JP3078620U - 薄膜を成長させるための装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 基板を気相反応物質の交互に反復する表面反
応にさらすことにより、基板表面上に薄膜を成長させる
ための装置を提供すること。 【解決手段】 装置が、密封可能な構造を有する少なく
とも１つのプロセス室２と、少なくとも一部分が移動可
能な反応スペース３とを備える少なくとも１つの反応室
と、前記反応物質を前記反応スペース３に供給するため
の送込み手段１６と、余剰反応物質および反応気体を前
記反応スペース３から排出するための送出し手段１２
と、前記反応スペース３に適用されている少なくとも１
つの基板とを備える。ここで少なくとも１つの装填室１
は、前記プロセス室２と共に動作するように構成され、
前記反応スペース３またはその一部分が、前記プロセス
室２内に挿入され、および前記プロセス室２から取り出
される。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【考案の属する技術分野】

本考案は、交互に繰り返される気相反応物の表面反応に基板をさらすことによ り、基板の表面上に薄膜を生成するための請求項１のプリアンブルに記載の装置 に関する。

【０００２】

【従来の技術】

この種類の装置は、密封可能な構成を有する少なくとも１つのプロセス室と、 少なくとも一部分が移動可能な反応スペースを含む前記プロセス室の内部に適用 可能な少なくとも１つの反応室と、反応スペースに反応物質を供給するために反 応スペースに接続されている送込み手段と、余剰反応物質と反応気体とを反応ス ペースから排出するために反応スペースに接続されている送出し手段と、前記反 応スペースに適用された少なくとも１つの基板とを備える。

【０００３】 従来、薄膜は、真空蒸着を用いて成長させていた。その方法には、分子ビーム エピタキシー（ＭＢＥ）および他の類似の真空蒸着法、化学蒸着（ＣＶＤ）法の 異なる変形形態（低圧および有機金属化合物ＣＶＤとプラズマ強化ＣＶＤ）、ま たは原子層エピタキシー法、すなわちＡＬＥあるいはＡＬＣＶＤと呼ばれる交互 にくり返される表面反応の堆積法などがある。他のプロセス変数に加えて、ＭＢ ＥおよびＣＶＤ法の薄膜成長速度は、出発材料の流入濃度によって決定される。 これらの方法により堆積する層の均一な厚さを達成するために、出発材料の濃度 と反応性は、基板の異なる表面領域で注意深く一定に保たれなければならない。 たとえば、ＣＶＤ法の場合のように、基板の表面に達する前に異なる出発材料が 互いに混合することができる場合には、異なる出発材料同士の反応が発生する可 能性が生じる。次いで、既に気体反応物の送込みチャネル内にある微粒子が形成 される危険性が高くなる。そのような微粒子は、一般に堆積した薄膜の品質に対 し劣化させる影響を有する。したがって、たとえばＭＢＥおよびＣＶＤ反応で早 発な反応が起きる可能性は、出発材料を基板表面に達するよりも前に過熱しない ことによって避けることができる。加熱の他に、たとえばプラズマ放電または他 の類似の活性化手段を用いて、所望の反応を開始することができる。

【０００４】 ＭＢＥおよびＣＶＤ法では、薄膜の成長は、主に基板に衝突する出発材料の送 込み速度を制御することにより調節される。対照的に、ＡＬＥプロセスの成長速 度は、出発材料の濃度またはフロー変数ではなく、基板表面の質によって制御さ れる。ＡＬＥプロセスの唯一の必要条件は、基板表面において膜を形成するため に出発材料が十分な濃度で利用可能であることである。ＡＬＥ方法は、たとえば 、フィンランド国特許公報５２，３５９と５７，９７５、および米国特許公報４ ，０５８，４３０と４，３８９，９７３に記載されている。さらに、この方法を 実施するのに適した装置構成は、米国特許公報５，８５５，６８０とフィンラン ド国特許公報１００，４０９に記載されている。薄膜を成長させるための装置に ついても、Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｒｅｐｏｒｔ ４（７）（１９ ８９）、ｐ．２６１とＴｙｈｊｉｏｔｅｋｎｉｉｋｋａ（Ｆｉｎｎｉｓｈ ｐｕ ｂｌｉｃａｔｉｏｎ ｆｏｒ ｖａｃｕｕｍ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ）、ＩＳＢ Ｎ９５１−７０４−４２２−５、ｐｐ．２５３−２６１に記載されている。 フィンランド国特許第５７，９７５号に記載されているＡＬＥ成長方法では、 反応原子または分子を、完全に飽和した分子層が基板上に形成されるまで、基板 上を掃引させて表面に当たるように構成されている。次に、余剰反応物と気体反 応生成物とは、基板上を通過する不活性ガスのパルスの助けにより、または代替 として、異なる反応物の次の気体パルスを導入する前に、反応スペースを真空に 排気することにより基板から除去される。異なる気体反応物のパルスおよび不活 性ガスのパルスを分離すること、または真空排気サイクルによって形成される拡 散障壁が連続することにより、これら全構成要素の個々の表面化学反応によって 制御される薄膜成長が達成される。必要であれば、真空排気サイクルの効果は、 不活性ガスの流れにより増大することができる。このプロセスの機能において、 気体反応物または基板が運動状態にあり続けるかどうかは重要ではない。互いに 分離した連続する反応の異なる反応物を維持し、基板上を連続して掃引するよう にすることのみが重要である。

【０００５】 大半の真空蒸着装置は、いわゆる「シングルショット」原理に基づいて動作す る。これにより、蒸発した原子または分子は、基板に１回だけ当たることができ る。基板の表面に何も反応が起こらない場合は、原子／分子は跳ね返るか再蒸発 して、装置の壁または装置内で凝縮が起きている真空ポンプに衝突する。壁を高 温化した反応装置内では、プロセス室の壁または基板と衝突する原子または分子 は再蒸発し、したがって再び基板に当たる。ＡＬＥプロセス室を適用したときは 、この「マルチショット」原理は、改善された材料消費率を含む多くの利点を提 供することができる。

【０００６】 「マルチショット」原理に基づくＡＬＥ反応動作は、一般にカセットユニット を使用するように設計されており、複数の基板を同時にプロセス室に取り込むこ とができる。または代替として、圧力容器で形成されているプロセススペースに 基板を取り付けずに配置することができ、それによりプロセススペースは反応室 としても使用でき、気相反応物は、薄膜構造を成長させるために基板表面と反応 する。カセットユニットがいくつかの基板を保持するように設計されている場合 は、反応室はカセットユニットの内部に形成される。カセットユニットを使用す ることにより、単一基板サイクルに関して基板あたりの成長時間が短縮し、それ によりより高い生産処理量が達成される。さらに、カセット室から着脱できるよ うに構成されているカセットユニットは、製造の流れを中断せずに取り外して清 浄することができるが、これは１つのカセットユニットをプロセス室で使用し、 同時に別のものを清浄できるからである。

【０００７】 他の薄膜成長技術からするとＡＬＥ方法の生産ペースが比較的おそいため、従 来のＡＬＥ薄膜プロセスでは、バッチ処理が好まれる。さらに、薄膜構造の基板 あたりの全成長時間は、バッチ処理でさらに同等なレベルまで低減することがで きる。同じ理由により、より大きいサイズの基板が好まれる。

【０００８】 薄膜の堆積では、目標は、温度、圧力、および他のプロセスパラメータについ て制御されたプロセス条件下で、プロセス室が継続的に稼動し続けるようにする ことであり、それにより、周囲の空中の粒子状物質および他の化学的不純物は基 板に到達できないのである。さらにこの構成により、プロセス室の信頼性を損な い、時間を浪費する加熱／冷却サイクルを除くことになる。一般に、継続的に真 空下にあり、反応装置が接続されている分離した装填室が使用される。その室に 装填され、その室から取り出される基板は、プロセス室と装填室の両方を真空に することにより達成され、その後両室間のバルブを開き、装填室に適用されたロ ボットアームが処理した基板を取り除き、新しい基板をプロセス室に装填する。 続けてバルブを閉め、基板およびプロセス室が適切なプロセス条件を達成した後 、プロセスを開始することができる。次に、他の制御可能バルブを介して、処理 した基板を装填室からポンプで真空にされているエアロックに移動する。その後 バルブを閉める。続けてエアロックを加圧することができ、それにより、第３の バルブを開けて基板をシステムから周囲の空中へと取り除くことができる。処理 をする新しい基板を、同じ方法で装填室を介してプロセス室に取り込む。

【０００９】 現在このタイプの装填室を装備しているプロセス装置は、単一基板に対しての み利用可能であり、重い基板カセットユニットを備えることには適していない。 バッチおよび基板のサイズに応じて、そのようなカセットユニットは、重量が２ ００ｋｇにまで達する可能性があり、これを取扱うために設計されている装置は 、堅固な構造を有さなければならない。さらに、移動手段のベアリングおよび他 の類似の構成要素の潤滑は、それに必要な潤滑剤が成長する薄膜構造に影響を与 える可能性があるので、問題である。

【００１０】 従来のＡＬＥ堆積プロセスで使用される大きなカセットユニットは、プロセス 装置の外部で組み立てられ、その後プロセス室を開き、組み立てられた一体物と してプロセス室に移される。プロセス室でカセットユニットは、通常１〜４時間 加熱され、次に２〜４時間処理され、次いでカセットユニットのサイズに応じて 最高で１０時間冷却される。さらにカセットユニットの組立て／分解は時間のか かる操作である。他の操作に必要な作業時間に対する処理時間の比は、極めて薄 い薄膜（たとえば１から５０ｎｍの範囲）を成長させるとき、さらにより不利な ものとなり、成長時間は１分から数分となる可能性がある。このような状況下で は、実際の薄膜成長期間からすると全プロセスサイクル時間の主な部分は、反応 室構造の加熱／冷却、反応装置の加圧、反応室の組立ておよび分解、真空へのポ ンピング、およびシステムの再加熱に費やされることになる。

【００１１】

【考案が解決しようとする課題】

本考案の目的は、装填室を備え、自動的に移動可能なカセットユニットの使用 に適した、完全に新規なタイプのＡＬＥ装置を提供することである。 本考案の目標は、プロセス室から独立して加圧することができる分離装填室を プロセス室に備えることにより達成され、したがってカセットユニットのプロセ ス室への装填は、真空または低圧不活性ガス下で実行することができる。シリコ ン薄膜生成装置で使用されるこの種の装填室は、一般にプラットフォームと呼ば れる。装填室は、全処理サイクル時間を短縮する余熱／冷却ステーションで補足 することができる。任意的に、複数のプロセス室を各装填室に接続することがで きる。カセットユニットを移動するために、反応装置は、カセットユニットを正 確におよび密封してプロセス室の適切な位置に配置し、同じようにその位置から 取り除くことができる移動メカニズムを備える。

【００１２】 さらに詳細には、本考案による装置は、請求項１の特徴記載部分で述べられて いることにより特徴付けられる。 本考案は、本質的な利点を提供する。

【００１３】 装填室の助けにより、カセットユニットをプロセス室に移動し、またそこから 取り除くことができ、それゆえプロセス室は、常に安定なプロセス条件下に保た れる。したがって、加熱、加圧、および真空へのポンピングのステップは、全プ ロセス室に対してではなく、基板に対してのみ実行すればよく、プロセス室の使 用効率を大いに改良する。装填室を使用することにより、プロセス室の内部は、 直接周囲の空気に接続されること無く隔離されており、プロセス室の有害粒子数 は低減することになる。本考案の実施態様で使用される移動メカニズムは、比較 的重いカセットユニット構造を移動し、プロセス室内の所望の位置に正確に配置 することが可能である。単一の装填室は、異なる種類の薄膜構造を生成するよう に適用されている複数のプロセス室に接続することができる。それにより、途中 でカセットユニットを周囲の空気中に移動する必要なく、基板上に複数の薄膜層 を成長させることができ、起こり得る汚染の危険性、および必要な熱サイクルの 回数が低減される。

【００１４】

【課題を解決するための手段】

下記で、添付の図に示した例示的実施態様の助けにより、本考案についてより 詳細に説明する。

【００１５】 本考案の文脈では、用語「反応物」は、基板表面と反応可能な気体、または蒸 発可能な液体あるいは固体の出発材料を指す。従来ＡＬＥ法では、２つの別々の グループから選択した反応物を使用する。用語「金属反応物」は、元素金属であ ってもよい金属化合物について用いられる。好適な金属反応物は、たとえば、塩 化物および臭化物を含む金属のハロゲン化物、および錯化合物などの有機金属化 合物である。金属反応物の例は、Ｚｎ、ＺｎＣｌ₂、Ｃａ（ｔｈｄ）₂、（ＣＨ₃ ）₃Ａｌ、およびＣｐ₂Ｍｇを挙げることができる。用語「非金属反応物」は、金 属化合物と反応可能な化合物および要素に対し使用する。後者のグループは、水 、硫黄、硫化水素、およびアンモニアなどが挙げられる。

【００１６】 本考案の文脈では、用語「保護気体」は、反応スペースに入れることができ、 反応物および同様に基板に関する好ましくない反応を防ぐことができる気体を指 すときに使用される。そのような反応は、たとえば反応物および基板がありうる 不純物と反応することを含む。また保護気体は、たとえば送込み配管内で起こる 異なる反応物グループ物質間の反応を防ぐためにも役立つ。本考案の方法によれ ば、保護気体は、反応物の気相パルスの搬送気体としても有利に使用される。好 ましい実施態様によれば、異なる反応物グループの反応物が、別々の送込みマニ ホルドを介して反応スペースに入れられており、気相反応物パルスは１つの送込 みチャネルから入れられている。一方保護気体は他の送込みチャネルから入れら れており、したがって、入れられた反応物が、他の反応物グループの反応物送込 みチャネルに入ることを防いでいる。好適な保護気体の例は、窒素およびアルゴ ンなどの希ガスのような不活性ガスである。保護気体は、好ましくない反応（た とえば酸化反応）が基板表面上で生じるのを防ぐために選択された水素気体など 、本来反応性の気体とすることも可能である。

【００１７】 本考案によれば、用語「反応室」は、基板が配置されている反応スペース及び 気相反応物が薄膜を成長させるために基板と反応することが可能な反応スペース 、並びに、直接反応スペースと連絡する気体送込み／送出しチャネルの両方を含 む。ここで、前記チャネルは、反応物を反応スペースに入れるため（送込みチャ ネル）、または薄膜成長プロセスの気体反応生成物と余剰反応物を反応スペース から除去するため（送出しチャネル）に役立つ。この種類の反応室に配置されて いる基板は、薄膜生成に使用される少なくとも２つの異なる反応物の交互に繰り 返される表面反応を受ける。気相反応物は繰り返しおよび交互に入れられ、各反 応物はそれぞれの供給源から反応室に別々に供給されており、そこで基板上に固 体の薄膜生成物を形成する目的で、基板表面と反応させられる。基板に付着しな かった反応生成物と考えうる余剰反応物とは、気相状態で反応室から除去される 。

【００１８】 本明細書では、用語「基板表面」は、反応室に流れ込む気相反応物が当たる基 板の表面を示すために使用される。実際には、前記表面は、薄膜成長プロセスの 第１のサイクル中、たとえばガラスまたは他の開始表面などの基板の表面によっ て構成される。第２のサイクル中表面は、第１のサイクル中に形成され、反応物 間の反応により堆積し、基板に付着している固体の反応生成物からなる層によっ て構成される。

【００１９】 用語「プロセス室」は、薄膜成長プロセスが行われ、完全に密閉されて周囲環 境から隔離されているスペースを指すときに使用される。反応室はプロセス室に 配置されており、さらに、単一のプロセス室は、複数の反応室を組み込むことが できる。

【００２０】

【考案の実施の形態】

図１において、示されている装置の構造は装填ゲートとしても役立つ装填室１ を含む。その壁は室の内部を明らかにするために図では部分的に分割されている 。当該構造は、さらに装填室１に適用された移動手段および壁が冷却されている プロセス室２を有する。その壁の１つは、室の内部を明らかにするために図では 部分的に分割されている。基板を含み、プロセススペースとして作用するカセッ トユニット３は、装填室１をプロセス室２から分離しているドア５に取り付けら れているフォーク４の上にあることがわかる。カセットユニット３の上に、反応 物質送込みチャネルを含むスプレーヘッド１６が適用されている。プロセス室２ の内部に吸引箱１２が永続的に取り付けられており、その上にはカセットユニッ ト３およびスプレーヘッド１６を配置することができ、また反応気体と余剰反応 物質の送出し手段を備えている。カセットユニット３、スプレーヘッド１６およ び吸引箱１２は、共に反応室を形成する。

【００２１】 装填室１とプロセス室２の間のゲートバルブとしても役立つドア５は、アクチ ュエーター装置７により移動可能なように適用されている。カセットユニット３ の横移動装置６は、カセットユニット３の上に配置されており、フックによるリ フト中にカセットユニット３をつかむように適用されている。アクチュエーター 装置７およびドア５の上側横移動装置６は、共に持上げ運動を行うために偏心カ ム８を使用し、水平運動を行うためにボールスクリュー９を使用することができ る。この構成の１つの利点は、回転運動フィードスルー１０を確実に密封して実 装することができることである。移動手段６、７、８、９の電気的アクチュエー ター１１は、装填室１およびプロセス室２の外部に配置することができ、したが って電気的アクチュエーター１１が、真空下で生じる可能性があるブレークスル ーの問題に影響されることを避けることができるのである。さらにこの構成は、 アクチュエーター１１の保全をより容易にする。

【００２２】 基板が内部に配置されているカセットユニット３は、その上に配置されている スプレーヘッド１６と共に、ドア１５を介して装填室１に移動され、その後ドア １５は閉じられる。ＡＬＥプロセスの各工程は通常約０．１〜３０ｍｂａｒの圧 力で実行されるので、ドア１５を閉じた後の装填室１は、プロセスの圧力より低 い圧力まで排気しなければならない。このために、装填室１は排気用の別の真空 ポンプを備えていることが有利である。ポンプで真空にした後、装填室１をプロ セス室２から分離しているドア５は、ドアアクチュエーター装置７の助けにより 開けられる。ドア５は、装填室の内部を密封表面に対し本質的に直交する方向に 移動するように構成されている。横移動装置６は、フックによりカセットユニッ ト３の上部を固定し、カセットユニット３をスプレーヘッド１６と共に、プロセ ス室２に対面するドア５の側面に取り付けられているフォーク４などの垂直移動 持上げ手段の上に移動する。続いて、横移動装置６のフックは、カセットユニッ ト３から取り外され、それによりドア５は閉じるように制御することができる。 フォーク４の上にあるスプレーヘッド１６を有するカセットユニット３を、ドア ５の閉じた位置から約１０〜２０ｍｍの距離にある吸引箱１２の上に下降するこ とができ、カセットユニット３が吸引箱１２の上に依然として位置しているので 、下降運動が終了する前に、ドア５に取り付けられているフォーク４を取り外す ことになる。この構成は、閉じた瞬間に追加の装填からドア５を解放し、それに よりドア５はより容易にシート表面と整合することができ、したがって効率的な 密封に必要とされる均一線形圧力をシール１３に与えることができる。かかる工 程は、ドアのピボットマウント１４により容易にすることができる。

【００２３】 処理ステップ終了後、その上にスプレーヘッド１６を有するカセットユニット ３は、フォーク４により吸引箱１２の上から持ち上げて取り外される。次にドア ５を開け、カセットユニット３を装填室１内部のフォーク４の上に移動する。フ ックの助けにより、横移動装置６は、カセットユニット３の上部でそれをつかみ 、その上にスプレーヘッド１６を有するカセットユニット３を、フォーク４から 装填室１のドア１５の前に移動する。ドア５が閉じた後、装填室１を加圧し、カ セットユニット３を装填室１から取り除くことができる。カセットユニット３を 装填室１から取り除くことおよび新しいカセットユニットを装填室１に装填する ことは、たとえばフォークリフト装置を備える搬送台を用いて実施することがで きる。

【００２４】 吸引箱１２およびカセットユニット３の熱膨張運動は、たとえば吸引箱１２が プロセス室２に縁により支持されている場合に、吸引箱１２に熱応力を与える可 能性がある。そのような熱膨張運動の規模は、最高で数ミリメートルにまでにな る可能性がある。これらの寸法の変化は、自動の取出し／装填工程中にプロセス 室２のカセットユニット３の位置決めなど、いくつかのプロセス工程を複雑にす る可能性がある。したがって吸引箱１２は、プロセス室２の壁構造に支持される ことが有利であり、その結果支持点の中心は少なくとも実質的に吸引箱１２の中 心点と一致し、吸引箱１２は、支持点から外部に膨張するより大きな自由度を有 し、カセットユニット３の位置決めの正確度は向上する。

【００２５】 図２の実施態様では、装填室１は、横の寸法がより広くなり、横移動装置６の 届く範囲を拡大することにより、追加のカセット取出しサイトを装填室１に備え るようになっている。したがって、単一の装填室１は、複数のプロセス室２に接 続することができる。本明細書では、プロセス室２は、たとえば異なるタイプの 薄膜構造を生成するように、または所与の薄膜成長プロセスとは異なる工程を実 行するように適用することができる。拡大した装填室１を使用することにより、 基板あたりの処理時間は短縮し、他の顕著な利点が提供される。 上記の他に、本考案は代替実施態様を有する。

【００２６】 単一のプロセス室２は、複数の反応室を備えるように適用することができる。 さらに、装填室１は、プロセス室２に移動する前にカセットユニット３を加熱す るのに役に立つ中間ステーション、および／または装填室１から移動する前にカ セットユニット３を冷却するのに役に立つ中間ステーションにより補うことがで きる。それにより、プロセス室２のスループット能力は改良される。さらにカセ ットユニット３は、別々の加圧室を介して、カセットユニット３用に複数の取出 し位置を有する装填室１に周囲の空気中から移動し、またそこから取り出すこと ができることが有利である。それにより、カセットユニット３の移動に関連して 、体積の大きい装填室１を加圧する必要はないのである。

【００２７】 ドア５の代わりに、プロセス室２と装填室１との間を密封することは、たとえ ばゲートバルブを用いて実施することができる。さらに、反応スペースとして作 用するカセットユニット３は、一体として移動しなければならない構造を有する 必要はない。カセットユニット３の内部は、たとえば基板が配置され、装填室１ を介してプロセス室２に移動され、ついでプロセス室２から取り去られるホルダ を備えることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の装置の実施態様の部分的断面図であ
る。

【図２】本考案の装置の別の実施態様の配置図である。

【符号の説明】

１ 装填室 ２ プロセス室 ３ カセットユニット ４ フォーク ５ ドア ６ 横移動装置 ７ アクチュエーター装置 ８ 偏心カム ９ ボールスクリュー １０ 回転運動 １１ 電気的アクチュエーター １２ 吸引箱 １３ シール １４ ピボットマウント １５ ドア １６ スプレーヘッド

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【手続補正書】

【提出日】平成１３年２月２７日（２００１．２．２
７）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１

【補正方法】変更

【補正内容】

Claims (12)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を気相反応物質の交互の表面反応に
   さらすことにより、基板の表面上に薄膜を成長させるた
   めの装置であって、 密封可能な構造を有する少なくとも１つのプロセス室
   （２）と、 前記プロセス室（２）の内部に適用するのに適した構造
   を有し、少なくとも一部分が移動可能である反応スペー
   ス（３）と、前記反応スペース（３）に接続可能であっ
   て前記反応スペース（３）に前記反応物質を供給するた
   めの送込み手段（１６）と、前記反応スペース（３）に
   接続可能であって余剰な反応物質と反応気体とを前記反
   応スペース（３）から排出するための送出し手段（１
   ２）とからなる少なくとも１つの反応室と、 前記反応スペース（３）に適用された少なくとも１つの
   基板と、 前記反応スペース（３）またはその一部分が前記プロセ
   ス室（２）内に挿入され、前記プロセス室（２）から取
   り出されるように前記プロセス室（２）に関連して動作
   するように配置され、その動作圧力が前記圧力室（２）
   から独立して制御することができる少なくとも１つの装
   填室（１）とからなることを特徴とする装置。
2. 【請求項２】 前記プロセス室（２）を前記装填室
   （１）から分離しているドアであって、該ドアが前記装
   填室（１）の内部において該ドアの背面に対して実質的
   に垂直方向に移動できるように適用されているドアを有
   することを特徴とする請求項１に記載の装置。
3. 【請求項３】 前記プロセス室（２）に対面する前記ド
   ア（５）の表面に取り付けられ、垂直方向に移動するよ
   うに適用されているフォークなどの持上げ手段（４）に
   より、前記反応スペース（３）またはその前記一部分を
   前記装填室（１）から前記プロセス室（２）に支持して
   移動することが可能なことを特徴とする請求項２に記載
   の装置。
4. 【請求項４】 前記プロセス室（２）および前記装填室
   （１）がゲートバルブ構造により互いに分離しているこ
   とを特徴とする請求項１に記載の装置。
5. 【請求項５】 前記反応室が移動可能な気体送込み手段
   （１６）および反応スペース（３）とともに、前記プロ
   セス室（２）に永続的に取り付けられた気体送出し手段
   （１２）を含むことを特徴とする請求項１に記載の装
   置。
6. 【請求項６】 移動手段（６、７、８、９）の電気的ア
   クチュエーター（１１）が、前記プロセス室（２）およ
   び前記装填室（１）の外部に位置していることを特徴と
   する請求項１に記載の装置。
7. 【請求項７】 前記反応スペース（３）の冷却ステーシ
   ョンが前記装填室（１）に関連して動作するように適用
   されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
8. 【請求項８】 前記反応スペース（３）の余熱ステーシ
   ョンが、前記装填室（１）に関連して動作するように適
   用されていることを特徴とする請求項１または６に記載
   の装置。
9. 【請求項９】 前記反応スペース（３）の別々の加圧ス
   テーションが前記装填室（１）に関連して動作するよう
   に適用されていることを特徴とする請求項１、６または
   ７に記載の装置。
10. 【請求項１０】 単一の装填室（１）に関連して動作す
    るように構成されている複数のプロセス室（２）が、異
    なるタイプの薄膜構造を生成するように適用されている
    ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
11. 【請求項１１】 単一の装填室（１）に関連して動作す
    るように構成されている複数のプロセス室（２）が同じ
    タイプの薄膜構造を生成するように適用されていること
    を特徴とする請求項１または９に記載の装置。
12. 【請求項１２】 前記プロセス室（２）の構造に対する
    前記反応室の支持が前記気体送出し手段（１２）の中心
    点と少なくとも実質的に一致するように適用されている
    ことを特徴とする請求項１、５または１１に記載の装
    置。