SU1811217A1 - Устройство для химического осаждения пленок из газовой фазы - Google Patents

Устройство для химического осаждения пленок из газовой фазы

Info

Publication number
SU1811217A1
SU1811217A1 SU4789496/26A SU4789496A SU1811217A1 SU 1811217 A1 SU1811217 A1 SU 1811217A1 SU 4789496/26 A SU4789496/26 A SU 4789496/26A SU 4789496 A SU4789496 A SU 4789496A SU 1811217 A1 SU1811217 A1 SU 1811217A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
reactor
films
gas phase
chemical deposition
nitrogen
Prior art date
Application number
SU4789496/26A
Other languages
English (en)
Inventor
А.С. Турцевич
В.Я. Красницкий
В.М. Сахон
Л.И. Кисель
А.М. Шкут
В.Ф. Петрашкевич
Original Assignee
Научно-производственное объединение "Интеграл"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-производственное объединение "Интеграл" filed Critical Научно-производственное объединение "Интеграл"
Priority to SU4789496/26A priority Critical patent/SU1811217A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1811217A1 publication Critical patent/SU1811217A1/ru

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Изобретение относится к оборудованию для нанесения покрытий, в частности к устройствам для химического осаждения пленок из газовой фазы при пониженном давлении, и может быть использовано для создания слоев нитрида кремния, используемых в качестве конденсаторного и подзатворного диэлектрика для СБИС и УБИС. Сущность изобретения заключается в том, что кассету 2 с кремниевыми подложками 3 загружают в реактор 1 через полую камеру 9 шлюзовой камеры 8, образованной корпусом 10. При этом по трубопроводам 12, охватывающим по контуру загрузочное отверстие 4, подают инертный газ - азот, который при помощи вытяжного отверстия, выполненного в боковой поверхности корпуса параллельно оси реактора, образует завесу, препятствующую попаданию атмосферного воздуха с парами воды и кислорода в реактор 1. Конструктивные особенности устройства обеспечивают снижение дефектности и повышение электрической прочности покрытия. 1 з.п. ф-лы,1 табл. 3 ил.
SU4789496/26A 1990-02-07 1990-02-07 Устройство для химического осаждения пленок из газовой фазы SU1811217A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4789496/26A SU1811217A1 (ru) 1990-02-07 1990-02-07 Устройство для химического осаждения пленок из газовой фазы

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4789496/26A SU1811217A1 (ru) 1990-02-07 1990-02-07 Устройство для химического осаждения пленок из газовой фазы

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1811217A1 true SU1811217A1 (ru) 1996-08-20

Family

ID=60538262

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4789496/26A SU1811217A1 (ru) 1990-02-07 1990-02-07 Устройство для химического осаждения пленок из газовой фазы

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1811217A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2502834C2 (ru) * 2008-05-27 2013-12-27 Пикосан Ой Способ и устройство для реакторов осаждения

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2502834C2 (ru) * 2008-05-27 2013-12-27 Пикосан Ой Способ и устройство для реакторов осаждения

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6124158A (en) Method of reducing carbon contamination of a thin dielectric film by using gaseous organic precursors, inert gas, and ozone to react with carbon contaminants
US5356722A (en) Method for depositing ozone/TEOS silicon oxide films of reduced surface sensitivity
RU2417274C2 (ru) Полимерное изделие, имеющее тонкое покрытие, образованное под действием плазмы, и способ получения такого изделия
KR930008971A (ko) 반도체 장치의 층간 절연막 형성방법
EP1464726A3 (en) CVD method for forming a porous low dielectric constant SiOCH film
JP2004504938A (ja) 境界層を備えたプラズマ堆積バリアコーティング、このようなコーティングの獲得方法、およびこのように得られた容器
JPH0578844A (ja) 固体潤滑性を有する非晶質薄膜およびその製造方法
RU92004436A (ru) Способ пассивации внутренней поверхности осаждением керамического покрытия на устройство, подвергаемое закоксовыванию, устройство, обработанное таким образом, и способ применения устройства
WO2020163359A8 (en) Deposition of carbon doped silicon oxide
KR950000922A (ko) 플라즈마 화학 기상 증착법
KR960001167A (ko) 강유전체 박막 제조장치 및 그 제조방법
US7351480B2 (en) Tubular structures with coated interior surfaces
US20200032392A1 (en) Hyrodgen partial pressure control in a vacuum process chamber
JP2001172795A (ja) アルミニウム複合品及びアルミニウム複合品の表面処理方法
Quan et al. Polymer-like organic thin films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition using the para-xylene precursor as low dielectric constant interlayer dielectrics for multilevel metallization
JPS5766625A (en) Manufacture of film
SU1811217A1 (ru) Устройство для химического осаждения пленок из газовой фазы
KR970001612A (ko) 안정한 플루오르화 teos 필름의 증착방법
Porporati et al. Metallorganic chemical vapor deposition of Ta2O5 films
RU2770539C2 (ru) Гибкая барьерная мембрана и способ получения гибкой барьерной мембраны
US5521001A (en) Carbide formed on a carbon substrate
Fau-Canillac et al. Control of the uniformity of thickness of Ni thin films deposited by low pressure chemical vapor deposition
Zhu et al. Al 2 O 3 Thin Films Prepared by a Combined Thermal‐Plasma Atomic Layer Deposition Process at Low Temperature for Encapsulation Applications.
Lee et al. Vapor-phase molecular layer deposition of self-assembled multilayers for organic thin-film transistor
WO2005019497B1 (en) Methods of reducing plasma-induced damage for advanced plasma cvd dielectrics