JP2007189186A

JP2007189186A - 基板乾燥装置及びこれを利用した基板乾燥方法

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Publication number: JP2007189186A
Application number: JP2006187180A
Authority: JP
Inventors: Duk-Ho Kim; 徳鎬金; Sung Ho Hong; 性昊洪; Suk Hee Lee; 碩熙李; Jong Pal Ahn; 鍾八安
Original assignee: APET CO Ltd
Current assignee: APET CO Ltd
Priority date: 2006-01-12
Filing date: 2006-07-06
Publication date: 2007-07-26
Also published as: TWI304609B; TW200735194A; US20070157947A1; KR100753959B1

Abstract

【課題】湿式工程後に基板表面に存在する純水や湿気を乾燥工程を通じて容易にとり除くことが可能な基板乾燥装置及びこれを利用した基板乾燥方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板乾燥装置１００は、純水供給手段１１を具備し、該純水供給手段１１の内部で基板Ｓの洗浄を行う洗浄槽１０と、前記洗浄槽１０で洗浄された前記基板Ｓを乾燥させるように、少なくとも一つ以上のノズル７０、８０、９０を具備し、前記ノズル７０、８０、９０を通じて前記基板Ｓに乾燥気体が噴射されるように構成され、いずれか一部が湾曲した形状を持つ乾燥槽３０と、前記基板Ｓを前記洗浄槽３０から前記乾燥槽３０に移送する移送手段と、を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板乾燥装置及びこれを利用した基板乾燥方法に関し、より詳細には、湿式工程後に基板表面に存在する純水や湿気を乾燥工程を通じて容易にとり除くようにする基板乾燥装置及びこれを利用した基板乾燥方法に関する。

一般に、半導体製造工程、ＬＣＤ（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐｌａｙ）製造工程及びウェーハ製造工程などのような工程で数回の基板湿式洗浄工程が遂行されるが、この湿式工程を完了した基板は乾燥処理をしなければならない。

前記基板の乾燥は、多様な装備を利用して行われており、一例として半導体製造工程で基板を乾燥させるために、スピン乾燥器（Ｓｐｉｎｄｒｙｅｒ）、イソプロピルアルコール蒸気乾燥器（ＩＰＡｖａｐｏｒｄｒｙｅｒ）及びマランゴニ乾燥器（Ｍａｒａｎｇｏｎｉｄｒｙｅｒ）が主に用いられて来た。

しかし、スピン乾燥器は回転による遠心力を利用して基板を乾燥させるため、基板の破損及び遠心力が及ばない所での乾燥不良が発生するという問題がある。

また、イソプロピルアルコール蒸気乾燥器は、有機溶剤であるイソプロピルアルコールを１８０℃以上の高温で加熱して発生する蒸気を利用して基板に吸着されている純水を置換して乾燥させるので、高温による発火性有機溶剤の火災の危険及び蒸気の及ばない所での乾燥不良が発生するという問題がある。

また、マランゴニ乾燥器は、純水表面にイソプロピルアルコール層を形成して基板を純水表面の上に上昇させて純水とイソプロピルアルコールの表面張力差を利用して乾燥が行われるので、純水表面の震え及びイソプロピルアルコール層の厚さ変化によって乾燥不良が発生するという問題がある。

なお、前記従来の基板乾燥装置及びこれを利用した基板乾燥方法に関する技術を記載した文献としては、下記特許文献１等がある。

特開平９−３８５９５号公報特開２００２−１２４５０５号公報

そこで、本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的は、基板を純水で洗浄した後に基板の表面に存在する純水や湿気を完全に除去して乾燥不良が発生しないようにすることが可能な、新規かつ改良された基板乾燥装置及びこれを利用した基板乾燥方法を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、純水供給手段を具備し、その内部で基板の洗浄を行う洗浄槽と、前記洗浄槽で洗浄された前記基板を乾燥させるように、少なくとも一つ以上のノズルを具備し、前記ノズルを通じて前記基板に乾燥気体が噴射されるように構成され、いずれか一部が湾曲した形状を持つ乾燥槽と、前記基板を前記洗浄槽から前記乾燥槽に移送する移送手段と、を備える基板乾燥装置が提供される。

ここで、前記洗浄槽は、前記乾燥槽の下方に設置され、前記移送手段は前記基板を昇降させる昇降手段であってもよい。

また、前記乾燥気体は、極性有機溶媒と不活性ガスとの混合気体、または、不活性ガスのみからなる気体であってもよい。なお、極性有機溶媒と不活性ガスとを混合する際には、例えば、極性有機溶媒を揮発させてガス化した後に不活性ガスと混合することができる。

ここで、前記ノズルの前端には不活性ガス加熱装置がさらに設置されうる。また、前記ノズルの前端には流量調節手段がさらに設置されうる。

また、前記ノズルは、内部管と外部管とからなる二重管で、前記内部管と前記外部管のそれぞれには、複数のガス供給孔が形成されるように構成してもよい。さらに、前記複数のガス供給孔は１０個以上形成され、前記ガス供給孔の内径は、０．３〜２ｍｍであることが好ましい。

また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、純水供給手段を具備し、該純水供給手段の内部で基板の洗浄を行う洗浄槽と、前記洗浄槽で洗浄された前記基板を乾燥させるように、少なくとも一つ以上の二重管ノズルを具備し、前記二重管ノズルを通じて前記基板に乾燥気体が噴射されるように構成される乾燥槽と、前記基板を前記洗浄槽から前記乾燥槽に移送する移送手段と、を備えることを特徴とする基板乾燥装置が提供される。

ここで、前記乾燥槽はいずれか一部が湾曲した形状を持つことが好ましい。

また、前記洗浄槽は前記乾燥槽の下方に設置され、前記移送手段は前記基板を昇降させる昇降手段であるように構成してもよい。この時、前記乾燥気体は、極性有機溶媒及び不活性ガスの中でいずれか一つまたは混合でなる。

ここで、前記ノズルの前端には、不活性ガス加熱装置がさらに具備されていてもよく、前記ノズルの前端には流量調節手段がさらに具備されていてもよい。

また、前記ノズルは内部管と外部管とからなる二重管であり、前記内部管と前記外部管のそれぞれには複数のガス供給孔が形成され、前記複数のガス供給孔は１０個以上形成され、前記ガス供給孔の内径は０．３〜２ｍｍであることが好ましい。

また、本発明による基板乾燥方法は、基板を本発明による基板乾燥装置の洗浄槽に搬入する搬入段階と、前記基板を純水で洗浄する洗浄段階と、前記純水で洗浄された基板を本発明による基板乾燥装置の乾燥槽に移送しながら極性有機溶媒と不活性ガスとの混合気体で乾燥する第１乾燥段階と、前記基板を前記乾燥槽に移送した後に、不活性ガスで乾燥する第２乾燥段階と、前記第２乾燥段階の後に、前記乾燥槽内の前記基板を極性有機溶媒と不活性ガスとの混合気体で乾燥する第３乾燥段階と、前記第３乾燥段階の後に、前記乾燥槽内の前記基板を不活性ガスで乾燥する第４乾燥段階と、を含む。

また、前記第１乾燥段階〜第４乾燥段階は、それぞれ１０〜１２０秒間行われ、前記第１乾燥段階〜第４乾燥段階は、それぞれ２０〜２００ｌ／ｍｉｎの流量の前記混合気体または不活性ガスで乾燥が行われ、前記第１乾燥段階〜第４乾燥段階はそれぞれ２０〜２５０℃の温度で乾燥することが好ましい。この時、前記第３乾燥段階及び前記第４乾燥段階は、順次に２回以上行われることが好ましい。

以上説明したように、本発明による基板乾燥装置及びこれを利用した基板乾燥方法によれば、ガス反応容器内に供給されるガスの定量供給を均一に維持し、極性有機溶媒と不活性ガスとの混合気体及び不活性ガスを交番して供給するので、基板表面に存在する水気及び湿気を完全に除去し、基板処理工程での不良を防止して歩留まりを向上させることができる。

以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

初めに、本発明の好ましい実施形態による基板乾燥装置を添付された図面を参照して詳しく説明する。図１は、本発明の好ましい実施形態による基板乾燥装置の構成を示した概路図である。

本発明の好ましい実施形態による基板乾燥装置１００は、純水供給手段を具備し、その内部で基板の洗浄が行われるように構成される洗浄槽１０と、この洗浄槽１０で洗浄された前記基板を乾燥させるように、少なくとも一つ以上のノズル７０、８０、９０を具備し、ノズル７０、８０、９０を通じて前記基板に乾燥気体が噴射されるように構成される乾燥槽３０と、前記基板を洗浄槽１０から乾燥槽３０に移送するための移送手段（図示せず）と、を含んでなる。

基板乾燥装置１００は、基板の洗浄が行われる洗浄槽１０と洗浄が行われた前記基板を乾燥させる乾燥槽３０で構成される。液体で処理が行われる洗浄槽１０は気体で処理が行われる乾燥槽３０の下方に設置されることが好ましい。

図面上には図示しなかったが、基板を洗浄槽１０から乾燥槽３０に移送するための移送手段がさらに具備されることが好ましい。

本発明の好ましい実施形態では、洗浄槽１０が乾燥槽３０の下方に設置されるので、前記移送手段は基板Ｓを昇降させる昇降手段であることが好ましいが、この昇降手段は通常の基板移送手段も可能である。

洗浄槽１０には、その内部に純水を供給して基板が洗浄されるように、純水供給手段を具備する。この純水供給手段は、純水を洗浄槽１０に供給する純水供給源４１と純水供給源４１から供給される純水を移送する純水供給管４２及び純水供給管４２を通じて移送される純水を洗浄槽１０内に投入するように洗浄槽１０のいずれか一部位に構成される純水供給孔１１からなる。

また、要求される目的に応じて、純水供給孔１１を洗浄槽１０内に複数個設けることもでき、純水を加熱する純水加熱手段をさらに設けてもよいし、その他の追加の供給手段をさらに設けることも可能である。

乾燥槽３０は、洗浄槽１０の上方に設置され、その内部に気体供給手段としての複数のノズル７０、８０、９０が具備される。このノズル７０、８０、９０は、複数個具備されて、必要に応じて、本明細書の図面上に示されたノズル７０、８０、９０よりさらに多い数のノズルを具備していてもよい。

乾燥槽３０は、その内部に均一な気体供給及び供給された気体の維持のために、少なくともいずれか一部が湾曲した形状を持つことが好ましい。

乾燥槽３０に乾燥気体を供給するために、さらに詳細には、乾燥槽３０のノズル７０、８０、９０に乾燥気体を供給するために、ノズル７０、８０、９０は乾燥槽３０の外部に構成される気体供給管６０と連結構成されて、気体供給管６０は気体供給源５０から乾燥気体の供給を受けてノズル７０、８０、９０を通じて乾燥槽３０内に乾燥気体を供給するようにする。

気体供給源５０は、不活性ガス供給源５１と極性有機溶媒供給源５５を含む。極性有機溶媒供給源５５として供給される乾燥気体としての極性有機溶媒が揮発したガスは、基板上に吸着されている純水を極性有機溶媒に置換して乾燥させるようにする。好ましい極性有機溶媒の例としては、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）がある。

不活性ガス供給源５１として供給される乾燥気体としての不活性ガスは、基板の物質または基板上の物質と化学的に反応せずに基板を乾燥させるようにする。好ましい不活性ガスの例としては、窒素がある。

不活性ガス供給源５１から供給される不活性ガスは、流量調節手段５２を通じて乾燥槽３０内に供給される量が調節されることが好ましく、乾燥気体供給による乾燥機能を高めるために別途の加熱手段５３をさらに設けてもよい。

極性有機溶媒供給源５５及び不活性ガス供給源５１は、気体供給管６０と連通されて乾燥槽３０のノズル７０、８０、９０に乾燥気体を供給する。

本明細書の図面では不活性ガス供給源５１及び極性有機溶媒供給源５５が一つの気体供給管６０に連結構成されているが、それぞれ別途の供給管と連結構成されることができ、これら供給管はまた別途のノズルと連通されうる。

また、それぞれのノズル７０、８０、９０に対してそれぞれの極性有機溶媒供給源５５及び不活性ガス供給源５１を具備することができ、それぞれの気体供給管６０を具備することもできる。

図２は、図１の基板乾燥装置のノズルを示した透過斜視図である。ノズル７０は、乾燥槽３０の内部に設けられて、これを通じて乾燥気体が基板Ｓに噴射されるようにする。このノズル７０は、例えば同軸の二重管形状を持つが、内部管７１及び外部管７２の二重管には複数のガス供給孔７３、７４が形成されうる。

ここで、内部管７１及び外部管７２は、一体型または分離組立型で構成されうるが、ガスの漏洩防止などのために一体型で構成されることが好ましい。

内部管７１を通じて不活性ガスを供給する際には、外部管７２を通じては極性有機溶媒を供給することができず、内部管７１を通じて極性有機溶媒を供給する際には外部管７２を通じては不活性ガスを供給しうる。

好ましくは、内部管７１を通じて不活性ガス及び極性有機溶媒混合の乾燥気体が供給されて、この混合ガスは内部管７１から外部管７２に供給されて噴射される。

好ましい乾燥気体の流動のために、外部管７２の外部孔７４に対して内部管７１の内部孔７３は異なる方向を向くように形成される。

外部管７２を通じて供給される乾燥気体は、外部孔７４を通じて噴射され、内部孔７３を通じて噴出される乾燥気体は、内部管７１と外部管７２の間を流動して最終的に外部孔７４を通じて乾燥槽３０内部に噴射される。

このような複数の内部孔７１を通じて乾燥気体の円滑な流動が可能であるので、複数の噴射孔、すなわち、外部孔７４を通じて乾燥槽３０内に乾燥気体の均一な噴射をすることが可能である。

この内部孔７１及び外部孔７４の内径は、０．３〜２ｍｍであることが好ましい。０．３ｍｍ未満の場合には、圧力が上昇して噴射される乾燥気体が過剰に高圧に加圧されて噴射されて基板に損傷を与えることがあり、２ｍｍを超過する場合には、噴射效果が低くなって均一な噴射が困難であるからである。

好ましくは、一つのノズル７０に形成される内部孔７１及び外部孔７４は１０個以上である。形成する内部孔７１及び外部孔７４の数が１０個未満の場合には、基板全面に対して十分に均一な噴射が困難であり、乾燥気体が過剰に高圧に加圧されて噴射されることがあるからである。

また、ノズル７０、８０、９０の前端、すなわち、気体供給管６０とノズル７０、８０、９０との間に流量調節バルブをさらに設けてもよく、各ノズル７０、８０、９０に供給される乾燥気体の量を調節するようにできる。

以下、本発明の好ましい実施形態による基板乾燥装置を利用した基板乾燥方法を添付された図面を参照して詳しく説明する。

図３ａ〜図３ｃは、図１の基板乾燥装置を利用した基板乾燥方法を示した概略図である。

本発明の好ましい実施形態による基板乾燥装置１００を利用した基板乾燥方法は、基板Ｓを基板乾燥装置１００の洗浄槽１０に搬入する搬入段階と、基板Ｓを純水で洗浄する洗浄段階と、前記純水で洗浄された基板Ｓを基板乾燥装置１００の乾燥槽３０に移送しながら極性有機溶媒（例えば、ＩＰＡ）と不活性ガス（例えば、Ｎ_２）との混合気体で乾燥される第１乾燥段階と、基板Ｓを乾燥槽３０に移送した後に、不活性ガス（例えば、Ｎ_２）で乾燥する第２乾燥段階と、第２乾燥段階の後に、乾燥槽３０に移送された基板Ｓを極性有機溶媒（例えば、ＩＰＡ）と不活性ガス（例えば、Ｎ_２）との混合気体で乾燥する第３乾燥段階と、第３乾燥段階の後に、基板Ｓを不活性ガス（例えば、Ｎ_２）で乾燥する第４乾燥段階と、を含んでなる。

湿式工程が完了された基板Ｓが洗浄槽１０に投入されると、洗浄槽１０内部の一側に設置されたノズルと洗浄槽１０の下端に設置された純水供給孔１１から純水が供給されて基板Ｓの洗浄が行われる（図３ａ）。

洗浄が行われた基板Ｓは、乾燥のために別途の基板Ｓを昇降させる昇降手段（図示せず）により乾燥槽３０内に移動されて、基板Ｓの乾燥のために純水を置換する極性有機溶媒（が揮発したガス）と不活性ガスとの混合気体が乾燥槽３０内に設置されたノズル７０、８０、９０を通じて供給される（図３ｂ）。

基板Ｓが乾燥槽３０内の乾燥位置に配置されると、乾燥槽３０内のノズル７０、８０、９０を通じて供給されていた極性有機溶媒と不活性ガスとの混合気体は、供給が中断されて不活性ガスがノズル７０、８０、９０を通じて乾燥槽３０内に供給される（図３ｃ）。

以後、また不活性ガスの供給を中断し、極性有機溶媒と不活性ガスとの混合気体を供給する過程を繰り返す。すなわち、図３ｂと図３ｃの過程が繰り返されて行われるのである。この時、乾燥槽３０内に均一なガスの供給及び供給されたガスの維持のために、乾燥槽３０の形状は、少なくともいずれか一部（例えば、上部）が湾曲した形状（例えば、略半球型）であることが好ましい。

このように、極性有機溶媒と不活性ガスとの混合気体及び不活性ガスの供給を交番して２回以上繰り返し行うことで、乾燥槽３０内において、極性有機溶媒、不活性ガス及び水蒸気の濃度平衡が人為的に崩れる現象と、極性有機溶媒、不活性ガス及び水蒸気の濃度を平衡にしようとする現象が繰り返される。これによって、基板Ｓの表面に存在する水分を除去することができる。

ここで、極性有機溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール、アセトン、アセトニトリル、メタノール及びエタノールからなるグループより選択される少なくとも一つ以上があり、不活性ガスとしては、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオンからなるグループより選択される少なくとも一つ以上がある。好ましくは、極性有機溶媒はイソプロピルアルコールであり、不活性ガスは窒素である。

また、極性有機溶媒と不活性ガスとの混合気体及び不活性ガスの供給は、それぞれ１０〜１２０秒間行われて、それぞれ２０〜２００ｌ／ｍｉｎの流量で乾燥し、それぞれ２０〜２５０℃の温度で乾燥することが好ましい。

極性有機溶媒と不活性ガスとの混合気体及び不活性ガスの供給が１０秒未満の場合には、頻繁な乾燥気体の交換によって乾燥效果が少なくなり、１２０秒を超過する場合には必要以上の乾燥が行われるようになって歩留まりにおいて好ましくないので、それぞれ１０〜１２０秒間行うことが好ましい。

また、流量が２０ｌ／ｍｉｎ未満の場合には微小な流量によって乾燥效果が極めて小さく、長時間の乾燥時間が要求され、２００ｌ／ｍｉｎを超過する流量では乾燥気体の過多流入で乾燥槽３０内の乾燥気体流動のバラ付きをもたらして基板Ｓの乾燥に悪影響を及ぼすので乾燥気体の流量は２０〜２００ｌ／ｍｉｎにすることが好ましい。

さらに、乾燥気体の温度が２０℃未満の場合には通常の室温より低い温度の乾燥気体噴射によってかえって基板Ｓ上にムラなどが発生しうるし、乾燥気体の温度が２５０℃を超過する場合には過剰な高温によって、特にイソプロピルアルコールが高温になることによって発火性有機溶剤の火事危険が発生しうるので、乾燥気体の温度は２０〜２５０℃が好ましい。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

本発明の好ましい実施形態による基板乾燥装置の構成を示した概路図である。図１の基板乾燥装置のノズルを示した透過斜視図である。図１の基板乾燥装置を利用した基板乾燥方法を示した概路図である。図１の基板乾燥装置を利用した基板乾燥方法を示した概路図である。図１の基板乾燥装置を利用した基板乾燥方法を示した概路図である。

符号の説明

１０洗浄槽
３０乾燥槽
５０気体供給源
７０、８０、９０ノズル
１００基板乾燥装置
Ｓ基板

Claims

純水供給手段を具備し、該純水供給手段の内部で基板の洗浄を行う洗浄槽と、
前記洗浄槽で洗浄された前記基板を乾燥させるように、少なくとも一つ以上のノズルを具備し、前記ノズルを通じて前記基板に乾燥気体が噴射されるように構成され、いずれか一部が湾曲した形状を持つ乾燥槽と、
前記基板を前記洗浄槽から前記乾燥槽に移送する移送手段と、
を備えることを特徴とする、基板乾燥装置。
前記洗浄槽は、前記乾燥槽の下方に設置され、
前記移送手段は、前記基板を昇降させる昇降手段であることを特徴とする、請求項１記載の基板乾燥装置。
前記乾燥気体は、極性有機溶媒と不活性ガスとの混合気体、または、不活性ガスのみからなる気体であることを特徴とする、請求項１記載の基板乾燥装置。
前記ノズルの前端には、不活性ガス加熱装置がさらに設置されることを特徴とする、請求項３記載の基板乾燥装置。
前記ノズルの前端には、流量調節手段がさらに設置されることを特徴とする、請求項１記載の基板乾燥装置。
前記ノズルは、内部管と外部管とからなる二重管であることを特徴とする、請求項１記載の基板乾燥装置。
前記内部管と前記外部管のそれぞれには、複数のガス供給孔が形成されることを特徴とする、請求項６記載の基板乾燥装置。
前記複数のガス供給孔は、１０個以上形成されることを特徴とする、請求項７記載の基板乾燥装置。
前記ガス供給孔の内径は、０．３〜２ｍｍであることを特徴とする、請求項７記載の基板乾燥装置。
純水供給手段を具備し、該純水供給手段の内部で基板の洗浄を行う洗浄槽と、
前記洗浄槽で洗浄された前記基板を乾燥させるように、少なくとも一つ以上の二重管ノズルを具備し、前記二重管ノズルを通じて前記基板に乾燥気体が噴射されるように構成される乾燥槽と、
前記基板を前記洗浄槽から前記乾燥槽に移送する移送手段と、
を備えることを特徴とする、基板乾燥装置。
前記乾燥槽は、いずれか一部が湾曲した形状を持つことを特徴とする、請求項１０記載の基板乾燥装置。
前記洗浄槽は、前記乾燥槽の下方に設置され、
前記移送手段は、前記基板を昇降させる昇降手段であることを特徴とする、請求項１０記載の基板乾燥装置。
前記乾燥気体は、極性有機溶媒と不活性ガスとの混合気体、または、不活性ガスのみからなる気体であることを特徴とする、請求項１０記載の基板乾燥装置。
前記ノズルの前端には、不活性ガス加熱装置がさらに設置されることを特徴とする、請求項１３記載の基板乾燥装置。
前記ノズルの前端には、流量調節手段がさらに設置されることを特徴とする、請求項１０記載の基板乾燥装置。
前記二重管ノズルは、内部管及び外部管で構成される二重管であることを特徴とする、請求項１０記載の基板乾燥装置。
前記内部管と前記外部管のそれぞれには、複数のガス供給孔が形成されることを特徴とする、請求項１６記載の基板乾燥装置。
前記複数のガス供給孔は、１０個以上形成されることを特徴とする、請求項１７記載の基板乾燥装置。
前記ガス供給孔の内径は、０．３〜２ｍｍであることを特徴とする、請求項１７記載の基板乾燥装置。
基板を請求項１〜１９のいずれかに記載の基板乾燥装置の洗浄槽に搬入する搬入段階と、
前記基板を純水で洗浄する洗浄段階と、
前記純水で洗浄された基板を請求項１〜１９のいずれかに記載の基板乾燥装置の乾燥槽に移送しながら極性有機溶媒と不活性ガスとの混合気体で乾燥する第１乾燥段階と、
前記基板を前記乾燥槽に移送した後に、不活性ガスで乾燥する第２乾燥段階と、
前記第２乾燥段階の後に、前記乾燥槽内の前記基板を極性有機溶媒と不活性ガスとの混合気体で乾燥する第３乾燥段階と、
前記第３乾燥段階の後に、前記乾燥槽内の前記基板を不活性ガスで乾燥する第４乾燥段階と、
を含むことを特徴とする、基板乾燥方法。
前記第１乾燥段階〜第４乾燥段階は、それぞれ１０〜１２０秒間行われることを特徴とする、請求項２０記載の基板乾燥方法。
前記第１乾燥段階〜第４乾燥段階は、それぞれ２０〜２００ｌ／ｍｉｎの流量の前記混合気体または不活性ガスで乾燥することを特徴とする、請求項２０記載の基板乾燥方法。
前記第１乾燥段階〜第４乾燥段階は、それぞれ２０〜２５０℃の温度で乾燥することを特徴とする、請求項２０記載の基板乾燥方法。
前記第３乾燥段階及び前記第４乾燥段階は、順次に２回以上行われることを特徴とする、請求項２０記載の基板乾燥方法。