TWI613410B - 減壓乾燥裝置及減壓乾燥方法 - Google Patents

Abstract

本發明的課題是在短時間內並且穩定地進行同時進行減壓及加熱的減壓乾燥處理。本發明的減壓乾燥裝置是一邊將基板收納於腔室的內部空間，一邊通過經由與腔室連接的排氣配管來排出內部空間的環境氣體而對內部空間進行減壓並且對內部空間進行加熱，由此使基板上的塗佈膜中所含的溶劑成分氣化而使塗佈膜乾燥，並且包括對排氣配管進行加熱的配管加熱部。本發明另提供一種減壓乾燥方法。

Description

減壓乾燥裝置及減壓乾燥方法

本發明涉及一種使形成於液晶顯示裝置用玻璃基板、半導體晶片、電漿顯示面板（plasma display panel，PDP）用玻璃基板、光罩幕用玻璃基板、彩色濾光片用基板、記錄磁碟用基板、太陽能電池用基板、電子紙（electronic paper）用基板等精密電子裝置用基板（以下簡稱作“基板”）上的塗佈膜乾燥的減壓乾燥裝置及減壓乾燥方法。

先前，在所述精密電子裝置用基板的製造步驟中，為了使形成於基板的表面上的塗佈膜乾燥，是使用通過減壓處理而使塗佈膜中所含的溶劑成分氣化而乾燥的減壓乾燥技術。然而，隨著塗佈膜變厚，減壓乾燥所需要的時間延長，從而期望更有效率的減壓乾燥技術。為了滿足所述要求，已提出有與減壓處理同時進行加熱處理的減壓乾燥裝置（例如參照專利文獻1）。

所述減壓乾燥裝置具有在其內部空間收納形成有塗佈膜的基板的腔室（chamber）。並且，減壓乾燥裝置具備對內部空間進行減壓的功能、以及對內部空間進行加熱的功能，通過同時進行減壓處理及加熱處理而使塗佈膜的減壓乾燥時間縮短。 [現有技術文獻][專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2008-202930號公報

[發明所要解決的問題] 然而，如果同時進行減壓處理及加熱處理，則塗佈膜中所含的溶劑成分會在短時間內大量氣化，經由與腔室連接的排氣配管來從所述內部空間排出。在專利文獻1中排氣配管是置於常溫狀態下，如在下述實驗及分析中所說明，有時會產生各種問題。例如難以縮短減壓乾燥處理所需要的時間即所謂的節拍時間（tact time）。並且，每當減壓乾燥處理時節拍時間會發生變動，減壓乾燥處理變得不穩定。

本發明是鑒於所述問題而完成的，目的在於提供一種可在短時間內並且穩定地進行同時進行減壓及加熱的減壓乾燥處理的減壓乾燥裝置及減壓乾燥方法。 [解決問題的技術手段]

本發明的一個形態是一種減壓乾燥裝置，一邊將基板收納於腔室的內部空間，一邊通過經由與腔室連接的排氣配管來排出內部空間的環境氣體而對內部空間進行減壓並且對內部空間進行加熱，由此使基板上的塗佈膜中所含的溶劑成分氣化而使塗佈膜乾燥，所述減壓乾燥裝置的特徵在於包括：配管加熱部，對排氣配管進行加熱。

並且，本發明的另一個形態是一種減壓乾燥方法，其特徵在於包括：收納步驟，將形成有塗佈膜的基板收納於腔室的內部空間；乾燥步驟，經由與腔室連接的排氣配管來排出內部空間的環境氣體而對內部空間進行減壓並且對內部空間進行加熱，由此使基板上的塗佈膜中所含的溶劑成分氣化而使塗佈膜乾燥；以及配管加熱步驟，與乾燥步驟同時進行而對排氣配管進行加熱。 [發明的效果]

當在腔室的內部空間內不僅進行減壓處理而且同時進行加熱處理時，使溶劑成分從基板上的塗佈膜有效率地氣化，並經由排氣配管從腔室排出。只要在所述排出時排氣配管為常溫程度，經氣化的溶劑成分便會產生液化而附著於排氣配管上。但是，在本發明中，由於排氣配管經加熱，所以溶劑成分的液化受到抑制，從而可以在短時間內並且穩定地使塗佈膜乾燥。

圖1是表示本發明的減壓乾燥裝置的一實施方式的構成的縱剖面圖。並且，圖2是表示圖1所示的減壓乾燥裝置的構成的方塊圖。所述減壓乾燥裝置1是使將塗佈液塗佈於基板9的上表面91上而成的塗佈膜92中所含的溶劑成分氣化而使塗佈膜92乾燥的裝置。例如在基板9的上表面91上形成聚醯亞胺膜時，將利用有機溶劑，例如N-甲基-2-吡咯烷酮（N-Methyl-2-Pyrrolidone，NMB）使聚醯亞胺的前驅物（precursor）即聚醯胺酸（polyamic acid）溶解而成的聚醯胺酸溶液用作塗佈液。塗佈所述塗佈液，形成所需厚度的10倍左右（例如當形成5[μm]～10[μm]左右的聚醯亞胺膜時，為50[μm]～100[μm]左右）的比較厚的塗佈膜。接著，利用減壓乾燥裝置1使所述塗佈膜中所含的溶劑成分氣化而加以去除，然後利用與減壓乾燥裝置1不同的加熱裝置進行高溫加熱而使其醯亞胺化，由此在基板9的上表面91上形成聚醯亞胺膜。如上所述，本發明的減壓乾燥裝置1可以使比較厚的塗佈膜92減壓乾燥，特別適用於在減壓乾燥處理時大量溶劑成分產生氣化的情況。

減壓乾燥裝置1如圖1所示，包括腔室10、基板保持部20、基板加熱部30、排氣部40、配管加熱部50及對整個裝置進行控制的控制部60（圖2）。

腔室10是包含用於對基板9進行減壓乾燥處理（＝減壓處理＋加熱處理）的內部空間SP的耐壓容器。腔室10包括可相互分離的底座部11及蓋部12。底座部11固定設置於裝置框架（省略圖示）上。並且，在蓋部12上，連接有圖1中概念性所示的腔室升降機構12a。因此，腔室升降機構12a根據來自控制部60的升降命令而運行，由此蓋部12相對於底座部11而上下地升降移動。當使蓋部12下降時，底座部11與蓋部12抵接而形成為一體，在其內部形成內部空間SP（基板9的處理空間）。在本實施方式中，在底座部11的上表面的周緣部，設置有包含矽橡膠等的O形環13。因此，當蓋部12下降時，在底座部11的上表面與蓋部12的下表面之間介在有O形環13，腔室10的內部空間SP成為氣密狀態。另一方面，當使蓋部12上升時腔室10被打開，從而可以向腔室10搬入基板9以及從腔室10搬出基板9。

基板保持部20是用於在腔室10的內部空間SP中保持基板9的機構。基板保持部20包含多個基板保持銷21，使各基板保持銷21的頭部抵接於基板9的下表面，由此以水平姿勢支撐基板9。多個基板保持銷21豎立設置於配置在腔室10的外部的一個支撐構件22上，分別貫通底座部11及基板加熱部30而突出設置於腔室10的內部空間SP。

在所述支撐構件22上，如圖1所示，連接有銷升降機構22a。因此，銷升降機構22a根據來自控制部60的升降命令而運行，由此支撐構件22及多個基板保持銷21作為一體而上下地升降移動。在減壓乾燥裝置1中，一邊將基板9保持於多個基板保持銷21上，一邊使銷升降機構22a運行，由此可調整基板9相對於基板加熱部30的高度位置。

基板加熱部30配置於底座部11的上表面中央部。在所述基板加熱部30中，設置有多根成為加熱源的棒狀加熱器。並且，當將基板9搬入至多個基板保持銷21之前根據來自控制部60的加熱命令預先使棒狀加熱器運行時，在搬入基板9之前對內部空間SP進行加熱，並且對所搬入的基板9從其下表面側進行加熱。如上所述，在環境溫度經上升的內部空間SP內對基板9進行加熱而使溶劑成分從塗佈膜92氣化。

並且，在本實施方式中，為了與加熱處理同時地實施減壓處理，設置有排氣部40。所述排氣部40包括：排氣配管41，用於從腔室10的內部空間SP抽吸排出包含溶劑成分的氣體（以下稱作“排出氣體”）；蝶形閥（butterfly valve）42、蝶形閥43，用於對經由排氣配管41從腔室10排出的排出氣體的排氣量進行控制；開閉閥44；以及排氣泵45。在本實施方式中，在底座部11的周緣部設置有兩個排氣口111、112。並且，對應於如上所述設置有兩個排氣口，排氣配管41的一個端部分支成兩個，分支端部411、分支端部412分別與排氣口111、排氣口112連接。此外，在排氣口111、排氣口112的附近位置，蝶形閥42、蝶形閥43分別介插於分支端部411、分支端部412。另一方面，排氣配管41的另一端部經由開閉閥44及排氣泵45而與省略圖示的排氣線路連接。因此，當開閉閥44根據來自控制部60的開閉命令而打開，並且排氣泵45根據來自控制部60的動作命令而運行時，以與蝶形閥42、蝶形閥43的開度相對應的排氣量將排出氣體經由排氣配管41排出至排氣線路。

在本實施方式中，在排氣配管41上設置有配管加熱部50。配管加熱部50是在排氣配管41的外周面上纏繞橡膠加熱器（rubber heater）作為配管加熱器51而成。配管加熱器51根據來自控制部60的加熱命令而發熱，由此對排氣配管41進行加熱。再者，作為配管加熱器51，除了所述橡膠加熱器以外，也可以使用帶式加熱器（ribbon heater）、電纜式加熱器（cable heater）、薄板式加熱器（sheet heater）等。

並且，為了高精度地調整排氣配管41，在本實施方式中，如圖2所示，設置有對排氣配管41的溫度進行檢測的配管溫度感測器41a，將與檢測到的溫度相關聯的檢測信號輸出至控制部60。然後，與減壓乾燥處理同時地，控制部60基於排氣配管41的溫度對配管加熱部50進行反饋控制而對排氣配管41的溫度進行調整，從而抑制排出氣體中所含的溶劑成分接觸至排氣配管41而產生液化。如上所述，在本實施方式中，控制部60是作為本發明的“配管溫度控制部”而發揮作用。以下，在說明如上所述而構成的減壓乾燥裝置1的動作之前，一邊參照圖3及圖4，一邊說明利用配管加熱部50對排氣配管41進行加熱而進行溫度調整的技術意義。

圖3是表示圖1所示的減壓乾燥裝置中的減壓特性的曲線圖，通過以下的實驗而求出減壓特性。在減壓乾燥處理的初始階段，溶劑成分從塗佈膜92急劇氣化，以與之相平衡的排氣量執行減壓動作。因此，腔室10內的壓力下降，伴隨著減壓乾燥處理的推進，所述壓力逐漸減少，塗佈膜92的減壓乾燥處理完成。因此，在本實驗中，除了將配管加熱器51設為接通（ON）/斷開（OFF）的條件以外全部同樣地設定，並且對三塊基板9連續地進行減壓乾燥處理，分別測量從固定值Ps（在所述實驗中為大氣壓（100000 Pa））到塗佈膜92的減壓乾燥處理完成為止的腔室10內的壓力的變化。所述圖3中的上段波形表示不使配管加熱器51運轉時（OFF時）的減壓特性，下段波形表示使配管加熱器51運轉時（ON時）的減壓特性。

在減壓乾燥裝置1中，由於在腔室10內產生的包含溶劑成分的排出氣體經由排氣配管41從腔室10排出，所以隨著時間經過，腔室10內的壓力下降。在這裡，在圖3所示的減壓特性中存在三點應關注的方面。

首先第1點是在壓力減少的初期，將配管加熱器51保持在OFF狀態的實例（case）（實質上相當於現有裝置，以下稱作“現有例”）的壓力下降率大於將配管加熱器51保持在ON狀態的實例（相當於本實施方式，以下稱作“實施例”）。本申請創作人分析其原因在於進行如下製程（process），即，排出氣體中所含的溶劑成分在排氣配管41內經急劇冷卻而液化，所述經液化的溶劑成分再次產生氣化而被排出。即，可考察出原因在於：在實施例中通過將配管加熱器51設為ON狀態，而使得在現有例中經液化而附著於排氣配管41內的部分在實施例中也維持著氣化狀態，因此與之相應地，應排出的量也增多。即，實施例的應排出的排出氣體的量多於現有例，因此可認為在壓力減少的初期，排氣速度變慢。如上所述壓力特性與排氣配管41的溫度密切相關。

第2個關注點是如下方面：如上所述，雖然伴隨著排氣配管41的溫度上升，排氣速度下降，但是在現有例中壓力減少的中期以後，減壓速度下降，減壓乾燥處理完成之前的時間長於實施例。在這裡，關於現有例中的減壓速度下降的主要因素，本申請創作人分析如下。即，當觀察圖3的上段波形時，腔室10內的壓力在即將抵達至特定的壓力Pv之前大幅下降，僅經固定時間在所述壓力Pv下減壓速度大致變為零之後，壓力再次下降。本申請創作人分析其原因在於與上述同樣地進行如下製程：排出氣體中所含的溶劑成分在排氣配管41內經急劇冷卻而液化，所述經液化的溶劑成分再次產生氣化而被排出。並且，可分析出，通過對排氣配管41進行加熱，可以抑制溶劑成分在排氣配管41中液化，從而防止減壓速度的下降，所述分析結果與實驗結果相一致。即，通過對排氣配管41進行加熱，可以防止排出氣體中的溶劑成分在排氣配管41中液化而縮短減壓乾燥處理所需要的時間，即所謂的節拍時間。

進而，第3關注點是減壓乾燥處理的穩定性。如所述圖3所示，在現有例中每當減壓乾燥處理時減壓乾燥的結束時序Toff不同。即，節拍時間發生變動。關於其理由，可分析如下。如上所述在排氣配管41內一度經液化的溶劑再次氣化，因此可認為如果所述經再次氣化的部分也全部被排出，那麼在第1塊、第2塊、第3塊中結束時序Toff便不會產生差。但是，當使配管加熱器51維持在OFF狀態時，在壓力變為壓力Pv的時點，有時大量經氣化的溶劑會再次液化而附著於排氣配管41上，由此減壓速度變得緩慢。並且，壓力下降至低於壓力Pv也可以認為經再次液化的溶劑被完全氣化，但是在壓力下降至低於壓力Pv的期間，也繼續進行乾燥處理，從而也繼續產生再次液化附著。其結果可認為，每當塊數增加時附著量增加，與其相應地，結束時序Toff不斷產生偏差。與此相對，在實施例中結束時序Ton大致相同，即節拍時間大致為固定。可認為其原因在於，配管加熱器51成為ON狀態，在經加熱的排氣配管41內不會產生液化。事實上，在實施例中只要觀察圖3的下段波形便知，未看見溶劑成分的液化，節拍時間穩定。如上所述，排氣配管41的加熱對減壓乾燥處理的穩定化也大有幫助。

根據所述三個關注點及分析結果，本申請創作人得出如下結論：在減壓乾燥處理中對排氣配管41進行加熱這一情況在實現節拍時間的縮短及減壓乾燥處理的穩定化方面發揮著重要的作用。再者，從防止溶劑成分在排氣配管41中液化的角度而言，理想的是將排氣配管41調整為高於排出氣體的露點溫度的溫度。在這裡，所謂“露點溫度（或者有時也簡稱作“露點”）”，是指將排出氣體的溫度設為所述露點溫度以下時溶劑成分容易產生液化，通過使配管溫度維持在露點溫度以上，可以防止排出氣體中所含的溶劑成分的液化。並且，如果排氣配管41的加熱溫度過高，那麼在排氣配管41內排出氣體會產生膨脹而導致排氣速度下降，因此排氣配管41的溫度理想的是設定為低於腔室10的內部空間SP。

在這裡，在圖1所示的減壓乾燥裝置1中難以直接檢測露點溫度，因此在本實施方式中基於所述壓力Pv（認為產生液化時的腔室10內的壓力）及圖4所示的溶劑的蒸氣壓曲線來設定排氣配管41的溫度。即，基於蒸氣壓曲線求出與所述壓力Pv相對應的溫度TPv，控制部60對配管加熱器51進行驅動而在所述溫度TPv的±20[℃]的範圍內對排氣配管41進行加熱。具體而言，將減壓乾燥處理中的排氣配管41的溫度作為目標配管溫度而預先記憶於控制部60中，控制部60按照減壓乾燥處理用的程式對減壓乾燥裝置1的各部進行控制，由此執行以下的動作。

圖5是表示圖1所示的減壓乾燥裝置的動作的流程圖。當利用所述減壓乾燥裝置1對基板9進行處理時，基板加熱部30預先接收來自控制部60的加熱命令來使棒狀加熱器運轉而使內部空間SP內的環境溫度上升（步驟S1：加熱準備步驟）。並且，對排氣配管41的加熱處理也預先開始（步驟S2：配管加熱步驟），即，配管加熱部50預先接收來自控制部60的加熱命令來使配管加熱器51運轉而從排氣配管41的外周面側進行加熱，使排氣配管41的溫度上升。在這裡，控制部60對由配管溫度感測器41a所檢測的排氣配管41的溫度進行監控，基於所述溫度進行反饋控制以使排氣配管41達到目標配管溫度。由此，使減壓乾燥處理中的排氣配管41的溫度維持在目標配管溫度。 如上所述執行步驟S1、步驟S2之後，將在上表面91塗佈有塗佈膜92的基板9搬入至腔室10內，並收納於內部空間SP（步驟S3：搬入步驟）。具體而言，通過腔室升降機構12a使腔室10的蓋部12上升。然後，通過省略圖示的搬運機器人將基板9搬入至腔室10的內部，並載置於多個基板保持銷21上。當基板9的搬入完成時，搬運機器人退避至腔室10的外部，通過腔室升降機構12a而使腔室10的蓋部12下降。由此內部空間SP成為密閉空間。

在下一個步驟S4中，開閉閥44打開，並且蝶形閥42、蝶形閥43打開至規定的開度為止。並且，排氣泵45運行，將腔室10的內部的氣體經由排氣口111、排氣口112加以強制排出。由此，內部空間SP內的環境氣體經由排氣口111、排氣口112，蝶形閥42、蝶形閥43，排氣配管41及開閉閥44排出至排氣線路，從而對腔室10的內部空間SP進行減壓。對應於所述內部空間SP的減壓，塗佈於基板9的表面上的塗佈膜92中所含的溶劑成分產生氣化。由此，開始對基板9上的塗佈膜92進行減壓處理。

在所述減壓處理時，通過步驟S1，棒狀加熱器已在運轉，因此也開始對基板9進行加熱處理（步驟S4）。即，在環境溫度上升的內部空間SP內利用棒狀加熱器對基板9從其下表面側進行加熱。通過所述加熱處理，使基板9上的塗佈膜92中所含的溶劑成分升溫，而進一步促進溶劑成分的氣化。如上所述，減壓乾燥裝置1通過執行併用內部空間SP的減壓及加熱的減壓乾燥處理，而使塗佈膜92的乾燥效率提高（乾燥步驟）。

如上所述一邊將排氣配管41加熱至目標配管溫度一邊同時進行減壓處理及乾燥處理，當塗佈膜92的乾燥完成時，使排氣泵45停止，並且打開未圖示的開閥（open valve），由此使腔室10的內部空間SP恢復至大氣壓為止。然後，腔室升降機構12a使腔室10的蓋部12上升，搬運機器人的手（hand）進入至腔室10的內部來接收基板保持銷21上的基板9而搬出至腔室10的外部（步驟S5：搬出步驟）。通過以上所述，對一塊基板9的減壓乾燥處理結束。再者，繼續執行基板加熱部30對內部空間SP的加熱及配管加熱部50對排氣配管41的加熱。

如以上所述，在所述減壓乾燥裝置1中，一邊對排氣配管41進行加熱，一邊進行減壓乾燥處理，因此可以防止在減壓乾燥處理中排出氣體中所含的溶劑成分液化而附著於排氣配管41。其結果為，可以在短時間內利用減壓乾燥裝置1進行減壓乾燥處理。並且，每當進行減壓乾燥處理時，可以抑制殘留於排氣配管41上的溶劑成分而穩定地進行減壓乾燥處理。特別是即使在連續處理多個基板9的情況下，也可以使各基板9以固定的節拍時間進行減壓乾燥。

再者，本發明並不限定於所述實施方式，只要不脫離其主旨除所述情況以外，便可進行各種變更。例如，在所述實施方式中，是在減壓乾燥處理中對排氣配管41整體進行均勻加熱而調整為目標配管溫度，但是也可以構成為使配管溫度不同。其原因在於當排氣配管41延長時，在排氣配管41中的與腔室10接近的區域及與腔室10遠離的區域內通過各區域的排出氣體的溫度不同。即，越遠離腔室10，排氣配管41內的排出氣體的溫度越低，越容易產生液化現象。因此，優選的是以越遠離腔室10，排氣配管41的溫度越高的方式進行加熱。

並且，在所述實施方式中，是將本發明應用於使在基板9的上表面91上塗佈聚醯胺酸溶液而形成的塗佈膜92減壓乾燥的減壓乾燥裝置1，但是本發明的應用範圍並不限定於此，也可以應用於使包含抗蝕液、層間絕緣材料、低介電質材料、強介電質材料、配線材料、有機金屬材料、金屬糊劑等的塗佈膜減壓乾燥的裝置。並且，也可以將本發明應用於使形成於基板9的下表面或基板9的兩面上的塗佈膜減壓乾燥的減壓乾燥裝置。

如以上例示具體的實施方式所說明般，本發明也可以構成為例如通過配管溫度控制部，將排氣配管的溫度調整為高於經由排氣配管而排出的包含溶劑成分的排出氣體的露點溫度的溫度。即，為了抑制針對排氣配管的溶劑成分的液化，優選的是採用如上所述的構成。

並且，如果設為通過配管溫度控制部而將排氣配管的溫度調整為低於內部空間的溫度，可以防止排氣速度下降，從而優選。

此外，配管加熱部理想的是構成為以越遠離腔室，排氣配管的溫度越高的方式進行加熱，由此即使在排氣配管延長的情況下，也可以有效地防止溶劑成分的液化，從而優選。 [工業上的可利用性]

本發明可應用於通過併用減壓處理及加熱處理來使形成於基板上的塗佈膜乾燥的所有減壓乾燥技術。

1‧‧‧減壓乾燥裝置
9‧‧‧基板
10‧‧‧腔室
11‧‧‧底座部
12‧‧‧蓋部
12a‧‧‧腔室升降機構
13‧‧‧O形環
20‧‧‧基板保持部
21‧‧‧基板保持銷
22‧‧‧支撐構件
22a‧‧‧銷升降機構
30‧‧‧基板加熱部
40‧‧‧排氣部
41‧‧‧排氣配管
41a‧‧‧配管溫度感測器
42、43‧‧‧蝶形閥
44‧‧‧開閉閥
45‧‧‧排氣泵
50‧‧‧配管加熱部
51‧‧‧配管加熱器
60‧‧‧控制部（配管溫度控制部）
91‧‧‧（基板的）上表面
92‧‧‧塗佈膜
111、112‧‧‧排氣口
411、412‧‧‧分支端部
S1～S5‧‧‧步驟
SP‧‧‧（腔室的）內部空間

圖1是表示本發明的減壓乾燥裝置的一實施方式的構成的縱剖面圖。圖2是表示圖1所示的減壓乾燥裝置的構成的方塊圖。圖3是表示圖1所示的減壓乾燥裝置中的減壓特性的曲線圖。圖4是表示溶劑的蒸氣壓曲線的一例的曲線圖。 圖5是表示圖1所示的減壓乾燥裝置的動作的流程圖。

1‧‧‧減壓乾燥裝置

9‧‧‧基板

10‧‧‧腔室

11‧‧‧底座部

12‧‧‧蓋部

12a‧‧‧腔室升降機構

13‧‧‧O形環

20‧‧‧基板保持部

21‧‧‧基板保持銷

22‧‧‧支撐構件

22a‧‧‧銷升降機構

30‧‧‧基板加熱部

40‧‧‧排氣部

41‧‧‧排氣配管

42、43‧‧‧蝶形閥

44‧‧‧開閉閥

45‧‧‧排氣泵

50‧‧‧配管加熱部

51‧‧‧配管加熱器

91‧‧‧(基板的)上表面

92‧‧‧塗佈膜

111、112‧‧‧排氣口

411、412‧‧‧分支端部

SP‧‧‧(腔室的)內部空間

Claims (4)

1. 一種減壓乾燥裝置，一邊將基板收納於腔室的內部空間，一邊通過經由與所述腔室連接的排氣配管來排出所述內部空間的環境氣體而對所述內部空間進行減壓並且對所述內部空間進行加熱，由此使所述基板上的塗佈膜中所含的溶劑成分氣化而使所述塗佈膜乾燥，所述減壓乾燥裝置的特徵在於包括：配管加熱部，對所述排氣配管進行加熱；以及配管溫度控制部，通過對所述配管加熱部進行控制而對所述排氣配管的溫度進行調整，所述配管溫度控制部將所述排氣配管的溫度調整為高於經由所述排氣配管排出的包含所述溶劑成分的排出氣體的露點溫度的溫度。
2. 如申請專利範圍第1項所述的減壓乾燥裝置，其中，所述配管溫度控制部將所述排氣配管的溫度調整為低於所述內部空間的溫度。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的減壓乾燥裝置，其中，所述配管加熱部是以越遠離所述腔室而所述排氣配管的溫度越高的方式進行加熱。
4. 一種減壓乾燥方法，其特徵在於包括：收納步驟，將形成有塗佈膜的基板收納於腔室的內部空間；乾燥步驟，經由與所述腔室連接的排氣配管來排出所述內部 空間的環境氣體而對所述內部空間進行減壓並且對所述內部空間進行加熱，由此使所述基板上的塗佈膜中所含的溶劑成分氣化而使所述塗佈膜乾燥；以及配管加熱步驟，與所述乾燥步驟同時進行而對所述排氣配管進行加熱，所述配管加熱步驟中，將所述排氣配管的溫度調整為高於經由所述排氣配管排出的包含所述溶劑成分的排出氣體的露點溫度的溫度。