JPS61251118A - 化学気相成長処理方法 - Google Patents
化学気相成長処理方法Info
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- JPS61251118A JPS61251118A JP9247185A JP9247185A JPS61251118A JP S61251118 A JPS61251118 A JP S61251118A JP 9247185 A JP9247185 A JP 9247185A JP 9247185 A JP9247185 A JP 9247185A JP S61251118 A JPS61251118 A JP S61251118A
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- Japan
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- wafers
- processed
- processing
- gas
- wafer
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4587—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
複数の平板状被処理体例えば半導体装置用つ工−ハなど
に化学気相成長処理を一括して施すに際し、 通気構造を有し略水平に配置されたテーブル上に被処理
体を略垂直に立てて並べ、被処理体のある領域と該テー
ブルとを通過するように反応ガスを流すことにより、 被処理体が大きくなっても均一な処理が得られるように
したものである。
に化学気相成長処理を一括して施すに際し、 通気構造を有し略水平に配置されたテーブル上に被処理
体を略垂直に立てて並べ、被処理体のある領域と該テー
ブルとを通過するように反応ガスを流すことにより、 被処理体が大きくなっても均一な処理が得られるように
したものである。
本発明は、化学気相成長処理方法に係り、特に、複数の
平板状被処理体例えば半導体装置用ウェーハなどを一括
処理する方法に関す。
平板状被処理体例えば半導体装置用ウェーハなどを一括
処理する方法に関す。
化学気相成長（ＣＶ Ｄ）処理は、半導体装置製造にお
けるウェー人プロセスにおいて、被処理体となるウェー
ハ上に半導体や絶縁物を堆積するのに多用されている。
けるウェー人プロセスにおいて、被処理体となるウェー
ハ上に半導体や絶縁物を堆積するのに多用されている。
そしてこの堆積はウェーハ面内において均一であること
が重要である。
が重要である。
一方ウェーハは、半導体装置の量産性向上の要請から大
型化する傾向にあるため、ＣＶＤ処理においては、ウェ
ーハが大型化しても上記均一性が確保出来る方法を見い
だすことが望まれている。
型化する傾向にあるため、ＣＶＤ処理においては、ウェ
ーハが大型化しても上記均一性が確保出来る方法を見い
だすことが望まれている。
第２図は複数のウェーハを一括して処理する際の従来の
代表的方法を行うＣＶＤ装置の構成を示す側断面図であ
る。
代表的方法を行うＣＶＤ装置の構成を示す側断面図であ
る。
同図において、Ａは被処理体となるウェーハ、ｌは中で
ウェーハＡにＣＶＤ処理を施す一端開口の横型反応管、
２は反応管ｌ内を気密にする蓋、３ば反応管１の一端側
に設けられ反応ガスＧを導入するガス導入口、４は反応
管１の他端側に設けられ作用済みの反応ガスＧを排出す
る排出口、５は反応管ｌ内のウェーハＡを加熱するヒー
タ、６は所定の間隔で並べて略垂直に載置された複数の
ウェーハＡを保持するホールダである。
ウェーハＡにＣＶＤ処理を施す一端開口の横型反応管、
２は反応管ｌ内を気密にする蓋、３ば反応管１の一端側
に設けられ反応ガスＧを導入するガス導入口、４は反応
管１の他端側に設けられ作用済みの反応ガスＧを排出す
る排出口、５は反応管ｌ内のウェーハＡを加熱するヒー
タ、６は所定の間隔で並べて略垂直に載置された複数の
ウェーハＡを保持するホールダである。
ＣＶＤ処理は、ホールダ６に載置して反応管１内に入れ
たウェーハＡを加熱した状態で、反応ガスＧをガス導入
口３から導入し排出口４から排出しながら行う。ホール
ダ６には通常複数のウェーハＡを載置するので、複数の
ウェーハＡが一括して処理される。
たウェーハＡを加熱した状態で、反応ガスＧをガス導入
口３から導入し排出口４から排出しながら行う。ホール
ダ６には通常複数のウェーハＡを載置するので、複数の
ウェーハＡが一括して処理される。
このＣＶＤ処理方法においては、反応ガスＧが、ウェー
ハＡの並び方向に沿って即ちウェーハＡの面に対し略直
角方向に流れる過程に、ウェーハＡ相互間に入り込みウ
ェーハＡの表面で反応し該表面に所望の物質を堆積させ
る。
ハＡの並び方向に沿って即ちウェーハＡの面に対し略直
角方向に流れる過程に、ウェーハＡ相互間に入り込みウ
ェーハＡの表面で反応し該表面に所望の物質を堆積させ
る。
しかしながら、上記方法においてはウェーハＡが大型に
なると、ウェーハＡの中央部に対する反応ガスＧの廻り
込みが不充分になり、堆積の均−性即ち処理の均一性が
失われる問題がある。
なると、ウェーハＡの中央部に対する反応ガスＧの廻り
込みが不充分になり、堆積の均−性即ち処理の均一性が
失われる問題がある。
第１図は本発明の方法を行うＣＶＤ装置実施例の構成を
示す側断面図＋８＞と部分平面図伽）である。
示す側断面図＋８＞と部分平面図伽）である。
上記問題点は、第１図に示す実施例で行われるように、
通気構造を有し略水平に配置されたテーブル１７上に複
数の平板状被処理体Ａを略垂直に立てて並べ、該被処理
体の上方から反応ガスＧを該被処理体Ａのある領域と該
テーブル１７とを通過するように流す本発明のＣＶＤ処
理方法によって解決される。
通気構造を有し略水平に配置されたテーブル１７上に複
数の平板状被処理体Ａを略垂直に立てて並べ、該被処理
体の上方から反応ガスＧを該被処理体Ａのある領域と該
テーブル１７とを通過するように流す本発明のＣＶＤ処
理方法によって解決される。
上記方法においては、反応ガスＧが被処理体であるウェ
ーハＡの表面に沿って一方向に流れるので、ウェーハＡ
が大型になってもウェーハＡの表面に対する反応ガスＧ
の供給が不充分になることがなくなり、先に述べた堆積
の均−性即ち処理の均一性を失うことが無くなる。
ーハＡの表面に沿って一方向に流れるので、ウェーハＡ
が大型になってもウェーハＡの表面に対する反応ガスＧ
の供給が不充分になることがなくなり、先に述べた堆積
の均−性即ち処理の均一性を失うことが無くなる。
一括処理するウェーハＡの数が多くなると、従来方法で
は処理管の均熱長が長くなり、本方法では処理管の径が
大きくなる問題があるが、本方法では均熱長が短くて済
むので、処理装置の実現に特別の困難は無い。
は処理管の均熱長が長くなり、本方法では処理管の径が
大きくなる問題があるが、本方法では均熱長が短くて済
むので、処理装置の実現に特別の困難は無い。
本発明の方法を実施するにはそれに適合した装置が必要
である。このことから、以下に本発明の方法を実施する
よう構成されたＣＶＤ装置の実施例を示すｊ８１図を用
いて説明する。
である。このことから、以下に本発明の方法を実施する
よう構成されたＣＶＤ装置の実施例を示すｊ８１図を用
いて説明する。
第１図（ａ） （ｂ）において、１１は中でウェーハＡ
にＣＶＤ処理を施す上端開口の縦型反応管、１２は反応
管１１内を気密にする蓋、１３は蓋１２側に設けられ反
応ガスＧを導入するガス導入口、１３ａは導入口１３か
ら導入された反応ガスＧを反応管１１内に向けて反応管
１１の断面に対し略均−に分散させよう設けられた複数
のガス分散口、１４は反応管１の下端側に設けられ作用
済みの反応ガスＧを排出する排出口、１５ａは反応管１
１内のウェーハＡを加熱するヒータ、１５ｂは反応管１
１が縦型であるためその下部の加熱を補強するヒータで
ある。
にＣＶＤ処理を施す上端開口の縦型反応管、１２は反応
管１１内を気密にする蓋、１３は蓋１２側に設けられ反
応ガスＧを導入するガス導入口、１３ａは導入口１３か
ら導入された反応ガスＧを反応管１１内に向けて反応管
１１の断面に対し略均−に分散させよう設けられた複数
のガス分散口、１４は反応管１の下端側に設けられ作用
済みの反応ガスＧを排出する排出口、１５ａは反応管１
１内のウェーハＡを加熱するヒータ、１５ｂは反応管１
１が縦型であるためその下部の加熱を補強するヒータで
ある。
１６は所定の間隔で並べて略垂直に載置された複数のウ
ェーハＡを保持するホールダ、１７は処理の際反応管１
１の中央部に略水平に配置され、ホールダ１６と共にウ
ェーハＡを載置するテーブル、１７ａはテーブル１７に
縦方向の通気性を与えるため貫通して設けられた複数・
の通気孔、１８はテーブル１７を支持する吊り棒、１９
は吊り棒１８と共にテーブル１７を回転させる回転機構
である。
ェーハＡを保持するホールダ、１７は処理の際反応管１
１の中央部に略水平に配置され、ホールダ１６と共にウ
ェーハＡを載置するテーブル、１７ａはテーブル１７に
縦方向の通気性を与えるため貫通して設けられた複数・
の通気孔、１８はテーブル１７を支持する吊り棒、１９
は吊り棒１８と共にテーブル１７を回転させる回転機構
である。
反応管１１に対するウェーハＡの出し入れは、テーブル
１７を蓋１２ごと上方に移動させて行う。
１７を蓋１２ごと上方に移動させて行う。
ＣＶＤ処理は、ホールダ１６ごとテーブル１７に載置し
て反応管１１内に入れたウェーハＡを加熱した状態でテ
ーブル１７と共に回転させ、反応ガスＧをガス導入口１
３から導入し排出口１４から排出しながら行う。
て反応管１１内に入れたウェーハＡを加熱した状態でテ
ーブル１７と共に回転させ、反応ガスＧをガス導入口１
３から導入し排出口１４から排出しながら行う。
ガス導入口１３から導入された反応ガスＧは、ガス分散
口１３ａを通って処理管１１の断面全域に分散され、テ
ーブル１７０通気性と相俟って、上方から下方に向かつ
てウェーハＡのある領域をウエーノ＼Ａの面に沿いなか
ら略均等に流れるので、ウェーハＡに対する処理は先に
述べたように均一になる。
口１３ａを通って処理管１１の断面全域に分散され、テ
ーブル１７０通気性と相俟って、上方から下方に向かつ
てウェーハＡのある領域をウエーノ＼Ａの面に沿いなか
ら略均等に流れるので、ウェーハＡに対する処理は先に
述べたように均一になる。
なお、分散口１３ａから出た反応ガスＧの分散の均一性
が良ければ、テーブル１７の回転は行わなくとも良い。
が良ければ、テーブル１７の回転は行わなくとも良い。
このＣＶＤ装置は、例えば反応管１１の内径を約５０ｃ
ｍにすることにより、テーブル１７は、第１図伽）図示
のように、６エシウエーハＡを２５枚載置したホールダ
１６を四個即ち１００枚のウェーハＡを載せることが出
来ると言った具合に、大型のウェーハＡを多数枚一括処
理することが出来、その際の反応管１１の均熱長は、ウ
ェーハＡの径寸法を確保すれば良い。
ｍにすることにより、テーブル１７は、第１図伽）図示
のように、６エシウエーハＡを２５枚載置したホールダ
１６を四個即ち１００枚のウェーハＡを載せることが出
来ると言った具合に、大型のウェーハＡを多数枚一括処
理することが出来、その際の反応管１１の均熱長は、ウ
ェーハＡの径寸法を確保すれば良い。
以上に述べた実施例では被処理体Ａを半導体などのウェ
ーハにしであるが、本方法によれば被処理体が大型にな
っても処理の均一性が失われないので、被処理体Ａはウ
ェーハ以外のものにも適用可能である。
ーハにしであるが、本方法によれば被処理体が大型にな
っても処理の均一性が失われないので、被処理体Ａはウ
ェーハ以外のものにも適用可能である。
以上説明したように、本発明の構成によれば、化学気相
成長処理に際する複数の平板状被処理体の一括処理にお
いて、被処理体が大型化しても処理の均一性が失われな
い方法が提供されて、例えば半導体装置製造におけるウ
ェーハの大型化に対する対応を可能にさせる効果がある
。
成長処理に際する複数の平板状被処理体の一括処理にお
いて、被処理体が大型化しても処理の均一性が失われな
い方法が提供されて、例えば半導体装置製造におけるウ
ェーハの大型化に対する対応を可能にさせる効果がある
。
第１図は本発明の方法を行うＣＶＤ装置実施例の構成を
示す側断面図（ａ）と部分平面図（ｂ）、第２図は従来
の代表的方法を行うＣＶＤ装置の構成を示す側断面図、
である。 ２．１２は蓋、 ３．１３はガス導入口、 １３ａはガス分散口、 ４．１４はガス排出口、 ５．１５ａ 、 １５ｂはヒータ、 ６．１６はホールダ、 Ｉ７はテーブル、 １７ａは通気口、 １８は吊り棒、 １９は回転機構、 Ａはウェーハ（被処理体）、 Ｇは反応ガス、である。 堕迎ネＪツシ夫Ｅオテラ＊ｌｆｎ／＋臣（匝午作ｑ目第
２国
示す側断面図（ａ）と部分平面図（ｂ）、第２図は従来
の代表的方法を行うＣＶＤ装置の構成を示す側断面図、
である。 ２．１２は蓋、 ３．１３はガス導入口、 １３ａはガス分散口、 ４．１４はガス排出口、 ５．１５ａ 、 １５ｂはヒータ、 ６．１６はホールダ、 Ｉ７はテーブル、 １７ａは通気口、 １８は吊り棒、 １９は回転機構、 Ａはウェーハ（被処理体）、 Ｇは反応ガス、である。 堕迎ネＪツシ夫Ｅオテラ＊ｌｆｎ／＋臣（匝午作ｑ目第
２国
Claims (1)
- 通気構造を有し略水平に配置されたテーブル（１７）
上に複数の平板状被処理体（Ａ）を略垂直に立てて並べ
、該被処理体（Ａ）の上方から反応ガス（Ｇ）を該被処
理体（Ａ）のある領域と該テーブル（１７）とを通過す
るように流すことを特徴とする化学気相成長処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9247185A JPS61251118A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 化学気相成長処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9247185A JPS61251118A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 化学気相成長処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61251118A true JPS61251118A (ja) | 1986-11-08 |
Family
ID=14055243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9247185A Pending JPS61251118A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 化学気相成長処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61251118A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7011711B2 (en) * | 2003-01-07 | 2006-03-14 | Yury Georgievich Shreter | Chemical vapor deposition reactor |
| US20090297710A1 (en) * | 2008-05-27 | 2009-12-03 | Picosun Oy | Methods and apparatus for deposition reactors |
| JP2011530003A (ja) * | 2008-08-01 | 2011-12-15 | ピコサン オーワイ | 原子層堆積装置および装填方法 |
-
1985
- 1985-04-30 JP JP9247185A patent/JPS61251118A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7011711B2 (en) * | 2003-01-07 | 2006-03-14 | Yury Georgievich Shreter | Chemical vapor deposition reactor |
| US20090297710A1 (en) * | 2008-05-27 | 2009-12-03 | Picosun Oy | Methods and apparatus for deposition reactors |
| KR20110031431A (ko) * | 2008-05-27 | 2011-03-28 | 피코순 오와이 | 증착 반응기를 위한 방법 및 장치 |
| JP2011523444A (ja) * | 2008-05-27 | 2011-08-11 | ピコサン オーワイ | 堆積反応炉のための方法および装置 |
| US10041169B2 (en) * | 2008-05-27 | 2018-08-07 | Picosun Oy | System and method for loading a substrate holder carrying a batch of vertically placed substrates into an atomic layer deposition reactor |
| US20180305813A1 (en) * | 2008-05-27 | 2018-10-25 | Picosun Oy | Methods and Apparatus for Deposition Reactors |
| JP2011530003A (ja) * | 2008-08-01 | 2011-12-15 | ピコサン オーワイ | 原子層堆積装置および装填方法 |
| US10011904B2 (en) | 2008-08-01 | 2018-07-03 | Picosun Oy | Atomic layer deposition apparatus and loading methods |
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