CN102046856B - 用于沉积反应器的方法和装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种方法和装置，其中沿着至少一条馈入线(141，142)将前体蒸气引导进入沉积反应器的反应室(110)，并且通过在反应室内建立前体蒸气的垂直流并且使得该垂直流以垂直方向进入垂直放置的衬底(170)之间，从而在反应室中的垂直放置的批量的衬底的表面上沉积材料。

Description

用于沉积反应器的方法和装置
技术领域
本发明一般地涉及一种用于沉积反应器的装置和方法。更具体地，但是非排他地，本发明涉及一种用于这样的沉积反应器的装置和方法，其中通过顺序的自饱和表面反应将材料沉积在表面上。
背景技术
原子层外延(ALE)方法是由Dr.TuomoSuntola于1970年代早期发明的。该方法的另一种普遍的名称是原子层沉积(ALD)并且在当今被用来代替ALE。ALD是基于将至少两种活性的前体组分顺序引入位于加热的反应空间内的衬底的一种特别的化学沉积方法。ALD的生长机制依赖于化学的吸附(化学吸附)和物理的吸附(物理吸附)之间的键合强度差。ALD在沉积过程中利用了化学吸附而消除了物理吸附。在化学吸附中，在固相表面的原子和来自气相的分子之间形成强的化学键合。通过物理吸附的键合弱很多，因为仅仅发生了范德瓦耳斯力。而物理吸附键合在局部温度高于分子的冷凝温度时会由于热能而被轻易地打破。
在定义上，ALD反应器的反应空间包括所有可以交替地并且顺序地暴露给用于沉积薄膜的ALD前体中的每一个的加热的表面。一个基本的ALD沉积循环包括四个顺序步骤：脉冲A；净化A；脉冲B以及净化B。脉冲A通常包括金属前体蒸气并且脉冲B包括非金属前体蒸气，通常为氮前体蒸气或者氧前体蒸气。惰性气体，例如氮气或是氩气，以及真空泵被用来在净化A和净化B期间从反应空间中净化气态反应副产品以及残留的反应物分子。一个沉积顺序包括至少一个沉积循环。沉积循环一直被重复直到沉积顺序已经产生出了希望厚度的薄膜。
通过化学吸附，前体组分形成到加热表面的反应位点的化学键合。通常以这种方式来布置环境，即在一个前体脉冲期间不多于一个分子单层膜的固体材料形成在表面上。因此生长工艺是自终止或饱和的。例如，第一前体可以包括配体，所述配体保持附着在所吸附的组分上并且使得表面饱和，这就防止了进一步的化学吸附。反应空间温度保持高于冷凝温度并且低于所利用的前体的热分解温度，使得前体分子组分基本无损伤地化学吸附在衬底上。基本无损伤意味着当前体分子组分化学吸附在表面上时挥发的配体可能脱离前体分子。表面变得基本上处于对于第一种类型的反应位点，即吸附的第一前体分子的组分为饱和的状态。这种化学吸附步骤通常跟随有第一净化步骤(净化A)，其中从反应空间中去除过量的第一前体以及可能的反应副产品。接着将第二前体蒸气引入反应空间中。第二前体分子通常与吸附的第一前体分子的组分发生反应，因此形成所希望的薄膜材料。这种生长一旦在所吸附的第一前体的全部总量被消耗完并且表面基本上处于对于第二种类型的反应位点的饱和状态时就终止。接着通过第二净化步骤(净化B)将过量的第二前体蒸气和可能的反应副产品蒸气进行去除。接着重复该循环直到薄膜已经生长到了希望的厚度。沉积循环也可以更为复杂。例如，循环可以包括三个或者更多个通过净化步骤而分隔开的反应物蒸气脉冲。所有这些沉积循环形成了通过逻辑单元或者微处理器控制的定时的沉积顺序。
通过ALD生长的薄膜致密、没有针孔并且具有均匀的厚度。例如，从三甲基铝(CH3)3Al(也称为TMA)以及250℃-300℃的水生长的氧化铝通常具有在100mm-200mm的晶片上的大约1％的不均匀性。通过ALD生长的金属氧化物薄膜适于栅极电介质、电致发光显示器绝缘体、电容器电介质以及钝化层。通过ALD生长的金属氮化物薄膜适合用于例如在双大马士革结构中的扩散势垒。
在作为参考合并于此的J.Appl.Phys.，97(2005)，p.121301的R.Puurunen的评论文章“Surfacechemistryofatomiclayerdeposition：Acasestudyforthetrimethylaluminium/waterprocess”中公开了在各种ALD反应器中适于ALD工艺的前体。
在典型的反应器中，ALD沉积循环被应用于单片晶片或衬底。尽管这种单晶片处理可能满足研发目的，但是其不符合可负担的大量生产的要求，例如产品处理量或是平均业务处理时间。
发明内容
本发明的目的在于提供一种适于在批量反应器中的批量晶片或是衬底的表面上生长材料的装置和方法。
根据本发明的第一方面，提供一种方法，包括：沿着至少一条馈入线将前体蒸气引导进入沉积反应器的反应室；以及
通过在反应室中建立前体蒸气的垂直流并且使得该垂直流以垂直方向进入垂直放置的衬底之间，在反应室中的垂直放置的批量的衬底的表面上沉积材料。
本发明的各种实施方式提供了装置内的新颖的气体流的几何形状以及鲁棒的衬底处理系统。
在特定的实施方式中，所述垂直流的方向从顶到底。在一个实施方式中，所述垂直放置的衬底在衬底支架中形成具有均匀的水平间隔的垂直放置的衬底的水平堆叠。
在特定实施方式中，所述批量的垂直放置的衬底包括一组平行放置进入可移动的衬底支架内的晶片，并且其中所述晶片组包括至少两个晶片。在特定的实施方式中，衬底或是晶片的数目远远大于二，例如，约为五、十、二十、二十五或是更多，在某些实施方式中在8-25的范围内，在一些其他的实施方式中则更多。所述衬底可以是半导体晶片，例如硅晶片，例如3-12”晶片。在特定的实施方式中，衬底可以是陶瓷片或是板，例如批量的压电独石。在特定的实施方式中，衬底可以包括具有各种几何形状的金属件，例如金属球。
在特定的实施方式中，所述衬底支架被附接在可移动的反应室盖上。在特定的实施方式中，前体蒸气经由反应室盖而被馈入反应室。
在特定的实施方式中，前体蒸气经由反应室盖被引导进入膨胀体积内，并且以垂直方向通过分配板从膨胀体积内进入包含了所述衬底的反应室的部分。
在特定的实施方式中，反应室的尺寸针对垂直放置的批量的衬底的尺寸或是运载所述衬底的衬底支架的尺寸而进行特别地优化。这样可以获得前体消耗的节约。在特定的实施方式中，反应室的尺寸可以被调节，例如，通过配件部分或是通过替换反应室主体。
根据本发明的第二方面，提供一种装置，包括：
至少一条馈入线，配置用于将前体蒸气馈入沉积反应器的反应室；并且
所述反应室被配置用于通过在反应室中建立前体蒸气的垂直流并且使得该垂直流以垂直方向进入垂直放置的衬底之间，从而将材料沉积在在反应室中的所述垂直放置的批量的衬底的表面上。
在特定的实施方式中，所述装置包括固定的反应室主体以及适于容纳用于多个衬底的衬底支架的可移动的反应室盖。
在特定的实施方式中，从反应器的顶侧可以达到所述的批量。
所述方法和装置意在通过低于大气压的顺序自饱和表面反应来在加热的表面上生长材料或是薄膜。所述装置可以是ALD(原子层沉积)或是ALE(原子层外延)装置等。所希望的薄膜厚度通常为从一个单层或分子层直到1000nm或更多的区域内。
稍后在本发明的详细描述以及所附的权利要求中对本发明的各种示例性的实施方式进行示例说明。参考本发明的所选择的方面对实施方式进行了示例说明。本领域的技术人员可以理解的是本发明的任何实施方式可以与同样方面中的其他实施方式进行合并。此外，任何实施方式可以应用于其他方面，单独地或是与其他实施方式进行结合地。
附图说明
现在仅仅以示例的方式参考附图对本发明进行描述，其中：
图1示出了根据一个实施方式的具有馈入线和排出线的沉积反应器的反应室的横截面视图；
图2示出了图1的沉积反应器的反应室的另一个横截面视图；
图3示出了可选的实施方式；
图4示出了图1装置的装配图；
图5示出了根据另一个实施方式的反应室的装配图；
图6示出了图5的反应室的前视图；
图7示出了沿着图6中的线A-A的横截面视图；
图8示出了根据一个实施方式的处于打开位置的沉积反应器的透视图；
图9示出了处于打开位置的图8的沉积反应器的横截面视图；
图10示出了处于打开位置的图8的沉积反应器的另一个横截面视图；
图11示出了图8的沉积反应器的另一个横截面视图，其中反应器盖处于打开位置并且衬底支架处于其在反应器内的位置；
图12示出了图8的沉积反应器在默认位置的横截面视图；
图13示出了图8的沉积反应器在默认位置的横截面视图；
图14示出了根据一个实施方式的衬底支架附接到反应室盖的具体细节；
图15示出了图14所呈现的图的另一个视图。
具体实施方式
在下面的描述中，原子层沉积(ALD)技术被用作例子。然而其目的并不严格限于该技术而应当认识到特定的实施方式也能够应用于利用了其他相当的原子级的沉积技术的方法和装置中。
ALD生长机制的基础对于本领域的技术人员来说是已知的。ALD方法的细节在本专利申请的引言部分中已经得到了描述。这些细节在此不再赘述但是就该方面参考引言部分。
图1在横截面视图中示出了ALD装置(或反应器)的特定细节。该装置包括了由反应室主体110、反应室顶凸缘120以及反应室盖130形成的反应室。该装置进一步包括反应室馈入线141、142以及反应室排出引导150。馈入线的数目可根据实施而发生改变。
衬底支架160被降低到反应室的底部上。衬底支架160运载了批量的垂直放置的衬底或是晶片170。
在前体蒸气脉冲期间，前体蒸气从下侧经由机器加工形成的通过顶凸缘120的通道以垂直方向沿着馈入线141(如箭头101所指示的)流进反应室盖130。该流在盖130内发生90度转弯(如箭头102所指示的)并且经由水平导管以水平方向进入衬底170上方的空间。(但是该转弯并不必然是90度)。这个空间可以被称为膨胀体积180。在膨胀体积180的下方，所述装置包括分配部分(或是板)190，其例如可以是网筛或是带孔的板并且可以被附接到盖130上。该流在膨胀体积180中进行另一次转弯并且以垂直的顶到底方向经过分配部分进入反应室的反应空间内(如箭头103所指示的)。在反应空间中，前体蒸气以垂直方向进入垂直放置的衬底170之间。在衬底170之间的居间空间中，前体流与衬底表面上的反应位点发生反应。在一个实施方式中，前体流沿着基本上平行的衬底表面以垂直方向从反应室的顶侧朝着排出引导150前进到反应室的底侧。在接下来的净化步骤中将反应副产品以及剩余的气态前体分子从反应室中净化出去(如箭头104所指示的)。
在一个实施方式中，馈入线141被用来馈送第一前体的前体蒸气以及惰性载体和净化气体，并且馈入线142被用来馈送第二前体的前体蒸气以及惰性载体和净化气体进入反应室。
在一个备选的实施方式中，前体蒸气通过机器加工形成的通过盖130的通道(未在图1中示出)以水平方向从一侧流进反应室盖130中。在该实施方式中，顶凸缘并不需要具有所提到的垂直通道。在另一个备选的实施方式中，前体蒸气再次从底侧以垂直方向流进反应室盖130中，但是完全地通过顶凸缘120。在该实施方式中，顶凸缘120的水平直径可以例如小于盖130的水平直径从而允许通过。
图2示出了图1的装置的另一个横截面视图。在该视图中横截面是通过一个较之于图1旋转了90度的虚拟平面而获取的。如果图1的横截面代表了前视图那么图2的横截面可以代表左视图。
在衬底支架160中的衬底(或是晶片)170的放置从图2中可以更好地可视化。衬底170被以垂直位置放置，使得每一个衬底170的表面在垂直平面中。衬底170可以在衬底支架160中彼此呈直线地放置，并且当在所述直线中时，这些衬底彼此平行。衬底170由衬底支架160支撑。
在衬底170之间的间隔较小从而提高反应空间的效率。然而，该间隔足够大以允许前体流正确地进入到衬底170之间。在特定的实施方式中，基本上均匀的间隔通常从1mm-10mm的范围内选择，在一个实施方式中从2mm-5mm的范围内选择。在图1和图2所示的例子中，批量衬底的数目为16。
反应室的尺寸可以针对垂直放置的批量的衬底的尺寸或是针对运载所述衬底的衬底支架的尺寸而进行特别地优化。通过这种方式可以实现前体消耗的节约。
在特定的实施方式中，反应室的尺寸可以例如通过将空间限制配件部分插入反应室或是用不同尺寸的反应室或是反应室主体110来进行替换而得到调整。
图3示出了另一个实施方式中的图1的装置的另一个横截面视图。在该实施方式中，反应室为包括具有少量衬底170的薄的衬底支架160的薄的反应室。在该实施方式中的衬底的数目为二。例如通过利用更薄的反应室来替换图2所示的较大(或是正常尺寸的)反应室，可以获得图3所示的薄的反应器。
在图2和图3所示的两个装置中，选择运载着衬底170的衬底支架160的尺寸使得具有衬底170的衬底支架160基本上填充了反应室的底部分。通过这种方式，改善了前体的消耗效率。
图4示出了图1的装置的装配图。通过利用外部提升设备(图4中未示出)抓住提升部分或是挂钩465并且移动进入希望的方向，从而将衬底支架160从反应室升起或是降低进入反应室。可移动的反应室盖130可以抵靠着反应室顶凸缘120进行按压并且由耐受性或是接近式密封进行密封。耐受性密封指的是这样一种结构，其中两个基本上相似的表面(例如平滑平坦表面或是例如通过玻璃砂喷射而变得粗糙的平坦表面)彼此紧密接触从而防止在所述表面之间有气体流动。
衬底支架160材料通常包括不锈钢、镍、钛、碳化硅(例如，通过化学气相渗透由石墨制成的SiC)或是石英。在一个实施方式中，衬底支架160被涂敷有非晶薄膜(例如100nm-200nm的Al2O3)从而在将衬底支架投入使用之前保护支架表面免遭腐蚀性源化学物质的腐蚀。
图5示出了根据另一个实施方式的反应室的装配图。在该实施方式中，有三条馈入线141-143连接到基本上矩形的反应室顶凸缘120。所述反应室可以借助于可移动的提升臂515而从反应器被提升起来用于维修或是替换的目的。通过利用外部提升设备568抓住提升部分或是挂钩465而将衬底支架160从反应室提升起来或是降低进入反应室。
图6示出了处于默认(或是闭合)位置的图5的反应室的前视图。通过耐受性或是接近式密封将可移动的反应室盖130抵靠着反应室顶凸缘120而密封。
图7示出了沿着图6所示的线A-A的反应室的横截面视图。在前体蒸气脉冲期间，前体蒸气沿着馈入线143(如箭头701所指示的)以垂直方向流动。该流进行90度转弯并且以水平方向从一侧进入反应室顶凸缘120。(然而，该转弯并不必然是90度)。前体蒸气流沿着顶凸缘120内的水平导管继续前进并且进入膨胀体积180。在该膨胀体积180之下，所述装置包括例如是网筛或是带孔的板的分配部分(或板)190。在该实施方式中，所述分配部分190通过限位销785附接到反应室盖130。该流在膨胀体积180中进行另一次转弯并且以垂直的从顶到底的方向通过分配部分190进入反应室的反应空间(如箭头103所指示的)。在反应空间中，前体蒸气以垂直方向进入到由衬底支架160运载的垂直放置的衬底170之间(虽然在图7中没有示出衬底170)。从此处开始，过程类似于结合图1所描述的。
图8示出了根据一个实施方式的处于打开位置的沉积反应器的特定细节的透视图。所述反应器包括由圆形配件，例如螺纹栓接有凸缘的ISO全螺纹接头，或是CF配件或其类似形成的真空室805。所述配件的宽度足够大以根据实施方式容纳用于100mm-300mm的晶片的批量和加热器的反应室。
真空室盖831与反应室盖130为一体的从而形成盖系统。运载了衬底170的批量的衬底支架160被附接到盖系统，所述衬底170按水平直线彼此相继地垂直放置。通过降低具有衬底170的衬底支架160所附接的盖系统，反应室可以以垂直方向从顶部加载。这可以例如通过适当的加载布置来实现。装置封盖895具有开口，盖系统通过所述开口进行装配。
图9示出了处于打开位置的图8的沉积反应器的横截面视图。衬底支架160通过其顶部附接部分或是挂钩465附接到盖系统的配对物。分配部分190通过限位销785附接到盖系统。
图10示出了处于打开位置的图8的沉积反应器的透视横截面视图。反应室馈入线141、142同样在图10中可见。
图11示出了图8的沉积反应器的另一个横截面透视图，其中反应器盖处于打开位置并且衬底支架处于其在反应室内的位置。
图12示出了处于默认位置的图8的沉积反应器的横截面透视图。
图13示出了处于默认操作位置的图8的沉积反应器的另一个横截面视图。在该例子中，在批量中的衬底的数目为25。在前体蒸气脉冲期间，前体蒸气从底侧经由机器加工形成的通过顶凸缘120的通道沿着馈入线141(如箭头101所指示的)以垂直方向流进反应室盖130。该流在盖130中发生90度转弯(如箭头102所指示的)并且通过水平导管以水平方向进入衬底170上方的膨胀体积180。(然而该转弯并不一定是90度)。在膨胀体积180之下，该装置包括例如可以是网筛或是带孔的板并且附接到盖130的分配部分(或板)190。该流在膨胀体积180中发生另一次转弯并且通过分配部分以垂直的顶到底的方向进入反应室的反应空间中(如箭头103所指示的)。在反应空间中，前体蒸气以垂直方向进入到以垂直位置放置在衬底支架中的衬底170之间。在衬底170之间的居间空间，前体流与衬底表面上的反应位点发生反应。前体流以垂直方向沿着衬底表面向着排出引导150前进。反应副产品和剩余的前体分子在接下来的净化步骤中被从反应室中净化出去(如箭头104所指示的)。
反应空间的温度可以通过一个或多个加热器元件来控制。根据一个实施方式，反应空间的加热通过一个或多个电阻器1301来实现。在一个实施方式中，一个或多个加热电阻器1301为电加热的。其可以接线到计算机控制的电源(未示出)。
图14示出了根据一个实施方式的衬底支架到反应室盖的附接的细节。所述衬底支架160通过其顶附接部分或是一个或多个挂钩465附接到盖系统中的配对物1456。分配部分190通过定位销785附接到盖系统。
图15示出了图14的绘图的另一个视图。可见的是分配部分190和分别用于馈入线141-143的反应室盖130中的孔1521-1523，通过所述馈入线，前体或是惰性净化气体流进反应室盖130。在反应室盖130中的孔的数目以及相关的馈入线的数目通常从2到4或者更大的数目发生变化，适于从与所述馈入线处于计算机控制的流体连通的2到更多个源系统接收源化学蒸气。
下面给出了在批量衬底上沉积薄膜的例子(参考在前面描述过的图1-图15)。
首先将反应室加压到房间气压。通过提升机制(未示出)将反应室盖130提升到暴露了反应室内部空间的较高位置。所述提升机制通过气动提升机来进行操作。在另一个实施方式中，可以将步进电机用于提升机制。加载有一定数量的衬底的衬底支架160通过提升部分465降低到反应室主体110内。通过提升机制将反应室盖130降低到较低的位置以密封反应室。同时通过在这个反应室盖130与真空室盖831附接在一起的双盖系统中的可移动的真空室盖831将围绕的真空室805相对于室内空气而密封起来。反应室接着通过真空源被泵浦为真空。惰性净化空气包括通过馈入线141-143流进反应室顶凸缘120内的导管并且进一步进入反应空间内的氮气或是氩气。通过真空源进行泵浦以及通过惰性气体进行净化的结合将反应空间的气压优选地稳定在接近1hPa-5hPa绝对值。衬底支架160的温度稳定在沉积温度。在这个例子中，针对通过ALD从三甲基铝TMA蒸气以及水H2O蒸气生长氧化铝Al2O3的沉积温度为+300℃。TMA源(未示出)与第一馈入线141处于计算机控制下的流体连通。H2O源(未示出)与第二馈入线142处于计算机控制下的流体连通。第三馈入线143用于第三化学源。在这个例子中，馈入线仅仅用于惰性净化气体。当到达了所编程的沉积温度时，通过自动控制系统来激活沉积顺序。在脉冲A期间，TMA蒸气通过自动脉冲阀(未示出)被引入第一馈入线141中并且通过包含了氮气(在其他实施方式中氩气同样适合)的惰性运载气体被推入反应空间，其中TMA分子化学吸附在反应空间内的所有加热的表面上。根据衬底批量的尺寸，衬底表面通常在0.05-1秒后对于TMA分子或是由TMA分子产生的缺少配体的组分为饱和的。之后，TMA源通过第一自动脉冲阀与第一馈入线141隔离并且系统启动净化A期间。不活跃的净化气体接着流经馈入线141-143将残留气态的TMA分子和表面反应副产品从反应室推到排出引导150并且进一步向着真空源(未示出)。根据衬底批量的尺寸，净化A期间一般持续约1-10秒。接着，在脉冲B期间，H2O蒸汽通过自动脉冲阀(未示出)被引入第二馈入线142并且由包括氮气或是氩气的惰性运载气体推送进入反应空间，在反应空间中，H2O分子化学吸附到反应空间内的所有加热的表面上。根据衬底批量的尺寸，衬底表面通常在0.05-2秒后变得对于OH配体饱和。接着，在净化B期间的开始，H2O源通过第二自动脉冲阀而与第二馈入线142隔离。惰性气体接着通过馈入线141-143而流进反应室将残留气态H2O分子和表面反应产品从反应室推向排出引导150并且进一步朝向真空源(未示出)。这四个步骤(脉冲A，净化A，脉冲B，以及净化B)在衬底表面上生成了的新的OH-终止的Al2O3薄膜。自动脉冲顺序重复这四个步骤500次，产生具有在25片100mm的硅晶片上极佳的1％的不均匀性的50nm的Al2O3薄膜的生长。在完成了脉冲源化学物质和净化反应室的顺序之后，反应室被加压到房间气压，并且盖(真空室盖831以及反应室盖130)被提升到较高的位置暴露出容纳了衬底批量的反应室的内部空间。具有多个衬底(未示出)的衬底支架160由提升部分465从反应室主体110卸载并且被放置到单独的冷却台(未示出)。
已经呈现了各种实施方式。应当理解的是在本文件中，用语包括、包含、具有的每一个都用作开放式结尾的表述，而不会意在排他。
上面的描述通过本发明的特定实施和实施方式的非限制性例子提供了对于发明人实现本发明所构思的最佳模式的全面而具有信息量的描述。然而对于本领域的技术人员来说，本发明并不限于上面所提出的实施方式的细节，而是可以利用相当的手段在其他的实施方式中进行实施而不会偏离本发明的特征。
进一步，本发明上面所公开的实施方式的一些特征可以用来实现优势而无需相应地使用其他的特征。这样，上面的描述应当被仅仅认为是对本发明的原则的描述，并且不应当是其限制。因此，本发明的范围仅仅由所附的专利权利要求来限制。

Claims (19)

1.一种用于沉积反应器的方法，包括：
将承载批量的竖直放置的衬底的可移动和单独的衬底支架从原子层沉积反应的反应室的顶侧加载进所述反应室中；
沿着通过在所述反应室顶部的反应室盖的至少一条馈入线，将前体蒸气从反应室的顶部引导进入所述沉积反应器的所述反应室；以及
通过在反应室内建立前体蒸气的垂直流，并且使得所述垂直流以垂直方向进入垂直放置的衬底之间，使得所述前体蒸气基本上以沿着衬底表面的每一个的同一平行的垂直方向，从反应空间的较高侧到底侧流动，从而在所述反应室中的垂直放置的批量的衬底的表面上沉积材料；
其中所述反应室盖是可移动的反应室盖。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述垂直放置的批量的衬底包括平行放置进入衬底支架内的一组晶片，并且所述一组晶片包括至少两个晶片。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述衬底支架被加载进所述反应室内，并且从所述反应室的顶侧从所述反应室中卸载。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述衬底支架被附接到可移动的反应室盖。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述前体蒸气通过所述反应室盖被引导进入膨胀体积，并且从所述膨胀体积以垂直方向通过分配部分进入包含所述衬底的所述反应室的部分。
6.根据权利要求1所述的方法，其中通过顺序自饱和表面反应在衬底表面上沉积薄膜。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述反应室的尺寸针对所述垂直放置的批量的衬底的尺寸或者承载所述衬底的衬底支架的尺寸而进行特别地优化。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述垂直流的方向为从顶到底。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括：
使用可移动的真空室盖相对于室内空气进行密封，其中所述反应室盖与所述可移动的真空室盖集成在一起。
10.根据权利要求1所述的方法，还包括：
a)使用顶部附接件将所述衬底支架附接至组合盖系统，所述组合盖系统包括所述反应室盖以及与其集成的围绕的真空室的盖；以及
b)将所述盖系统连同附接至所述盖系统的所述衬底支架降低进较低的位置，在所述较低的位置处所述真空室的盖以及所述反应室盖密封所述反应室。
11.一种用于沉积反应器的装置，包括：
可移动和单独的衬底支架，配置为承载批量的竖直放置的衬底并且从原子层沉积反应的反应室的顶侧被加载进所述反应室中；
可移动的反应室盖；以及
至少一条馈入线，配置为通过在所述反应室顶部的所述可移动反应室盖将前体蒸气从所述反应室的顶部馈入沉积反应器的反应室；以及
所述反应室，配置为通过在所述反应室内建立前体蒸气的垂直流，并且使得所述垂直流以垂直方向进入垂直放置的衬底之间，使得所述前体蒸气基本上以沿着衬底表面的每一个的同一平行的垂直方向，从反应空间的较高侧到底侧流动，从而在所述反应室中的垂直放置的批量的衬底的表面上沉积材料。
12.根据权利要求11所述的装置，其中所述垂直放置的批量的衬底包括平行放置进入所述衬底支架内的一组晶片，并且所述一组晶片包括至少两个晶片。
13.根据权利要求11所述的装置，包括：
所述反应室盖被配置为附接于所述衬底支架。
14.根据权利要求11所述的装置，其中所述装置被配置成将所述前体蒸气通过所述反应室盖引导进入膨胀体积，并且从所述膨胀体积以垂直方向通过分配部分进入包含所述衬底的所述反应室的部分。
15.根据权利要求11所述的装置，其中所述装置被配置为通过顺序自饱和表面反应在衬底表面上沉积薄膜。
16.根据权利要求11所述的装置，其中所述反应室的尺寸针对所述垂直放置的批量的衬底的尺寸或者承载所述衬底的衬底支架的尺寸而进行特别地优化。
17.根据权利要求11所述的装置，其中所述垂直流的方向为从顶到底。
18.根据权利要求11所述的装置，
其中所述装置被配置为使用可移动的真空室盖相对于室内空气进行密封，其中所述反应室盖与所述可移动的真空室盖集成在一起。
19.根据权利要求11所述的装置，其中
a)所述衬底支架被配置为使用顶部附接件附接至组合盖系统，所述组合盖系统包括所述反应室盖以及与其集成的围绕的真空室的盖；以及
b)所述盖系统被配置为连同附接至所述盖系统的所述衬底支架被降低进较低的位置，在所述较低的位置处所述真空室的盖以及所述反应室盖密封所述反应室。
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