JPH0350184A - リン化合物半導体結晶の気相成長方法 - Google Patents
リン化合物半導体結晶の気相成長方法Info
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- JPH0350184A JPH0350184A JP18261489A JP18261489A JPH0350184A JP H0350184 A JPH0350184 A JP H0350184A JP 18261489 A JP18261489 A JP 18261489A JP 18261489 A JP18261489 A JP 18261489A JP H0350184 A JPH0350184 A JP H0350184A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、有機金属原料ガスを用いて半導体基板上に結
晶成長させる方法に関する。
晶成長させる方法に関する。
（従来の技術）
従来の有機金属気相成長方法は、半導体基板を準備室や
搬送室を介して成長室に移し、有機金属原料ガスを該基
板上で熱分解させ、結晶成長させる方法である。成長室
の半導体基板の交換は、■成長室及び搬送室を個々に真
空に引いてから両者の仕切りを開けて交換する方法、■
両者を大気圧にしてから仕切りを開けて交換する方法、
■成長室より搬送室にガスを流しながら交換する方法な
どが採用されている。
搬送室を介して成長室に移し、有機金属原料ガスを該基
板上で熱分解させ、結晶成長させる方法である。成長室
の半導体基板の交換は、■成長室及び搬送室を個々に真
空に引いてから両者の仕切りを開けて交換する方法、■
両者を大気圧にしてから仕切りを開けて交換する方法、
■成長室より搬送室にガスを流しながら交換する方法な
どが採用されている。
（発明が解決しようとする課題）
有機金属気相成長方法では、蒸気圧の高い物質、例えば
、リンなどが結晶成長過程で成長室内に堆積しており、
上記の半導体基板の交換方法では、搬送室と成長室の仕
切りを開けると、上記堆積物が搬送室に拡散して半導体
基板を汚染するという問題があった。
、リンなどが結晶成長過程で成長室内に堆積しており、
上記の半導体基板の交換方法では、搬送室と成長室の仕
切りを開けると、上記堆積物が搬送室に拡散して半導体
基板を汚染するという問題があった。
本発明は、上記の問題点を解消し、上記堆積物による半
導体基板の汚染を回避して、半導体基板の交換を可能と
する気相成長方法を提供しようとするものである。
導体基板の汚染を回避して、半導体基板の交換を可能と
する気相成長方法を提供しようとするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明は、準備室を介して半導体基板を搬送室中のサセ
プタに装着し、該サセプタとともに成長室の中央に移送
し、有機金属原料ガスを該基板上に導入して気相成長す
る方法において、搬送室から成長室に半導体基板を搬送
する間、一定流量の不活性ガス又は水素ガスを搬送室か
ら成長室に流すことを特徴とする気相結晶成長方法であ
る。
プタに装着し、該サセプタとともに成長室の中央に移送
し、有機金属原料ガスを該基板上に導入して気相成長す
る方法において、搬送室から成長室に半導体基板を搬送
する間、一定流量の不活性ガス又は水素ガスを搬送室か
ら成長室に流すことを特徴とする気相結晶成長方法であ
る。
（作用）
第１図は本発明の気相結晶成長方法を説明するための説
明図である。同図（ａ）は結晶成長中か、待機中の状態
を示し、同図（ｂ）は半導体基板の搬送時の状態を示し
たものである。
明図である。同図（ａ）は結晶成長中か、待機中の状態
を示し、同図（ｂ）は半導体基板の搬送時の状態を示し
たものである。
この結晶成長装置は、同図（ａ）のように、主に反応室
Ｉ、搬送室８及び準備室１１からなり、反応室ｌには軸
４に支持されたサセプタ２が配置され、半導体基板３を
反応室ｌの中央に保持している。原料ガスは反応室ｌ頂
部の導入口５より導入され、半導体基板３の表面で熱分
解して結晶成長を行うとともに、下部の排気口６より排
気される。その間、成長室１の開閉底７は閉鎖されてい
る。結晶成長を終了した後、原料ガスの供給を停止し、
成長室ｌ内の残留ガスを排気してから、同図（ｂ）のよ
うに、上記開閉底７を下げてガス導入口９より不活性ガ
ス又は水素ガスを導入し、点線矢印のように搬送室８か
ら反応室１を経て排気口６より排気する。その間に、サ
セプタ２」二の半導体基板３を搬送用アーム１３により
カセット１２の新しいものと交換する。この不活性ガス
又は水素ガスの流れにより、成長時に堆積した汚染物質
が成長室から搬送室に拡散することを抑止し、搬送室の
汚染、ひいては新しい半導体基板の汚染を防止すること
ができる。なお、不活性ガスとしては、窒素ガス等を用
いることができ、不活性ガスの供給量は、汚染物質の拡
散速度に見合うもの以上に設定する必要がある。
Ｉ、搬送室８及び準備室１１からなり、反応室ｌには軸
４に支持されたサセプタ２が配置され、半導体基板３を
反応室ｌの中央に保持している。原料ガスは反応室ｌ頂
部の導入口５より導入され、半導体基板３の表面で熱分
解して結晶成長を行うとともに、下部の排気口６より排
気される。その間、成長室１の開閉底７は閉鎖されてい
る。結晶成長を終了した後、原料ガスの供給を停止し、
成長室ｌ内の残留ガスを排気してから、同図（ｂ）のよ
うに、上記開閉底７を下げてガス導入口９より不活性ガ
ス又は水素ガスを導入し、点線矢印のように搬送室８か
ら反応室１を経て排気口６より排気する。その間に、サ
セプタ２」二の半導体基板３を搬送用アーム１３により
カセット１２の新しいものと交換する。この不活性ガス
又は水素ガスの流れにより、成長時に堆積した汚染物質
が成長室から搬送室に拡散することを抑止し、搬送室の
汚染、ひいては新しい半導体基板の汚染を防止すること
ができる。なお、不活性ガスとしては、窒素ガス等を用
いることができ、不活性ガスの供給量は、汚染物質の拡
散速度に見合うもの以上に設定する必要がある。
半導体基板を交換した後は、サセプタ２は、再び成長室
ｌに戻し、開閉底７を閉じて結晶成長を開始するととも
に、所定のエピタキシャル層を形成した半導体基板は、
搬送室８から準備室１１の基板用カセット１２に戻し、
砧ニドバルブ１０を閉じてから、装置の外に取り出す。
ｌに戻し、開閉底７を閉じて結晶成長を開始するととも
に、所定のエピタキシャル層を形成した半導体基板は、
搬送室８から準備室１１の基板用カセット１２に戻し、
砧ニドバルブ１０を閉じてから、装置の外に取り出す。
（実施例）
第１図の装置を用い、内径２００ｍｍの反応室内で半導
体基板上にＩｎＰエピタキシャル層を気相成長させた。
体基板上にＩｎＰエピタキシャル層を気相成長させた。
半導体基板を交換するため、成長室の開閉底を２０ｍ５
開口し、水素ガスを３４／ｓｉｎで搬送室のガス導入口
より導入し、反応室に流したところ、搬送室内にはリン
の堆積を見いだすことはできなかった。
開口し、水素ガスを３４／ｓｉｎで搬送室のガス導入口
より導入し、反応室に流したところ、搬送室内にはリン
の堆積を見いだすことはできなかった。
なお、水素ガスの供給量は、次のように決定した。上記
開閉底の開口面積は約１２５．６ｃ＋ｓ”（２冨ｒｈ＝
２Ｑｘ３．１４ｘ２）となり、リンの拡散係数は正確に
調べられていないので、リンより分子量が大きく、拡散
係数も大きい炭酸ガスの空気中の拡散係数Ｄ＝０．１３
５ｃｍ”／ｓｅｃを仮にリンの拡散係数として拡散距離
り及び拡散速度Ｓを求めると、 Ｌ＝２（Ｄｔ）””＝０．７３ｃｍ ５＝Ｌ／Ｌ＝０．７３ｃ＠／ｓｅａ となり、この拡散速度に見合う不活性いの供給ｆｆ１ｖ
を求めると、 Ｖ−９２ｃ＋ｓ／５ｅｃ＝５．５１２／ｗｉｎとなった
ので、上記の６＋２／ｗｉｎで供給した。
開閉底の開口面積は約１２５．６ｃ＋ｓ”（２冨ｒｈ＝
２Ｑｘ３．１４ｘ２）となり、リンの拡散係数は正確に
調べられていないので、リンより分子量が大きく、拡散
係数も大きい炭酸ガスの空気中の拡散係数Ｄ＝０．１３
５ｃｍ”／ｓｅｃを仮にリンの拡散係数として拡散距離
り及び拡散速度Ｓを求めると、 Ｌ＝２（Ｄｔ）””＝０．７３ｃｍ ５＝Ｌ／Ｌ＝０．７３ｃ＠／ｓｅａ となり、この拡散速度に見合う不活性いの供給ｆｆ１ｖ
を求めると、 Ｖ−９２ｃ＋ｓ／５ｅｃ＝５．５１２／ｗｉｎとなった
ので、上記の６＋２／ｗｉｎで供給した。
（発明の効果）
本発明は、上記の構成を採用することにより、半導体基
板を成長室に移送するときに、基板表面を堆積物で汚染
することを防止することができ、清浄な基板表面にエピ
タキシャル成長を行うことができるようになった。
板を成長室に移送するときに、基板表面を堆積物で汚染
することを防止することができ、清浄な基板表面にエピ
タキシャル成長を行うことができるようになった。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の半導体基板の交換操
作を説明するための図である。
作を説明するための図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 準備室を介して半導体基板を搬送室中のサ セプタに装着し、該サセプタとともに成長室の中央に移
送し、有機金属原料ガスを該基板上に導入して気相成長
する方法において、搬送室から成長室に半導体基板を搬
送する間、一定流量の不活性ガス又は水素ガスを搬送室
から成長室に流すことを特徴とする気相結晶成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1182614A JP2805865B2 (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | リン化合物半導体結晶の気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1182614A JP2805865B2 (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | リン化合物半導体結晶の気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0350184A true JPH0350184A (ja) | 1991-03-04 |
| JP2805865B2 JP2805865B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=16121371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1182614A Expired - Fee Related JP2805865B2 (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | リン化合物半導体結晶の気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2805865B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58210843A (ja) * | 1982-06-02 | 1983-12-08 | Hitachi Ltd | 気相成長装置 |
-
1989
- 1989-07-17 JP JP1182614A patent/JP2805865B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58210843A (ja) * | 1982-06-02 | 1983-12-08 | Hitachi Ltd | 気相成長装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2805865B2 (ja) | 1998-09-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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