JP3079231U - 薄膜を成長させる装置 - Google Patents

薄膜を成長させる装置

Info

Publication number
JP3079231U
JP3079231U JP2000009189U JP2000009189U JP3079231U JP 3079231 U JP3079231 U JP 3079231U JP 2000009189 U JP2000009189 U JP 2000009189U JP 2000009189 U JP2000009189 U JP 2000009189U JP 3079231 U JP3079231 U JP 3079231U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
thin film
reaction
reactant
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2000009189U
Other languages
English (en)
Inventor
キルピ ヴェイノ
Original Assignee
エイエスエム マイクロケミストリ オーワイ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エイエスエム マイクロケミストリ オーワイ filed Critical エイエスエム マイクロケミストリ オーワイ
Application granted granted Critical
Publication of JP3079231U publication Critical patent/JP3079231U/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45546—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus specially adapted for a substrate stack in the ALD reactor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S206/00—Special receptacle or package
    • Y10S206/832—Semiconductor wafer boat

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板（４）を交互に繰り返される気相反応物
の表面反応にさらすことにより、基板（４）の表面上に
薄膜を成長させる装置を提供すること。 【解決手段】 装置は、反応スペース、前記薄膜成長プ
ロセスで使用される反応物を反応スペースに供給する反
応スペースに結合されている送込み手段、余剰反応物と
気体反応生成物を反応スペースから排出する反応スペー
スに結合されている送出し手段、反応スペースに適合さ
れた少なくとも１つの基板（４）、および薄膜が成長す
ることになり、前記薄膜成長プロセスを支持する前記基
板表面からある距離のところに配置されている前記基板
（４）の表面に対向する配置にある反応スペースに適合
された第２の表面とを備える。前記基板（４）の薄膜成
長支持表面とその表面に対向して配置されている他の表
面は、前記対向する表面に関して反応物のフローの方向
で角度（１１）開口を画定するように反応室中に構成さ
れており、それにより反応物の送込み端での前記対向す
る表面間の距離が気体送出し端よりも小さくなる。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】 本考案は、気相反応物の交互に繰り返される気相反応物の表面反応に基板をさ らすことにより、基板の表面上に薄膜を生成するための請求項１のプリアンブル に記載の装置に関する。
【０００２】 この種類の装置は、反応スペース、反応スペースに接続され、薄膜成長プロセ スで使用される反応物を反応スペースに供給するための送込み（ｉｎｆｅｅｄ） 手段、および反応スペースに接続され、反応スペースから余剰反応物と気体反応 生成物を排出するための送出し（ｏｕｔｆｅｅｄ）手段を含んでいる反応室を備 える。少なくとも１つの基板が反応スペースに適合されており、さらに、前記薄 膜が成長することになり、前記薄膜成長プロセスを支持する前記基板の表面から ある距離のところに配置されている基板の表面に対向する配置内で、第２の表面 が適合されており、それにより反応物は、対向する表面に関して、その間に形成 されたスペース内に流されるようになる。
【０００３】 従来、薄膜は、真空蒸着を用いて成長させていた。その方法には、分子ビーム エピタキシ（ＭＢＥ）および他の類似の真空蒸着、化学蒸着（ＣＶＤ）方法の異 なる変形形態（低圧および有機金属化合物ＣＶＤとプラズマ強化ＣＶＤ）、また は原子層エピタキシ方法、すなわちＡＬＥあるいはＡＬＣＶＤと呼ばれる交互に 反復する表面反応の沈着方法などがある。他のプロセス変数の他に、ＭＢＥおよ びＣＶＤ方法の薄膜成長速度は、出発材料の流入濃度によって決定される。この 方法により沈着する均一な層の厚さを達成するために、出発材料の濃度と反応性 は、基板の異なる表面領域で注意深く一定に保たれなければならない。たとえば 、ＣＶＤ方法の場合のように、基板の表面に達する前に異なる出発材料が互いに 混合する場合には、相互反応が発生する機会が発生する。次いで、既に気体反応 物の送込みチャネル内にある微粒子が形成される危険性が起こり得る可能性があ る。そのような微粒子は、一般に沈着した薄膜の品質に対し劣化させる影響を有 する。したがって、たとえばＭＢＥおよびＣＶＤ反応で未熟な反応が起きる可能 性は、出発材料を基板表面においてよりも前に過熱しないことによって避けられ るのである。加熱の他に、たとえばプラズマ排出または他の類似の活動化手段を 用いて、所望の反応を開始することができる。
【０００４】 ＭＢＥおよびＣＶＤ方法では、薄膜の成長は、主に基板に影響を与える出発材 料の送込み速度を制御することにより調節される。対照的に、ＡＬＥプロセスの 成長速度は、出発材料の濃度またはフロー変数ではなく、基板表面の質によって 制御される。ＡＬＥプロセスの唯一の必要条件は、基板表面で膜を形成するため に出発材料が十分な濃度で利用可能であることである。ＡＬＥ方法は、たとえば 、ＦＩ特許公報５２，３５９および５７，９７５、およびＵ．Ｓ．特許公報４， ０５８，４３０および４，３８９，９７３に記載されている。さらに、この方法 を実行するのに適した設備構成は、特許公報ＵＳ５，８５５，６８０およびＦＩ １００，４０９に記載されている。薄膜を成長させる装置についても、Ｍａｔｅ ｒｉａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｒｅｐｏｒｔ ４（７）（１９８９）、ｐ．２６１ およびＴｙｈｊｉｏｔｅｋｎｉｉｋｋａ（Ｆｉｎｎｉｓｈ ｐｕｂｌｉｃａｔｉ ｏｎ ｆｏｒ ｖａｃｕｕｍ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ）、ＩＳＢＮ９５１−７９ ４−４２２−５、ｐｐ．２５３−２６１に記載されている。
【０００５】 ＦＩ Ｐａｔ．Ｎｏ．５７，９７５に記載されているＡＬＥ成長方法では、反 応原子または分子は、完全に飽和した分子層が基板上に形成されるまで、基板上 を掃き、したがって表面に当たるように構成されている。次に、余剰反応物と気 体反応生成物は、基板上を通過する不活性ガスのパルスの助けにより、または代 替として、異なる反応物の次の気体パルスが認められる前に、反応スペースを真 空に送り込むことにより基板から除去される。異なる気体反応物のパルスおよび 不活性ガスのパルスを分離すること、または真空への送込みのサイクルによって 形成される拡散障壁が連続することにより、これら全構成要素の個々の表面化学 反応によって薄膜成長が制御されることとなる。必要であれば、真空ポンピング サイクルの効果は、不活性ガスの流れにより増大させることができる。このプロ セスの機能に対しては、気体反応物または基板が運動状態にあり続けるかどうか は重要でない。互いに分離した連続する反応の異なる反応物を維持し、基板上を 連続して流れるようにすることのみが重要である。
【０００６】 大半の真空蒸着機は、いわゆる「シングルショット」原理に基づいて動作する 。これにより、蒸発した原子または分子は、基板に１回だけ当たることができる 。基板の表面に何も反応が起こらない場合は、原子／分子は跳ね返るか再蒸発し て、装置の壁または装置内で凝縮が起きている真空ポンプに衝突するようになる 。熱い壁の反応装置内では、プロセスの室壁または基板と衝突する原子または分 子は再蒸発し、したがって再び基板に当たる。ＡＬＥプロセス室に適用した場合 は、この「マルチショット」原理は、材料消費について改良した効率性を含む多 くの利点を提供することができる。
【０００７】 「マルチショット」原理に基づくＡＬＥ反応動作は、一般にカセットユニット を使用するように設計されており、複数の基板を同時にプロセス室に取り込むこ とができる。または代替として、圧力容器で形成されているプロセススペースに 基板を取り付けずに配置することができ、それによりプロセススペースは反応室 としても使用でき、気相反応物は、薄膜構造が成長するために基板表面と反応す る。カセットユニットがいくつかの基板を保持するように設計されている場合は 、反応室はカセットユニットの内部に形成される。カセットユニットを使用する ことにより、単一基板サイクルに関して基板あたりの成長時間が短縮し、それに よりより高い生産処理量が達成される。さらに、プロセス室から着脱できるよう に構成されているカセットユニットは、製造の流れを中断せずに取り外して清浄 することができるが、これは１つのカセットユニットをプロセス室で使用し、同 時に別のものを清浄できるからである。
【０００８】 他の薄膜成長技術に関してＡＬＥ方法の生産ペースが比較的おそいため、従来 のＡＬＥ薄膜プロセスでは、バッチ処理が好ましい。さらに、薄膜構造の基板あ たりの全成長時間は、バッチ処理でさらに拮抗的なレベルまで低減することがで きる。同じ理由により、より大きいサイズの基板が好ましい。
【０００９】 ＡＬＥ技術のある実施形態では、カセットユニットの枠組みは、たとえば上部 が開いており下部が閉じている構造を有する、チタニウムで作られたホルダ箱に よって形成されており、それによってホルダ箱は、その中に挿入されている複数 の基板を縦方向に平行な位置に支持することができる。基板は、フレーム内に取 り付けられた端または外辺部を有し、フレームはさらに、基板のホルダ箱の反対 端にある溝に配置されている。各基板のフレームは、基板の背面が互いに対面す る状態で、その中に取り付けられている２つの基板を有する。ここでは基板の背 面は、薄膜が成長していない基板の面を指す。単一フレーム内に取り付けられた 基板の背面の間に残っているスペースに反応物がアクセスすることは、保護連続 シールセクションで基板の縦方向の上部と下部の端を覆うことにより防ぐことが できる。反応物および不活性ガスは、ホルダ箱の上に配置されたスプレーヘッド マニホルドの平行送込みチャネルにある送込み孔を介してホルダ箱に送られる。 スプレーヘッド構造は、必要に応じて明白に変更することが可能である。余分の 反応物および反応気体は、ホルダ箱の下部に接続された吸込み箱の排出チャネル を介してホルダ箱から除去される。この方式では、気体は、薄膜が成長すること になる基板の面の間に残っているスペースを強制的に流れることになる。
【００１０】 気体反応物を、１つの端からのみホルダ箱に供給することにより、反応物の送 込みにより近く位置する基板表面領域で、より強力な薄膜成長が生じる可能性が ある。この効果を補償するために、気体は、代替として対向する方向から基板上 に供給することができる。それぞれ、送出しチャネルを介する排気吸込みが、代 替として対向する端で行われるように構成されなければならない。代替の送込み サイクルのために、送込み／排出ノズルをホルダ箱の上端及び下端の両方に配置 しなければならないが、これにより構造は著しく複雑になる。
【００１１】 本考案の目的は、当業者に対し、改良した反応物の流れ条件を特徴とするＡＬ Ｅ反応室の完全に新規なタイプを提供することである。それにより基板表面上で 、なめらかな薄膜成長が達成される。
【００１２】 本考案の目標は、Ａ型に傾斜した配置で縦方向に並んでいるカセットユニット の基板ホルダ箱内に基板を配置し、背面が互いに対面するようにし、したがって 薄膜成長を支持することを意図し、表面間で気体が流れるように構成されている 対向する表面間の距離が気体送出し端よりも気体送込み端で狭くなるようにする ことにより達成される。すなわち、薄膜に沈着している対向する表面のＡ型に傾 斜する配置は、反応物ガスの流れる方向に開いており、それにより気体の流れる チャネルの断面積は前記の方向で大きくなり、結果として流れる速度は、基板ホ ルダ箱の送出し端に向かって減少する。さらに、考案の好ましい実施形態は、基 板の縦方向の軸に少なくとも実質的に垂直な方向に開くように適合されたスプレ ーヘッドマニホルドの平行反応物送込みチャネルを有する。これにより、基板ホ ルダ箱内に配置された基板の数は、送込みチャネル間の距離を変えずに変更する ことができる。
【００１３】 さらに詳細には、本考案による装置は、請求項１の特徴付ける部分で述べてい ることにより特徴付けられる。 本考案は、本質的な利点を提供する。
【００１４】 Ａ型に傾斜した配置にある基板の配置が、反応物および反応気体の流れる方向 で開いていることにより、基板表面上の薄膜成長が、コンスタントに基板を互い に変位させることにより得られる薄膜や、代替としてガスフローが閉じている頂 点に向かうようにＡ型の対向する配置へと薄膜成長を支持することを意図した基 板表面を配置することにより得られる薄膜よりも均一となる。
【００１５】 したがって、反応物および不活性ガスを送り込むスプレーヘッドがカセットユ ニットの上部に配置されている場合は、背面が互いに対向している基板の対は、 単一基板フレーム内に配置され、文字Ａを反転した形を形成するようになる。次 いで基板フレームがホルダ箱内に配置されると、基板ホルダ箱の端に作られたＶ 型に位置合わせされた溝内で、上方の壁に自分自身の重みでしっかりと適合する 。したがって、正確に基板を配置することにより、あらゆる気体フローが基板の 背面に逃げていくことを防ぐことができる。
【００１６】 反応物が内部混合することを避けるために、異なる反応物の送込みチャネルを 、可能な限り互いに遠く離しておくことが必要である。従来の構成では、反応物 および不活性ガスの送込みチャネルは、基板の縦軸の方向で、カセットユニット の内部へと開くように構成されており、それにより、処理すべき基板のバッチ内 のあらゆる変化は、薄膜が成長することになる基板表面間のすべてのスペースに 流れ込む気体フローを提供するために、送込みチャネルの距離または数が変化す ることを必要とした。本考案の実施形態では、スプレーヘッドの送り込みチャネ ルは、基板の縦軸に対し直角に配置されており、これにより、カセットユニット に配置されている基板の数は、送込みチャネル間の距離またはその数を変えずに 変更することができる。
【００１７】 以下に、添付の図に示した例示的実施形態を参照して、本考案についてさらに 詳細に説明する。 本考案の文脈では、用語「反応物」は、基板表面と反応可能な気体、または蒸 発可能な液体あるいは固体の出発材料を指す。従来ＡＬＥ方法では、２つの別々 のグループから選択した反応物を使用する。用語「金属反応物」は、元素金属で あることもある金属化合物について用いられる。適切な金属反応物は、たとえば 、塩化物および臭化物を含む金属のハロゲン化物、および錯化合物などの有機金 属化合物である。金属反応物の例は、Ｚｎ、ＺｎＣｌ2、Ｃａ（ｔｈｄ）2、（Ｃ Ｈ3）3Ａｌ、およびＣｐ2Ｍｇと表すことができる。用語「非金属反応物」は、 金属化合物と反応可能な化合物および要素に対し使用する。後者のグループは、 水、硫黄、硫化水素、およびアンモニアにより適切に表される。
【００１８】 本考案の文脈では、用語「保護気体」は、反応スペースに入れることができ、 反応物および同様に基板に関連付けられた好ましくない反応を防ぐことができる 気体を指すときに使用される。そのような反応は、たとえば反応物および基板が 可能性のある不純物と反応することを含む。また保護気体は、たとえば送込み配 管内で起こる異なる反応物グループ物質間の反応を防ぐために役立つ。本考案の 方法によれば、保護気体は、反応物の気相パルスの搬送気体として使用すること も有利である。好ましい実施形態によれば、異なる反応物グループの反応物が、 別々の送込みマニホルドを介して反応スペースに入れられており、気相反応物パ ルスは１つの送込みチャネルから入れられている。一方保護気体は他の送込みチ ャネルから入れられており、したがって、入れられた反応物が、他の反応物グル ープの反応物送込みチャネルに入ることを防いでいる。適当な保護気体の例は、 窒素およびアルゴンなどの希ガスのような不活性ガスである。保護気体は、好ま しくない反応（たとえば酸化反応）が基板表面上で生じるのを防ぐために選択さ れた水素気体など、本来反応性の気体とすることも可能である。
【００１９】 本考案によれば、用語「反応室」は、基板が配置されている反応スペースと、 気相反応物が、直接反応スペースと連絡する気体送込み／送出しチャネルの他に 、薄膜が成長するために基板と反応することが可能な反応スペースの両方を含む 。後者では、前記チャネルは、反応物を反応スペースに入れるため（送込みチャ ネル）、または薄膜成長プロセスの気体反応生成物および余剰反応物を反応スペ ースから除去するため（送出しチャネル）に役立つ。この種類の反応室に配置さ れている基板は、薄膜生成に使用される少なくとも２つの異なる反応物の交互に 繰り返される表面反応の影響を受ける。気相反応物は繰り返しおよび交互に入れ られ、各反応物はそれぞれの源から反応室に別々に供給されており、そこで基板 上に固体状態の薄膜生成物を形成する目的で、基板表面と反応することが可能と なる。基板に付着しなかった反応生成物とあらゆる可能性のある余剰反応物は、 気相状態で反応室から除去される。
【００２０】 本明細書では、用語「基板表面」は、反応室に流れ込む気相反応物が衝突する 基板の表面を示すために使用される。実際には、前記表面は、薄膜成長プロセス の第１のサイクル中、たとえばガラスまたは他の出発物質表面などの基板の表面 によって構成される。第２のサイクル中表面は、第１のサイクル中に形成され、 反応物間の反応により沈着し、基板に付着している固体状態の反応生成物を備え る層によって構成される。
【００２１】 用語「プロセス室」は、薄膜成長プロセスが行われ、完全に封止可能な方式で 環境から隔離されているスペースを指すときに使用される。反応室はプロセス室 に配置されており、さらに、単一プロセス室は、複数の反応室を組み込むことが できる。
【００２２】 図１および２に示すように、反応室は、反応スペースとして作用するカセット ユニット１、および反応物と保護気体の送込みチャネルを含み、反応室の上部に 取付け可能なスプレーヘッド２を備える。有利には、カセットユニット１はチタ ニウムから生成され、両内端で溝３のような締め付け手段を組み込んでいる。基 板４間では、その両端に支持フレーム要素５が適合されている。各支持フレーム 要素５上に、背面が互いに対している２つの基板４が取り付けられている。本明 細書では、基板の背面という用語は、薄膜が成長することのない基板４の面を指 す。対向する基板４の背面は、互いに接するようにすることも、ギャップにより 互いに離れるようにすることも可能であり、または代替として温度等化スペース 板あるいは反応性加熱スペース板をその間に挿入することができる。同じ支持フ レーム要素５に配置された基板４の上縁および下縁は、対向する基板４の背面間 で残っているスペースに気体が流れ込むことを防ぐための連続封止セクション６ によって覆われている。背面が支持フレーム要素５で互いに対向するように取り 付けられている基板４は、次にカセットユニット１に生成された溝３に配置され る。
【００２３】 スプレーヘッド２、基板４を有するカセットユニット１、支持フレーム要素５ 、および連続封止セクション６によって形成される統一品は、それ自体プロセス 室の外部で移動することができる。カセットユニット１は、有利には、気体送出 しチャネル７を組み込んでいる永久固定吸込み箱８上のプロセス室に取り付けら れている。これにより、カセットユニット１、スプレーヘッド２、および吸込み 箱８は、ＡＬＥ装置の反応室を形成する。反応物および不活性ガスは、スプレー ヘッド２の平行マニホルドチャネルを介して反応室に送られる。またスプレーヘ ッド２の他の構成も使用することができる。気体フローは、吸込み箱８に向かっ て、薄膜が沈着されている対向する基板表面によって形成される流れのチャネル に沿って進む。最後に気体フローは、吸込み箱８の送出しチャネル７を介して反 応室を出る。気体フローを増大するために、じょうご形の気体フロー誘導装置１ ２をカセットユニット１と吸込み箱８の間に取り付け、フローチャネル横断面積 が吸込み箱８に向かって次第に減少するように形作ることができる。
【００２４】 吸込み箱８およびカセットユニット１の熱膨張運動は、同じ運動をプロセス室 上でたとえばその縁により支持する場合に、熱応力を吸込み箱８に課す可能性が ある。熱膨張変位の振幅は、最高で数ミリメートル程度である。そのような変位 により、たとえば自動ロード中またはアンロード中に、プロセス室にカセットユ ニット１を配置することに問題が生じる。したがって、吸込み箱８は、プロセス 室の壁上で支持し、支持構成の中心点が、吸込み箱８の下部の中心点と少なくと も本質的に一致するようにすることが有利である。それにより吸込み箱８は、支 持点から外に向かってより自由に膨張し、カセットユニット１の位置はより安定 となる。
【００２５】 プロセス室内外に移動することができるカセットユニット１に対して生成され た気体送込みおよび送出しチャネル、およびスプレーヘッド２は、プロセス室の 対応するチャネルおよび吸込み箱８に接続されており、たとえば正確に位置合わ せされ磨かれたフランジ表面を用いて、プロセス室に永久的に取り付けられてい る。スプレーへッド２は、カセットユニット１が吸込み箱８から離れている間、 浮遊粒子から基板表面４を保護する覆いを基板４上に形成する。またスプレーヘ ッド２は、熱い基板４間のスペース内で加熱された気体が上昇し、したがって混 入した有害粒子状物質が一緒にキャリーオーバーすることを防ぐ。
【００２６】 図３の横断面図に示すように、基板４は、その端により、基板ホルダ箱の端に 生成された溝に配置されている支持フレーム要素上に取り付けられている。各支 持フレーム要素は、基板の背面が互いに対面している２つの基板４をその内部に 有する。同じ支持フレーム要素に配置されている基板４の上縁および下縁は、同 じ支持フレーム要素で適合された基板４間に残っているスペースに、気体が流れ 込むことを防ぐ連続封止セクション６によって覆われている。縦軸に対し少なく とも実質的に垂直方向な基板４の上に、スプレーヘッド２の適合した平行送込み チャネル９があり、それにより、反応物および不活性ガスは、送込みチャネルの 排出開口１０から、隣接する支持フレーム要素内で互いに対向して配置されてい る基板４の薄膜成長支持表面間に形成されるフローチャネルに直接導入すること ができる。または代替として、まず基板４の上端を覆っている連続封止セクショ ン６に当てることもでき、それにより連続封止セクション６でフローパターンを 均一化することになる。
【００２７】 基板４をＡ型に傾斜する配置に置き、したがって送込みチャネル９から導入し た気体フローの横断面積が、吸込み箱８および気体送出しチャネル７に向かって 下方に広がるが、これは薄膜成長を支持することを意図している対向基板表面間 の距離が、フローチャネルの送出し端よりも反応物送込み端でより狭いからであ る。有利には、対向基板４の薄膜成長支持表面間で範囲が定まる角度１１は、０ 〜１０°の範囲にあり、高さが低い基板に対してはさらに大きくなる。高さが約 ５００ｍｍである処理基板４に対し、気体送込み端での対向薄膜成長支持表面間 のギャップは、通常約４〜８ｍｍであり、気体送出し端では、通常約５〜２０ｍ ｍである。
【００２８】 ＡＬＥ方法では、反応物の原子または分子は、基板４上を掃き、その上に完全 に飽和した分子層が形成されるまで、薄膜の成長を支持するように意図した基板 表面に当たるようにすることが可能である。次に、基板４から余剰反応物および 気体反応生成物質を、その上を通過する不活性ガスパルスの助けにより、または 異なる反応物の次の気体パルスを導入する前に真空ポンプを用いることにより除 去する。異なる反応物のパルスは、不活性ガスパルスまたは真空ポンピングサイ クルによりその間に形成される拡散隔膜と共に、異なる材料の表面化学特性によ り制御される速度で所望の薄膜成長を達成する。必要であれば、真空ポンピング サイクルの効果は、不活性ガスパルスを導入することにより増大することができ る。プロセスの機能にとっては気体または基板４が移動するかどうかは重要でな く、互いに分離し、連続方式で基板４の薄膜成長支持表面上を掃くように構成さ れている連続反応ステップの異なる反応物を有することが本質的である。
【００２９】 ＡＬＥ方法による薄膜成長プロセスは、本来均一なガスフローまたは反応物出 発材料の濃度などのファクタには感受性がないが、基板４の表面のあらゆる点で 、一様な薄膜成長を支持する十分な出発材料濃度を任意の時間に提供することは 必要不可欠である。反応物が基板４の薄膜成長支持表面間を流れ、基板４のこれ らの表面と反応するとき、気体フローの反応物の相対濃度は減少し、同時に反応 時に放出される反応気体の濃度は増大する。したがって基板をＡ型に傾斜した配 置に置き、それにより反応物および反応気体の進行方向でフローチャネル横断面 積が、カセットユニット１の送出し端に向かってより狭くなっていき、反応物の 量は減少しても、より高い可能性で基板４の表面に当たることを保証しているこ とは、当業者には明らかであろう。しかし、本考案の実施形態では、基板４のＡ 型の傾斜配置を反転することが好ましいが、それは、この配置は、基板４上の表 面プロファイルのなめらかさを改良することが判明したからである。この予期し ない成果に対する正確な背景はまだ知られていないが、その理由を追跡すると、 遅延気体フロー速度により可能となったより長い反応時間、または薄膜成長を支 持する基板表面上での反応構成要素のいくつかの未知の反応である可能性がある 。
【００３０】 基板４の対向薄膜成長支持表面間の距離が、気体送出し端でより狭いために、 対向基板４は、反応室に導入される気体フローを制限し、それによりフローは異 なる点でより均等に基板４の薄膜成長支持表面間のスペースへと分割される。
【００３１】 上記の他に、本考案は代替の実施形態を有することができる。 吸込み箱８は、プロセス室から取り出すことができる統一品の一部を形成する ように設計することもできる。それにより、カセットユニット１に接続されるこ とになる送込みおよび送出しチャネルは、プロセス室のそれぞれのチャネルと直 接結合するように適合される。本考案の大半の有利な実施態様は、上部から下部 に流れるように構成された反応物および不活性ガスを有するが、フローの方向を 反転して、下部から上部へとすることも可能である。次いで、送込みチャネル９ を有するスプレーヘッド２をカセットユニットの下部に配置し、送出しチャネル ７を有する吸込み箱８はカセットユニットの上部に配置しなければならない。明 らかに、基板４のＡ型に傾斜した配置も反転しなければならない。対向基板４は 、たとえば、水平方向の基板間または水平方向から所定の角度傾斜した基板間で 気体が流れるように配置することができる。明らかにこのためには、基板４の薄 膜成長支持表面をＡ型に傾斜した配置にし、気体フローの方向で開口角度を形成 するようにする必要がある。
【００３２】 スプレーヘッド２は、別々の送込みチャネル９のマニホルドからなる代わりに 、基板４の薄膜成長支持表面間に形成されたスペースに気体を供給するために生 成された開口または排出オリフィスを有する単一気体ボリュームを備えるように 設計することができる。
【００３３】 ある場合には、スプレーヘッド２に最も近い対向基板４の縁は、たとえば湾曲 した輪郭を有することが可能であり、それによりスプレーヘッド２は、異なるレ ベルに配置された平行送込みチャネル９を有し、基板４の縁の湾曲した輪郭とよ りよく整合するように設計することができる。
【００３４】 本考案による実施態様は、上記のバッチプロセスと異なる他のプロセス構成に 対しても適応可能である。明らかに本考案は、単一基板上で薄膜を成長すること にも適している。本明細書では、本考案によるＡ型に傾斜した配置は、たとえば 基板を他の表面と対面する配置に置き、基板の薄膜成長支持表面が気体フローの 方向で、他の表面と開口角度を形成することにより達成することができる。たと えば壁または板は、他の表面として役立てることができる。ＡＬＥプロセスは、 移動する基板と同様に移動する反応物ともうまく動作するので、本考案は、反応 室の基板の運動が、反応物のガスフローと置き換わる構成にも適用することがで きる。また本明細書では、基板の対向薄膜成長支持表面間に形成されたスペース に強制的に反応物を移動する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案による装置で使用される反応室の分解図
である。
【図２】図１に示す反応室の基板ホルダ箱のさらに詳細
な図である。
【図３】平行フレームに配置された基板の横断面配置概
略図である。
【符号の説明】
１ 反応スペース（カセットユニット） ２ 送込み手段（スプレーヘッド） ３ 溝 ４ 基板 ５ 支持フレーム要素 ６ 連続封止セクション ７ 送出しチャネル ８ 送出し手段（吸込み箱） ９ 送込みチャネル １０ 排出開口 １１ 対向する基板の薄膜成長支持面間の範囲を規定す
る角度 １２ じょうご形気体フロー誘導装置
【手続補正書】
【提出日】平成１３年３月２２日（２００１．３．２
２）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正内容】

Claims (16)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板（４）を交互に繰り返される気相反
    応物の表面反応にさらすことにより、基板（４）の表面
    上に薄膜を成長させる装置であって、 反応スペース（１）、前記反応スペース（１）に接続さ
    れ、前記薄膜成長プロセスで使用される前記反応物を前
    記反応スペース（１）に供給するための送込み手段
    （２）、および前記反応スペース（１）に接続され、前
    記反応スペース（１）から余剰反応物および気体反応生
    成物を排出するための送出し手段（８）を含む反応室、 前記反応スペース（１）に適合された少なくとも１つの
    基板（４）、および前記薄膜が成長することになり、前
    記薄膜成長プロセスを支持する前記基板表面からある距
    離のところに配置されている前記基板（４）の表面に対
    向する配置内で、前記反応スペース（１）に適合された
    第２の表面であって、それにより前記反応物が、前記対
    向する表面に関して、その間に形成されたスペース内に
    流される第２の表面を備え、 前記基板（４）の前記薄膜成長支持表面およびそれに対
    向して配置されている表面が、前記対向する表面に関し
    て反応物のフローの方向で角度（１１）開口を画定する
    ように前記反応室中に構成されており、それにより反応
    物の送込み端での前記対向する表面間の距離が気体送出
    し端よりも狭いことを特徴とする装置。
  2. 【請求項２】 前記反応物が、前記基板（４）の前記薄
    膜成長支持表面とそれに対向する前記第２の表面との間
    に形成されたスペース内で、前記反応室中を流れるよう
    に構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の
    装置。
  3. 【請求項３】 前記基板（４）の前記薄膜成長支持表面
    とそれに対向する前記第２の表面が、前記反応室の内部
    スペース内で移動するように構成されていることを特徴
    とする、請求項１または２に記載の装置。
  4. 【請求項４】 前記第２の表面が、基板（４）の薄膜成
    長支持表面であることを特徴とする、請求項１に記載の
    装置。
  5. 【請求項５】 前記反応スペースが、前記反応物の前記
    送込み手段（２）が接続されている送込み端と、気体反
    応生成物および余剰反応物を排出する前記送出し手段
    （８）が接続されている送出し端の両方で開いているカ
    セットユニット（１）、および互いにある距離のところ
    に対向して配置されている薄膜成長支持表面を有するよ
    うに前記カセットユニット（１）に適合された基板
    （４）であって、それにより前記反応物が、前記対向す
    る表面上を、その間に形成されたスペース内に流される
    基板（４）を備えることを特徴とする、請求項１、２ま
    たは４に記載の装置。
  6. 【請求項６】 前記基板（４）の前記薄膜成長支持表面
    と、それに対向する前記第２の表面との間で境界が定ま
    る角度（１１）が、ガスフローの相対方向で、０〜１０
    °の範囲にあることを特徴とする、前記請求項のいずれ
    か一項に記載の装置。
  7. 【請求項７】 前記反応物送込み手段（２）が、前記基
    板（４）の縦軸または横軸に対し少なくとも実質的に垂
    直な方向に出て行くように適合された平行送込みチャネ
    ル（９）のマニホルドからなることを特徴とする、請求
    項１または５に記載の装置。
  8. 【請求項８】 前記反応物送込み手段（２）が、前記反
    応物送込み手段（２）に対向して配置されている前記基
    板（４）の端の表面の形状に整合するように適合されて
    いることを特徴とする、請求項１、５または７に記載の
    装置。
  9. 【請求項９】 気体送込み端が前記カセットユニット
    （１）の上端に接続され、気体送出し端が前記カセット
    ユニット（１）の下端に接続され、それによりガスフロ
    ーが強制的に前記カセットユニット（１）の上から下に
    流れることを特徴とする、請求項５に記載の装置。
  10. 【請求項１０】 対向する配置で適合された背面を有す
    る前記基板（４）の上端が、連続封止セクション（６）
    で覆われていることを特徴とする、請求項１または５に
    記載の装置。
  11. 【請求項１１】 対向する配置で適合された背面を有す
    る前記基板（４）の下端が、連続封止セクション（６）
    で覆われていることを特徴とする、請求項１、５または
    １０に記載の装置。
  12. 【請求項１２】 前記気体送出し手段が、気体送出しチ
    ャネル（７）が接続されている吸込み箱（８）を備える
    ことを特徴とする、請求項１または５に記載の装置。
  13. 【請求項１３】 前記プロセス室の構造に対する前記反
    応室の支持点が、前記気体送出し手段（８）の中心点と
    少なくとも実質的に一致するように適合されていること
    を特徴とする、請求項１、５または１２に記載の装置。
  14. 【請求項１４】 前記気体送出し端と前記ガス送出し手
    段（８）の間で、じょうご形のフロー誘導ダクト（１
    ２）が適合されており、それにより、気体フローチャネ
    ルの横断面積が、前記気体送出し端に沿って、前記気体
    送出し端から前記ガス送出し手段（８）に向かって次第
    に減少することを特徴とする、請求項５、１２または１
    ３に記載の装置。
  15. 【請求項１５】 対向する配置に置かれている前記基板
    （４）の前記薄膜成長支持表面が、前記反応物のフロー
    を制限するように構成されていることを特徴とする、前
    記請求項のいずれか一項に記載の装置。
  16. 【請求項１６】 前記反応物が、前記反応物のフロープ
    ロファイルを均一化するために、前記対向基板（４）の
    前記上端を覆う連続封止セクション（６）上の前記送込
    み手段（２）から出るように構成されていることを特徴
    とする、前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
JP2000009189U 1999-12-28 2000-12-27 薄膜を成長させる装置 Expired - Lifetime JP3079231U (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI19992797 1999-12-28
FI992797A FI118474B (fi) 1999-12-28 1999-12-28 Laite ohutkalvojen valmistamiseksi

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP3079231U true JP3079231U (ja) 2001-08-10

Family

ID=8555821

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000009189U Expired - Lifetime JP3079231U (ja) 1999-12-28 2000-12-27 薄膜を成長させる装置

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6551406B2 (ja)
JP (1) JP3079231U (ja)
KR (1) KR200224419Y1 (ja)
CA (1) CA2329568A1 (ja)
FI (1) FI118474B (ja)
TW (1) TW524876B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210106367A (ko) 2020-02-20 2021-08-30 구로사와 겐세츠 가부시키가이샤 나사봉이 형성된 압착 그립 및 그것을 구비한 긴장재

Families Citing this family (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6671223B2 (en) * 1996-12-20 2003-12-30 Westerngeco, L.L.C. Control devices for controlling the position of a marine seismic streamer
FI118474B (fi) * 1999-12-28 2007-11-30 Asm Int Laite ohutkalvojen valmistamiseksi
US6765178B2 (en) 2000-12-29 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6825447B2 (en) 2000-12-29 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection
US6878206B2 (en) * 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6660126B2 (en) 2001-03-02 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
WO2002093605A2 (en) * 2001-05-17 2002-11-21 Tokyo Electron Limited Cylinder-based plasma processing system
US7037574B2 (en) 2001-05-23 2006-05-02 Veeco Instruments, Inc. Atomic layer deposition for fabricating thin films
US20030198754A1 (en) * 2001-07-16 2003-10-23 Ming Xi Aluminum oxide chamber and process
US9051641B2 (en) 2001-07-25 2015-06-09 Applied Materials, Inc. Cobalt deposition on barrier surfaces
US8110489B2 (en) 2001-07-25 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Process for forming cobalt-containing materials
US20090004850A1 (en) 2001-07-25 2009-01-01 Seshadri Ganguli Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications
JP2005504885A (ja) * 2001-07-25 2005-02-17 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 新規なスパッタ堆積方法を使用したバリア形成
US7085616B2 (en) 2001-07-27 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition apparatus
US6718126B2 (en) 2001-09-14 2004-04-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition
US7204886B2 (en) * 2002-11-14 2007-04-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for hybrid chemical processing
US7780785B2 (en) * 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US6916398B2 (en) 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US6773507B2 (en) * 2001-12-06 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for fast-cycle atomic layer deposition
US6729824B2 (en) 2001-12-14 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Dual robot processing system
AU2003238853A1 (en) 2002-01-25 2003-09-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for cyclical deposition of thin films
US6998014B2 (en) * 2002-01-26 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for plasma assisted deposition
US6866746B2 (en) * 2002-01-26 2005-03-15 Applied Materials, Inc. Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support
US6911391B2 (en) * 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
US6972267B2 (en) * 2002-03-04 2005-12-06 Applied Materials, Inc. Sequential deposition of tantalum nitride using a tantalum-containing precursor and a nitrogen-containing precursor
US7186385B2 (en) 2002-07-17 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing gas to a processing chamber
US6955211B2 (en) 2002-07-17 2005-10-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for gas temperature control in a semiconductor processing system
US7066194B2 (en) * 2002-07-19 2006-06-27 Applied Materials, Inc. Valve design and configuration for fast delivery system
US6772072B2 (en) 2002-07-22 2004-08-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring solid precursor delivery
US6915592B2 (en) 2002-07-29 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating gas to a processing chamber
US6821563B2 (en) * 2002-10-02 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for cyclical layer deposition
US20040069227A1 (en) 2002-10-09 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Processing chamber configured for uniform gas flow
US6905737B2 (en) * 2002-10-11 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Method of delivering activated species for rapid cyclical deposition
US6994319B2 (en) * 2003-01-29 2006-02-07 Applied Materials, Inc. Membrane gas valve for pulsing a gas
US6868859B2 (en) * 2003-01-29 2005-03-22 Applied Materials, Inc. Rotary gas valve for pulsing a gas
US20040177813A1 (en) 2003-03-12 2004-09-16 Applied Materials, Inc. Substrate support lift mechanism
US7342984B1 (en) 2003-04-03 2008-03-11 Zilog, Inc. Counting clock cycles over the duration of a first character and using a remainder value to determine when to sample a bit of a second character
US20050067103A1 (en) * 2003-09-26 2005-03-31 Applied Materials, Inc. Interferometer endpoint monitoring device
US20050095859A1 (en) * 2003-11-03 2005-05-05 Applied Materials, Inc. Precursor delivery system with rate control
US7071118B2 (en) * 2003-11-12 2006-07-04 Veeco Instruments, Inc. Method and apparatus for fabricating a conformal thin film on a substrate
US20050252449A1 (en) 2004-05-12 2005-11-17 Nguyen Son T Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system
US8119210B2 (en) 2004-05-21 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material
US8323754B2 (en) 2004-05-21 2012-12-04 Applied Materials, Inc. Stabilization of high-k dielectric materials
FI117728B (fi) * 2004-12-21 2007-01-31 Planar Systems Oy Monikerrosmateriaali ja menetelmä sen valmistamiseksi
US20060216548A1 (en) * 2005-03-22 2006-09-28 Ming Mao Nanolaminate thin films and method for forming the same using atomic layer deposition
US20060272577A1 (en) * 2005-06-03 2006-12-07 Ming Mao Method and apparatus for decreasing deposition time of a thin film
US20070049043A1 (en) * 2005-08-23 2007-03-01 Applied Materials, Inc. Nitrogen profile engineering in HI-K nitridation for device performance enhancement and reliability improvement
US7402534B2 (en) * 2005-08-26 2008-07-22 Applied Materials, Inc. Pretreatment processes within a batch ALD reactor
US7464917B2 (en) 2005-10-07 2008-12-16 Appiled Materials, Inc. Ampoule splash guard apparatus
US7850779B2 (en) 2005-11-04 2010-12-14 Applied Materisals, Inc. Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition
US7456429B2 (en) * 2006-03-29 2008-11-25 Eastman Kodak Company Apparatus for atomic layer deposition
US7413982B2 (en) * 2006-03-29 2008-08-19 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
US7798096B2 (en) 2006-05-05 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool
US7601648B2 (en) 2006-07-31 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Method for fabricating an integrated gate dielectric layer for field effect transistors
US9109287B2 (en) * 2006-10-19 2015-08-18 Air Products And Chemicals, Inc. Solid source container with inlet plenum
US20080099436A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-01 Michael Grimbergen Endpoint detection for photomask etching
US20080176149A1 (en) * 2006-10-30 2008-07-24 Applied Materials, Inc. Endpoint detection for photomask etching
US7775508B2 (en) 2006-10-31 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Ampoule for liquid draw and vapor draw with a continuous level sensor
US20080206987A1 (en) 2007-01-29 2008-08-28 Gelatos Avgerinos V Process for tungsten nitride deposition by a temperature controlled lid assembly
US20080213477A1 (en) * 2007-03-02 2008-09-04 Arno Zindel Inline vacuum processing apparatus and method for processing substrates therein
US7572686B2 (en) * 2007-09-26 2009-08-11 Eastman Kodak Company System for thin film deposition utilizing compensating forces
US10041169B2 (en) * 2008-05-27 2018-08-07 Picosun Oy System and method for loading a substrate holder carrying a batch of vertically placed substrates into an atomic layer deposition reactor
US8282334B2 (en) 2008-08-01 2012-10-09 Picosun Oy Atomic layer deposition apparatus and loading methods
US8146896B2 (en) 2008-10-31 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Chemical precursor ampoule for vapor deposition processes
US8778204B2 (en) 2010-10-29 2014-07-15 Applied Materials, Inc. Methods for reducing photoresist interference when monitoring a target layer in a plasma process
EP2465972B1 (en) * 2010-12-15 2017-05-03 NCD Co., Ltd. Method and system for thin film deposition
DE102011053229A1 (de) * 2011-09-02 2013-03-07 Solibro Gmbh Abscheideverfahren und Abscheidevorrichtung
US8961804B2 (en) 2011-10-25 2015-02-24 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for photomask etching
US8808559B2 (en) 2011-11-22 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for reflective multi-material layers etching
US8900469B2 (en) 2011-12-19 2014-12-02 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for anti-reflective coating layer and absorber layer etching
GB201206096D0 (en) * 2012-04-05 2012-05-16 Dyson Technology Ltd Atomic layer deposition
KR20140030977A (ko) * 2012-09-04 2014-03-12 삼성테크윈 주식회사 촉매 금속 지지 장치, 그래핀 다매 합성 장치 및 그래핀 다매 합성 방법.
US9805939B2 (en) 2012-10-12 2017-10-31 Applied Materials, Inc. Dual endpoint detection for advanced phase shift and binary photomasks
US8778574B2 (en) 2012-11-30 2014-07-15 Applied Materials, Inc. Method for etching EUV material layers utilized to form a photomask
TWI723024B (zh) 2015-06-26 2021-04-01 美商應用材料股份有限公司 用於改良的氣體分配的遞迴注入設備
US10947640B1 (en) * 2016-12-02 2021-03-16 Svagos Technik, Inc. CVD reactor chamber with resistive heating for silicon carbide deposition
KR101915207B1 (ko) 2018-06-08 2018-11-05 한화에어로스페이스 주식회사 그래핀 다매 합성을 위한 촉매 금속 지지 장치
US11502160B2 (en) * 2020-03-02 2022-11-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for forming metal-insulator-metal capacitors

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE393967B (sv) 1974-11-29 1977-05-31 Sateko Oy Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket
US4389973A (en) 1980-03-18 1983-06-28 Oy Lohja Ab Apparatus for performing growth of compound thin films
US4651673A (en) * 1982-09-02 1987-03-24 At&T Technologies, Inc. CVD apparatus
US4582720A (en) * 1982-09-20 1986-04-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and apparatus for forming non-single-crystal layer
US4522149A (en) * 1983-11-21 1985-06-11 General Instrument Corp. Reactor and susceptor for chemical vapor deposition process
US4694779A (en) 1984-10-19 1987-09-22 Tetron, Inc. Reactor apparatus for semiconductor wafer processing
US4823736A (en) * 1985-07-22 1989-04-25 Air Products And Chemicals, Inc. Barrel structure for semiconductor epitaxial reactor
US4747367A (en) * 1986-06-12 1988-05-31 Crystal Specialties, Inc. Method and apparatus for producing a constant flow, constant pressure chemical vapor deposition
US5092728A (en) 1987-10-15 1992-03-03 Epsilon Technology, Inc. Substrate loading apparatus for a CVD process
US4993360A (en) * 1988-03-28 1991-02-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Vapor growth apparatus having a diffuser section containing a flow regulating member
JPH0360027A (ja) * 1989-07-27 1991-03-15 Sumitomo Metal Ind Ltd 気相成長装置
GB2264957B (en) 1992-03-12 1995-09-20 Bell Communications Res Deflected flow in a chemical vapor deposition cell
TW293983B (ja) 1993-12-17 1996-12-21 Tokyo Electron Co Ltd
JPH07245332A (ja) 1994-03-04 1995-09-19 Hitachi Ltd 半導体製造装置および半導体装置の製造方法ならびに半導体装置
JP3239977B2 (ja) 1994-05-12 2001-12-17 株式会社日立国際電気 半導体製造装置
FI100409B (fi) * 1994-11-28 1997-11-28 Asm Int Menetelmä ja laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi
FI97730C (fi) 1994-11-28 1997-02-10 Mikrokemia Oy Laitteisto ohutkalvojen valmistamiseksi
JP3028462B2 (ja) * 1995-05-12 2000-04-04 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US5814561A (en) * 1997-02-14 1998-09-29 Jackson; Paul D. Substrate carrier having a streamlined shape and method for thin film formation
US5879459A (en) * 1997-08-29 1999-03-09 Genus, Inc. Vertically-stacked process reactor and cluster tool system for atomic layer deposition
JP3068075B2 (ja) * 1998-01-17 2000-07-24 ハンベック コーポレイション 化合物半導体製造用水平反応炉
SE9801190D0 (sv) * 1998-04-06 1998-04-06 Abb Research Ltd A method and a device for epitaxial growth of objects by Chemical Vapour Deposition
US6159287A (en) * 1999-05-07 2000-12-12 Cbl Technologies, Inc. Truncated susceptor for vapor-phase deposition
FI118343B (fi) * 1999-12-28 2007-10-15 Asm Int Laite ohutkalvojen valmistamiseksi
FI118474B (fi) * 1999-12-28 2007-11-30 Asm Int Laite ohutkalvojen valmistamiseksi
JP4211185B2 (ja) * 2000-02-29 2009-01-21 株式会社デンソー Ｃｖｄ，ａｌｅ装置用ガラス基板収納治具

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210106367A (ko) 2020-02-20 2021-08-30 구로사와 겐세츠 가부시키가이샤 나사봉이 형성된 압착 그립 및 그것을 구비한 긴장재

Also Published As

Publication number Publication date
US6551406B2 (en) 2003-04-22
US20010014371A1 (en) 2001-08-16
US20030140854A1 (en) 2003-07-31
TW524876B (en) 2003-03-21
FI118474B (fi) 2007-11-30
FI19992797A (fi) 2001-06-29
US6835416B2 (en) 2004-12-28
CA2329568A1 (en) 2001-06-28
KR200224419Y1 (ko) 2001-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3079231U (ja) 薄膜を成長させる装置
US6572705B1 (en) Method and apparatus for growing thin films
JP3078620U (ja) 薄膜を成長させるための装置
JP4291418B2 (ja) 薄膜を成長させる方法および装置
US7833352B2 (en) Apparatus for fabrication of thin films
US5711811A (en) Method and equipment for growing thin films
JP4699545B2 (ja) 気相成長装置及び気相成長方法
CN102817012A (zh) 一种薄膜沉积装置
KR100972112B1 (ko) 배치 방식 반도체 제조 장치
KR20100004760A (ko) 화학 기상 증착 장치
WO2023017212A1 (en) An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor
KR100972111B1 (ko) 배치 방식 반도체 제조 장치

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R323113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term