JP2000150451A - 基板乾燥方法および基板乾燥装置 - Google Patents
基板乾燥方法および基板乾燥装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板を純水中から露出させて乾燥させる場合
に、基板の表面が酸化されることを完全に無くし、ウォ
ーターマークの発生や自然酸化膜の生成を防止できる方
法を提供する。 【手段】 処理槽１０内の純水中に浸漬させられた基板
Ｗを純水中から引き上げて乾燥させる際に、処理槽を収
容する処理チャンバ２６内へ窒素ガスおよび水素ガスを
供給し、純水中から窒素と水素ガスとの混合ガスの雰囲
気へ基板を露出させる。
に、基板の表面が酸化されることを完全に無くし、ウォ
ーターマークの発生や自然酸化膜の生成を防止できる方
法を提供する。 【手段】 処理槽１０内の純水中に浸漬させられた基板
Ｗを純水中から引き上げて乾燥させる際に、処理槽を収
容する処理チャンバ２６内へ窒素ガスおよび水素ガスを
供給し、純水中から窒素と水素ガスとの混合ガスの雰囲
気へ基板を露出させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置用ガラス基板、電子部品などの基板を、処
理槽内に収容された純水中に浸漬させて水洗した後に純
水中から引き上げあるいは処理槽内から排水して乾燥さ
せる基板乾燥方法、ならびに、その方法を実施するため
に使用される基板乾燥装置に関する。
液晶表示装置用ガラス基板、電子部品などの基板を、処
理槽内に収容された純水中に浸漬させて水洗した後に純
水中から引き上げあるいは処理槽内から排水して乾燥さ
せる基板乾燥方法、ならびに、その方法を実施するため
に使用される基板乾燥装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ等の基板を、処理槽内に収
容された純水中に浸漬させて水洗した後、基板を処理槽
内の純水中からゆっくりと一定速度で引き上げ、あるい
は、基板を処理槽内に保持したまま処理槽の底部から純
水をゆっくりと一定速度で排出させ、処理槽の少なくと
も上部開口面を閉鎖的に包囲する処理チャンバ内におい
て基板を純水中から露出させて乾燥させる場合、通常、
処理チャンバ内へ不活性ガス、例えば窒素ガスを供給
し、純水中から露出させられた基板の周囲を窒素ガス雰
囲気として基板の乾燥を行うようにしている。
容された純水中に浸漬させて水洗した後、基板を処理槽
内の純水中からゆっくりと一定速度で引き上げ、あるい
は、基板を処理槽内に保持したまま処理槽の底部から純
水をゆっくりと一定速度で排出させ、処理槽の少なくと
も上部開口面を閉鎖的に包囲する処理チャンバ内におい
て基板を純水中から露出させて乾燥させる場合、通常、
処理チャンバ内へ不活性ガス、例えば窒素ガスを供給
し、純水中から露出させられた基板の周囲を窒素ガス雰
囲気として基板の乾燥を行うようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記したよ
うな引上げ乾燥方法では、基板の表面が純水で濡れた状
態から完全に乾燥が終了するまでの間、基板の表面と酸
素とが接触することを完全に防止することは困難であ
る。このため、基板の表面と酸素との接触によって基板
表面が酸化され、基板の表面にウォーターマークが形成
されて半導体デバイスの品質低下を来たしたり、自然酸
化膜の生成により半導体デバイスのコンタクト抵抗の質
の低下を招いたりする、といった問題点がある。
うな引上げ乾燥方法では、基板の表面が純水で濡れた状
態から完全に乾燥が終了するまでの間、基板の表面と酸
素とが接触することを完全に防止することは困難であ
る。このため、基板の表面と酸素との接触によって基板
表面が酸化され、基板の表面にウォーターマークが形成
されて半導体デバイスの品質低下を来たしたり、自然酸
化膜の生成により半導体デバイスのコンタクト抵抗の質
の低下を招いたりする、といった問題点がある。
【０００４】また、純水中から露出させられた基板の表
面と酸素との接触を完全に防止することができたとして
も、純水中から露出させられた基板の表面に水滴が残っ
ていると、その水滴の残留部分で基板表面の局部的な酸
化が起こり、ウォーターマークが発生する原因となる。
面と酸素との接触を完全に防止することができたとして
も、純水中から露出させられた基板の表面に水滴が残っ
ていると、その水滴の残留部分で基板表面の局部的な酸
化が起こり、ウォーターマークが発生する原因となる。
【０００５】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、基板を純水中から露出させて乾燥さ
せる場合に、基板の表面が酸化されることを完全に無く
し、ウォーターマークの発生や自然酸化膜の生成を防止
して、半導体デバイス等の品質の向上を図ることができ
る基板乾燥方法を提供すること、ならびに、その方法を
好適に実施することができる基板乾燥装置を提供するこ
とを目的とする。
されたものであり、基板を純水中から露出させて乾燥さ
せる場合に、基板の表面が酸化されることを完全に無く
し、ウォーターマークの発生や自然酸化膜の生成を防止
して、半導体デバイス等の品質の向上を図ることができ
る基板乾燥方法を提供すること、ならびに、その方法を
好適に実施することができる基板乾燥装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
処理槽内に収容された純水中に浸漬させられた基板を純
水中から露出させて乾燥させる基板乾燥方法において、
基板が純水中から露出させられる空間を、不活性ガスと
還元性ガスとの混合ガスの雰囲気とすることを特徴とす
る。
処理槽内に収容された純水中に浸漬させられた基板を純
水中から露出させて乾燥させる基板乾燥方法において、
基板が純水中から露出させられる空間を、不活性ガスと
還元性ガスとの混合ガスの雰囲気とすることを特徴とす
る。
【０００７】請求項２に係る発明は、請求項１記載の基
板乾燥方法において、不活性ガスとして窒素ガスを使用
し、還元性ガスとして水素ガスを使用することを特徴と
する。
板乾燥方法において、不活性ガスとして窒素ガスを使用
し、還元性ガスとして水素ガスを使用することを特徴と
する。
【０００８】請求項３に係る発明は、処理槽内に収容さ
れた純水中から基板を引き上げる基板引上げ手段または
処理槽内に収容された純水の水面を低下させる水面低下
手段を有し、前記処理槽内に収容された純水中に浸漬さ
せられた基板を純水中から露出させて乾燥させる基板乾
燥装置において、前記処理槽内の純水の水面と接する空
間を閉鎖的に取り囲む処理チャンバを備え、その処理チ
ャンバ内へ不活性ガスおよび還元性ガスを供給するガス
供給手段を設けたことを特徴とする。
れた純水中から基板を引き上げる基板引上げ手段または
処理槽内に収容された純水の水面を低下させる水面低下
手段を有し、前記処理槽内に収容された純水中に浸漬さ
せられた基板を純水中から露出させて乾燥させる基板乾
燥装置において、前記処理槽内の純水の水面と接する空
間を閉鎖的に取り囲む処理チャンバを備え、その処理チ
ャンバ内へ不活性ガスおよび還元性ガスを供給するガス
供給手段を設けたことを特徴とする。
【０００９】請求項１に係る発明の基板乾燥方法による
と、基板が純水中から露出させられる空間が不活性ガス
と還元性ガスとの混合ガスの雰囲気とされているので、
基板の表面と酸素との接触が無くなるとともに、還元性
ガスによって基板表面の酸化が抑制される。また、純水
中から露出させられた基板の表面に水滴が残っていたと
しても、その水滴の残留部分で基板表面の局部的な酸化
が生じることも防止される。このため、基板の表面にウ
ォーターマークが形成されたり自然酸化膜が生成された
りすることが防止される。
と、基板が純水中から露出させられる空間が不活性ガス
と還元性ガスとの混合ガスの雰囲気とされているので、
基板の表面と酸素との接触が無くなるとともに、還元性
ガスによって基板表面の酸化が抑制される。また、純水
中から露出させられた基板の表面に水滴が残っていたと
しても、その水滴の残留部分で基板表面の局部的な酸化
が生じることも防止される。このため、基板の表面にウ
ォーターマークが形成されたり自然酸化膜が生成された
りすることが防止される。
【００１０】請求項２に係る発明の基板乾燥方法では、
窒素ガスの存在により基板の表面と酸素との接触が防止
されるとともに、水素ガスによって基板表面の酸化が抑
制される。また、基板の表面が水素で還元されてターミ
ネートされることにより、基板の表面が安定化し、乾燥
処理終了以後における基板表面の酸化が抑制される。
窒素ガスの存在により基板の表面と酸素との接触が防止
されるとともに、水素ガスによって基板表面の酸化が抑
制される。また、基板の表面が水素で還元されてターミ
ネートされることにより、基板の表面が安定化し、乾燥
処理終了以後における基板表面の酸化が抑制される。
【００１１】請求項３に係る発明の基板乾燥装置を使用
すると、基板引上げ手段により処理槽内に収容された純
水中から基板が引き上げられ、あるいは、水面低下手段
により処理槽内に収容された純水の水面が低下させられ
て、基板が純水中から露出させられる。この際、処理槽
内の純水の水面と接する空間を閉鎖的に取り囲む処理チ
ャンバ内へガス供給手段によって不活性ガスおよび還元
性ガスを供給することにより、基板が純水中から露出さ
せられる空間を不活性ガスと還元性ガスとの混合ガスの
雰囲気とすることができるので、基板の表面と酸素との
接触を無くすとともに、還元性ガスによって基板表面の
酸化を抑制することが可能になる。また、純水中から露
出させられた基板の表面に水滴が残っていたとしても、
その水滴の残留部分で基板表面の局部的な酸化が生じる
ことも防止することが可能になる。このため、基板の表
面にウォーターマークが形成されたり自然酸化膜が生成
されたりすることを防止することができる。
すると、基板引上げ手段により処理槽内に収容された純
水中から基板が引き上げられ、あるいは、水面低下手段
により処理槽内に収容された純水の水面が低下させられ
て、基板が純水中から露出させられる。この際、処理槽
内の純水の水面と接する空間を閉鎖的に取り囲む処理チ
ャンバ内へガス供給手段によって不活性ガスおよび還元
性ガスを供給することにより、基板が純水中から露出さ
せられる空間を不活性ガスと還元性ガスとの混合ガスの
雰囲気とすることができるので、基板の表面と酸素との
接触を無くすとともに、還元性ガスによって基板表面の
酸化を抑制することが可能になる。また、純水中から露
出させられた基板の表面に水滴が残っていたとしても、
その水滴の残留部分で基板表面の局部的な酸化が生じる
ことも防止することが可能になる。このため、基板の表
面にウォーターマークが形成されたり自然酸化膜が生成
されたりすることを防止することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図面を参照しながら説明する。
について図面を参照しながら説明する。
【００１３】図１は、この発明に係る基板乾燥方法を実
施するのに使用される基板乾燥装置を備えた基板洗浄装
置の概略構成の１例を示す模式図である。この基板洗浄
装置は、下部に純水供給口１２を有するとともに上部に
純水が溢れ出す溢流部１４を有し内部に基板Ｗが搬入さ
れて収容される処理槽１０を備えている。処理槽１０の
底部には、排水口１６が形設されており、その排水口１
６に、排水バルブ２０が介挿された排水管１８が連通し
て接続されている。また、処理槽１０の下部の純水供給
口１２には、純水の供給源に接続された純水供給管２２
が連通して接続されており、純水供給管２２には開閉制
御弁２４が介挿して設けられている。
施するのに使用される基板乾燥装置を備えた基板洗浄装
置の概略構成の１例を示す模式図である。この基板洗浄
装置は、下部に純水供給口１２を有するとともに上部に
純水が溢れ出す溢流部１４を有し内部に基板Ｗが搬入さ
れて収容される処理槽１０を備えている。処理槽１０の
底部には、排水口１６が形設されており、その排水口１
６に、排水バルブ２０が介挿された排水管１８が連通し
て接続されている。また、処理槽１０の下部の純水供給
口１２には、純水の供給源に接続された純水供給管２２
が連通して接続されており、純水供給管２２には開閉制
御弁２４が介挿して設けられている。
【００１４】処理槽１０は、蓋２８を開閉させることに
より基板Ｗの搬入および搬出を行うことができるととも
に密閉することが可能である処理チャンバ２６内に収容
されている。処理チャンバ２６の内部には、処理チャン
バ２６内へ搬入された基板Ｗを受け取って処理槽１０の
内部へ挿入し、処理が終わった基板Ｗを処理槽１０内か
ら取り出すための昇降機３０が配設されている。また、
処理チャンバ２６の底部には、気液排出口３２が形設さ
れており、気液排出口３２に気液排出管３４が連通して
接続されている。気液排出管３４には、開閉制御弁３８
が介挿された排水管３６、および、開閉制御弁４２が介
挿され真空ポンプ４４に接続された排気管４０がそれぞ
れ連通している。
より基板Ｗの搬入および搬出を行うことができるととも
に密閉することが可能である処理チャンバ２６内に収容
されている。処理チャンバ２６の内部には、処理チャン
バ２６内へ搬入された基板Ｗを受け取って処理槽１０の
内部へ挿入し、処理が終わった基板Ｗを処理槽１０内か
ら取り出すための昇降機３０が配設されている。また、
処理チャンバ２６の底部には、気液排出口３２が形設さ
れており、気液排出口３２に気液排出管３４が連通して
接続されている。気液排出管３４には、開閉制御弁３８
が介挿された排水管３６、および、開閉制御弁４２が介
挿され真空ポンプ４４に接続された排気管４０がそれぞ
れ連通している。
【００１５】処理チャンバ２６の内部には、ガス吹出し
ノズル４６が設けられており、ガス吹出しノズル４６に
は、フィルタ５０が介在して設けられたガス供給管４８
が連通して接続されている。ガス供給管４８には、不活
性ガス、例えば窒素ガスの供給源に接続された窒素ガス
供給管５２、および、還元性ガス、例えば水素ガスの供
給源に接続された水素ガス供給管５４が、それぞれ連通
して合流するように接続されている。窒素ガス供給管５
２には、ヒータ５６および開閉制御弁５８がそれぞれ介
在して設けられ、水素ガス供給管５４には、開閉制御弁
６０が介在して設けられている。
ノズル４６が設けられており、ガス吹出しノズル４６に
は、フィルタ５０が介在して設けられたガス供給管４８
が連通して接続されている。ガス供給管４８には、不活
性ガス、例えば窒素ガスの供給源に接続された窒素ガス
供給管５２、および、還元性ガス、例えば水素ガスの供
給源に接続された水素ガス供給管５４が、それぞれ連通
して合流するように接続されている。窒素ガス供給管５
２には、ヒータ５６および開閉制御弁５８がそれぞれ介
在して設けられ、水素ガス供給管５４には、開閉制御弁
６０が介在して設けられている。
【００１６】以上のように、基板洗浄装置の基板乾燥装
置は、窒素ガスおよび水素ガスのガス供給手段を備えて
構成されており、次に、この基板乾燥装置を使用して行
われる基板乾燥操作の１例について説明する。
置は、窒素ガスおよび水素ガスのガス供給手段を備えて
構成されており、次に、この基板乾燥装置を使用して行
われる基板乾燥操作の１例について説明する。
【００１７】処理槽１０内に収容された純水中に基板Ｗ
が浸漬させられて基板Ｗの水洗が行われ、その水洗処理
が終了すると、真空ポンプ４４を駆動させて、気液排出
管３４および排気管４０を通して処理チャンバ２６の内
部を排気しながら、開閉制御弁５８、６０を開いて、窒
素ガス供給源および水素ガス供給源から窒素ガスおよび
水素ガスをそれぞれ、窒素ガス供給管５２および水素ガ
ス供給管５４を通りガス供給管４８を経てガス吹出しノ
ズル４６へ供給する。これにより、ガス吹出しノズル４
６から処理チャンバ２６内へ窒素ガスと水素ガスとの混
合ガスが吹き出され、処理チャンバ２６の内部空間が窒
素ガスと水素ガスとの混合ガスの雰囲気となる。この
後、昇降機３０により基板Ｗを処理槽１０内の純水中か
らゆっくりと一定速度で引き上げて、基板Ｗを引上げ乾
燥させる。
が浸漬させられて基板Ｗの水洗が行われ、その水洗処理
が終了すると、真空ポンプ４４を駆動させて、気液排出
管３４および排気管４０を通して処理チャンバ２６の内
部を排気しながら、開閉制御弁５８、６０を開いて、窒
素ガス供給源および水素ガス供給源から窒素ガスおよび
水素ガスをそれぞれ、窒素ガス供給管５２および水素ガ
ス供給管５４を通りガス供給管４８を経てガス吹出しノ
ズル４６へ供給する。これにより、ガス吹出しノズル４
６から処理チャンバ２６内へ窒素ガスと水素ガスとの混
合ガスが吹き出され、処理チャンバ２６の内部空間が窒
素ガスと水素ガスとの混合ガスの雰囲気となる。この
後、昇降機３０により基板Ｗを処理槽１０内の純水中か
らゆっくりと一定速度で引き上げて、基板Ｗを引上げ乾
燥させる。
【００１８】このように、純水中から水面上へ引き上げ
られる基板Ｗの周囲が窒素ガスと水素ガスとの混合ガス
の雰囲気となっているため、基板Ｗの表面と酸素とが接
触することが無くなるとともに、水素ガスによって基板
Ｗの表面の酸化が抑制される。また、純水中から引き上
げられた基板Ｗの表面に水滴が残っていたとしても、基
板Ｗの周囲は還元性雰囲気であるため、基板Ｗの表面に
おいて水滴の残留部分で局部的な酸化が生じることも防
止される。このため、基板Ｗの表面にウォーターマーク
が形成されたり自然酸化膜が生成されたりすることが防
止される。
られる基板Ｗの周囲が窒素ガスと水素ガスとの混合ガス
の雰囲気となっているため、基板Ｗの表面と酸素とが接
触することが無くなるとともに、水素ガスによって基板
Ｗの表面の酸化が抑制される。また、純水中から引き上
げられた基板Ｗの表面に水滴が残っていたとしても、基
板Ｗの周囲は還元性雰囲気であるため、基板Ｗの表面に
おいて水滴の残留部分で局部的な酸化が生じることも防
止される。このため、基板Ｗの表面にウォーターマーク
が形成されたり自然酸化膜が生成されたりすることが防
止される。
【００１９】昇降機３０により処理槽１０内の純水１４
中から基板Ｗが完全に引き上げられると、排水バルブ２
０を開き、処理槽１０内の純水を排水口１６から排水管
１８を通して排出させ、処理チャンバ２６の底部から気
液排出口３２を通り気液排出管３４および排水管３６を
経て排水する。そして、基板Ｗの乾燥処理が完全に終了
すると、開閉制御弁５８を開いたままで開閉制御弁６０
を閉じて、窒素ガスだけをガス吹出しノズル４６へ供給
し、ガス吹出しノズル４６から窒素ガスを処理チャンバ
２６の内部空間へ噴出させて、処理チャンバ２６内を窒
素ガスでパージした後、処理チャンバ２６の蓋２８を解
放させて、基板Ｗを処理チャンバ２６内から搬出する。
中から基板Ｗが完全に引き上げられると、排水バルブ２
０を開き、処理槽１０内の純水を排水口１６から排水管
１８を通して排出させ、処理チャンバ２６の底部から気
液排出口３２を通り気液排出管３４および排水管３６を
経て排水する。そして、基板Ｗの乾燥処理が完全に終了
すると、開閉制御弁５８を開いたままで開閉制御弁６０
を閉じて、窒素ガスだけをガス吹出しノズル４６へ供給
し、ガス吹出しノズル４６から窒素ガスを処理チャンバ
２６の内部空間へ噴出させて、処理チャンバ２６内を窒
素ガスでパージした後、処理チャンバ２６の蓋２８を解
放させて、基板Ｗを処理チャンバ２６内から搬出する。
【００２０】この発明に係る基板洗浄方法は、上記した
形態以外にも種々の形態で実施し得る。例えば、上記し
た実施形態では、水洗処理が終了した基板Ｗを昇降機３
０により引き上げることにより、処理槽１０内の純水中
から基板Ｗを露出させるようにしたが、水洗後の基板Ｗ
を処理槽１０内で静止させたままにし、排水バルブ２０
を開いて処理槽１０内の純水を排水口１６から排水管１
８を通してゆっくりと一定速度で排出させ処理槽１０内
の純水の水面を低下させることにより、純水中から基板
Ｗを露出させるようにしてもよい。また、上記した実施
形態では、窒素ガスと水素ガスとの混合ガスをガス吹出
し口４６から処理チャンバ２６内へ噴出させるようにし
たが、窒素ガスと水素ガスとを別々に処理チャンバ２６
内へ供給するようにしてもよい。
形態以外にも種々の形態で実施し得る。例えば、上記し
た実施形態では、水洗処理が終了した基板Ｗを昇降機３
０により引き上げることにより、処理槽１０内の純水中
から基板Ｗを露出させるようにしたが、水洗後の基板Ｗ
を処理槽１０内で静止させたままにし、排水バルブ２０
を開いて処理槽１０内の純水を排水口１６から排水管１
８を通してゆっくりと一定速度で排出させ処理槽１０内
の純水の水面を低下させることにより、純水中から基板
Ｗを露出させるようにしてもよい。また、上記した実施
形態では、窒素ガスと水素ガスとの混合ガスをガス吹出
し口４６から処理チャンバ２６内へ噴出させるようにし
たが、窒素ガスと水素ガスとを別々に処理チャンバ２６
内へ供給するようにしてもよい。
【００２１】また、上記実施の形態では、水洗処理が終
了してから、窒素ガスと水素ガスの供給を開始したが、
窒素ガスと水素ガスは、水洗処理が終了する前から供給
してもよく、水洗処理の開始前から供給しておいてもよ
い。また、上記実施の形態では、真空ポンプ４４を駆動
させて処理チャンバ２６の内部を排気しながら、窒素ガ
スと水素ガスを供給したが、真空ポンプ４４を使用せ
ず、窒素ガスや水素ガスの供給圧によって処理チャンバ
２６の内部のガスを処理チャンバ２６外へ押し出すよう
にして排気してもよい。また、純水中から基板Ｗを完全
に引き上げて、処理槽１０内の純水を排水した後に、チ
ャンバ内へのガス供給を止めた状態で真空ポンプ４４を
駆動させて、チャンバ２６内の気圧を下げることによ
り、基板Ｗの乾燥度を高めるようにしてもよい。また、
上記実施の形態では、還元性のガスとして水素ガスを使
用したが、硫化水素ガスに替えてもよい。ただし、水素
ガスの方が取り扱い上は安全で好ましい。
了してから、窒素ガスと水素ガスの供給を開始したが、
窒素ガスと水素ガスは、水洗処理が終了する前から供給
してもよく、水洗処理の開始前から供給しておいてもよ
い。また、上記実施の形態では、真空ポンプ４４を駆動
させて処理チャンバ２６の内部を排気しながら、窒素ガ
スと水素ガスを供給したが、真空ポンプ４４を使用せ
ず、窒素ガスや水素ガスの供給圧によって処理チャンバ
２６の内部のガスを処理チャンバ２６外へ押し出すよう
にして排気してもよい。また、純水中から基板Ｗを完全
に引き上げて、処理槽１０内の純水を排水した後に、チ
ャンバ内へのガス供給を止めた状態で真空ポンプ４４を
駆動させて、チャンバ２６内の気圧を下げることによ
り、基板Ｗの乾燥度を高めるようにしてもよい。また、
上記実施の形態では、還元性のガスとして水素ガスを使
用したが、硫化水素ガスに替えてもよい。ただし、水素
ガスの方が取り扱い上は安全で好ましい。
【００２２】
【発明の効果】請求項１に係る発明の基板処理方法によ
ると、基板を純水中から露出させて乾燥させる場合に、
基板の表面が酸化されることが完全に無くなるので、基
板の表面にウォーターマークが形成されたり自然酸化膜
が生成されたりすることを防止することができて、半導
体デバイス等の品質を向上させることができる。
ると、基板を純水中から露出させて乾燥させる場合に、
基板の表面が酸化されることが完全に無くなるので、基
板の表面にウォーターマークが形成されたり自然酸化膜
が生成されたりすることを防止することができて、半導
体デバイス等の品質を向上させることができる。
【００２３】請求項２に係る発明の基板乾燥方法では、
窒素ガスの存在により基板の表面と酸素との接触が防止
されるとともに、水素ガスによって基板表面の酸化が抑
制されるので、請求項１に係る発明の上記効果が確実に
奏される。また、基板の表面が水素で還元されてターミ
ネートされることにより、基板の表面が安定化し、乾燥
処理終了以後における基板表面の酸化が抑制されるの
で、次工程へ移行するまでの時間的な許容度が大きくな
る。
窒素ガスの存在により基板の表面と酸素との接触が防止
されるとともに、水素ガスによって基板表面の酸化が抑
制されるので、請求項１に係る発明の上記効果が確実に
奏される。また、基板の表面が水素で還元されてターミ
ネートされることにより、基板の表面が安定化し、乾燥
処理終了以後における基板表面の酸化が抑制されるの
で、次工程へ移行するまでの時間的な許容度が大きくな
る。
【００２４】請求項３に係る発明の基板乾燥装置を使用
すると、請求項１に係る発明の基板乾燥方法を好適に実
施することができるので、基板の表面にウォーターマー
クが形成されることを防止することができ、また、基板
の表面に自然酸化膜が生成されることが無いため、半導
体デバイスのコンタクト抵抗の質の低下を防止すること
ができる。
すると、請求項１に係る発明の基板乾燥方法を好適に実
施することができるので、基板の表面にウォーターマー
クが形成されることを防止することができ、また、基板
の表面に自然酸化膜が生成されることが無いため、半導
体デバイスのコンタクト抵抗の質の低下を防止すること
ができる。
【図１】この発明に係る基板乾燥方法を実施するのに使
用される基板乾燥装置を備えた基板洗浄装置の概略構成
の１例を示す模式図である。
用される基板乾燥装置を備えた基板洗浄装置の概略構成
の１例を示す模式図である。
Ｗ 基板 １０ 処理槽 １２ 処理槽の純水供給口 １４ 処理槽の溢流部 １６ 処理槽の排水口 １８ 排水管 ２０ 排水バルブ ２２ 純水供給管 ２４、３８、４２、５８、６０ 開閉制御弁 ２６ 処理チャンバ ２８ 処理チャンバの蓋 ３０ 昇降機 ３２ 処理チャンバの気液排出口 ３４ 気液排出管 ３６ 排水管 ４０ 排気管 ４４ 真空ポンプ ４６ ガス吹出しノズル ４８ ガス供給管 ５０ フィルタ ５２ 窒素ガス供給管 ５４ 水素ガス供給管 ５６ ヒータ
Claims (3)
- 【請求項１】 処理槽内に収容された純水中に浸漬させ
られた基板を純水中から露出させて乾燥させる基板乾燥
方法において、 基板が純水中から露出させられる空間を、不活性ガスと
還元性ガスとの混合ガスの雰囲気とすることを特徴とす
る基板乾燥方法。 - 【請求項２】 不活性ガスが窒素ガスであり、還元性ガ
スが水素ガスである請求項１記載の基板乾燥方法。 - 【請求項３】 処理槽内に収容された純水中から基板を
引き上げる基板引上げ手段または処理槽内に収容された
純水の水面を低下させる水面低下手段を有し、前記処理
槽内に収容された純水中に浸漬させられた基板を純水中
から露出させて乾燥させる基板乾燥装置において、 前記処理槽内の純水の水面と接する空間を閉鎖的に取り
囲む処理チャンバを備え、その処理チャンバ内へ不活性
ガスおよび還元性ガスを供給するガス供給手段を設けた
ことを特徴とする基板乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10323629A JP2000150451A (ja) | 1998-11-13 | 1998-11-13 | 基板乾燥方法および基板乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10323629A JP2000150451A (ja) | 1998-11-13 | 1998-11-13 | 基板乾燥方法および基板乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150451A true JP2000150451A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18156872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10323629A Pending JP2000150451A (ja) | 1998-11-13 | 1998-11-13 | 基板乾燥方法および基板乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000150451A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101596778B1 (ko) * | 2015-06-29 | 2016-02-23 | 주식회사 엘피케이 | 서브스트레이트의 수분건조장치 및 그 건조방법 |
-
1998
- 1998-11-13 JP JP10323629A patent/JP2000150451A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101596778B1 (ko) * | 2015-06-29 | 2016-02-23 | 주식회사 엘피케이 | 서브스트레이트의 수분건조장치 및 그 건조방법 |
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