RU2502834C2 - Способ и устройство для реакторов осаждения - Google Patents

Способ и устройство для реакторов осаждения Download PDF

Info

Publication number
RU2502834C2
RU2502834C2 RU2010150684/05A RU2010150684A RU2502834C2 RU 2502834 C2 RU2502834 C2 RU 2502834C2 RU 2010150684/05 A RU2010150684/05 A RU 2010150684/05A RU 2010150684 A RU2010150684 A RU 2010150684A RU 2502834 C2 RU2502834 C2 RU 2502834C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
reaction chamber
substrates
precursor
lid
vertically arranged
Prior art date
Application number
RU2010150684/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2010150684A (ru
Inventor
Свен ЛИНДФОРС
Original Assignee
Пикосан Ой
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Пикосан Ой filed Critical Пикосан Ой
Publication of RU2010150684A publication Critical patent/RU2010150684A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2502834C2 publication Critical patent/RU2502834C2/ru

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C23C16/45504—Laminar flow
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45546—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus specially adapted for a substrate stack in the ALD reactor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/16—Controlling or regulating
    • C30B25/165—Controlling or regulating the flow of the reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/20—Aluminium oxides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

Изобретение относится к химической промышленности и предназначено для реакторов осаждения. Пары (101) прекурсора подаются через крышку реакционной камеры по подающей линии (141, 142) в реакционную камеру реактора осаждения (110). Устанавливается вертикальный поток паров прекурсора, который вводится в вертикальном направлении сверху вниз в промежутки между вертикально расположенными подложками (170). Материал осаждается на поверхностях партии вертикально расположенных подложек (170). Изобретение позволяет повысить производительность и сократить среднее время между операциями обслуживания. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 15 ил.

Description

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ
Настоящее изобретение в общем относится к устройству и способу для реакторов осаждения. В частности, но не исключительно, изобретение относится к устройству и способу для таких реакторов осаждения, в которых материал осаждается на поверхности в результате последовательных самонасыщаемых поверхностных реакций.
ПРЕДШЕСТВУЮЩИЙ УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
Метод эпитаксии атомных слоев (ALE - atomic layer epitaxy), был изобретен доктором Туомо Сунтола (Tuomo Suntola) в начале 1970-х годов. Другое родовое наименование метода - послойное атомное осаждение (ALD - atomic layer deposition), в настоящее время оно используется вместо ALE. ALD - это специальный химический метод осаждения, основанный на последовательном направлении по меньшей мере двух видов реакционноспособных прекурсоров на подложку, размещенную в нагретой реакционной зоне. Механизм роста при ALD основан на различии в прочности связи при химической адсорбции (хемосорбции) и физической адсорбции. В ALD используется хемосорбция и устраняется физическая адсорбция в процессе осаждения. При хемосорбции между атомом (атомами) поверхности твердой фазы и молекулой, прибывающей из газовой фазы, образуется прочная химическая связь. Связывание физической адсорбцией намного слабее, так как оно происходит только в результате Ван-дер-Ваальсовых взаимодействий. Связи, образованные в результате физической адсорбции, легко разрушаются тепловой энергией, когда местная температура выше температуры конденсации молекул.
По определению, реакционная зона реактора ALD включает все нагретые поверхности, которые могут подвергаться поочередному и последовательному воздействию каждого из прекурсоров ALD, используемых для осаждения тонких пленок. Основной цикл осаждения ALD включает четыре последовательных этапа: импульс А, продувку А, импульс В и продувку В. Импульс А обычно включает подачу паров металлического прекурсора, а импульс В - паров неметаллического прекурсора, в частности паров азотного или кислородного прекурсора. Для удаления газовых побочных продуктов реакции, а также остаточных молекул реагента из зоны реакции в ходе продувки А и продувки В используются инертный газ, например, азот или аргон, и вакуумный насос. Последовательность осаждения включает по меньшей мере один цикл осаждения. Циклы осаждения повторяются до тех пор, пока последовательность осаждения не даст тонкую пленку желаемой толщины.
Вещества-прекурсоры посредством хемосорбции образуют химическую связь с реакционно-активными участками нагретых поверхностей. Условия обычно подбираются таким образом, чтобы за один импульс прекурсора на поверхностях образовывалось не более монослоя твердого материала. Таким образом, процесс роста является самоограничиваемым или самонасыщаемым. Например, первый прекурсор может включать лиганды, которые остаются прикрепленными к адсорбированному веществу и насыщают поверхность, что предотвращает дальнейшую хемосорбцию. Температура реакционной зоны поддерживается выше температур конденсации и ниже температур термического разложения используемых прекурсоров, так что молекулы вещества прекурсора химически адсорбируются на подложке (подложках) по существу в неизменном виде. «По существу в неизменном виде» означает, что из молекул прекурсора могут выходить летучие лиганды, когда молекулы вещества прекурсора химически адсорбируются на поверхности. Поверхность по существу насыщается реакционно-активными участками первого типа, т.е. адсорбированным веществом из молекул первого прекурсора. За этим этапом хемосорбции обычно следует этап первой продувки (продувки А), в ходе которой из зоны реакции удаляются излишки первого прекурсора и возможные побочные продукты реакции. Затем в зону реакции вводятся пары второго прекурсора. Молекулы второго прекурсора обычно реагируют с адсорбированным веществом из молекул первого прекурсора, образуя при этом требуемый тонкопленочный материал. Рост заканчивается, когда использовано все количество адсорбированного первого прекурсора и поверхность по существу насыщена реакционно-активными участками второго типа. Излишки паров второго прекурсора и возможные газообразные побочные продукты реакции удаляются затем на этапе второй продувки (продувки В). Далее цикл повторяется до тех пор, пока пленка не нарастет до нужной толщины. Циклы осаждения могут также быть и более сложными. Так, например, эти циклы могут включать три или более импульсов паров реагентов, разделенных этапами продувки. Все эти циклы осаждения образуют последовательность осаждения по времени, управляемую логическим устройством или микропроцессором.
Пленки, выращенные способом ALD, плотны, не имеют микроотверстий и однородны по толщине. Например, оксид алюминия, выращенный из триметилалюминия (СН3)3Al, называемого также ТМА, и воды при 250-300°C обычно имеет неоднородность около 1% на пластинке размером 100-200 мм. Тонкие пленки оксида металла, выращенные способом ALD, пригодны для использования в качестве диэлектриков затвора, изоляторов электролюминесцентного дисплея, конденсаторных диэлектриков и пассивирующих слоев. Тонкие пленки нитрида металла, выращенные способом ALD, пригодны для использования в качестве диффузионных барьеров, например, в двойных дамасских структурах.
Прекурсоры, подходящие для процессов в различных реакторах ALD, раскрыты, например, в обзорной статье R. Puurunen, "Surface chemistry of atomic layer deposition: A case study for the trimethylaluminium/water process", J. Appl. Phys., 97 (2005), p.121301, включенной в настоящее описание посредством ссылки.
В типовом реакторе циклы осаждения ALD производятся на одну пластинку или подложку. И хотя этот способ с единственной пластинкой может быть удовлетворителен для исследовательских целей, но он не удовлетворяет, таким, например, требованиям возможного массового производства, как производительность (выход продукта) или среднее время между операциями обслуживания.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Задача настоящего изобретения заключается в предложении устройства и способа, пригодных для выращивания материала на поверхностях партии пластинок или подложек в реакторе периодического действия.
Согласно первому аспекту настоящего изобретения предлагается способ, включающий введение паров прекурсора по меньшей мере по одной подающей линии в реакционную камеру реактора осаждения и
осаждение материала на поверхности партии вертикально расположенных подложек в реакционной камере посредством установления вертикального потока паров прекурсора в реакционной камере и введения его в вертикальном направлении в промежутки между указанными вертикально расположенными подложками.
Некоторые варианты осуществления предусматривают новую геометрию потока газа в устройстве и мощную систему манипулирования подложками.
В некоторых вариантах осуществления направление указанного вертикального потока является направлением сверху вниз. В одном из вариантов осуществления вертикально расположенные подложки образуют в держателе подложек горизонтальный пакет вертикально расположенных подложек с равномерным распределением по горизонтали.
В некоторых вариантах осуществления указанная партия вертикально расположенных подложек включает набор пластин, расположенных параллельно в подвижном держателе подложек, причем указанный набор пластин включает по меньшей мере две пластины. В некоторых вариантах осуществления количество подложек или пластин намного больше двух, например, в районе пяти, десяти, двадцати, двадцати пяти и более, в некоторых вариантах осуществления - в интервале от 8 до 25, в других даже больше. Подложки могут быть пластинами полупроводника, в частности, кремниевыми пластинами, например, с размерами 3-12 дюймов. В некоторых вариантах осуществления подложки могут быть кусками или пластинами керамики, например, партией пьезоэлектрических сплошных подложек. В некоторых вариантах осуществления подложки могут включать куски металла различной формы, например, металлические сферы.
В некоторых вариантах осуществления указанный держатель подложек крепится к подвижной крышке реакционной камеры. В некоторых вариантах осуществления пары прекурсора вводятся в реакционную камеру через крышку реакционной камеры.
В некоторых вариантах осуществления пары прекурсора подаются через крышку реакционной камеры в расширительный объем, а из этого расширительного объема в вертикальном направлении через распределительную пластину - в часть реакционной камеры, содержащую указанные подложки.
В некоторых вариантах осуществления размер реакционной камеры специально оптимизирован под размер партии вертикально расположенных подложек или под размер держателя подложек, несущего указанные подложки. Тем самым может быть достигнута экономия расхода прекурсора. В некоторых вариантах осуществления размер реакционной камеры может регулироваться, например, с помощью регулирующей (подгоночной) части или перемещения корпуса реакционной камеры.
Согласно второму аспекту настоящего изобретения предлагается устройство, включающее:
по меньшей мере одну подающую линию, выполненную с возможностью подачи паров прекурсора в реакционную камеру реактора осаждения, где
указанная реакционная камера выполнена с возможностью осаждения материала на поверхности партии вертикально расположенных подложек в реакционной камере посредством установления вертикального потока паров прекурсора в реакционной камере и введения его в вертикальном направлении в промежутки между указанными вертикально расположенными подложками.
В некоторых вариантах осуществления устройство включает неподвижный корпус реакционной камеры и подвижную крышку реакционной камеры, способную вместить держатель для нескольких подложек.
В некоторых вариантах осуществления доступ к партии возможен с верхней стороны реактора.
Способ и устройство могут быть предназначены для выращивания материала или тонких пленок на нагретых поверхностях посредством последовательных самонасыщаемых поверхностных реакций при давлении ниже атмосферного. Устройство может быть устройством для выращивания по методу ALD (послойного атомного осаждения), или ALE (эпитаксии атомных слоев), или аналогичным. Требуемая толщина тонких пленок обычно лежит в пределах от одного монослоя, или молекулярного слоя, до 1000 мм или более.
Различные иллюстративные варианты осуществления настоящего изобретения описаны в нижеследующем подробном описании, а также в зависимых пунктах приложенной к описанию формулы изобретения. Эти варианты осуществления проиллюстрированы со ссылкой на отдельные аспекты изобретения. Специалисту понятно, что любой вариант осуществления может быть скомбинирован с другим вариантом (вариантами) в рамках того же аспекта. Кроме того, любой вариант осуществления может быть применен в рамках других аспектов, как самостоятельно, так и в комбинации с другим вариантом (вариантами).
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ГРАФИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ
Ниже настоящее изобретение описывается более подробно - только для примера - со ссылкой на сопроводительные фигуры, на которых представлены:
на фиг.1 - разрез реакционной камеры реактора осаждения с линиями подачи и выпуска согласно одному из вариантов осуществления;
на фиг.2 - другой разрез реакционной камеры реактора осаждения по фиг.1;
на фиг.3 - альтернативный вариант осуществления;
на фиг.4 - чертеж сборки устройства по фиг.1;
на фиг.5 - чертеж сборки реакционной камеры в другом варианте осуществления;
на фиг.6 - вид спереди реакционной камеры по фиг.5;
на фиг.7 - разрез по А-А по фиг.6;
на фиг.8 - аксонометрическая проекция с разнесением частей реактора осаждения в одном из вариантов осуществления;
на фиг.9 - разрез с разнесением частей реактора осаждения по фиг.8;
на фиг.10 - другой разрез с разнесением частей реактора осаждения по фиг.8;
на фиг.11 - еще один разрез реактора осаждения по фиг.8, крышка реактора изображена отдельно, держатель подложек смонтирован на своем месте внутри реактора;
на фиг.12 - разрез реактора осаждения по фиг.8 в сборе;
на фиг.13 - другой разрез реактора осаждения по фиг.8 в сборе;
на фиг.14 - более детальное изображение прикрепления держателя подложек к крышке реакционной камеры в одном из вариантов осуществления;
на фиг.15 - изображение, представленное на фиг.14, под другим углом зрения.
ОПИСАНИЕ ПРИМЕРОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
В нижеследующем описании технология осаждения атомных слоев (ALD) используется в качестве примера. Но сделано это не для того, чтобы строго ограничиться этой технологией; следует понимать, что определенные варианты осуществления могут применяться также в способах и устройствах, использующих иные сопоставимые технологии осаждения атомных масштабов.
Основы механизма выращивания способом ALD специалистам известны. К тому же детали способа ALD уже были освещены во вводной части настоящего патентного описания. Здесь эти детали не повторяются, и в этом отношении делается ссылка на вводную часть.
На фиг.1 показаны в разрезе некоторые детали устройства ALD (или реактора). Устройство включает реакционную камеру, образованную корпусом 110 реакционной камеры, верхним фланцем 120 реакционной камеры и крышкой 130 реакционной камеры. Устройство также включает подающие линии 141, 142 реакционной камеры и выпускную трубу 150 реакционной камеры. Количество подающих линий может варьироваться в зависимости от исполнения.
Держатель 160 подложек опущен на дно реакционной камеры. Держатель 160 подложек несет партию вертикально расположенных подложек или пластин 170.
В течение импульса паров прекурсора пары прекурсора текут по подающей линии 141 (как показано стрелкой 101) в вертикальном направлении в крышку 130 реакционной камеры снизу через канал, выполненный в верхнем фланце 120. Этот поток делает поворот на 90° (как показано стрелкой 102) в крышке 130 и входит в горизонтальном направлении в пространство над подложками 170 через горизонтальный трубопровод. (Поворот, однако, не обязательно должен составлять 90°.) Это пространство может быть обозначено как расширительный объем 180. Под расширительным объемом 180 устройство включает распределительную часть (или пластину) 190, которая может быть, например, сеткой или перфорированной пластиной и может крепиться к крышке 130. Поток делает еще один поворот в расширительном объеме 180 и входит в вертикальном направлении сверху вниз через распределительную часть в реакционную зону реакционной камеры (как показано стрелками 103). В реакционной зоне пары прекурсора входят в вертикальном направлении в промежутки между вертикально расположенными подложками 170. В промежуточном пространстве между подложками 170 пары прекурсора реагируют с реакционно-активными участками на поверхностях подложек. В одном из вариантов осуществления поток прекурсора течет в вертикальном направлении вдоль по существу параллельных поверхностей подложек от верхней стороны реакционной камеры к нижней стороне реакционной камеры и к выпускной трубе 150. Побочные продукты реакции и оставшиеся молекулы газообразного прекурсора выдуваются из реакционной камеры на последующем этапе продувки (как показано стрелками 104).
В одном из вариантов осуществления подающая линия 141 используется для подачи паров первого прекурсора, инертного носителя и продувочного газа, а подающая линия 142 используется для подачи в реакционную камеру паров второго прекурсора, инертного носителя и продувочного газа.
В альтернативном варианте пары прекурсора втекают в крышку 130 реакционной камеры сбоку в горизонтальном направлении через канал, выполненный в крышке 130 (не показан на фиг.1). В этом варианте указанный вертикальный канал в верхнем фланце не нужен. В другом альтернативном варианте пары прекурсора втекают в крышку 130 реакционной камеры опять-таки в вертикальном направлении снизу, но полностью обходя верхний фланец 120. В этом варианте горизонтальный диаметр верхнего фланца 120 может быть, например, меньше, чем горизонтальный диаметр крышки 130, обеспечивая обходящий проток.
На фиг.2 показан другой разрез устройства фиг.1. На этой фигуре показан разрез по плоскости, повернутой на 90° относительно плоскости по фиг.1. Если разрез по фиг.1 считать видом спереди, то разрез по фиг.2 будет видом сбоку, например, слева.
На фиг.2 размещение подложек (или пластин) 170 в держателе 160 подложек может быть показано лучше. Подложки 170 расположены вертикально, так что поверхность каждой из подложек лежит в вертикальной плоскости. Подложки 170 могут быть расположены в держателе 160 подложек в ряд и, находясь в этом ряду, могут быть параллельны друг другу. Подложки 170 закреплены в держателе 160 подложек.
Для повышения эффективности использования реакционной зоны расстояния между подложками 170 малы. Однако эти расстояния достаточно велики для того, чтобы поток прекурсора мог надлежащим образом входить в пространство между подложками 170. В некоторых вариантах осуществления эти по существу равные расстояния обычно выбираются в диапазоне 1-10 мм, в одном из вариантов - в диапазоне 2-5 мм. В примере, показанном на фиг.1 и 2, количество подложек в партии - 16.
Размер реакционной камеры может быть специально оптимизирован под размер партии вертикально расположенных подложек или под размер держателя подложек, несущего указанные подложки. Тем самым может быть достигнута экономия расхода прекурсора.
В некоторых вариантах осуществления размер реакционной камеры может регулироваться, например, вставкой в реакционную камеру ограничивающей пространство подгоночной части или посредством перемещения реакционной камеры - или посредством перемещения имеющего отличающийся размер корпуса 110 реакционной камеры.
На фиг.3 показан другой разрез устройства фиг.1 в другом варианте осуществления. В этом варианте используется тонкая реакционная камера, которая включает тонкий держатель 160 подложек с меньшим количеством подложек 170. Количество подложек в этом варианте - две. Тонкий реактор, представленный на фиг.3, получается, например, заменой большой (или нормальных размеров) реакционной камеры, показанной на фиг.2, на более тонкую.
В обоих устройствах, показанных на фиг.2 и фиг.3, размер держателя 160 подложек, несущего подложки 170, выбирается так, чтобы держатель 160 подложек с подложками 170 заполнял донную часть реакционной камеры. Таким образом может быть повышена эффективность расходования прекурсоров.
На фиг.4 показан сборочный чертеж устройства фиг.1. Держатель 160 подложек может быть поднят из реакционной камеры или опущен в реакционную камеру посредством захвата на подъемную деталь или крюк 465 с внешним подъемным приспособлением (не показано на фиг.4) и перемещения в нужном направлении. Подвижная крышка 130 реакционной камеры может быть прижата к верхнему фланцу 120 реакционной камеры и уплотнена толерантным или тесным уплотнением. Толерантное уплотнение означает конструкцию, в которой две по существу подобных поверхности (например, гладких плоских поверхности или плоских шероховатых, например, матированных стеклянной дробью) находятся в тесном контакте друг с другом, перекрывая поток газа между указанными поверхностями.
Материал держателя 160 подложек обычно включает нержавеющую сталь, никель, титан, карбид кремния (например, карбид кремния, полученный из графита химической инфильтрацией паров) или кварц. В одном из вариантов держатель 160 подложек перед вводом в употребление покрывается аморфной тонкой пленкой (например, пленкой Al2O3 толщиной 100-200 нм) для защиты поверхности держателя от действия вызывающих коррозию химикатов.
На фиг.5 показан чертеж сборки реакционной камеры согласно другому варианту осуществления. В этом варианте имеется три подающих линии 141-143, подсоединенных к по существу прямоугольному верхнему фланцу 120 реакционной камеры. Реакционная камера может быть с помощью снимаемого подъемного рычага 515 поднята из реактора для обслуживания или замены. Держатель 160 подложек может быть поднят из реакционной камеры или опущен в реакционную камеру посредством захвата на подъемную деталь или крюк 465 с внешним подъемным приспособлением 568.
На фиг.6 показан вид спереди реакционной камеры фиг.5 в собранном (или закрытом) состоянии. Подвижная крышка 130 реакционной камеры уплотнена по отношению к верхнему фланцу 120 реакционной камеры толерантным уплотнением.
На фиг.7 показан разрез по A-A реакционной камеры фиг.6. В течение импульса паров прекурсора пары прекурсора текут по подающей линии 143 (как показано стрелкой 701) в вертикальном направлении. Затем поток делает поворот на 90° и входит сбоку в горизонтальном направлении в верхний фланец 120 реакционной камеры. (Поворот, однако, не обязательно должен составлять 90°.) Поток паров прекурсора продолжает течь по горизонтальному каналу в верхнем фланце 120 и входит в расширительный объем 180. Под расширительным объемом 180 устройство включает распределительную часть (или пластину) 190, которая может быть, например, сеткой или перфорированной пластиной. Распределительная часть 190 в этом варианте прикреплена к крышке 130 реакционной камеры распорным штифтом 785. Поток делает еще один поворот в расширительном объеме 180 и входит в вертикальном направлении сверху вниз через распределительную часть 190 в реакционную зону реакционной камеры (как показано стрелками 103). В реакционной зоне пары прекурсора входят в вертикальном направлении в промежутки между вертикально расположенными подложками 170, которые несет держатель 160 подложек (хотя на фиг.7 подложки 170 не показаны). Далее процесс продолжается аналогично описанному в связи с фиг.1.
На фиг.8 показана аксонометрическая проекция с разнесением определенных деталей реактора осаждения в одном из вариантов осуществления. Реактор включает вакуумную камеру 805, сформированную из трубной арматуры, например, из патрубка по стандарту ISO с двумя фланцами, соединенными с патрубком на болтах, или из фитинга по стандарту CF, или из аналогичной арматуры. Диаметр арматуры достаточно велик для размещения реакционной камеры с партией пластин размером 100-300 мм и нагревателями, соответственно конкретному варианту осуществления.
Крышка 831 вакуумной камеры объединена с крышкой 130 реакционной камеры, образуя тем самым систему крышек. Держатель 160 подложек, несущий партию подложек 170, вертикально расположенных одна рядом с другой вдоль горизонтальной линии, прикреплен к системе крышек. Реакционная камера может быть загружена в вертикальном направлении сверху посредством опускания системы крышек, к которой прикреплен держатель 160 с подложками 170. Это может быть осуществлено, например, с помощью подходящего загрузочного приспособления. В кожухе 895 устройства имеется отверстие, в которое входит система крышек.
На фиг.9 показан разрез с разнесением частей реактора осаждения фиг.8. Держатель 160 подложек своей верхней подъемной деталью или крюком 465 прикреплен к ответной части в системе крышек. Распределительная часть 190 прикреплена к системе крышек распорными штифтами 785.
На фиг.10 показаны разрез и аксонометрическая проекция с разнесением частей реактора осаждения фиг.8. На фиг.10 видны также подающие линии 141, 142 реакционной камеры.
На фиг.11 показаны еще один разрез и аксонометрическая проекция реактора осаждения фиг.8, крышка реактора изображена отдельно, держатель подложек смонтирован на своем месте в реакционной камере.
На фиг.12 показаны разрез и аксонометрическая проекция реактора осаждения фиг.8 в собранном рабочем состоянии.
На фиг.13 показан другой разрез реактора осаждения фиг.8 в собранном рабочем состоянии. В этом примере количество подложек в партии - 25. В течение импульса паров прекурсора пары прекурсора текут по подающей линии 141 (как показано стрелкой 101) в вертикальном направлении в крышку 130 реакционной камеры снизу через канал, выполненный в верхнем фланце 120. Этот поток делает поворот на 90° (как показано стрелкой 102) в крышке 130 и входит в горизонтальном направлении в расширительный объем 180 над подложками 170 через горизонтальный паропровод. (Поворот, однако, не обязательно должен составлять 90°.) Под расширительным объемом 180 устройство включает распределительную часть (или пластину) 190, которая может быть, например, сеткой или перфорированной пластиной и может крепиться к крышке 130. Поток делает еще один поворот в расширительном объеме 180 и входит в вертикальном направлении сверху вниз через распределительную часть в реакционную зону реакционной камеры (как показано стрелками 103). В реакционной зоне пары прекурсора входят в вертикальном направлении в промежутки между подложками 170, размещенными в держателе подложек в вертикальном положении. В промежуточном пространстве между подложками 170 пары прекурсора реагируют с реакционно-активными участками на поверхностях подложек. Поток прекурсора течет в вертикальном направлении вдоль поверхностей подложек к выпускной трубе 150. Побочные продукты реакции и оставшиеся молекулы прекурсора выдуваются из реакционной камеры на последующем этапе продувки (как показано стрелками 104).
Управление температурой реакционной зоны может осуществляться нагревательным элементом (элементами). Согласно одному из вариантов осуществления нагрев реакционной зоны осуществляется одним или несколькими резисторами 1301. В одном из вариантов терморезистор (терморезисторы) 1301 нагреваются электрически. Они могут быть подключены к управляемому компьютером источнику питания (не показан).
На фиг.14 представлено более детальное изображение прикрепления держателя подложек к крышке реакционной камеры в одном из вариантов осуществления. Держатель 160 подложек своей верхней поъемной деталью или крюком (крюками) 465 прикреплен к ответной части 1456 в системе крышек. Распределительная часть 190 прикреплена к системе крышек распорными штифтами 785.
На фиг.15 под другим углом зрения показано изображение, представленное на фиг.14. Видны распределительная часть 190 и отверстия 1521-1523 в крышке 130 реакционной камеры для подающих линий 141-143, соответственно, через которые в крышку 130 реакционной камеры поступает поток прекурсора или инертного продувочного газа. Количество отверстий в крышке 130 реакционной камеры и количество соответствующих линий подачи обычно варьируется в пределах от 2 до 4 - или имеется возможность принять даже больше вводов от источников химических паров из 2 или большего числа систем источников с компьютерно-управляемым соединением по потоку с указанными линиями подачи.
Ниже описан пример осаждения тонкой пленки на партию подложек (ссылки даются на вышеописанные фиг.1-15).
Вначале реакционная камера находилась при комнатном давлении. Крышку 130 реакционной камеры поднимали подъемным механизмом (не показан) в верхнее положение, открывая внутреннее пространство реакционной камеры. Подъемный механизм приводили в действие пневмоцилиндром. В других вариантах осуществления подъемный механизм может быть оснащен шаговым электродвигателем. Держатель 160 подложек с некоторым количеством загруженных подложек опускали подъемной деталью 465 в корпус 110 реакционной камеры. Крышку 130 реакционной камеры опускали подъемным механизмом в нижнее положение, герметизируя реакционную камеру. В то же время окружающую вакуумную камеру 805 герметизировали от проникновения комнатного воздуха подвижной крышкой 831 вакуумной камеры, так как в этой спаренной системе крышек крышка 130 реакционной камеры соединена с крышкой 831 вакуумной камеры. Затем реакционную камеру откачивали вакуумным насосом. Инертный продувочный газ, включающий азот или аргон, подавали через подающие линии 141-143 в каналы верхнего фланца 120 реакционной камеры и далее в реакционную зону. Сочетание откачки вакуумным насосом и продувки инертным газом стабилизировало давление в реакционной зоне, предпочтительно, в диапазоне около 1-5 гПа абсолютного давления. Температуру держателя 160 подложек стабилизировали на уровне температуры осаждения. В данном примере температура осаждения составляла +300°C для выращивания оксида алюминия Al2O3 по способу ALD из триметилалюминия ТМА и паров воды H2O. Источник ТМА (не показан) был компьютерно-управляемо соединен по потоку с первой подающей линией 141. Источник H2O (не показан) был компьютерно-управляемо соединен по потоку со второй подающей линией 142. Третья подающая линия 143 была зарезервирована для третьего химического источника. В данном примере эта подающая линия использовалась только для инертного продувочного газа. По достижении запрограммированной температуры осаждения автоматизированная система управления активировала последовательность осаждения. В течение импульса А автоматический пульсирующий клапан (не показан) подавал пары ТМА в первую подающую линию 141, где они увлекались инертным газом-носителем, включающим газ азот (в других вариантах осуществления возможно также применение газа аргона), в реакционную зону, где происходила хемосорбция молекул ТМА на всех нагретых поверхностях в реакционной зоне. Поверхности подложек обычно насыщались молекулами ТМА или возникшими из ТМА молекулами лишенных лигандов веществ примерно за 0,05-1 с, в зависимости от величины партии подложек. После этого автоматический пульсирующий клапан отсекал источник ТМА от первой подающей линии 141, и система начинала период продувки А. Инертный продувочный газ, подаваемый через подающие линии 141-143, выдувал оставшиеся молекулы газообразного ТМА и побочные продукты поверхностной реакции из реакционной камеры в выпускную трубу 150 и далее в вакуумный насос (не показан). Длительность продувки А составляла обычно около 1-10 с, в зависимости от величины партии подложек. Далее, в течение импульса В автоматический пульсирующий клапан (не показан) подавал пары H2O во вторую подающую линию 142, где они увлекались инертным газом-носителем, включающим газ азот или аргон, в реакционную зону, где происходила хемосорбция молекул H2O на всех нагретых поверхностях в реакционной зоне. Поверхности подложек обычно насыщались OH-лигандами примерно за 0,05-2 с, в зависимости от величины партии подложек. Затем, в начале периода продувки В второй автоматический пульсирующий клапан отсекал источник H2O от второй подающей линии 142. Далее, инертный газ, подаваемый через подающие линии 141-143 в реакционную камеру, выдувал оставшиеся молекулы паров H2O и продукты поверхностной реакции из реакционной камеры в выпускную трубу 150 и далее в вакуумный насос (не показан). Эти четыре этапа (импульс А, продувка А, импульс В и продувка В) создавали на поверхностях подложек новую OH-ограниченную тонкую пленку Al2O3 толщиной 1 Å. Автоматическая последовательность импульсов повторяла эти четыре этапа 500 раз, что давало тонкую пленку Al2O3 толщиной 50 нм с прекрасным показателем неоднородности 1% на 25 кремниевых пластинах размером 100 мм. По завершении этой последовательности импульсов от химических источников и продувок реакционной камеры, давление в реакционной камере поднимали до комнатного, и крышки (крышка 831 вакуумной камеры и крышка 130 реакционной камеры) поднимали в верхнее положение, открывая внутреннее пространство реакционной камеры с партией подложек. Держатель 160 подложек с некоторым количеством подложек (не показан) выгружали подъемной частью 465 из корпуса 110 реакционной камеры и помещали на отдельный охлаждающий стол (не показан).
Выше были представлены различные варианты осуществления. Следует понимать, что все содержащиеся в настоящем документе, включенные и входящие в него слова употреблены в качестве неисчерпывающих выражений, не предполагающих наложение каких-либо ограничений.
Вышеприведенное описание дано на неограничивающих примерах конкретных вариантов реализации и осуществления настоящего изобретения только для представления полного и информативного описания метода выполнения изобретения, который изобретатели считают в настоящее время наилучшим. Но специалисту, тем не менее, понятно, что изобретение не ограничивается деталями вышеприведенных вариантов осуществления и может быть реализовано в других вариантах осуществления, использующих эквивалентные средства, без отступления от характеристик настоящего изобретения.
Кроме того, некоторые особенности раскрытых выше вариантов осуществления настоящего изобретения могут быть с успехом использованы без соответствующего использования Других особенностей. Таким образом, вышеприведенное описание следует рассматривать лишь в качестве иллюстрации принципов настоящего изобретения, а не его ограничений. Соответственно, объем изобретения ограничен только объемом прилагаемой формулы изобретения.

Claims (13)

1. Способ осаждения материала на поверхности подложки, в котором:
вводят пары прекурсора по меньшей мере по одной подающей линии в реакционную камеру реактора осаждения и
осаждают материал на поверхности партии вертикально расположенных подложек в реакционной камере посредством установления вертикального потока паров прекурсора в реакционной камере путем подачи паров перекурсора в реакционную камеру через крышку реакционной камеры и введения его в вертикальном направлении сверху вниз в промежутки между указанными вертикально расположенными подложками таким образом, что пары прекурсора текут от верхней стороны реакционной зоны к нижней стороне реакционной зоны вдоль каждой из указанных поверхностей, по существу, в одном и том же параллельном вертикальном направлении.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанная партия вертикально расположенных подложек включает набор пластин, расположенных параллельно в держателе подложек, причем указанный набор пластин включает по меньшей мере две пластины.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что держатель подложек загружают в реакционную камеру и выгружают из реакционной камеры с верхней стороны реакционной камеры.
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что держатель подложек закрепляют на подвижной крышке реакционной камеры.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что пары прекурсора подают через крышку реакционной камеры в расширительный объем, а из этого расширительного объема в вертикальном направлении через распределительную пластину - в часть реакционной камеры, содержащую указанные подложки.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что на поверхностях подложек осаждают тонкую пленку путем осуществления последовательных самонасыщаемых поверхностных реакций.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что размер реакционной камеры оптимизирован под размер партии вертикально расположенных подложек или под размер держателя подложек, несущего указанные подложки.
8. Устройство для осаждения материала на поверхности подложки, содержащее:
по меньшей мере одну подающую линию, выполненную с возможностью подачи паров прекурсора в реакционную камеру реактора осаждения, где указанная реакционная камера выполнена с возможностью осаждения материала на поверхности партии вертикально расположенных подложек в реакционной камере посредством установления вертикального потока паров прекурсора в реакционной камере и введения его в вертикальном направлении сверху вниз в промежутки между указанными вертикально расположенными подложками таким образом, что пары прекурсора текут от верхней стороны реакционной зоны к нижней стороне реакционной зоны вдоль каждой из указанных поверхностей, по существу, в одном и том же параллельном вертикальном направлении, и
крышку реакционной камеры, причем устройство выполнено с возможностью подачи указанных паров прекурсора в реакционную камеру через указанную крышку реакционной камеры.
9. Устройство по п.8, отличающееся тем, что указанная партия вертикально расположенных подложек включает набор пластин, расположенных параллельно в держателе подложек, причем указанный набор пластин включает по меньшей мере две пластины.
10. Устройство по п.8, где крышка реакционной камеры выполнена с возможностью крепления указанного держателя подложек.
11. Устройство по п.8, отличающееся тем, что устройство выполнено с возможностью подачи указанных паров прекурсора через крышку реакционной камеры в расширительный объем, а из этого расширительного объема в вертикальном направлении через распределительную пластину - в часть реакционной камеры, содержащую указанные подложки.
12. Устройство по п.8, отличающееся тем, что устройство выполнено с возможностью осаждения тонкой пленки на поверхностях подложек путем осуществления последовательных самонасыщаемых поверхностных реакций.
13. Устройство по п.8, отличающееся тем, что размер реакционной камеры оптимизирован под размер партии вертикально расположенных подложек или под размер держателя подложек, несущего указанные подложки.
RU2010150684/05A 2008-05-27 2009-05-25 Способ и устройство для реакторов осаждения RU2502834C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/154,879 2008-05-27
US12/154,879 US10041169B2 (en) 2008-05-27 2008-05-27 System and method for loading a substrate holder carrying a batch of vertically placed substrates into an atomic layer deposition reactor
PCT/FI2009/050432 WO2009144371A1 (en) 2008-05-27 2009-05-25 Methods and apparatus for deposition reactors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010150684A RU2010150684A (ru) 2012-07-10
RU2502834C2 true RU2502834C2 (ru) 2013-12-27

Family

ID=41376638

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010150684/05A RU2502834C2 (ru) 2008-05-27 2009-05-25 Способ и устройство для реакторов осаждения

Country Status (8)

Country Link
US (2) US10041169B2 (ru)
EP (1) EP2286006B1 (ru)
JP (1) JP5646463B2 (ru)
KR (1) KR101642331B1 (ru)
CN (1) CN102046856B (ru)
ES (1) ES2587394T3 (ru)
RU (1) RU2502834C2 (ru)
WO (1) WO2009144371A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2728189C1 (ru) * 2016-09-16 2020-07-28 Пикосан Ой Устройство и способы для атомно-слоевого осаждения

Families Citing this family (293)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8211235B2 (en) * 2005-03-04 2012-07-03 Picosun Oy Apparatuses and methods for deposition of material on surfaces
US10041169B2 (en) 2008-05-27 2018-08-07 Picosun Oy System and method for loading a substrate holder carrying a batch of vertically placed substrates into an atomic layer deposition reactor
US8282334B2 (en) 2008-08-01 2012-10-09 Picosun Oy Atomic layer deposition apparatus and loading methods
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
EP2465972B1 (en) * 2010-12-15 2017-05-03 NCD Co., Ltd. Method and system for thin film deposition
JP5699980B2 (ja) * 2011-06-16 2015-04-15 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
HUP1100436A2 (en) * 2011-08-15 2013-02-28 Ecosolifer Ag Gas flow system for using in reaction chamber
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
IN2014DN04032A (ru) * 2011-11-22 2015-05-15 Picosun Oy
KR20140144243A (ko) * 2012-03-23 2014-12-18 피코순 오와이 원자층 증착 방법 및 장치
JP5720624B2 (ja) * 2012-05-14 2015-05-20 トヨタ自動車株式会社 成膜装置
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
SG11201503227XA (en) 2012-11-23 2015-06-29 Picosun Oy Substrate loading in an ald reactor
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
FI125222B (en) 2013-03-22 2015-07-15 Beneq Oy Apparatus for processing two or more substrates in a batch process
JP2015114381A (ja) * 2013-12-09 2015-06-22 東京エレクトロン株式会社 反射防止機能を有する部材およびその製造方法
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
CN106062246B (zh) 2014-03-03 2020-05-08 皮考逊公司 用ald涂层保护中空体的内部
JP6302082B2 (ja) * 2014-03-03 2018-03-28 ピコサン オーワイＰｉｃｏｓｕｎ Ｏｙ Ａｌｄコーティングによるガスコンテナ内部の保護
US20170069490A1 (en) 2014-03-04 2017-03-09 Picosun Oy Atomic layer deposition of germanium or germanium oxide
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
JP6445603B2 (ja) * 2017-03-07 2018-12-26 ピコサン オーワイＰｉｃｏｓｕｎ Ｏｙ Ａｌｄ反応炉における基板の装填
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) * 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
JP6988916B2 (ja) 2017-12-22 2022-01-05 株式会社村田製作所 成膜装置
CN111465714B (zh) * 2017-12-22 2022-06-28 株式会社村田制作所 成膜装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
JP6582075B2 (ja) * 2018-03-01 2019-09-25 ピコサン オーワイＰｉｃｏｓｕｎ Ｏｙ Ａｌｄコーティングによるガスコンテナ内部の保護
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
CN108531870A (zh) * 2018-05-21 2018-09-14 陈宝泗 一种新型真空镀膜装置
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
TWI728456B (zh) 2018-09-11 2021-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 相對於基板的薄膜沉積方法
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
FI130051B (en) 2019-04-25 2023-01-13 Beneq Oy DEVICE AND METHOD
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
FI128855B (en) * 2019-09-24 2021-01-29 Picosun Oy FLUID DISTRIBUTOR FOR THIN FILM GROWING EQUIPMENT, RELATED EQUIPMENT AND METHODS
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
JP2021111783A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
US12065737B2 (en) * 2020-05-27 2024-08-20 Gelest, Inc. Silicon-based thin films from N-alkyl substituted perhydridocyclotrisilazanes
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN112481604B (zh) * 2020-12-03 2023-09-08 无锡邑文电子科技有限公司 一种ald加工设备以及加工方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1811217A1 (ru) * 1990-02-07 1996-08-20 Научно-производственное объединение "Интеграл" Устройство для химического осаждения пленок из газовой фазы
US20010014371A1 (en) * 1999-12-28 2001-08-16 Vaino Kilpi Apparatus for growing thin films
US7060132B2 (en) * 2000-04-14 2006-06-13 Asm International N.V. Method and apparatus of growing a thin film

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US711254A (en) * 1901-06-11 1902-10-14 Mielck S Stone And Terra Cotta Company Composition for artificial stone.
SU954513A1 (ru) 1980-12-25 1982-08-30 Всесоюзный научно-исследовательский и проектный институт тугоплавких металлов и твердых сплавов Установка дл нанесени покрытий из газовой фазы
US4582720A (en) * 1982-09-20 1986-04-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and apparatus for forming non-single-crystal layer
JPS61251118A (ja) * 1985-04-30 1986-11-08 Fujitsu Ltd 化学気相成長処理方法
US5037775A (en) * 1988-11-30 1991-08-06 Mcnc Method for selectively depositing single elemental semiconductor material on substrates
US20020064440A1 (en) 1994-07-07 2002-05-30 Minoru Ikeda Production line constructing system
US5658028A (en) 1996-02-02 1997-08-19 Micron Technology, Inc. Vertical wafer carrier handling apparatus
US5674039A (en) 1996-07-12 1997-10-07 Fusion Systems Corporation System for transferring articles between controlled environments
US6413355B1 (en) 1996-09-27 2002-07-02 Tokyo Electron Limited Apparatus for and method of cleaning objects to be processed
US6050446A (en) 1997-07-11 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Pivoting lid assembly for a chamber
US6145397A (en) 1998-10-01 2000-11-14 Applied Materials, Inc. Simple lift assist module
JP3665491B2 (ja) * 1998-10-19 2005-06-29 株式会社スーパーシリコン研究所 エピタキシャル成長炉
IT1308606B1 (it) 1999-02-12 2002-01-08 Lpe Spa Dispositivo per maneggiare substrati mediante un istema autolivellante a depressione in reattori epistassiali ad induzione con suscettore
US6610150B1 (en) 1999-04-02 2003-08-26 Asml Us, Inc. Semiconductor wafer processing system with vertically-stacked process chambers and single-axis dual-wafer transfer system
US6395101B1 (en) 1999-10-08 2002-05-28 Semitool, Inc. Single semiconductor wafer processor
US6517634B2 (en) 2000-02-28 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber lid assembly
JP4211185B2 (ja) 2000-02-29 2009-01-21 株式会社デンソー Ｃｖｄ，ａｌｅ装置用ガラス基板収納治具
FI117978B (fi) * 2000-04-14 2007-05-15 Asm Int Menetelmä ja laitteisto ohutkalvon kasvattamiseksi alustalle
US6585823B1 (en) 2000-07-07 2003-07-01 Asm International, N.V. Atomic layer deposition
US6719851B1 (en) 2000-09-26 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Lid assembly for opening a process chamber lid and uses therefor
JP2002187791A (ja) * 2000-12-15 2002-07-05 Canon Inc 液相成長方法および液相成長装置
US6609632B2 (en) 2001-01-17 2003-08-26 Simplus Systems Corporation Removable lid and floating pivot
US6682703B2 (en) 2001-09-05 2004-01-27 Irm, Llc Parallel reaction devices
US7220312B2 (en) 2002-03-13 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Methods for treating semiconductor substrates
KR20030081144A (ko) 2002-04-11 2003-10-17 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 종형 반도체 제조 장치
JP4354908B2 (ja) * 2002-06-10 2009-10-28 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US6916374B2 (en) 2002-10-08 2005-07-12 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition methods and atomic layer deposition tools
JP2004292852A (ja) * 2003-03-25 2004-10-21 Denso Corp 薄膜成膜装置および方法
US7002134B2 (en) 2003-05-09 2006-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Dryer lid/robot collision prevention system
US7235138B2 (en) 2003-08-21 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces
US7048968B2 (en) * 2003-08-22 2006-05-23 Micron Technology, Inc. Methods of depositing materials over substrates, and methods of forming layers over substrates
US7654221B2 (en) 2003-10-06 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
KR100541559B1 (ko) 2004-01-29 2006-01-11 삼성전자주식회사 글랜드부를 갖는 배치형 증착 장비
US7115304B2 (en) 2004-02-19 2006-10-03 Nanosolar, Inc. High throughput surface treatment on coiled flexible substrates
CN101061253B (zh) 2004-11-22 2010-12-22 应用材料股份有限公司 使用批式制程腔室的基材处理装置
US8211235B2 (en) * 2005-03-04 2012-07-03 Picosun Oy Apparatuses and methods for deposition of material on surfaces
US7798096B2 (en) * 2006-05-05 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool
US20080213479A1 (en) * 2007-02-16 2008-09-04 Tokyo Electron Limited SiCN film formation method and apparatus
US10041169B2 (en) 2008-05-27 2018-08-07 Picosun Oy System and method for loading a substrate holder carrying a batch of vertically placed substrates into an atomic layer deposition reactor
US8282334B2 (en) 2008-08-01 2012-10-09 Picosun Oy Atomic layer deposition apparatus and loading methods

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1811217A1 (ru) * 1990-02-07 1996-08-20 Научно-производственное объединение "Интеграл" Устройство для химического осаждения пленок из газовой фазы
US20010014371A1 (en) * 1999-12-28 2001-08-16 Vaino Kilpi Apparatus for growing thin films
US7060132B2 (en) * 2000-04-14 2006-06-13 Asm International N.V. Method and apparatus of growing a thin film

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ДАНИЛИНА Т.И., КАГАДЕЙ В.А. Технология СБИС: Учебное пособие. - Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2007, с.189-199. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2728189C1 (ru) * 2016-09-16 2020-07-28 Пикосан Ой Устройство и способы для атомно-слоевого осаждения

Also Published As

Publication number Publication date
RU2010150684A (ru) 2012-07-10
US20180305813A1 (en) 2018-10-25
CN102046856B (zh) 2015-11-25
KR101642331B1 (ko) 2016-07-29
JP5646463B2 (ja) 2014-12-24
JP2011523444A (ja) 2011-08-11
CN102046856A (zh) 2011-05-04
EP2286006B1 (en) 2016-05-18
EP2286006A1 (en) 2011-02-23
US20090297710A1 (en) 2009-12-03
WO2009144371A1 (en) 2009-12-03
ES2587394T3 (es) 2016-10-24
EP2286006A4 (en) 2012-01-18
KR20110031431A (ko) 2011-03-28
US10041169B2 (en) 2018-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2502834C2 (ru) Способ и устройство для реакторов осаждения
KR100868953B1 (ko) 기판처리장치 및 반도체장치의 제조방법
RU2518845C2 (ru) Устройство для осаждения атомного слоя и способ загрузки устройства для осаждения атомного слоя
TW527433B (en) Apparatus for fabrication of thin films
EP2408002A1 (en) Atomic layer deposition apparatus
US20050000428A1 (en) Method and apparatus for vaporizing and delivering reactant
TW201511159A (zh) 具備紫外線處理之沉積室及其使用方法
EP2783023B1 (en) Method of atomic layer deposition for processing a batch of substrates
KR101525210B1 (ko) 기판 처리장치
US11306393B2 (en) Methods and apparatus for ALD processes
JP2022003169A (ja) 薄膜封止処理システムおよびプロセスキット
KR101513504B1 (ko) 기판 처리장치
KR100865580B1 (ko) 기판처리장치 및 반도체장치의 제조방법