JPS6378533A - エツチング装置 - Google Patents
エツチング装置Info
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- JPS6378533A JPS6378533A JP22093386A JP22093386A JPS6378533A JP S6378533 A JPS6378533 A JP S6378533A JP 22093386 A JP22093386 A JP 22093386A JP 22093386 A JP22093386 A JP 22093386A JP S6378533 A JPS6378533 A JP S6378533A
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- Japan
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- supply pipe
- needle valve
- gas supply
- vessel
- etching
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- Pending
Links
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
蒸気圧の低いエツチングガスがガス供給管中で凝縮する
のを防止するために、気化室の近くにニードル弁を設け
る。
のを防止するために、気化室の近くにニードル弁を設け
る。
本発明はエツチング装置に係り、とりわけ、エツチング
室に蒸気圧の低いエツチングガス、例えば四塩化炭素、
トリクレン(トリクロエチレン)を供給する気化装置に
関する。
室に蒸気圧の低いエツチングガス、例えば四塩化炭素、
トリクレン(トリクロエチレン)を供給する気化装置に
関する。
半導体装置の製造において四塩化炭素やトリクレンは重
要なドライエツチング用の反応ガスである。これらのガ
スは、その液体を入れた容器とエツチング室を供給管で
結び、エツチング室を排気することによって、容器の液
体上方(気化室)と供給管内を減圧して液体を気化せし
めるとともに、エツチング室へ供給されている。供給管
の途中にはガスの供給量を調整するためにマスフローセ
ンサを介在させる。
要なドライエツチング用の反応ガスである。これらのガ
スは、その液体を入れた容器とエツチング室を供給管で
結び、エツチング室を排気することによって、容器の液
体上方(気化室)と供給管内を減圧して液体を気化せし
めるとともに、エツチング室へ供給されている。供給管
の途中にはガスの供給量を調整するためにマスフローセ
ンサを介在させる。
しかしながら、上記の如く減圧して気化されたエツチン
グガスは、蒸気圧が低いため、周囲温度が低下すると供
給管の曲部や特にマスフローセンサのオリフィスで露結
し、ガスの流路が塞がってしまうことが屡々起きる。蒸
気圧が低いので加温して気化を促進することがあるが、
そうするとより露結し易くなる。マスフローセンサのオ
リフィスに液体が付着すると制御不能になる。こうして
供給管が詰まると、エツチングを中止して供給管内の液
体をパージする必要がある。また、温度変化を防ぐため
に供給管をヒータで加熱する方法も。
グガスは、蒸気圧が低いため、周囲温度が低下すると供
給管の曲部や特にマスフローセンサのオリフィスで露結
し、ガスの流路が塞がってしまうことが屡々起きる。蒸
気圧が低いので加温して気化を促進することがあるが、
そうするとより露結し易くなる。マスフローセンサのオ
リフィスに液体が付着すると制御不能になる。こうして
供給管が詰まると、エツチングを中止して供給管内の液
体をパージする必要がある。また、温度変化を防ぐため
に供給管をヒータで加熱する方法も。
あるが、供給管全部を均一に加熱することは必ずしも容
易ではないし、また設備と維持に要する費用も少なくな
い。
易ではないし、また設備と維持に要する費用も少なくな
い。
〔問題点を解決するための手段および作用〕本発明は、
上記問題点を解決するために、液体収容用容器の気化室
に接続されたガス供給管の気化室のすぐ近くにニードル
弁を設け、かつニードル弁中およびその手前で液化した
エツチングガスが容器に戻るようにする。
上記問題点を解決するために、液体収容用容器の気化室
に接続されたガス供給管の気化室のすぐ近くにニードル
弁を設け、かつニードル弁中およびその手前で液化した
エツチングガスが容器に戻るようにする。
従来、供給管内でガスが液化し易い理由は液体容器内の
圧力(P、)と供給管内の圧力(P、)の差圧が小さい
ことにある。そこで、液体容器の出口にニードル弁を設
けてp、>>p、としたところ、供給管内での露結を防
止することができた。
圧力(P、)と供給管内の圧力(P、)の差圧が小さい
ことにある。そこで、液体容器の出口にニードル弁を設
けてp、>>p、としたところ、供給管内での露結を防
止することができた。
ニードル弁による圧力の絞りは、所定の流量に必要な圧
力より僅かに高くなるように設定した。また、ニードル
弁あるいはその手前で液化したエツチングガスは再び容
器内へ戻り、供給管を詰まらせることがないようにした
。
力より僅かに高くなるように設定した。また、ニードル
弁あるいはその手前で液化したエツチングガスは再び容
器内へ戻り、供給管を詰まらせることがないようにした
。
すなわち、ニードル弁で圧力を下げておくことによって
、供給管中でエルボ部やフィッティング部段差などによ
る摩擦圧の損失、および供給管が外部へ外出する熱のだ
めの圧力減少があっても、なおガスが凝縮しない圧力に
保たれるのである。
、供給管中でエルボ部やフィッティング部段差などによ
る摩擦圧の損失、および供給管が外部へ外出する熱のだ
めの圧力減少があっても、なおガスが凝縮しない圧力に
保たれるのである。
第1図は実施例のエツチング装置を示す。同図中、1は
エツチング室で排気口2から真空排気され、3はアノー
ド電極、4はカソード電極、5はカソード電極4上に搭
載した試料、6は高周波電源である。7は四塩化炭素(
またはトリクレン)の容器でステンレス製である。容器
7とエツチング室1とを結ぶ約1mのガス供給管8には
ニードル弁9、フィルター10.マスフローセンサ11
が設けられている。12は酸素ボンベで、酸素ガス供給
管13にもフィルター14、マスフローセンサ15が設
けられているが、ニードル弁は設けられていない。酸素
は蒸気圧が高いので露結の問題を考慮する必要がないか
らである。
エツチング室で排気口2から真空排気され、3はアノー
ド電極、4はカソード電極、5はカソード電極4上に搭
載した試料、6は高周波電源である。7は四塩化炭素(
またはトリクレン)の容器でステンレス製である。容器
7とエツチング室1とを結ぶ約1mのガス供給管8には
ニードル弁9、フィルター10.マスフローセンサ11
が設けられている。12は酸素ボンベで、酸素ガス供給
管13にもフィルター14、マスフローセンサ15が設
けられているが、ニードル弁は設けられていない。酸素
は蒸気圧が高いので露結の問題を考慮する必要がないか
らである。
容器7は液体四塩化炭素を収容し、上方の気化室からガ
ス供給管8へ開閉弁を介して接続されている。この例で
はガス供給管8は、容器7の天井から上方へ延び、その
すぐ近く (気化室から数cm)にニードル弁9が取付
けられ、ニードル弁9を過ぎてから横へ折れている。そ
のため、ニードル弁9中あるいはそれより容器7に近い
側のガス供給管8中で露結し、液化した四塩化炭素は、
下方へ流れ落ちて容器7中の液体四塩化炭素と一体とな
る。従って、ニードル弁以前四塩化炭素が液化してもガ
ス供給管8中に液体が滞まって管内が詰まることはない
。
ス供給管8へ開閉弁を介して接続されている。この例で
はガス供給管8は、容器7の天井から上方へ延び、その
すぐ近く (気化室から数cm)にニードル弁9が取付
けられ、ニードル弁9を過ぎてから横へ折れている。そ
のため、ニードル弁9中あるいはそれより容器7に近い
側のガス供給管8中で露結し、液化した四塩化炭素は、
下方へ流れ落ちて容器7中の液体四塩化炭素と一体とな
る。従って、ニードル弁以前四塩化炭素が液化してもガ
ス供給管8中に液体が滞まって管内が詰まることはない
。
なお、ニードル弁9の取付方法は、要するにニードル弁
9で圧力を絞られる手前で液化した液体が容器7に戻り
、管8中を詰まらせることがなければよく、例えば、容
器7の横にガス供給管8が接続されていてもよい。
9で圧力を絞られる手前で液化した液体が容器7に戻り
、管8中を詰まらせることがなければよく、例えば、容
器7の横にガス供給管8が接続されていてもよい。
このようなエツチング装置で、エツチング室1内の圧力
を0.25〜0.8 Torr、電極間隔を30〜15
0鶴とし、四塩化炭素の流量を15〜5Qcc/m1n
−,酸素の流量を50〜250 cc/min 、 1
3.5MHzzのRF電源6の出力を75〜500Wと
してクロムマスクをエツチングした。
を0.25〜0.8 Torr、電極間隔を30〜15
0鶴とし、四塩化炭素の流量を15〜5Qcc/m1n
−,酸素の流量を50〜250 cc/min 、 1
3.5MHzzのRF電源6の出力を75〜500Wと
してクロムマスクをエツチングした。
ニードル弁9で圧力を絞らないときは、四塩化炭素の供
給管8の曲部やマスフローセンサー11のオリフィス内
に四塩化炭素が露結し、目詰りを屡々生じ、管内の詰り
をパージする必要があった。
給管8の曲部やマスフローセンサー11のオリフィス内
に四塩化炭素が露結し、目詰りを屡々生じ、管内の詰り
をパージする必要があった。
これに対して、ニードル弁9で圧力を絞ったところ、長
期間運転しても、供給管やマスフローセンサ11のオリ
フィスに四塩化炭素が露結することがなく、良好に操作
を続けることができている。
期間運転しても、供給管やマスフローセンサ11のオリ
フィスに四塩化炭素が露結することがなく、良好に操作
を続けることができている。
本発明によれば、単にニードル弁を付設するだけで、四
塩化炭素やトリクレンのような蒸気圧の低いガスが供給
管の曲部やマスフローセンサのオリフィスで露結して目
詰りの原因になることを防止でき、その効果は大なるも
のである。
塩化炭素やトリクレンのような蒸気圧の低いガスが供給
管の曲部やマスフローセンサのオリフィスで露結して目
詰りの原因になることを防止でき、その効果は大なるも
のである。
第1図は実施例のエツチング装置の模式図である。
1・・・エツチング室、 2・・・排気口、7・・
・四塩化炭素液体容器、 8・・・ガス供給管、 9・・・ニードル弁、10
・・・フィルター、 11・・・マスフロセンサ。 実1Aikoのエツチング装置 第1回
・四塩化炭素液体容器、 8・・・ガス供給管、 9・・・ニードル弁、10
・・・フィルター、 11・・・マスフロセンサ。 実1Aikoのエツチング装置 第1回
Claims (1)
- 1、真空排気系に接続されるエッチング室と、該エッチ
ング室にエッチングガスを供給する液体エッチャント収
容用容器と、該容器と該エッチング室の間を結ぶガス供
給管と、該ガス供給管の途中に介在するガス流量御御装
置とを具備するエッチング装置において、蒸気圧の低い
エッチングガスの液体エッチャントを収容する容器の気
化室に接続されたガス供給管の該気化室の近くにニード
ル弁を設け、かつ該ニードル弁中またはその手前で液化
したエッチャントが前記容器中に戻るようにしたことを
特徴とするエッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22093386A JPS6378533A (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 | エツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22093386A JPS6378533A (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 | エツチング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6378533A true JPS6378533A (ja) | 1988-04-08 |
Family
ID=16758829
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22093386A Pending JPS6378533A (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 | エツチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6378533A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02122619A (ja) * | 1988-11-01 | 1990-05-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
US5653851A (en) * | 1994-07-05 | 1997-08-05 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for etching titanate with organic acid reagents |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57104664A (en) * | 1980-12-03 | 1982-06-29 | Fujitsu Ltd | Gasification method for liquid source |
-
1986
- 1986-09-20 JP JP22093386A patent/JPS6378533A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57104664A (en) * | 1980-12-03 | 1982-06-29 | Fujitsu Ltd | Gasification method for liquid source |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02122619A (ja) * | 1988-11-01 | 1990-05-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
US5653851A (en) * | 1994-07-05 | 1997-08-05 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for etching titanate with organic acid reagents |
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