SU1811217A1 - Устройство для химического осаждения пленок из газовой фазы - Google Patents
Устройство для химического осаждения пленок из газовой фазыInfo
- Publication number
- SU1811217A1 SU1811217A1 SU4789496/26A SU4789496A SU1811217A1 SU 1811217 A1 SU1811217 A1 SU 1811217A1 SU 4789496/26 A SU4789496/26 A SU 4789496/26A SU 4789496 A SU4789496 A SU 4789496A SU 1811217 A1 SU1811217 A1 SU 1811217A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- reactor
- films
- gas phase
- chemical deposition
- nitrogen
- Prior art date
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относится к оборудованию для нанесения покрытий, в частности к устройствам для химического осаждения пленок из газовой фазы при пониженном давлении, и может быть использовано для создания слоев нитрида кремния, используемых в качестве конденсаторного и подзатворного диэлектрика для СБИС и УБИС. Сущность изобретения заключается в том, что кассету 2 с кремниевыми подложками 3 загружают в реактор 1 через полую камеру 9 шлюзовой камеры 8, образованной корпусом 10. При этом по трубопроводам 12, охватывающим по контуру загрузочное отверстие 4, подают инертный газ - азот, который при помощи вытяжного отверстия, выполненного в боковой поверхности корпуса параллельно оси реактора, образует завесу, препятствующую попаданию атмосферного воздуха с парами воды и кислорода в реактор 1. Конструктивные особенности устройства обеспечивают снижение дефектности и повышение электрической прочности покрытия. 1 з.п. ф-лы,1 табл. 3 ил.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4789496/26A SU1811217A1 (ru) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | Устройство для химического осаждения пленок из газовой фазы |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4789496/26A SU1811217A1 (ru) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | Устройство для химического осаждения пленок из газовой фазы |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1811217A1 true SU1811217A1 (ru) | 1996-08-20 |
Family
ID=60538262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4789496/26A SU1811217A1 (ru) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | Устройство для химического осаждения пленок из газовой фазы |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1811217A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2502834C2 (ru) * | 2008-05-27 | 2013-12-27 | Пикосан Ой | Способ и устройство для реакторов осаждения |
-
1990
- 1990-02-07 SU SU4789496/26A patent/SU1811217A1/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2502834C2 (ru) * | 2008-05-27 | 2013-12-27 | Пикосан Ой | Способ и устройство для реакторов осаждения |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6124158A (en) | Method of reducing carbon contamination of a thin dielectric film by using gaseous organic precursors, inert gas, and ozone to react with carbon contaminants | |
US5356722A (en) | Method for depositing ozone/TEOS silicon oxide films of reduced surface sensitivity | |
RU2417274C2 (ru) | Полимерное изделие, имеющее тонкое покрытие, образованное под действием плазмы, и способ получения такого изделия | |
KR930008971A (ko) | 반도체 장치의 층간 절연막 형성방법 | |
EP1464726A3 (en) | CVD method for forming a porous low dielectric constant SiOCH film | |
JP2004504938A (ja) | 境界層を備えたプラズマ堆積バリアコーティング、このようなコーティングの獲得方法、およびこのように得られた容器 | |
JPH0578844A (ja) | 固体潤滑性を有する非晶質薄膜およびその製造方法 | |
RU92004436A (ru) | Способ пассивации внутренней поверхности осаждением керамического покрытия на устройство, подвергаемое закоксовыванию, устройство, обработанное таким образом, и способ применения устройства | |
WO2020163359A8 (en) | Deposition of carbon doped silicon oxide | |
KR950000922A (ko) | 플라즈마 화학 기상 증착법 | |
KR960001167A (ko) | 강유전체 박막 제조장치 및 그 제조방법 | |
US7351480B2 (en) | Tubular structures with coated interior surfaces | |
US20200032392A1 (en) | Hyrodgen partial pressure control in a vacuum process chamber | |
JP2001172795A (ja) | アルミニウム複合品及びアルミニウム複合品の表面処理方法 | |
Quan et al. | Polymer-like organic thin films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition using the para-xylene precursor as low dielectric constant interlayer dielectrics for multilevel metallization | |
JPS5766625A (en) | Manufacture of film | |
SU1811217A1 (ru) | Устройство для химического осаждения пленок из газовой фазы | |
KR970001612A (ko) | 안정한 플루오르화 teos 필름의 증착방법 | |
Porporati et al. | Metallorganic chemical vapor deposition of Ta2O5 films | |
RU2770539C2 (ru) | Гибкая барьерная мембрана и способ получения гибкой барьерной мембраны | |
US5521001A (en) | Carbide formed on a carbon substrate | |
Fau-Canillac et al. | Control of the uniformity of thickness of Ni thin films deposited by low pressure chemical vapor deposition | |
Zhu et al. | Al 2 O 3 Thin Films Prepared by a Combined Thermal‐Plasma Atomic Layer Deposition Process at Low Temperature for Encapsulation Applications. | |
Lee et al. | Vapor-phase molecular layer deposition of self-assembled multilayers for organic thin-film transistor | |
WO2005019497B1 (en) | Methods of reducing plasma-induced damage for advanced plasma cvd dielectrics |