JPS6212697A - 炭化珪素単結晶膜の製造方法 - Google Patents
炭化珪素単結晶膜の製造方法Info
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- JPS6212697A JPS6212697A JP15041685A JP15041685A JPS6212697A JP S6212697 A JPS6212697 A JP S6212697A JP 15041685 A JP15041685 A JP 15041685A JP 15041685 A JP15041685 A JP 15041685A JP S6212697 A JPS6212697 A JP S6212697A
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- molecular beam
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は炭化珪素単結晶膜の製造方法に関し、特に大面
積で鳩品質な炭化珪素単結晶膜を再現性良く製造する方
法に関するものである。
積で鳩品質な炭化珪素単結晶膜を再現性良く製造する方
法に関するものである。
従来、炭化珪素単結晶膜の製造方法としては、８ｉ単結
晶基板上に気相成長法のみを用いて炭化珪素単結晶膜を
ヘテロエピタキシャル成長させる方法が用いられている
。Ｓｉと炭化珪素の格子定数は２０チも異なるため、Ｓ
ｉ基板上に直接炭化珪素を成長させると、多結晶になっ
たシ％あるいは薄い単結晶膜が成長してもひび割れを起
こしたり、また厚くしていくと結晶性が悪くなり多結晶
化してしまう問題があった。この問題を解決するために
須原らは気相成長法に於いて炭化珪素単結晶膜をエピタ
キシャル成長させる前にプロパン（ＣｓＨｓ）中で８ｉ
基板の表面を炭化させ、炭化珪素単結晶膜をエピタキシ
ャル成長させるためのバッファ層とする方法を用いてい
る（電子通信学会技術研究報告５ＳＤ−８２−１６７）
、Ｌかしながら、この方法では５ｉｆｉ板の表面を炭化
芒せる際には１〜２分間の非常に短時間で基板温度を室
温から１３６０℃まで昇温しなければならず温度制御が
困難であるため再現性良く高品質な炭化珪素単結晶膜を
エピタキシャル成長させることは出来なかった。
晶基板上に気相成長法のみを用いて炭化珪素単結晶膜を
ヘテロエピタキシャル成長させる方法が用いられている
。Ｓｉと炭化珪素の格子定数は２０チも異なるため、Ｓ
ｉ基板上に直接炭化珪素を成長させると、多結晶になっ
たシ％あるいは薄い単結晶膜が成長してもひび割れを起
こしたり、また厚くしていくと結晶性が悪くなり多結晶
化してしまう問題があった。この問題を解決するために
須原らは気相成長法に於いて炭化珪素単結晶膜をエピタ
キシャル成長させる前にプロパン（ＣｓＨｓ）中で８ｉ
基板の表面を炭化させ、炭化珪素単結晶膜をエピタキシ
ャル成長させるためのバッファ層とする方法を用いてい
る（電子通信学会技術研究報告５ＳＤ−８２−１６７）
、Ｌかしながら、この方法では５ｉｆｉ板の表面を炭化
芒せる際には１〜２分間の非常に短時間で基板温度を室
温から１３６０℃まで昇温しなければならず温度制御が
困難であるため再現性良く高品質な炭化珪素単結晶膜を
エピタキシャル成長させることは出来なかった。
本発明は、このような従来の欠点を除去し、大面積で高
品質な炭化珪素単結晶膜を再現性良く製造する方法を提
供することを目的とする。
品質な炭化珪素単結晶膜を再現性良く製造する方法を提
供することを目的とする。
本発明は、単結晶基板上に炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶膜
を成長させる方法において、珪素（８ｉ ）単結晶基板
上に８ｉ分子線によりＳｉ単結晶を成長させ、その後８
ｉ分子線の量を徐々に減少させるとともに炭素（Ｃ）分
子線の量を徐々に増加させることにより前記Ｓｉ単結晶
上に薄い中間層を形成し、その後Ｓｉを含む化合物及び
Ｃを含む化合物ろるいは８ｉ及びＣを含む化合物を使用
し気相成長法にセリ前記中間層上に炭化珪素単結晶膜を
成長させることにより構成される炭化珪素単結晶膜の製
造方法である。
を成長させる方法において、珪素（８ｉ ）単結晶基板
上に８ｉ分子線によりＳｉ単結晶を成長させ、その後８
ｉ分子線の量を徐々に減少させるとともに炭素（Ｃ）分
子線の量を徐々に増加させることにより前記Ｓｉ単結晶
上に薄い中間層を形成し、その後Ｓｉを含む化合物及び
Ｃを含む化合物ろるいは８ｉ及びＣを含む化合物を使用
し気相成長法にセリ前記中間層上に炭化珪素単結晶膜を
成長させることにより構成される炭化珪素単結晶膜の製
造方法である。
〔夕発明の作用〕
珪素（Ｓｉ）単結晶基板上に、Ｓｉ分子罐によりＳｉ単
結晶を成長させ、その後Ｓｉ分子線の量を徐々に減少さ
せるとともに炭素（Ｃ）分子線の量を徐々に増加させる
ことにより、分子線による成長であるため結晶成長速度
を小さくでき、成長温度１分子線の量の制御が容易とな
り、再現性良く前記Ｓｉ単結晶上に覆い中間層を形成す
ることができるようになる。この中間層は組成が基板と
同じ８ｉから上層の炭化珪素の組成（８ｉＣ）に向かり
て徐々に変化しているため８ｉ基板と炭化珪素単結晶膜
の間の格子定数差゛を緩和する作用を持っている。この
ため前記中間層上にＳｉを含む化合物及びＣを含む化合
物あるいは８１及びＣを言む化合物を使用し結晶成長速
度が大きい気相成長法により炭化珪素単結晶膜を成長さ
せることによって、８１基板上罠高品質な炭化珪素単結
晶膜を再現性良く短時間で成長させることができるよう
になる。
結晶を成長させ、その後Ｓｉ分子線の量を徐々に減少さ
せるとともに炭素（Ｃ）分子線の量を徐々に増加させる
ことにより、分子線による成長であるため結晶成長速度
を小さくでき、成長温度１分子線の量の制御が容易とな
り、再現性良く前記Ｓｉ単結晶上に覆い中間層を形成す
ることができるようになる。この中間層は組成が基板と
同じ８ｉから上層の炭化珪素の組成（８ｉＣ）に向かり
て徐々に変化しているため８ｉ基板と炭化珪素単結晶膜
の間の格子定数差゛を緩和する作用を持っている。この
ため前記中間層上にＳｉを含む化合物及びＣを含む化合
物あるいは８１及びＣを言む化合物を使用し結晶成長速
度が大きい気相成長法により炭化珪素単結晶膜を成長さ
せることによって、８１基板上罠高品質な炭化珪素単結
晶膜を再現性良く短時間で成長させることができるよう
になる。
以下に本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明に使用した結晶成長装置の概念図である
。水冷丸凰反応管ｌと超高真空チャンバー１１を備えそ
の間にはゲートバルブ１０１ ヲ設けである。前記超高
真空チャンバー１１は超高真空排気系を備え高真空排気
口１７よりチャンバー内をｌＸｌ０ Ｔｏｒｒまで
排気できる構造となっている。また前記超高真空チャン
／（−１１には試料導入室１８を備えてありその間には
ゲートバルブ１０２を設けてあり、試料導入の際に於い
ても前記超高真空チャンバー１１内を超高真空に保つ構
造となっている。試料導入は試料導入室１８内に於いて
基板結晶７をサセプタ−１６１とサセプター２６２の間
に設置した後ゲートバルブ１０２を開放し、基板結晶７
を設置し九伏態でサセプター６１及び６２を超高真空チ
ャンバーｌｌ内に導入する。前記超高真空チャンバーｌ
ｌ内には水晶振動子膜厚計１２が基板結晶近傍に設置し
てあシ膜厚の測定ができるよう・になっている。Ｓｉ及
びＣンースの刀ｎ熱のためそれぞれにＥ型電子銃１４を
設けてあり、その外側は液体窒素シュラクト１３で覆わ
れている。Ｓｉ及びＣの蒸発速度は前記水晶振動子膜厚
計１２により測定し、成長に先だって基板面へのＳｉ及
びＣの分子線強度とＥ型電子銃１４の制御条件の関係を
測定した０８ｉンースには高純度（９Ｎ）の多結晶８ｉ
を、Ｃンースには高純度（５Ｎ）のグラファイトをそれ
ぞれ使用した。基板結晶７はサセプタ−１６１とサセプ
ター２６２の間に結晶成長面を下にした状態に設置する
。前記サセプター１ ６１はタンタル（Ｔａ）Ｊｌであ
り、サセプタ−２６２はグラファイトでできておりその
表面を炭化珪素にてコーティングしたものである０基板
結晶７の加熱は前記サセプター１ ６１を通じ直接通電
することによって行なった。
。水冷丸凰反応管ｌと超高真空チャンバー１１を備えそ
の間にはゲートバルブ１０１ ヲ設けである。前記超高
真空チャンバー１１は超高真空排気系を備え高真空排気
口１７よりチャンバー内をｌＸｌ０ Ｔｏｒｒまで
排気できる構造となっている。また前記超高真空チャン
／（−１１には試料導入室１８を備えてありその間には
ゲートバルブ１０２を設けてあり、試料導入の際に於い
ても前記超高真空チャンバー１１内を超高真空に保つ構
造となっている。試料導入は試料導入室１８内に於いて
基板結晶７をサセプタ−１６１とサセプター２６２の間
に設置した後ゲートバルブ１０２を開放し、基板結晶７
を設置し九伏態でサセプター６１及び６２を超高真空チ
ャンバーｌｌ内に導入する。前記超高真空チャンバーｌ
ｌ内には水晶振動子膜厚計１２が基板結晶近傍に設置し
てあシ膜厚の測定ができるよう・になっている。Ｓｉ及
びＣンースの刀ｎ熱のためそれぞれにＥ型電子銃１４を
設けてあり、その外側は液体窒素シュラクト１３で覆わ
れている。Ｓｉ及びＣの蒸発速度は前記水晶振動子膜厚
計１２により測定し、成長に先だって基板面へのＳｉ及
びＣの分子線強度とＥ型電子銃１４の制御条件の関係を
測定した０８ｉンースには高純度（９Ｎ）の多結晶８ｉ
を、Ｃンースには高純度（５Ｎ）のグラファイトをそれ
ぞれ使用した。基板結晶７はサセプタ−１６１とサセプ
ター２６２の間に結晶成長面を下にした状態に設置する
。前記サセプター１ ６１はタンタル（Ｔａ）Ｊｌであ
り、サセプタ−２６２はグラファイトでできておりその
表面を炭化珪素にてコーティングしたものである０基板
結晶７の加熱は前記サセプター１ ６１を通じ直接通電
することによって行なった。
超高真空チャンバー１１内での成長が終わった後、基板
結晶７を設置したままサセプタ−６１及び６２を上下方
向に１８０度回転した後サセグタ−１６１を取シ除くｏ
その後ゲートパルプ１０を開放し基板結晶７を搭載した
サセプタ−２６２を前記水冷元型反応管ｌ内に導入する
Ｏ前記水冷丸型反応管１の内径は３９ｍｍであり、高純
度石英製である。冷却水は冷却水人口３よりａ人し冷却
水出口４より流出させ、反応カスは反応カス導入管２よ
シ導入し、反応ガス出口８より排出した０反応管内は真
空排気口９より２Ｘ１０ Ｔｏｒｒまで排気できる
構造となっている０基板原熱は高周波コイル５により高
周波電力を導入して行なった０ 基板結晶７として直径が２インチのｐ型（抵抗率１５Ω
・ｃｍ）珪素（８ｉ）単結晶を使用し、基板の面方位と
しては（１００）面を使用した□Ｓｉ基板はＮＨ３Ｈ，
０，溶液で表面処理した後％試料導入室１８に於いてサ
セプタ−１６１とサセ系内真空度を２Ｘ１０−９Ｔｏｒ
ｒとした０ 仄にあらかじめ３Ｘ１０ ”Ｔｏｒｒに
排気しである超高真空チャンバー１１内にゲートパルプ
１０．２を開放した後、基板結晶７を設置した状態でサ
セプタ−６１及び６２を導入する。
結晶７を設置したままサセプタ−６１及び６２を上下方
向に１８０度回転した後サセグタ−１６１を取シ除くｏ
その後ゲートパルプ１０を開放し基板結晶７を搭載した
サセプタ−２６２を前記水冷元型反応管ｌ内に導入する
Ｏ前記水冷丸型反応管１の内径は３９ｍｍであり、高純
度石英製である。冷却水は冷却水人口３よりａ人し冷却
水出口４より流出させ、反応カスは反応カス導入管２よ
シ導入し、反応ガス出口８より排出した０反応管内は真
空排気口９より２Ｘ１０ Ｔｏｒｒまで排気できる
構造となっている０基板原熱は高周波コイル５により高
周波電力を導入して行なった０ 基板結晶７として直径が２インチのｐ型（抵抗率１５Ω
・ｃｍ）珪素（８ｉ）単結晶を使用し、基板の面方位と
しては（１００）面を使用した□Ｓｉ基板はＮＨ３Ｈ，
０，溶液で表面処理した後％試料導入室１８に於いてサ
セプタ−１６１とサセ系内真空度を２Ｘ１０−９Ｔｏｒ
ｒとした０ 仄にあらかじめ３Ｘ１０ ”Ｔｏｒｒに
排気しである超高真空チャンバー１１内にゲートパルプ
１０．２を開放した後、基板結晶７を設置した状態でサ
セプタ−６１及び６２を導入する。
導入後、超高真空中で基板結晶７を１１０ｔ）°０に加
熱し表面の酸化膜を除去した。次に８ｉの分子線強度を
４Ｘ１０”原子／α２・ｓｅｃ となるようにＳｉの
蒸発速度を制御し１０分間Ｓｉ単結晶を成長させた後、
Ｓｉの分子線強匿を１分間に２ＸＩＯ１３原子／ｃＩＩ
Ｌ２・ｓｅｃの割合で減少させると同時に、Ｃの分子線
強度を２×ｌＯ原子／ｃＲ２＠ ｓｅｃから１分間に２
Ｘ１０１３原子／１２ ・ｓｅｅの割合で増加させ、１
０分間に渡シ薊記ｄｉ単結晶上に薄い中間層を形成し九
〇その後ゲートパルプ１０１ｒ島放し基板結晶７を搭載
し九丈セグター２６２をあらかじめ２Ｘ１０ ’１
：ｏｒｒに排気しておいた前記水冷元型反応管ｌ内に導
入した０ 成長に先立ち水素を導入し前記水冷元型反応管ｌ内を大
気圧の水素で満たした０反応ガスとして濃ｇｏ、０３モ
ル係のモノシラン（ＳｉＨ２）と０．０１モルチのプロ
パン（Ｃ３Ｈ１１）を使用し、キャリヤーカスとして水
素を使用し、水素、５ｉＨ４Ｃ３Ｈ８全体の流量を６１
／ｍｉｎ として反応カス導入管２よシ導入し、基板
温度を１３５０℃に２時間保ち炭化珪素単結晶膜の成長
を行なった０上記のようにして成長した膜をＸ１１１回
折法によ６．５±０．４μｍであった。次に基板結晶を
Ｈｌ−’ −ル・ボー（ｖａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ
）法により電気的特性をｆｉｌｌ定した精米、炭化珪
素単結晶膜はｎ型の電気電導性を示し、キャリヤー濃度
は４Ｘ１０′６／ＣＩｒＬ３テあり、移動度は５３０ｃ
ｖｔ／ Ｖ ｅ ｓｅｃという優れた値を示すものが得
られた０ なお、上記実施例では中間Ｊｉｆ上に炭化珪素単結晶膜
を気相成長させるのに、Ｓｉを含む化合物及びＣを含む
化合物を用いたが、これらの代シにＳｉ及びＣを同時に
含む化合物を使っても同様に実施することができる。
熱し表面の酸化膜を除去した。次に８ｉの分子線強度を
４Ｘ１０”原子／α２・ｓｅｃ となるようにＳｉの
蒸発速度を制御し１０分間Ｓｉ単結晶を成長させた後、
Ｓｉの分子線強匿を１分間に２ＸＩＯ１３原子／ｃＩＩ
Ｌ２・ｓｅｃの割合で減少させると同時に、Ｃの分子線
強度を２×ｌＯ原子／ｃＲ２＠ ｓｅｃから１分間に２
Ｘ１０１３原子／１２ ・ｓｅｅの割合で増加させ、１
０分間に渡シ薊記ｄｉ単結晶上に薄い中間層を形成し九
〇その後ゲートパルプ１０１ｒ島放し基板結晶７を搭載
し九丈セグター２６２をあらかじめ２Ｘ１０ ’１
：ｏｒｒに排気しておいた前記水冷元型反応管ｌ内に導
入した０ 成長に先立ち水素を導入し前記水冷元型反応管ｌ内を大
気圧の水素で満たした０反応ガスとして濃ｇｏ、０３モ
ル係のモノシラン（ＳｉＨ２）と０．０１モルチのプロ
パン（Ｃ３Ｈ１１）を使用し、キャリヤーカスとして水
素を使用し、水素、５ｉＨ４Ｃ３Ｈ８全体の流量を６１
／ｍｉｎ として反応カス導入管２よシ導入し、基板
温度を１３５０℃に２時間保ち炭化珪素単結晶膜の成長
を行なった０上記のようにして成長した膜をＸ１１１回
折法によ６．５±０．４μｍであった。次に基板結晶を
Ｈｌ−’ −ル・ボー（ｖａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ
）法により電気的特性をｆｉｌｌ定した精米、炭化珪
素単結晶膜はｎ型の電気電導性を示し、キャリヤー濃度
は４Ｘ１０′６／ＣＩｒＬ３テあり、移動度は５３０ｃ
ｖｔ／ Ｖ ｅ ｓｅｃという優れた値を示すものが得
られた０ なお、上記実施例では中間Ｊｉｆ上に炭化珪素単結晶膜
を気相成長させるのに、Ｓｉを含む化合物及びＣを含む
化合物を用いたが、これらの代シにＳｉ及びＣを同時に
含む化合物を使っても同様に実施することができる。
以上詳細に述べたように１本発明によれば、基板にＳｉ
単結晶を使用できるため大面積の成長層が得られ、Ｓｉ
分子線によりＳｉ単結晶を成長させ、その後Ｓｉ分子線
の童を徐々に減少させるとともに炭素（Ｃ）分子線の量
を徐々に増力口させることにより、分子線による成長で
あるため結晶成長速度を小さくでき、成長温度１分子線
の量の制御が容易となり、再現性良く前記Ｓｉ単結晶上
に薄い中間層を形成することができるようになる。
単結晶を使用できるため大面積の成長層が得られ、Ｓｉ
分子線によりＳｉ単結晶を成長させ、その後Ｓｉ分子線
の童を徐々に減少させるとともに炭素（Ｃ）分子線の量
を徐々に増力口させることにより、分子線による成長で
あるため結晶成長速度を小さくでき、成長温度１分子線
の量の制御が容易となり、再現性良く前記Ｓｉ単結晶上
に薄い中間層を形成することができるようになる。
この中間層は組成が基板と同じＳｉから上層の炭化珪素
の組成（ＳｉＣ）Ｋ向かって徐々に変化しているためＳ
ｉ基板と炭化珪素単結晶膜の間の格子定数差を緩和する
作用を持っている。このため前記中間層上にＳｉを含む
化合物及びＣを含む化合物あるいはＳｉ及びＣを含む化
合物を使用し結晶成長速度が大きい気相成長法により炭
化珪素単結晶膜を成長させることによって、Ｓｉ基板上
に高品質な炭化珪素単結晶膜を再現性良く短時間で成長
させることができるようになる。
の組成（ＳｉＣ）Ｋ向かって徐々に変化しているためＳ
ｉ基板と炭化珪素単結晶膜の間の格子定数差を緩和する
作用を持っている。このため前記中間層上にＳｉを含む
化合物及びＣを含む化合物あるいはＳｉ及びＣを含む化
合物を使用し結晶成長速度が大きい気相成長法により炭
化珪素単結晶膜を成長させることによって、Ｓｉ基板上
に高品質な炭化珪素単結晶膜を再現性良く短時間で成長
させることができるようになる。
第１図は本発明に使用した結晶成長装置の概念図である
。 ｌ・・・・・・水冷丸型反応管、２・・・・・・反応カ
ス導入管、３・・・・・・冷却水入口、４・・・・・・
冷却水出口、５・・・・・・高周波コイル、６１・・・
・・・サセプター１１６２・・・・・・サセプター２．
７・・・・・・基板結晶、８・・・・・・反応カス出口
、９・・・・・・真空排気０．１０１・・・・・・ゲー
トパルプ。 １０２・・・・・・ゲートパルプ、１１・・・・・・超
高真空チャンバー、１２・・・・・・水晶振動子膜厚計
、１３・・・・・・液体窒素シュラクト、１４・・・・
・・Ｅ屋電子銃、１５・・・・・・多結晶Ｓｉ、１６・
・・・・・グラファイト、１７・・・・・・高真空排気
口、１８・・・・・・試料導入室。 ＄ １ 図
。 ｌ・・・・・・水冷丸型反応管、２・・・・・・反応カ
ス導入管、３・・・・・・冷却水入口、４・・・・・・
冷却水出口、５・・・・・・高周波コイル、６１・・・
・・・サセプター１１６２・・・・・・サセプター２．
７・・・・・・基板結晶、８・・・・・・反応カス出口
、９・・・・・・真空排気０．１０１・・・・・・ゲー
トパルプ。 １０２・・・・・・ゲートパルプ、１１・・・・・・超
高真空チャンバー、１２・・・・・・水晶振動子膜厚計
、１３・・・・・・液体窒素シュラクト、１４・・・・
・・Ｅ屋電子銃、１５・・・・・・多結晶Ｓｉ、１６・
・・・・・グラファイト、１７・・・・・・高真空排気
口、１８・・・・・・試料導入室。 ＄ １ 図
Claims (1)
- 単結晶基板上に炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶膜を成長させ
る方法において、珪素（Ｓｉ）単結晶基板上にＳｉ分子
線によりＳｉ単結晶を成長させ、その後Ｓｉ分子線の量
を徐々に減少させるとともに炭素（Ｃ）分子線の量を徐
々に増加させることにより前記Ｓｉ単結晶上に薄い中間
層を形成し、その後Ｓｉを含む化合物及びＣを含む化合
物あるいはＳｉ及びＣを含む化合物を使用し気相成長法
により前記中間層上に炭化珪素単結晶膜を成長させるこ
とを特徴とする炭化珪素単結晶膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15041685A JPH0637355B2 (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 炭化珪素単結晶膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15041685A JPH0637355B2 (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 炭化珪素単結晶膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6212697A true JPS6212697A (ja) | 1987-01-21 |
| JPH0637355B2 JPH0637355B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=15496461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15041685A Expired - Lifetime JPH0637355B2 (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 炭化珪素単結晶膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637355B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0439821A (ja) * | 1990-06-05 | 1992-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 結晶性炭素系薄膜の堆積方法 |
| JP2001501161A (ja) * | 1996-10-01 | 2001-01-30 | エービービー リサーチ リミテッド | 目的物をエピタキシャル成長させるための装置およびそのような成長をさせるための方法 |
| JP2006086501A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-30 | Tohoku Electric Power Co Inc | 炭化珪素薄膜の製造方法 |
| WO2016201526A1 (en) * | 2015-06-19 | 2016-12-22 | Chee Yee Kwok | Silicon film and process for forming silicon film |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP15041685A patent/JPH0637355B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0439821A (ja) * | 1990-06-05 | 1992-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 結晶性炭素系薄膜の堆積方法 |
| JP2001501161A (ja) * | 1996-10-01 | 2001-01-30 | エービービー リサーチ リミテッド | 目的物をエピタキシャル成長させるための装置およびそのような成長をさせるための方法 |
| JP2006086501A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-30 | Tohoku Electric Power Co Inc | 炭化珪素薄膜の製造方法 |
| JP4732025B2 (ja) * | 2004-08-19 | 2011-07-27 | 東北電力株式会社 | 炭化珪素薄膜の製造方法 |
| WO2016201526A1 (en) * | 2015-06-19 | 2016-12-22 | Chee Yee Kwok | Silicon film and process for forming silicon film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0637355B2 (ja) | 1994-05-18 |
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