, 고온 고압의 상기 질소가스(N)는 상기 진공챔버부(10)에 공급되어 상기 기판(P)의 표면에 잔존하는 수분과 불순물을 기화시키게 된다.
이렇게 기화된 기체를 상온의 질소가스(N)를 제2배관(21')을 통해 공급하며 상기 챔버베이스(12)의 배기구(12b)를 통해 외부로 배기하게 된다. 이때, 상기 질소가스(N)는 상기 기판(P)의 종류에 따라 0.1~0.4%의 수소가스가 포함된 아르곤(R) 또는 헬륨가스(H)로 대체되어 공급가능토록 가스공급부(30)가 구비되게 된다.
상기 상온의 질소가스(N)와 0.1~0.4%의 수소가스가 포함된 아르곤(R) 또는 헬륨가스(H) 등을 분위기 가스라고도 하며, 상기 분위기 가스로 일차 배기된 진공챔버부(10)의 내부를 진공펌프부(40)를 통해 수증기와 불순물을 완전히 제거하게 된다.
즉, 상기 진공펌프부(40)는 상기 분위기 가스로 자연 배기된 상기 진공챔버부(10)의 내부를 진공펌프(42)를 가동하여 진공상태로 유지시키며, 배기펌프(43)을 가동하여 진공챔버부(10)의 내부에 수증기와 불순물을 완전히 제거하게 된다.
그리고, 상기 0.1~0.4%의 수소가스가 포함된 아르곤(R) 또는 헬륨가스(H)를 상기 분위기 가스로 활용하게 되면 자연 방치시 발생되는 자연산화막의 생성을 방지하게 된다. 여기서, 상기 수소가스가 포함된 아르곤(R) 또는 헬륨가스(H)의 공급량은 가스유량조절기(33)를 통해 조절하게 된다.
본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.
<도면을 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 진공챔버부 11 : 캐리어
12 : 챔버베이스 12a : 배수구
12b : 배기구 13 : 챔버도어
14 : 챔버히터 15 : 도어센서
20 : 질소가스공급부 21 : 제1배관
21a : 질소가스공급센서 21b : 질소온도센서
22 : 질소가스히터 21' : 제2배관
23 : 질소유량조절기 30 : 가스공급부
31a : 가스공급센서 31 : 가스배관
33 : 가스유량조절기 40 : 진공펌프부
41 : 진공배관 41a : 가압압력감지센서
41b : 감압압력감지센서 42 : 진공펌프
43 : 배기펌프 50 : 콘트롤러
S10 : 배치단계 S20 : 질소가스공급단계
S30 : 자연배기단계 S40 : 진공배기단계
S50 : 종료단계
H : 헬륨가스 N : 질소가스 P : 기판
R : 아르곤

Claims (9)

  1. 기판(P)이 탑재되는 캐리어(11)와, 상기 캐리어(11)가 내부에 설치되는 챔버베이스(12)와, 상기 챔버베이스(12)의 상단에 결합되어 상기 기판(P)이 탑재가능토록 개폐되는 챔버도어(13)와, 상기 챔버베이스(12)의 외주연에 구비되어 내부를 120~170℃로 가열하는 챔버히터(14)와, 상기 챔버도어(13)의 개폐를 감지하는 도어센서(15)가 구비된 진공챔버부(10)와; 상기 진공챔버부(10)의 일측에 제1배관(21)으로 연결되어 220~350℃로 질소가스(N)를 가열하여 공급하는 질소가스히터(22)가 구비된 질소가스공급부(20)와; 상기 진공챔버부(10)의 일측에 가스배관(31)으로 연결되어 0.1~0.4몰비의 수소가스가 포함된 아르곤(R) 또는 헬륨가스(H)를 공급하는 가스공급부(30)와; 상기 진공챔버부(10)의 하부 일측에서 진공배관(41)으로 연결되어 상기 진공챔버부(10)의 내부를 진공상태로 유지시키는 진공펌프(42)가 구비된 진공펌프부(40)와; 상기 진공챔버부(10)와 질소가스공급부(20)와 가스공급부(30) 및 진공펌프부(40)를 제어하는 콘트롤러(50)가 구비되고,
    상기 가스공급부(30)에는 상기 수소가스가 포함된 아르곤(R) 또는 헬륨가스(H)가 정해진 압력으로 공급되도록 가압하는 가스유량조절기(33)가 구비되고,
    상기 가스배관(31)에는 상기 수소가스가 포함된 아르곤(R) 또는 헬륨가스(H)의 공급량을 계측하는 가스공급센서(31a)가 구비되며,
    상기 질소가스공급부(20)에는 상기 질소가스(N)가 정해진 압력으로 공급되도록 가압하는 질소유량조절기(23)와, 상기 질소가스히터(22)를 우회하여 상기 질소가스(N)를 공급하는 제2배관(21')이 구비된 것을 특징으로 하는 서브스트레이트의 수분건조장치.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제1배관(21)에는
    상기 질소가스(N)의 공급량을 계측하는 질소가스공급센서(21a)와, 온도를 계측하는 질소온도센서(21b)가 구비된 것을 특징으로 하는 서브스트레이트의 수분건조장치.
  4. 삭제
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 챔버베이스(12)에는
    건조공정이 진행된 후 하부로 액체를 배출하는 배수구(12a)와, 수증기 및 상기 질소가스공급부(20)에서 공급된 질소가스(N)를 자연배기하는 배기구(12b)가 구비된 것을 특징으로 하는 서브스트레이트의 수분건조장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 챔버베이스(12)와 진공배관(41)에는
    상기 진공챔버부(10)의 내압을 계측하는 가압압력감지센서(41a)와, 감압압력감지센서(41b)가 구비된 것을 특징으로 하는 서브스트레이트의 수분건조장치.
  7. 서브스트레이트를 건조하는 수분건조장치의 건조방법에 있어서,
    진공챔버부(10)가 120~170℃로 가열된 상태에서 캐리어(11)에 기판(P)을 이송하여 배치하는 배치단계(S10)와; 상기 진공챔버부(10)의 챔버도어(13)를 닫은 후 내압이 1.3 내지 1.9기압 중 정해진 설정압에 도달될 때까지 질소가스공급부(20)가 220~350℃로 가열된 질소가스(N)를 공급하는 질소가스공급단계(S20)와; 상기 진공챔버부(10)의 내압이 상기 설정압에 도달된 후 질소가스히터(22)를 우회한 상기 질소가스(N)를 공급하며 상기 진공챔버부(10)의 수증기와 불순물을 배기구(12b)로 배기시키는 자연배기단계(S30)와; 상기 자연배기단계(S30) 후 상기 진공챔버부(10)의 내부를 진공상태로 만들어 잔존하는 수증기와 불순물을 완전히 제거하는 진공배기단계(S40)와; 상기 진공챔버부(10)의 내부가 1기압에 도달되도록 분위기가스를 공급한 후 상기 챔버도어(13)를 열어 건조를 종료하는 종료단계(S50)로 이루어지고,
    상기 분위기가스는 0.1~0.4몰비의 수소가스가 포함된,
    아르곤(R) 또는 헬륨가스(H) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 수분건조장치의 건조방법.
  8. 삭제
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 서브스트레이트의 건조방법은
    상기 기판(P)의 종류에 따라 단수 또는 복수로 반복되어 수행되는 것을 특징으로 하는 수분건조장치의 건조방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180051040A (ko) * 2016-11-08 2018-05-16 이광희 급기 건조 특성을 가지는 컨베이어 타입 건조기
KR20210025373A (ko) * 2019-08-27 2021-03-09 세메스 주식회사 집적회로 소자 제조 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000150451A (ja) * 1998-11-13 2000-05-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥方法および基板乾燥装置
JP2006060010A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Tamura Seisakusho Co Ltd ウエハ乾燥方法
JP2006351756A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Tamura Seisakusho Co Ltd 乾燥方法及び乾燥装置
KR20080045260A (ko) * 2008-04-01 2008-05-22 다다히로 오미 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 제조 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000150451A (ja) * 1998-11-13 2000-05-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥方法および基板乾燥装置
JP2006060010A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Tamura Seisakusho Co Ltd ウエハ乾燥方法
JP2006351756A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Tamura Seisakusho Co Ltd 乾燥方法及び乾燥装置
KR20080045260A (ko) * 2008-04-01 2008-05-22 다다히로 오미 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 제조 장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180051040A (ko) * 2016-11-08 2018-05-16 이광희 급기 건조 특성을 가지는 컨베이어 타입 건조기
KR102029859B1 (ko) * 2016-11-08 2019-10-08 이광희 급기 건조 특성을 가지는 컨베이어 타입 건조기
KR20210025373A (ko) * 2019-08-27 2021-03-09 세메스 주식회사 집적회로 소자 제조 장치
KR102260325B1 (ko) 2019-08-27 2021-06-03 세메스 주식회사 집적회로 소자 제조 장치

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