JP2004504938A - 境界層を備えたプラズマ堆積バリアコーティング、このようなコーティングの獲得方法、およびこのように得られた容器 - Google Patents

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Abstract

本発明は、特に、処理される基体にバリアコーティングを堆積するために低圧プラズマを使用し、プラズマが、処理ゾーンに低圧で噴射される反応性流体を、電磁界の作用で部分的にイオン化することにより得られる方法に関し、少なくとも有機ケイ素化合物と窒素化合物とを含む混合物を、プラズマ状態にすることによって得られる境界層を基体に堆積する少なくとも一つのステップと、主に、式SiOxの酸化ケイ素からなるバリア層を境界層に堆積することからなるステップとを含むことを特徴とする。

Description

【0001】
本発明は、低圧プラズマを使用することにより堆積される薄膜バリアコーティングの分野に関する。このようなコーティングを得るために、処理ゾーンに低圧で反応性流体を噴射する。反応性流体は、使用圧力に上昇すると、一般に気体になる。処理ゾーンでは、電磁界を設定して反応性流体をプラズマ状態にし、すなわち、少なくとも部分的にイオン化する。こうしたイオン化メカニズムにより得られる粒子を、処理ゾーンに配置される物体の壁に堆積することができる。
【0002】
低圧プラズマによる堆積は、低温プラズマとも呼ばれ、高温に弱いプラスチック材料の物体に薄膜を堆積し、物体に堆積されるコーティングを物理的、化学的に適切に接着することができる。
【0003】
このような堆積技術は、様々な用途で使用されている。こうした用途のひとつは、特に、酸素や二酸化炭素のような気体に対する透過性を減少するために、フィルムまたは容器に行われる機能的なコーティングの堆積である。
【0004】
特に、最近、ビールまたは果物のジュースのような酸素に弱い製品、あるいはソーダ水のような炭酸製品をパックするプラスチックボトルをバリア材料でコーティングするために、上記の技術を使用可能なことが明らかになった。
【0005】
文献WO99/49991は、バリアコーティングでプラスチックボトルの内面または外面を被覆可能にする装置を記載している。
【0006】
文献US−A−4,830,873は、耐摩耗性のために使用されるコーティングを記載している。このコーティングは、一般式SiOxの酸化ケイ素であり、xは1.5から2である。プラスチック基体へのSiOxの接着性を改良するために、上記文献は、酸素がないときに有機シロキサンをプラズマ状態にして得られる化合物SiOxCyHzの層を堆積し、次いで、プラズマ状態にされた混合物に酸素を徐々に混入することよって、炭素および水素の量を徐々に減少し、この接着層の組成を少しずつ変化させることを提案している。
【0007】
いくつかの試験によれば、この接着層は、また、SiOxを含むコーティングを用いて、ポリマー基体の透過性を減少する場合にも有効である。しかしながら、SiOxCyHzの接着層で得られる結果は、SiOxの単層コーティングで得られる結果よりも良好であるものの、水素を含む無定形炭素の堆積物のような他の気体遮断コーティングによって得られる結果ほどよくない。実際、文献US−A−4,830,873では、コーティングの機能が耐磨耗性にあった。そのため、複数のコーティング層を通る気体の拡散機構については考慮されていない。
【0008】
従って、本発明の目的は、非常にハイレベルのバリア特性を得るために、最適化された新しいタイプのコーティングを提案することにある。
【0009】
このため、本発明は、まず、処理される基体にバリアコーティングを堆積するために低圧プラズマを使用し、プラズマが、処理ゾーンに低圧で噴射される反応性流体を、電磁界の作用で部分的にイオン化することにより得られる方法を提案し、少なくとも有機ケイ素化合物と窒素化合物とを含む混合物をプラズマ状態にすることにより得られる境界層を、基体に堆積する少なくとも一つのステップと、主に、式SiOxの酸化ケイ素からなるバリア層を境界層に堆積することからなるステップとを含むことを特徴とする。
【0010】
本発明によるこの方法の他の特徴は次のようなものである。窒素化合物が、気体窒素である。境界層を堆積するために使用される混合物が、さらに、有機ケイ素化合物の蒸発を発生するキャリヤガスとして使用される希ガスを含む。窒素が、有機ケイ素化合物の蒸発を発生するキャリヤガスとして使用される。境界層の厚さが、2から10ナノメータである。バリア層が、過剰な酸素の存在下で有機ケイ素化合物の低圧プラズマ堆積により得られる。有機ケイ素化合物が、有機シロキサンである。バリア層の厚さが、8から20ナノメータである。2つのステップの移行時に、処理ゾーンで反応性流体がプラズマ状態に留まるように、ステップが連続して行われる。この方法は、水素を含む無定形炭素の保護層でバリア層を被覆する第三のステップを含む。保護層の厚さが、10ナノメータ未満である。炭化水素化合物の低圧プラズマ堆積により保護層を得る。基体が、ポリマー材料からなる。この方法は、ポリマー材料の容器の内面にバリアコーティングを堆積するために使用される。
【0011】
本発明は、また、低圧プラズマにより基体に堆積されるバリアコーティングに関し、式SiOxの酸化ケイ素から主に構成されるバリア層を含み、コーティングが、基体とバリア層との間に境界層を含み、前記境界層が、主に、ケイ素、炭素、酸素、窒素、および水素から構成されることを特徴とする。
【0012】
本発明によるコーティングの他の特徴は次のようなものである。境界層が、少なくとも有機ケイ素化合物と窒素化合物とを含む混合物を、プラズマ状態にすることによって得られる。窒素化合物が気体窒素である。境界層の厚さが、2から10ナノメータである。バリア層が、過剰な酸素の存在下で有機ケイ素化合物の低圧プラズマ堆積により得られる。有機ケイ素化合物が、有機シロキサンである。バリア層の厚さが、8から20ナノメータである。バリア層が、水素を含む無定形炭素の保護層で被覆される。保護層の厚さが10ナノメータ未満である。保護層が、炭化水素化合物の低圧プラズマ堆積により得られる。コーティングが、ポリマー材料の基体に堆積される。
【0013】
本発明は、また、上記のタイプのバリアコーティングにより少なくとも片面で被覆されることを特徴とする、ポリマー材料の容器に関する。この容器は、たとえば内面でバリアコーティングにより被覆され、ポリエチレンテレフタラート製のボトルとすることができる。
【0014】
本発明の他の特徴および長所は、単一の添付図を参照しながら、以下の詳しい説明を読めば、明らかになるであろう。
【0015】
図では、本発明の開示による方法を実施可能にする処理装置10の実施形態の縦断面を示した。本発明は、ここでは、プラスチック容器の処理に関して説明する。より詳しくは、プラスチックボトルの内面にバリアコーティングを堆積可能にする方法および装置について説明する。
【0016】
処理装置10は、たとえば、垂直軸を中心として連続回転運動により駆動されるカルーセルを備えた回転装置の一部をなす。
【0017】
処理装置10は、たとえば金属製の導電性材料からなる外部エンクロージャ14を含み、この外部エンクロージャは、垂直軸A1を中心とする管状の円筒壁18から形成されている。外部エンクロージャ14は、底20の下壁により下端で閉鎖されている。
【0018】
外部エンクロージャ14の外で外部エンクロージャに固定されるハウジング22は、プラズマを発生可能な電磁界を外部エンクロージャ14の内部に形成する手段(図示せず)を含む。この場合、UHF領域、すなわちマイクロ波の領域で、電磁放射を発生可能な手段とすることができる。従って、この場合、ハウジング22は、マグネトロンを収容可能であり、そのアンテナ24が導波管26に通じている。導波管26は、たとえば、長方形の断面をもつトンネルであり、軸A1に対して径方向に沿って延び、側壁18を介して外部エンクロージャ14の内部に直接通じている。しかしながら、本発明は、また、無線周波数タイプの放射源を備えた装置の範囲でも実施可能であり、および/または、放射源を別に配置し、たとえば外部エンクロージャ14の軸方向下端に配置してもよい。
【0019】
外部エンクロージャ14の内部で、軸A1を中心とする管28は、導波管26を介して外部エンクロージャ14に入る電磁波を通す材料で構成される。たとえば、水晶管28を構成することができる。この管28は、処理される容器30を収容する。従って、管の内径は、容器の径に合わされる。さらに、いったん容器を外部エンクロージャ内部に入れたら、内部で負圧を形成する空洞32を画定しなければならない。
【0020】
図から分かるように、外部エンクロージャ14は、上端で上壁36により部分的に閉じられている。上壁は、管28の径にほぼ等しい径の中央開口部を備えるので、管28は、完全に上向きに開いて空洞32に容器30を導入可能にする。反対に、管28の下端が気密に接続される下方の金属壁20は、空洞32の底を形成する。
【0021】
従って、外部エンクロージャ14および空洞32を閉じるために、処理装置10は、上方位置(図示せず)と図示された下方の閉鎖位置との間で軸方向に移動するカバー34を含む。カバーは、上方位置で、空洞32に容器30を入れることができるように十分に解放される。
【0022】
カバー34は、閉鎖位置において、外部エンクロージャ14の上壁36の上面で気密に支持される。
【0023】
特に有利には、カバー34は、空洞32を密閉する機能を備えるだけではない。実際、カバーは、さまざまな補足する部品を備えている。
【0024】
カバー34は、まず、容器の支持手段を備える。図示された例では、処理される容器が、熱可塑性材料のボトル、たとえばポリエチレンテレフタラート(PET)のボトルである。このボトルは、首部の基部に径方向に突起するフランジを備え、首部の周囲、好適にはフランジの下に係合もしくは係止されるつめ付きの鐘形クランプで把持することができる。つめ付きクランプ54で把持すると、ボトル30は、つめ付クランプ54の支持面に上向きに押し付けられる。好適には、こうした支持が気密に行われ、カバーが閉鎖位置にあるとき、空洞32の内部空間が、容器の壁により容器の内側と外側との二つの部分に分離される。
【0025】
こうした構成により、容器の壁の二つの面の一方(内側面または外側面)だけを処理することができる。図示された例では、容器の壁の内面だけを処理しようとしている。
【0026】
従って、この内面処理では、容器内部にある気体の圧力および成分を同時に制御できるようにしなければならない。そのため、容器内部は、負圧源と、反応性流体供給装置12とに連通可能でなければならない。このために、反応性流体供給装置は、軸A1に沿って配置された噴射ノズル62に管38によって接続される反応性流体源16を含む。噴射ノズルは、上方の格納位置(図示せず)と、カバー34を介して容器30の内部に噴射ノズル62が延長される下方の位置との間で、カバー34に対して移動する。制御バルブ40は、管38で反応性流体源16と噴射ノズル62との間に配置される。噴射ノズル62は、処理ゾーンにおける反応性流体の噴射分分を最適化可能にする、多孔性の壁を備えた管とすることができる。
【0027】
噴射ノズル62により噴射される気体がイオン化され、外部エンクロージャ内に形成される電磁界の作用でプラズマを形成できるようにするために、容器の圧力が大気圧より低く、たとえば約10−4バールであることが必要である。容器内部と負圧源(たとえばポンプ)とを連通するために、カバー34が内部管路64を含んでおり、内部管路の主要な末端が、カバーの下面、より詳しくは、ボトル30の首部が押し付けられる支持面中央に通じている。
【0028】
提案された実施形態では、支持面が、カバーの下面に直接形成されず、カバー34の下に固定されたつめ付クランプ54の環状の下面に形成されていることが注目される。かくして、容器の首部の上端が支持面で支持されるとき、この上端により画定される容器30の開口部は、内部管路の主要な末端がカバー34の下面に通じる穴を完全に囲む。
【0029】
図示された例では、カバー24の内部管路64が接合端66を含み、装置の真空回路が、固定端68を含む。固定端は、カバーが閉鎖位置にあるとき、2個の端66、68が互いに向かい合うように配置される。
【0030】
図示された装置は、比較的変形しやすい材料からなる容器の内面処理用に構成されている。このような容器は、ボトルの外部と内部との間で約1バールの過圧に耐えることができない。従って、ボトルを変形せずに約10−4バールの圧力をボトル内部で得るために、ボトル外部の空洞32の一部もまた、少なくとも部分的に減圧しなければならない。かくして、カバー34の内部管路64は、主要な末端に加えて、補助的な末端(図示せず)を有し、補助的な末端もまた、カバーの下面を介して、容器の首部が押し当てられる環状支持面の径方向外側に通じている。
【0031】
かくして、同じポンピング手段が、容器の内部および外部の真空を同時に形成する。
【0032】
ポンピング容量を制限し、ボトル外部に無用なプラズマが現れないようにするために、外部の圧力が、10−4バールの内部圧に対して、0.05から0.1バール下回らないようにすることが好ましい。さらに、ボトルは、壁が薄くても、著しく変形せずにこの圧力差に耐えられることが認められる。このため、補助的な末端を塞ぐことができる制御バルブ(図示せず)をカバーに備える。
【0033】
上記の装置の動作は、次の通りである。
【0034】
容器がつめ付クランプ54に把持されると、カバーが閉鎖位置に向かって下がる。同時に、噴射ノズルは、管路64の主要な末端を塞がずに、この末端を通って下がる。
【0035】
カバーが閉鎖位置に来ると、空洞32に含まれる空気を吸入することができる。空洞は、カバー34の内部管路64により真空回路に接続される。
【0036】
第一段階で、バルブは開放制御されるので、圧力は、空洞32において、容器の外側と内側で同時に降下する。容器外側の真空レベルが十分なレベルに達すると、システムは、バルブの閉鎖を制御する。その場合、容器30の内部でもっぱらポンピングを続けることが可能である。
【0037】
処理圧力に達すると、本発明の方法により処理を開始できる。
【0038】
本発明によれば、堆積方法が、主に、ケイ素、炭素、酸素、窒素、および水素からなる境界層を、基体、この場合にはボトル内面に直接堆積することからなる第一のステップを含む。境界層は、もちろん、少量あるいは微量の他の元素を含んでいてもよく、その場合、これらの他の元素は、使用される反応性流体に含まれる不純物によるものか、あるいはただ単に、ポンピング終了時にまだ存在する残留空気中の不純物によるものである。
【0039】
このような境界層を得るために、処理ゾーンに、有機ケイ素化合物、すなわち主に、炭素、ケイ素、酸素、水素と、窒素化合物とを含む混合物を噴射しなければならない。
【0040】
有機ケイ素化合物は、たとえば、有機シロキサンとすることができ、簡単には、窒素化合物を窒素とすることができる。また、少なくとも一つの窒素原子を含む有機シラザンを、有機ケイ素化合物として使用するよう検討してもよい。
【0041】
ヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)またはテトラメチルジシロキサン(TMDSO)等の有機シロキサンは、一般に、室温で液体である。従って、処理ゾーンにこれらを噴射するには、気泡管内で有機シロキサンの蒸気に結合されるキャリヤガスを用いるか、あるいは単に、有機シロキサンの飽和蒸気圧で作業することができる。
【0042】
キャリヤガスを用いる場合、このキャリヤガスは、ヘリウムまたはアルゴン等の希ガスとすることができる。しかし、有利には、キャリヤガスとして単に気体窒素(N)を使用可能である。
【0043】
好適な実施形態によれば、この境界層は、処理ゾーン、この場合には、内部容量が500mlのプラスチックボトルに、キャリヤガスとして流量40sccmの気体窒素を用いることにより、流量4sccm(標準cm/分)のHMDSOを噴射することによって得られる。使用されるマイクロ波のパワーは、たとえば400Wであり、処理時間は約0.5秒である。その結果、上記のタイプの装置で得られる境界層の厚さは、約数ナノメータに過ぎない。
【0044】
さまざまな分析により、このように堆積される境界層は、もちろんケイ素を含むが、特に炭素および窒素の量が多いことが明らかになっている。境界層は、また、酸素および水素を含む。分析によれば、さらに、N−Hタイプの多数の化学結合が存在することがわかっている。
【0045】
たとえば、上の条件で生成された境界層のサンプルは、この量子化に到達するために使用された分析方法(ESCA)では見えない水素原子を入れなければ、およそ12原子%のケイ素と、35原子%の炭素と、30原子%の酸素と、23原子%の窒素とを含む。境界層を形成する原子の総量に対し、水素原子は、たとえば20%を占有可能である。
【0046】
だが、こうしたデータの値は、堆積方法の正確なパラメータに対応する一例にすぎない。上記の条件と同じ条件で、窒素の流量を10から60sccmに変えても、得られるコーティングのバリア特性が著しく変わることはない。
【0047】
いくつかの試験によれば、境界層の堆積ステップ中、気体窒素(N)を、約80%の窒素からなることが知られている空気(たとえば流量40sccmとする)に代えられることが分かっている。
【0048】
この境界層に、SiOx材料のバリア層を堆積することができる。低圧プラズマによりこうした材料を堆積する多数の技術が存在する。たとえば、上記のHMDSO/N混合物に80sccmの気体酸素(O)を加えることができる。このような添加は、瞬間的に、あるいは徐々に実施可能である。
【0049】
プラズマに十分に多く存在する酸素は、HMDSOまたは、キャリヤガスとして使用される窒素からもたらされる、炭素原子、窒素原子、および水素原子をほとんど完全に除去する。かくして、SiOx材料が得られ、ここで、酸素の量とケイ素の量との比を示すxは、一般に、使用される操作条件に応じて1.5から2.2である。上記の条件では、xの値を2より大きくすることができる。もちろん、第一のステップ中と同様に、取得方式による不純物がこの層に若干混入しうるが、特性が著しく変わることはない。
【0050】
第二の処理ステップの持続時間は、たとえば2から4秒である。従って、このように得られるバリア層の厚さは、約6から20ナノメータである。
【0051】
この堆積方法の二つのステップは、完全に別個の2つのステップとして構成してもよいし、その反対に、プラズマが二つのステップの間で消えなければ、連続する2つのステップとして構成してもよい。
【0052】
このように得られたバリアコーティングは、特に高性能であることが判明している。かくして、本発明の開示によるコーティングを堆積した500mlの標準PETボトルの透過率は、ボトルに毎日入る酸素が、0.002cm以下である。
【0053】
本発明の変形実施形態によれば、低圧プラズマにより堆積される、水素を含む無定形炭素の保護層でバリア層を被覆可能である。
【0054】
文献WO99/49991から、水素を含む無定形炭素をバリア層として使用できることが知られている。しかし、適切な有効性のバリアを得るには、厚さ約80から200ナノメータの堆積を行うことが必要である。この厚さから、炭素の層は、少なからず金色の色を有する。
【0055】
本発明の範囲では、堆積される炭素層の厚さが、好適には20ナノメータ未満である。この水準の厚さでは、気体バリアとして追加される炭素層は、こうした炭素層が堆積されるとしても、決定的ではない。
【0056】
同様に薄い厚さの、水素を含む無定形炭素層を付加する主な長所は、このように保護されたSiOx層が、プラスチック基体のさまざまな変形に対していっそう強いことが認められる点にある。かくして、ソーダ水またはビールのような炭酸液で満たしたプラスチックボトルは、複数バールの内圧を受け、ボトルが最も軽量である場合、この内圧によりプラスチック材料にクリープが生じ、その結果、ボトルの容積がわずかに増加する。低圧プラズマにより堆積されるSiOxのような高密度の材料の弾性は、プラスチック基体の弾性よりもずっと小さいことが認められる。従って、基体への接着性が非常に高いにもかかわらず、基体の変形により、コーティングに微小割れが発生し、バリア特性が劣化する。
【0057】
反対に、水素を含む無定形炭素の層を保護層として付着することにより、このように構成されたコーティングは、基体変形時にバリア特性の劣化がずっと少ないことが認められる。
【0058】
たとえば、水素を含むこうした無定形炭素の層は、約0.2秒の持続時間中、約60sccmの流量で気体アセチレンを処理ゾーンに導入することにより生成可能である。このように堆積される保護層は、コーティングの全体強度を著しく増加しながら十分に薄くして、裸眼では色が殆ど見分けられないようにする。
【0059】
本発明による境界層は、たとえば層の原子数全体の10から25%の、比較的高い窒素含有量を特徴とする。また、境界層が含む水素原子の割合は、比較的多い。この二つの成分が境界層に同時に存在すると、コーティングは、基体への接着性が良好であることに加えて、気体バリアとしてきわめて優れた特性を有するが、これは、たとえば境界層が窒素を含まずに堆積される場合はそうではない。
【0060】
この現象は、本発明による境界層自体が気体バリア特性をほとんど備えず、しかも、耐磨耗性または耐化学腐食性がそれほどよくないだけに、ますます特徴的である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による方法を実施可能にする処理装置10の実施形態の概略的な縦断面図である。

Claims (28)

  1. 処理される基体にバリアコーティングを堆積するために低圧プラズマを使用し、プラズマが、処理ゾーンに低圧で噴射される反応性流体を、電磁界の作用で部分的にイオン化することにより得られる方法であって、
    少なくとも有機ケイ素化合物と窒素化合物とを含む混合物を、プラズマ状態にすることによって得られる境界層を基体に堆積する少なくとも一つのステップと、主に、式SiOxの酸化ケイ素からなるバリア層を境界層に堆積することからなるステップとを含むことを特徴とする、方法。
  2. 窒素化合物が、気体窒素であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
  3. 境界層を堆積するために使用される混合物が、さらに、有機ケイ素化合物の蒸発を発生するキャリヤガスとして使用される希ガスを含むことを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
  4. 窒素が、有機ケイ素化合物の蒸発を発生するキャリヤガスとして使用されることを特徴とする、請求項2に記載の方法。
  5. 境界層の厚さが、2から10ナノメータであることを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
  6. バリア層が、過剰な酸素の存在下で有機ケイ素化合物の低圧プラズマ堆積により得られることを特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
  7. 有機ケイ素化合物が、有機シロキサンであることを特徴とする、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
  8. バリア層の厚さが、8から20ナノメータであることを特徴とする、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
  9. 2つのステップの移行時に、処理ゾーンで反応性流体がプラズマ状態に留まるように、ステップが連続して行われることを特徴とする、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
  10. 水素を含む無定形炭素の保護層でバリア層を被覆する第三のステップを含むことを特徴とする、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
  11. 保護層の厚さが、10ナノメータ未満であることを特徴とする、請求項10に記載の方法。
  12. 炭化水素化合物の低圧プラズマ堆積により保護層を得ることを特徴とする、請求項10に記載の方法。
  13. 基体が、ポリマー材料からなることを特徴とする、請求項1から12のいずれか一項に記載の方法。
  14. ポリマー材料の容器の内面にバリアコーティングを堆積するために使用されることを特徴とする、請求項13に記載の方法。
  15. 低圧プラズマにより基体に堆積されるバリアコーティングであって、式SiOxの酸化ケイ素から主に構成されるバリア層を含み、コーティングが、基体とバリア層との間に境界層を含み、前記境界層が主に、ケイ素、炭素、酸素、窒素、および水素から構成されることを特徴とする、コーティング。
  16. 境界層が、少なくとも有機ケイ素化合物と窒素化合物とを含む混合物をプラズマ状態にすることによって得られることを特徴とする、請求項15に記載のコーティング。
  17. 窒素化合物が気体窒素であることを特徴とする、請求項15または16に記載のコーティング。
  18. 境界層の厚さが、2から10ナノメータであることを特徴とする、請求項15から17のいずれか一項に記載のコーティング。
  19. バリア層が、過剰な酸素の存在下で有機ケイ素化合物の低圧プラズマ堆積により得られることを特徴とする、請求項15から18のいずれか一項に記載のコーティング。
  20. 有機ケイ素化合物が、有機シロキサンであることを特徴とする、請求項15から19のいずれか一項に記載のコーティング。
  21. バリア層の厚さが、8から20ナノメータであることを特徴とする、請求項15から20のいずれか一項に記載のコーティング。
  22. バリア層が、水素を含む無定形炭素の保護層で被覆されることを特徴とする、請求項15から21のいずれか一項に記載のコーティング。
  23. 保護層の厚さが10ナノメータ未満であることを特徴とする、請求項22に記載のコーティング。
  24. 保護層が、炭化水素化合物の低圧プラズマ堆積により得られることを特徴とする、請求項22に記載のコーティング。
  25. ポリマー材料の基体に堆積されることを特徴とする、請求項15から24のいずれか一項に記載のコーティング。
  26. 請求項15から25のいずれか一項に記載のバリアコーティングにより少なくとも片面で被覆されることを特徴とする、ポリマー材料の容器。
  27. バリアコーティングにより内面で被覆されることを特徴とする、請求項26に記載の容器。
  28. ポリエチレンテレフタラート製のボトルであることを特徴とする、請求項26または27に記載の容器。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008025029A (ja) * 2006-07-17 2008-02-07 Sidel Participations 容器の内表面にコーティングを蒸着するための装置
JP2017131849A (ja) * 2016-01-29 2017-08-03 国立大学法人広島大学 気体分離フィルタの製造方法

Families Citing this family (209)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10231345A1 (de) 2002-03-18 2003-10-16 Tetra Laval Holdings & Finance Vorrichtung zur Herstellung von Kunstoffbehältern mittels Streckblasformen und Vorrichtung zum Beschichten der Innenwände eines Kunstoffbehälters
DE10224547B4 (de) * 2002-05-24 2020-06-25 Khs Corpoplast Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken
US7351480B2 (en) * 2002-06-11 2008-04-01 Southwest Research Institute Tubular structures with coated interior surfaces
DE10258678B4 (de) * 2002-12-13 2004-12-30 Schott Ag Schnelles Verfahren zur Herstellung von Multilayer-Barriereschichten
EP1602748B1 (en) * 2003-03-12 2014-07-09 Toyo Seikan Group Holdings, Ltd. Microwave plasma processing device
US20050202263A1 (en) * 2004-03-09 2005-09-15 Jonathan Sargent Barrier layer to prevent the loss of additives in an underlying layer
WO2006133730A1 (en) * 2005-06-16 2006-12-21 Innovative Systems & Technologies Method for producing coated polymer
DE102007031416B4 (de) * 2006-07-03 2013-01-17 Sentech Instruments Gmbh Substrat aus einem polymeren Werkstoff und mit einer wasser- und sauerstoff- undurchlässigen Barrierebeschichtung sowie dazugehöriges Herstellungsverfahren
US7878054B2 (en) * 2007-02-28 2011-02-01 The Boeing Company Barrier coatings for polymeric substrates
US20090004458A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Memc Electronic Materials, Inc. Diffusion Control in Heavily Doped Substrates
FR2918301B1 (fr) * 2007-07-06 2011-06-24 Sidel Participations Revetement barriere depose par plasma comprenant au moins trois couches, procede d'obtention d'un tel revetement et recipient revetu d'un tel revetement
EP2179842B1 (en) * 2007-08-14 2016-11-09 Toyo Seikan Kaisha, Ltd. Biodegradable resin container having deposited film, and method for formation of deposited film
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
KR20130098606A (ko) * 2012-02-28 2013-09-05 씨제이제일제당 (주) 향상된 산소차단성을 갖는 식품용기 및 그의 제조방법
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
CA2953887C (en) * 2014-08-01 2023-10-03 The Coca-Cola Company Lightweight base for carbonated beverage packaging
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
FR3032975B1 (fr) * 2015-02-23 2017-03-10 Sidel Participations Procede de traitement par plasma de recipients, comprenant une phase d'imagerie thermique
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
CN111593319B (zh) 2019-02-20 2023-05-30 Asm Ip私人控股有限公司 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
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US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
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US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
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US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
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US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
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CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
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TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
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CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
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TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
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US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
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US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN115572400B (zh) * 2022-10-10 2023-11-07 兰州空间技术物理研究所 一种高致密复合型原子氧防护薄膜的制备方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3413019A1 (de) * 1984-04-06 1985-10-17 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zum aufbringen einer duennen, transparenten schicht auf der oberflaeche optischer elemente
CN1074006C (zh) * 1995-10-13 2001-10-31 陶氏化学公司 涂覆的塑料基材
TW434301B (en) * 1996-01-30 2001-05-16 Becton Dickinson Co Non-ideal barrier coating composition comprising organic and inorganic materials
FR2776540B1 (fr) * 1998-03-27 2000-06-02 Sidel Sa Recipient en matiere a effet barriere et procede et appareil pour sa fabrication
US20030215652A1 (en) * 2001-06-04 2003-11-20 O'connor Paul J. Transmission barrier layer for polymers and containers

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008025029A (ja) * 2006-07-17 2008-02-07 Sidel Participations 容器の内表面にコーティングを蒸着するための装置
JP4612020B2 (ja) * 2006-07-17 2011-01-12 シデル・パーティシペーションズ 容器の内表面にコーティングを蒸着するための装置
JP2017131849A (ja) * 2016-01-29 2017-08-03 国立大学法人広島大学 気体分離フィルタの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1446124A (zh) 2003-10-01
AU2001277608A1 (en) 2002-02-13
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