JPS63248797A - 気相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents
気相エピタキシヤル成長装置Info
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- JPS63248797A JPS63248797A JP8235187A JP8235187A JPS63248797A JP S63248797 A JPS63248797 A JP S63248797A JP 8235187 A JP8235187 A JP 8235187A JP 8235187 A JP8235187 A JP 8235187A JP S63248797 A JPS63248797 A JP S63248797A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は原子・分子層単位で極めて精密に成長膜厚の制
御が可能な■−■族化合物半導体の原子層エピタキシャ
ル成長装置に関するものである。
御が可能な■−■族化合物半導体の原子層エピタキシャ
ル成長装置に関するものである。
従来のＧａＡｓ等のｍ−’ｖ族化合物半導体の薄膜エピ
タキシャル層の成長方法としては、構成元素の塩化物、
水素化物、あるいは有機金属化合物のガ′ス状原料を用
いる気相エピタキシャル成長法（ｖＰＥ法）、また、高
真空中で構成元素をビーム化し。
タキシャル層の成長方法としては、構成元素の塩化物、
水素化物、あるいは有機金属化合物のガ′ス状原料を用
いる気相エピタキシャル成長法（ｖＰＥ法）、また、高
真空中で構成元素をビーム化し。
基板結晶上に照射して成長を行う分子線エピタキシャル
成長＠ （ＭＢＥ法）などが用いられてきた。ところで
、これらの成長法では、単分子・原子層（数人程度）の
成長膜厚の制御となると、流量、圧力、時間といった要
因を極めて精密に制御しなければならない、そこで、こ
れらを解決する優れた手法として、化合物半導体の構成
元素、あるいは、その元素を含むガスを交互に供給して
一原子・分子層づつ吸着させ全体として所望の化合物半
導体を成長させる原子層エピタキシャル成長方法（ＡＬ
Ｅ法）が提案された〔ツォモ・スントラ（Ｔ、５ｕｎｔ
ｏｌａ） を第１６同面体素子・材料コンファレンス（
ＥｘｔｅｎｄｅｄＡｂｓｔｒａｃｔ ｏｆ ｔｈｅ １
６ｔｈ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５
ｔ−ａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ
ｓ）、 Ｋｏｂｅ、 １９８４． ｐｐ、６４７−６５
０）。この手法は本発明者等により■−ｖ族化合物半導
体の成長にも適用された。この方法によると、膜厚制御
のためには、従来の成長速度を制御する方法とは異なり
、例えば、ＧａＣＱとＡｓＨ，を原料とするＧａＡｓ
ＡＬＥ法では、ＧａＣＱの吸着回数のみを制御すること
になる。さらに広い成長温度、流量範囲において、単分
子層単位の成長が可能であり、これによって膜厚の制御
技術は格段に向上した〔碓井（Ａ、Ｕｓｕｉ）他、ジャ
パニーズ ジャーナル オブ アプライド フィジック
ス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒ−ｎａｌ ｏｆ Ａｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）、ｖｏｌ、２５．ｎｏ、
３，１９８６．ｐｐ。
成長＠ （ＭＢＥ法）などが用いられてきた。ところで
、これらの成長法では、単分子・原子層（数人程度）の
成長膜厚の制御となると、流量、圧力、時間といった要
因を極めて精密に制御しなければならない、そこで、こ
れらを解決する優れた手法として、化合物半導体の構成
元素、あるいは、その元素を含むガスを交互に供給して
一原子・分子層づつ吸着させ全体として所望の化合物半
導体を成長させる原子層エピタキシャル成長方法（ＡＬ
Ｅ法）が提案された〔ツォモ・スントラ（Ｔ、５ｕｎｔ
ｏｌａ） を第１６同面体素子・材料コンファレンス（
ＥｘｔｅｎｄｅｄＡｂｓｔｒａｃｔ ｏｆ ｔｈｅ １
６ｔｈ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５
ｔ−ａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ
ｓ）、 Ｋｏｂｅ、 １９８４． ｐｐ、６４７−６５
０）。この手法は本発明者等により■−ｖ族化合物半導
体の成長にも適用された。この方法によると、膜厚制御
のためには、従来の成長速度を制御する方法とは異なり
、例えば、ＧａＣＱとＡｓＨ，を原料とするＧａＡｓ
ＡＬＥ法では、ＧａＣＱの吸着回数のみを制御すること
になる。さらに広い成長温度、流量範囲において、単分
子層単位の成長が可能であり、これによって膜厚の制御
技術は格段に向上した〔碓井（Ａ、Ｕｓｕｉ）他、ジャ
パニーズ ジャーナル オブ アプライド フィジック
ス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒ−ｎａｌ ｏｆ Ａｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）、ｖｏｌ、２５．ｎｏ、
３，１９８６．ｐｐ。
Ｌ２１２−２１４）。
この■族元素の塩化物を用いる従来のＡＬＥ成長装置を
第４図に示す、第４図において、横置きされた石英管内
は上下二段に仕切られ上下に反応室３１．３３が形成さ
れている。ＧａＡｓ ＡＬＥ成長の場合、上部反応室３
１の上流にＧａ原料ソース３２がセットされ、下流に基
板結晶３４が支持棒３５に支えられてセットされる。上
部反応室３１のガス導入口３１ａからＨ２キャリアガス
とともにＨＣｆｌガスが供給されると、ＧａＣＱが生成
され下流に運ばれて基板結晶３４に付着する０次に支持
棒３５を右方に引き出して基板結晶３４を下部反応室３
３内にセットする。反応室３３にはガス導入口３３ａか
らＡｓＨ，がＨ２キャリアガスとともに供給され基板結
晶３４に接触させる。上記動作を繰り返し行ってＡＬＥ
成長が得られる。また反応管の温度は抵抗加熱により制
御し■族金属ソース３２は約８００℃、基板結晶３４は
約５００℃でそれぞれ加熱を行う。
第４図に示す、第４図において、横置きされた石英管内
は上下二段に仕切られ上下に反応室３１．３３が形成さ
れている。ＧａＡｓ ＡＬＥ成長の場合、上部反応室３
１の上流にＧａ原料ソース３２がセットされ、下流に基
板結晶３４が支持棒３５に支えられてセットされる。上
部反応室３１のガス導入口３１ａからＨ２キャリアガス
とともにＨＣｆｌガスが供給されると、ＧａＣＱが生成
され下流に運ばれて基板結晶３４に付着する０次に支持
棒３５を右方に引き出して基板結晶３４を下部反応室３
３内にセットする。反応室３３にはガス導入口３３ａか
らＡｓＨ，がＨ２キャリアガスとともに供給され基板結
晶３４に接触させる。上記動作を繰り返し行ってＡＬＥ
成長が得られる。また反応管の温度は抵抗加熱により制
御し■族金属ソース３２は約８００℃、基板結晶３４は
約５００℃でそれぞれ加熱を行う。
ところが、従来の装置では、ソース部と基板結晶部との
二箇所の温度を制御する必要があり、また、成長温度は
十分に低温化できるにもかかわらず、ソース部の温度は
成長結晶に悪影響をおよぼす未反応ＨＣＱをできるだけ
少なくするために、約８００℃位には加熱しなければな
らない。また、成長領域前での反応物質の析出を防ぐた
めに反応管全体を加熱しなければならない、このような
高温加熱、全体加熱は、装置を複雑にするばかりでなく
。
二箇所の温度を制御する必要があり、また、成長温度は
十分に低温化できるにもかかわらず、ソース部の温度は
成長結晶に悪影響をおよぼす未反応ＨＣＱをできるだけ
少なくするために、約８００℃位には加熱しなければな
らない。また、成長領域前での反応物質の析出を防ぐた
めに反応管全体を加熱しなければならない、このような
高温加熱、全体加熱は、装置を複雑にするばかりでなく
。
石英管壁からのＳＬ汚染を増加させる原因ともなり、高
純度結晶の成長の観点からも好ましくない、更に、基板
結晶の移動においても移動径路３５ａとして示したよう
な複雑な動きが必要であり、 ＡＬＥ成長時間の短縮化
が困難であった。
純度結晶の成長の観点からも好ましくない、更に、基板
結晶の移動においても移動径路３５ａとして示したよう
な複雑な動きが必要であり、 ＡＬＥ成長時間の短縮化
が困難であった。
本発明の目的は上記従来技術のがかる欠点を除去し、原
子・分子層単位で極めて精密に成長膜厚の制御が可能で
、かつ、高純度のエピタキシャル成長層を得ることが可
能な■−■族化合物半導体の原子層エピタキシャル成長
装置を提供しようとするものである。
子・分子層単位で極めて精密に成長膜厚の制御が可能で
、かつ、高純度のエピタキシャル成長層を得ることが可
能な■−■族化合物半導体の原子層エピタキシャル成長
装置を提供しようとするものである。
本発明は■−■族化合物半導体の薄膜エピタキシャル層
を成長させる気相エピタキシャル成長装置において、外
部石英管内に隣接して縦置きされた複数本の内部石英管
と、該複数本の内部石英管の上部開口端面を下面で閉塞
し下面一部に装填した基板結晶を回転運動に伴って選択
的に各内部石英管の上部開口端面内にセットする基板ホ
ルダーと、一の前記内部石英管の頂部に設置され、細孔
を備えた底部上に■族金属を保持するボートと。
を成長させる気相エピタキシャル成長装置において、外
部石英管内に隣接して縦置きされた複数本の内部石英管
と、該複数本の内部石英管の上部開口端面を下面で閉塞
し下面一部に装填した基板結晶を回転運動に伴って選択
的に各内部石英管の上部開口端面内にセットする基板ホ
ルダーと、一の前記内部石英管の頂部に設置され、細孔
を備えた底部上に■族金属を保持するボートと。
該ボートの底部に内部石英管を介してハロゲン化水素を
供給するパイプと、他の内部石英管内に水素化物を供給
するパイプと、各内部石英管内を排気する排気パイプと
、前記ボート内の■族金属及び前記基板ホルダーの基板
結晶を同一温度で加熱する加熱機構とを有することを特
徴とする気相エピタキシャル成長装置である。
供給するパイプと、他の内部石英管内に水素化物を供給
するパイプと、各内部石英管内を排気する排気パイプと
、前記ボート内の■族金属及び前記基板ホルダーの基板
結晶を同一温度で加熱する加熱機構とを有することを特
徴とする気相エピタキシャル成長装置である。
本発明による装置の概略を第１図及び第２図に示した。
ここではＧａＡｓ ＡＬＥを例に本発明の作用について
説明するｓ Ｇａ原料ソース１は多数の底部に多数の細
孔２ａを有するボート２に収容されている。
説明するｓ Ｇａ原料ソース１は多数の底部に多数の細
孔２ａを有するボート２に収容されている。
このときＧａは表面張力により細孔２ａから漏れること
はない、 ＨＣＱガスはパイプ３からＨ２キャリアガる
。なお、パイプ全体は石英管４で覆われており。
はない、 ＨＣＱガスはパイプ３からＨ２キャリアガる
。なお、パイプ全体は石英管４で覆われており。
ＨＣＱがＧａ原料ソース近辺でこの石英管４の外に漏れ
ることはない。反応の結果生じたＧａＣＱは一部Ｇａ中
に取り込まれ、拡散や、Ｇａの対流を通してＧａ上の空
間に放出される。このとき、未反応ＨＣＱ及びＨ２キャ
リアガスはパイプ５から排出される。Ｇａ原料ソース１
のすぐ上には、基板結晶６がホルダー７とともにＧａ原
料ソース１を覆うように設置される。この結果、放出さ
れたＧａＣＱは基板結晶上に吸着する。一方１石英管４
とは別に石英管８が設置されており、この内部のパイプ
９を通してＨ２キャリアガスとともにＡｓＨ，が供給さ
れるａ ＧａＣＱ吸着後、基板ホルダー７を回転させ、
基板結晶６をこの石英管８の真上に持ってくる。そこで
１．ＡｓＨおを供給すると、反応が起こり、ＧａＡｓが
単相だけ成長する。
ることはない。反応の結果生じたＧａＣＱは一部Ｇａ中
に取り込まれ、拡散や、Ｇａの対流を通してＧａ上の空
間に放出される。このとき、未反応ＨＣＱ及びＨ２キャ
リアガスはパイプ５から排出される。Ｇａ原料ソース１
のすぐ上には、基板結晶６がホルダー７とともにＧａ原
料ソース１を覆うように設置される。この結果、放出さ
れたＧａＣＱは基板結晶上に吸着する。一方１石英管４
とは別に石英管８が設置されており、この内部のパイプ
９を通してＨ２キャリアガスとともにＡｓＨ，が供給さ
れるａ ＧａＣＱ吸着後、基板ホルダー７を回転させ、
基板結晶６をこの石英管８の真上に持ってくる。そこで
１．ＡｓＨおを供給すると、反応が起こり、ＧａＡｓが
単相だけ成長する。
成長には上記サイクルを繰り返す。これらの石英管、基
板ホルダー及びそれらの支持具は外部石英管１０に囲ま
れており、その内部には大量のＨ８が供給される。また
、加熱には、均一温度分布を有すホルダー７部のみを５
００℃近傍に加熱する。なお、ソースボートや基板ホル
ダーを炭素により作製し、加熱に高周波を用いることも
勿論可能である。
板ホルダー及びそれらの支持具は外部石英管１０に囲ま
れており、その内部には大量のＨ８が供給される。また
、加熱には、均一温度分布を有すホルダー７部のみを５
００℃近傍に加熱する。なお、ソースボートや基板ホル
ダーを炭素により作製し、加熱に高周波を用いることも
勿論可能である。
以下に本発明を実施例に基づき具体的に説明する。
第１図、第２図において、大径の外部石英管１０を支持
具１２に縦置きに配設し、外部石英管１０の上部にＨ２
ガスの導入口１０ａを設けるとともに、その下部に排気
口ｔａｂを設ける。さらに２本の小径の内部石英管４及
び８を前記外部石英管１０内に縦置きに配設し、２本の
内部石英管４，８の上部開口端面４ａ、 ８ａを下面７
ａで閉塞する基板ホルダー７を回転軸１フに支えて軸受
１９に回転可能に軸支する。１８は基板ホルダー７を回
転軸１７の頂部に固定する固定治具である。前記回転軸
１７は回転伝達機１５を介してモータ１６に連結させる
。また、第１図、第３図に示すように前記基板ホルダー
７の下面一部には内部石英管４又は８の直径に相当する
大きさの凹部７ｂを設け、凹部７ｂ内に複数枚の基板結
晶６，６・・・を同一平面内に位置させて装填する。
具１２に縦置きに配設し、外部石英管１０の上部にＨ２
ガスの導入口１０ａを設けるとともに、その下部に排気
口ｔａｂを設ける。さらに２本の小径の内部石英管４及
び８を前記外部石英管１０内に縦置きに配設し、２本の
内部石英管４，８の上部開口端面４ａ、 ８ａを下面７
ａで閉塞する基板ホルダー７を回転軸１フに支えて軸受
１９に回転可能に軸支する。１８は基板ホルダー７を回
転軸１７の頂部に固定する固定治具である。前記回転軸
１７は回転伝達機１５を介してモータ１６に連結させる
。また、第１図、第３図に示すように前記基板ホルダー
７の下面一部には内部石英管４又は８の直径に相当する
大きさの凹部７ｂを設け、凹部７ｂ内に複数枚の基板結
晶６，６・・・を同一平面内に位置させて装填する。
さらに、一方の内部石英管４の頂部に、細孔２ａ。
２ａ・・・を備えた底部上に■族金属１を保持するボー
ト２を設け、該内部石英管４内を通してパイプ３を該ボ
ート２の底部近傍に開口し、他方の内部石英管８内にパ
イプ９を設け、さらに各内部石英管４．８に排気パイプ
５，５を接続する。１３はウィルソンシール、 １４は
Ｏリングである。
ト２を設け、該内部石英管４内を通してパイプ３を該ボ
ート２の底部近傍に開口し、他方の内部石英管８内にパ
イプ９を設け、さらに各内部石英管４．８に排気パイプ
５，５を接続する。１３はウィルソンシール、 １４は
Ｏリングである。
さらに、内部石英管４に設けたボート２の高さ位置に合
せて抵抗加熱炉１１を外部石英管１０の外周に配設する
。尚ボート２や基板ホルダー７を炭素材で構成し、高周
波を用いて加熱するようにしてもよい。
せて抵抗加熱炉１１を外部石英管１０の外周に配設する
。尚ボート２や基板ホルダー７を炭素材で構成し、高周
波を用いて加熱するようにしてもよい。
本実施例では、本発明による装置を用いてＧａＡｓをエ
ピタキシャル成長した場合について述べる。
ピタキシャル成長した場合について述べる。
第１図及び第２図において、 Ｇａ原料ソース１は底部
に多数の細孔２ａを有するボート２に収容されている。
に多数の細孔２ａを有するボート２に収容されている。
ＨＣＯガスはパイプ３からＨ２キャリアガスとともに
供給され、細孔２ａを通してＧａと反応する。
供給され、細孔２ａを通してＧａと反応する。
ＧａＡｓ基板結晶６はホルダー７に設置される。一方、
これとは別の石英管８内部のパイプ９を通してＨ。
これとは別の石英管８内部のパイプ９を通してＨ。
キャリアガスとともにＡｓＨ，が供給される。外部石英
管１０の内部には大量のＨ２を供給する。また、加熱に
は、均一温度分布を有する抵抗加熱炉１１を用いて、Ｇ
ａ原料ソース１及び基板ホルダー７のみを５００℃近傍
に加熱する。ガス流量条件は次の通りである。
管１０の内部には大量のＨ２を供給する。また、加熱に
は、均一温度分布を有する抵抗加熱炉１１を用いて、Ｇ
ａ原料ソース１及び基板ホルダー７のみを５００℃近傍
に加熱する。ガス流量条件は次の通りである。
ＨＣＱ（Ｇａ） １Ｏｃｃ／＋＊１ｎＡ
ｓＨ，１０ｃｃ／ｗｉｎ 内部石英管中の流量 Ｉ Ｑ／ｗｉｎ外部石英管中の
流量 １０ Ｑ／ｉ＋ｉｎ成長に際しては、ケミカルエ
ツチングを行った半絶縁性ＧａＡｓ（１００）基板結晶
６を石英管８上に待機させ、ＡｓＨ，気流中で成長温度
まで昇温する６成長温度に達したところでパイプ３にＨ
ＣＱを供給し、一定時間後基板ホルダー７を回転させ石
英管４上に移動する。 ＧａＣＱ吸着後、再び基板ホル
ダー７を回転させ１石英管８上に持ってくる。そこで、
ＡｓＨｌを供給すると、反応が起こり、ＧａＡｓが単相
だけ成長する。上記サイクルをｔｏｏｏ回繰り返し、成
長膜厚を測定した結果、２８５０人の膜が成長している
ことがわかり、本装置での原子層エピタキシャル成長が
確認された。また、成長表面は完全鏡面であり、得られ
た結晶のホール測定を行った結果、７７Ｋにおける移動
度として１０Ｉ′ａｉ／Ｖ・ＳｅＣ台（キャリア濃度二
〜１０１ｓａｎ−’台）がコンスタントに得られ。
ｓＨ，１０ｃｃ／ｗｉｎ 内部石英管中の流量 Ｉ Ｑ／ｗｉｎ外部石英管中の
流量 １０ Ｑ／ｉ＋ｉｎ成長に際しては、ケミカルエ
ツチングを行った半絶縁性ＧａＡｓ（１００）基板結晶
６を石英管８上に待機させ、ＡｓＨ，気流中で成長温度
まで昇温する６成長温度に達したところでパイプ３にＨ
ＣＱを供給し、一定時間後基板ホルダー７を回転させ石
英管４上に移動する。 ＧａＣＱ吸着後、再び基板ホル
ダー７を回転させ１石英管８上に持ってくる。そこで、
ＡｓＨｌを供給すると、反応が起こり、ＧａＡｓが単相
だけ成長する。上記サイクルをｔｏｏｏ回繰り返し、成
長膜厚を測定した結果、２８５０人の膜が成長している
ことがわかり、本装置での原子層エピタキシャル成長が
確認された。また、成長表面は完全鏡面であり、得られ
た結晶のホール測定を行った結果、７７Ｋにおける移動
度として１０Ｉ′ａｉ／Ｖ・ＳｅＣ台（キャリア濃度二
〜１０１ｓａｎ−’台）がコンスタントに得られ。
本発明を適用しない場合の値、１０４ｄ／ｖ−８ｅＣ台
（キャリア濃度：〜１０”ｃｍ−’台）と比較して高純
度化に対する本発明による装置の有効性が明らかとなっ
た。
（キャリア濃度：〜１０”ｃｍ−’台）と比較して高純
度化に対する本発明による装置の有効性が明らかとなっ
た。
以上述べたように、本発明による成長装置を用いると、
高純度の■−■族化合物半導体のＡＬＥ層が容易に得ら
れる。なお、本発明においてはＧａＡｓの場合について
適用例を示したが、同様な原理、装置により■ｍｐ、Ｉ
ｎＡｓ等のすべての■−■族化合物半導体について適用
可能であることは言うまでもない。また、内部石英管の
数を増やし、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓＰ等の多元混晶
にも応用できる。
高純度の■−■族化合物半導体のＡＬＥ層が容易に得ら
れる。なお、本発明においてはＧａＡｓの場合について
適用例を示したが、同様な原理、装置により■ｍｐ、Ｉ
ｎＡｓ等のすべての■−■族化合物半導体について適用
可能であることは言うまでもない。また、内部石英管の
数を増やし、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓＰ等の多元混晶
にも応用できる。
第１図〜第３図は本発明装置の実施例の概略を示したも
ので、第１図は装置全体を示す断面図、第２図は第１図
におけるＡ−Ａ’断面図、第３図は基板ホルダーを基板
結晶側から見た図、第４図は従来の塩化物を用いる原子
層エピタキシャル成長装置の概略を示す断面側面図であ
る。 １・・・Ｇａ原料ソース ２・・・ボート２ａ・
・・ボートの細孔 ３・・・ＨＣＱガス導入パイ
プ４．８・・・内部石英管 ５・・・排気バイブ
ロ・・・基板結晶 ７・・・基板ホルダー９
・・・Ａｓ）１．導入パイプ １０・・・外部石英管
１１・・・抵抗加熱炉 １２・・・支持具１３・
・・ウィルソンシール １４・・・Ｏリング１５・・・
回転伝達機 １６・・・モータ１７・・・回転軸
１８・・・回転軸固定用治具１９・・・軸
受 特許出願人 日本電気株式会社 第１区 第３図
ので、第１図は装置全体を示す断面図、第２図は第１図
におけるＡ−Ａ’断面図、第３図は基板ホルダーを基板
結晶側から見た図、第４図は従来の塩化物を用いる原子
層エピタキシャル成長装置の概略を示す断面側面図であ
る。 １・・・Ｇａ原料ソース ２・・・ボート２ａ・
・・ボートの細孔 ３・・・ＨＣＱガス導入パイ
プ４．８・・・内部石英管 ５・・・排気バイブ
ロ・・・基板結晶 ７・・・基板ホルダー９
・・・Ａｓ）１．導入パイプ １０・・・外部石英管
１１・・・抵抗加熱炉 １２・・・支持具１３・
・・ウィルソンシール １４・・・Ｏリング１５・・・
回転伝達機 １６・・・モータ１７・・・回転軸
１８・・・回転軸固定用治具１９・・・軸
受 特許出願人 日本電気株式会社 第１区 第３図
Claims (1)
- （１）III−Ｖ族化合物半導体の薄膜エピタキシャル層
を成長させる気相エピタキシャル成長装置において、外
部石英管内に隣接して縦置きされた複数本の内部石英管
と、該複数本の内部石英管の上部開口端面を下面で閉塞
し下面一部に装填した基板結晶を回転運動に伴って選択
的に各内部石英管の上部開口端面内にセツトする基板ホ
ルダーと、一の前記内部石英管の頂部に設置され、細孔
を備えた底部上にIII族金属を保持するボートと、該ボ
ートの底部に内部石英管を介してハロゲン化水素を供給
するパイプと、他の内部石英管内に水素化物を供給する
パイプと、各内部石英管内を排気する排気パイプと、前
記ボート内のIII族金属及び前記基板ホルダーの基板結
晶を同一温度で加熱する加熱機構とを有することを特徴
とする気相エピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8235187A JPS63248797A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 気相エピタキシヤル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8235187A JPS63248797A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 気相エピタキシヤル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63248797A true JPS63248797A (ja) | 1988-10-17 |
Family
ID=13772149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8235187A Pending JPS63248797A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 気相エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63248797A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0446096A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-17 | Nikko Kyodo Co Ltd | 気相エピタキシャル成長方法 |
| CN103806094A (zh) * | 2012-11-08 | 2014-05-21 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 外延生长设备 |
-
1987
- 1987-04-02 JP JP8235187A patent/JPS63248797A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0446096A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-17 | Nikko Kyodo Co Ltd | 気相エピタキシャル成長方法 |
| CN103806094A (zh) * | 2012-11-08 | 2014-05-21 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 外延生长设备 |
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