JPS59194424A - 気相成長装置 - Google Patents

気相成長装置

Info

Publication number
JPS59194424A
JPS59194424A JP6822783A JP6822783A JPS59194424A JP S59194424 A JPS59194424 A JP S59194424A JP 6822783 A JP6822783 A JP 6822783A JP 6822783 A JP6822783 A JP 6822783A JP S59194424 A JPS59194424 A JP S59194424A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exhaust
exhaust pipe
pressure
make
valve
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6822783A
Other languages
English (en)
Inventor
Taisan Goto
後藤　泰山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Machine Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Machine Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Machine Co Ltd filed Critical Toshiba Machine Co Ltd
Priority to JP6822783A priority Critical patent/JPS59194424A/ja
Publication of JPS59194424A publication Critical patent/JPS59194424A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はたとえば半導体装置製造工程において用いられ
る気相成長装置の排気装置に関する。
〔発明の技術的背景とその問題〕
この種の気相成長装置としてはたとえば第１図に示すよ
うなものが知られている。すなわち、図中１は基台で、
この基台１の上面部にはベルジャ２が設けられ、密閉反
応容器３が構成されている。また、上記基台１’には複
数個の排気口４・・・が設けられ、これら排気口４・・
・は排気管５を介して工場全体に設備された負圧の排気
ダクトに接続されている。また、上記反応容器３内には
半導体の基板８を載置するサセプタ６が設けられている
とともにノズル７が挿入されているＯ Ｑ４ ℃１位の高温で分解される。これにより、８４の単結晶
薄膜が基板８上に析出される。この反応時には希釈用と
して多量に必要であるＨ２ガスや未反応ガスおよび反応
生成ガスが排気ガスとなる。この排気ガスは基台１の排
気口４からｍ−気管５を介して排気ダクトへ排出される
。
ところで、常圧気相成長装置として多用されている縦型
装置においては装置の大型化に伴いサセプタ６の半径方
向での膜厚の均一化が困難になってきた。この膜厚の均
一化を左右する因子としては反応ガスの流月−１濃度分
布および流速が重要になっている。
しかしながら、従来においては排気管５のコンダクタン
スを配管状態により一定化していたため、ガスの供給量
を変化させることによりガスの流量を変化させて反応ガ
゛スの流速などを調整していた。このため、最良の膜厚
分布となる生成条件を見出すのが極めて手間取る不都合
があった。
〔発明の目的〕
本発明は上記事情に着目してなされたもので、その目的
とするところは、ガスの供給量を変化させることなく反
応ガス流量を調整できるようにした気相成長装置を提供
しようとするものである。
〔発明の概要〕
本発明は排気管にそのコンダクタンスを可変にするバル
ブを設けたものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明を第°２図に示す一実施例を参照して説明
する。なお、第１図で示したものと同一部分については
同一番号を付してその説明を省略する。図中１１は排気
管で、この排気管１ノの中途部にはコンダクタンス可変
バルブとしてのノぐタフライバルブ１２が設けられてい
る。
上記排気管１ノはバタフライバルブ１２のみによって排
気コンダクタンスを可変にできるように管径が大とされ
るとともに屈曲部が少なくされ、また、排気口１３も大
とされている。捷だ、ベルツヤ２には圧力センサ１４が
設けられ、この圧力センサ１４は比較器１５および駆動
制御部１６を介して正逆回転可能なステップモータなど
のモータ１７に接続されている。このモータ１７により
コンダクタンス可変のバルブ１２の開度が調整される。
また、上記比較器１５には圧力設定部１８が接続されて
いる。
しかして、反応時における反応容器３内の圧力は圧力セ
ンサ１４によって検出され、この検出出力は比較器１５
で圧力設定部９により設定された圧力値と比較される。
そして両者に差圧があれば、これを解消するように駆動
制御部１６を介してステップモータ１７が作動すれ、バ
タフライバルブ１２の開度が調整される。
これにより、排気コンダクタンスは常に一定になるよう
に可変され、従来のようにガスの供給量を変化させるこ
となく、反応ガスの流速を調整し、サセプタ半径方向で
の膜厚を均一化できることになる。
〔発明の効果〕
本発明は以上説明したように、排気管にバルブを設け、
このバルブにょシ排気管のコンダクタンスを可変にする
ようＫしたから、反応ガスのガス流速、濃度などの変更
が容易になシ、膜厚分布の良好な生成条件が見出し易く
なるという効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来例を示す側断面図、第２図は本発明の一実
施例である気相成長装置を示す側断面図である。　　　
゛ ３・・・反応容器、１３・・・排気口、ＩＴ・・排気管
、１２・・・バルブ（バタフライバルブ）。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　　反応容器と、この反応容器に設けられた排気
    口と、この排気口に接続された排気管と、この排気管に
    設けられそのコンダクタンスを可変にするパルプとを具
    備したことを特徴とする気相成長装置。
  2. （２）　　パルプは反応容器、排気口または排気管に設
    けられた圧力センサからの出力信号にょシ開度が制御さ
    れる特許請求の範囲第１項記載の気相成長装置。
JP6822783A 1983-04-18 1983-04-18 気相成長装置 Pending JPS59194424A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6822783A JPS59194424A (ja) 1983-04-18 1983-04-18 気相成長装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6822783A JPS59194424A (ja) 1983-04-18 1983-04-18 気相成長装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59194424A true JPS59194424A (ja) 1984-11-05

Family

ID=13367704

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6822783A Pending JPS59194424A (ja) 1983-04-18 1983-04-18 気相成長装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59194424A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4875810A (en) * 1985-10-21 1989-10-24 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for controlling fine particle flow
US4949670A (en) * 1988-11-04 1990-08-21 Tegal Corporation Method and apparatus for low pressure plasma
US5143018A (en) * 1987-12-18 1992-09-01 The General Electric Company, P.L.C. Apparatus for depositing uniform films by how-pressure chemical vapor deposition
JPH08339968A (ja) * 1996-05-21 1996-12-24 Kokusai Electric Co Ltd ウェーハ処理方法及び拡散炉

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4875810A (en) * 1985-10-21 1989-10-24 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for controlling fine particle flow
US5143018A (en) * 1987-12-18 1992-09-01 The General Electric Company, P.L.C. Apparatus for depositing uniform films by how-pressure chemical vapor deposition
US4949670A (en) * 1988-11-04 1990-08-21 Tegal Corporation Method and apparatus for low pressure plasma
JPH08339968A (ja) * 1996-05-21 1996-12-24 Kokusai Electric Co Ltd ウェーハ処理方法及び拡散炉

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4761269A (en) Apparatus for depositing material on a substrate
EP0409603A1 (en) Process and apparatus for chemical vapour deposition
US5431738A (en) Apparatus for growing group II-VI mixed compound semiconductor
US11891693B2 (en) Systems and methods for controlling vapor phase processing
KR100765866B1 (ko) 박막 기상 성장 방법 및 이 방법에 이용되는 박막 기상성장 장치
JP2668687B2 (ja) Ｃ ｖ ｄ 装 置
JPH10158843A (ja) 気相成長装置
JPS59194424A (ja) 気相成長装置
CA1325160C (en) Apparatus for producing compound semiconductor
JPS62263629A (ja) 気相成長装置
JP3070728B2 (ja) 薄膜気相成長装置
JPS6171625A (ja) 縦型ｃｖｄ装置
JP2556625Y2 (ja) 気相成長装置
JPS607378B2 (ja) Ｃｖｄ装置
JPH01257321A (ja) 気相成長装置
JPH06349748A (ja) 半導体気相成長装置
JPS61114519A (ja) 気相成長装置
JPS626682Y2 (ja)
JPS5518077A (en) Device for growing film under gas
JPH04290448A (ja) 気相エピタキシャル成長装置
JPH0362514A (ja) 気相成長装置
JPH03263822A (ja) 気相成長装置
JPS62182195A (ja) ３−ｖ族化合物半導体の成長方法
JPS63162596A (ja) 有機金属気相成長装置
JPH0245916A (ja) 気相成長装置