KR100197445B1 - 규소 및 기질위에 1,3-디실라부탄을 화학 증착하여 입방형 탄화규소 막을 적층 성장시키는 방법 - Google Patents

Abstract

규소와 탄소를 1:1의 비로 가지는 단일 원료인 1,3-디실라부탄을 사용하여 탄화 과정을 거치지 않은 원자적으로 깨끗한 규소 (001) 및 (111) 기질 표면에 10^-6∼10^-5Torr의 압력과 약 900 ℃ 내지 약 1000 ℃ 의 비교적 낮은 온도에서 입방형 탄화규소 막을 적층 성장시킨다.

Description

규소 (001) 및 (111) 기질 위에 1,3-디실라부탄을 화학 증착하여 입방형 탄화규소 막을 적층 성장시키는 방법

본 발명은 규소 (001) 및 (111) 기질 위에 1,3-디실라부탄을 화학 증착하여 입방형 탄화규소 막을 적층 성장시키는 방법에 대한 것으로, 더욱 구체적으로는 탄화층이 형성되지 않은 깨끗한 규소 (001) 및 (111) 기질 위에 1,3-디실라부탄을 화학 증착하여 입방형 탄화규소(cubic SiC)의 막을 적층 성장시키는 방법에 관한 것이다.

탄화규소는 규소나 갈륨비소 등의 반도체보다 월등히 우수한 특성을 가지고 있어서 앞으로의 반도체 소자로 유망한 물질이다. 때문에 세계적으로 탄화규소의 막을 형성하는 연구가 활발하게 일어나고 있고, 이미 탄화규소를 이용하는 반도체 소자들이 출현한 바 있으며, 앞으로 탄화규소 반도체의 응용이 더욱 다양해질 것으로 보인다.

탄화규소 막은 주로 화학 증착(chemical vapor deposition)에 의해 형성되고 있는데, 기존의 방법에서는 규소의 원료로는 실란을, 탄소의 원료로는 메탄 또는 프로판을 쓰는 것이 대부분이었다. 그러나 규소와 탄소의 원료로서 별개의 물질을 사용하는 경우, 이들의 규소 웨이퍼에 대한 친화도(affinity)가 크게 달라서 화학량론적인 막을 만들기가 어렵다[T. Yoshinobu, H. Mitsui, Y. Tarui, T. Fuyuki, and H. Matsunami, Jpn J. Appl. Phys. 31, L1580 (1992)]. 이 문제를 해결하기 위해서는 규소 웨이퍼의 표면을 얇게 탄화하여 표면에 탄화규소 층을 먼저 만드는 것이 보통이다. 표면 탄화규소 층이 일단 형성되고 나면 실란과 프로판 등을 동시에 기질로 보내어 탄화규소 막의 성장을 본격적으로 수행하게 된다. 탄화 방법으로는 메탄 또는 프로판을 높은 온도로 유지되는 규소 웨이퍼로 보내어 이 분자들이 열분해하여 생기는 탄소 활성 종이 웨이퍼 표면에서 규소와 결합하도록 하는 것이 있다. 또한 미리 메탄 또는 프로판을 높은 온도에서 열분해하여 활성화시킴으로써 탄화가 일어나는 규소 웨이퍼의 온도를 낮추어 주는 기체원 분자살 적층 성장(gas source molecular beam epitaxy, GSMBE)이라는 방법도 채택되고 있다[T. Yoshinobu, H. Mitsui, Y. Tarui, T. Fuyuki, and H. Matsunami, Jpn J. Appl. Phys. 31, L1580 (1992)]. 그러나 이와같이 규소와 탄소의 원료로서 별개의 물질을 사용하는 방법에서는 탄화 과정이 꼭 필요하고, 또한 탄화규소의 화학 증착 과정에서 적어도 두 가지의 원료 물질을 공급해야 하기 때문에 공정이 복잡하며, 화학 증착의 온도도 대부분의 경우에 1300 ℃ 이상의 고온이 요구된다.

단일 원료로부터 탄화규소의 막을 규소 웨이퍼의 표면에 증착한 예가 지금까지 더러 보고되었는데 [A. J. Steck], C. Yuan, J. P. Li, and M. J. Loboda, Appl. Phys. Lett. 63, 3347 (1993); D. J. Larkin and L. V. Interrante, Chem. Mater. 4, 22 (1992); A, K. Chaddha, J. D. Parsons, J. Wu, H.-S. Chen, D. A. Roberts, and H. Hockenhull, Appl. Phys. Lett. 62, 3097 (1993); Y. Avigal, M. Schieber, and R. Levin, J. Cryst. Growth 24/25, 188 (1974); K. Takahashi, S. Nishino, and J. Saraie, J. Electrochem. Soc. 139, 3565 (1992);, 대부분의 경우 증착 온도가 높은 것이 결점이다.

규소 웨이퍼의 표면을 탄화하지 않고도 증착을 성공적으로 수행한 것은 Golecki 등이 보고한 예밖에는 없는 듯하다 [I. Golecki, F. Reidinger, and J. Marti, Appl. Phys, Lett. 60, 1703(1992)]. 이들이 사용한 단일 원료는 기체 메틸실란(CH₃SiH₃)이며 증착 온도는 750 ℃로 매우 낮은 편이다. 그러나 메틸실란은 발화성이 강하기 때문에 공기에 노출시켜서는 안되며 상온에서 기체이기 때문에 취급에 주의를 요한다.

본 발명의 목적은 규소와 탄소를 모두 제공할 수 있으면서 취급과 증착이 용이한 단일 물질을 사용하여 규소 기질 위에 입방형 탄화 규소막을 적층 성장시키는 방법을 제공하는 것이다.

이를 위해 본 발명에서는 1,3-디실라부탄을 화학 증착하여 규소(001) 및 (111) 기질 위에 탄화 규소 막을 적층 성장시키는 방법을 제공한다.

상기 기질은 탄화 과정을 거치지 않은 원자적으로 깨끗한 규소 웨이퍼를 사용할 수 있다.

화학 증착은 대략 900 ℃ 내지 1000 ℃의 온도와 대략 10^-6내지 10^-5Torr의 고진공 하에서 행해지는 것이 바람직하다.

또한 화학 증착의 원료를 수송하기 위한 운반 기체는 사용하지 않아도 된다.

본 발명에 따르면 규소와 탄소를 동시에 공급하여 주는 단일 원료를 사용하여 900∼1000 ℃의 비교적 낮은 온도에서 원자적으로 깨끗한, 탄화시키지 않은 규소 (001) 및 (111) 기질 위에 탄화규소의 막을 적층 성장시킬 수 있다. 또한 1,3-디실라부탄은 공기 중에서 아주 안정하며 상온에서 증기압이 충분히 높은 액체이기 때문에 취급하기 용이하고 전혀 위험하지 않다는 장점이 있다.

본 발명의 구체적인 예에서 기질로 사용되는 규소 웨이퍼는 0.5mm 두께의 (001) 및 (111) 면이며 그 표면에 Shiraki의 방법[A. Ishizaka and Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc. 133, 666 (1986)]으로 표면 산화막을 만들고 화학 증착을 행하기 바로 전에 이를 가열 제거하여 원자적으로 깨끗한 규소의 표면을 얻을 수 있도록 준비하였다. 원료 화합물인 1,3-디실라부탄은 부피가 약 200mL인 Pyrex 유리 구에 담아 진공 장치를 연결하였고, 유리 구의 밑바닥에 액체가 충분히 남도록 하여 유리 구 전체에는 1,3-디실라부탄의 증기가 포화되도록 하였다. 그 증기압은 22℃에서 16.5 Torr였다. 유리 구와 진공 장치의 사이에 설치된 가변 누출 밸브(variable leak valve)를 조금 열어 진공 장치의 압력이 10^-6∼10^-5Torr가 되는 범위에서 고진공 화학 증착을 수행하였다.

이 때 진공 장치는 바탕 압력이 10^-9Torr 정도인 초고진공 장치를 사용하였다. 화학 증착의 원료를 수송하기 위한 운반 기체는 사용하지 않았다. 증착 시간은 4 시간 정도였다. 증착 실험으로 소비되는 1,3-디실라부탄의 양은 극히 적었다.

증착을 시작하기 전에 규소 기질을 750℃로 가열하여 표면 산화층을 제거한 뒤에 표면의 깨끗한 상태를 반사 고에너지 전자 회절법(reflection high energy electron diffraction, RHEED)으로 확인하였고, 탄화규소 막이 형성되는 과정도 이 방법으로 확인하였다. 증착이 끝난 뒤에는 시료를 초고진공 장치로부터 꺼내어 X선 광전자 분광법(X-ray phtoelectron spectroscopy, XPS)으로 막의 조성을 측정하였고, X선 회절법(X-ray diffractometry), X선 극점도 분석(X-ray polefigure analysis), 투과 전자 현미경법(transmission electron microscopy)으로 결정성을 확인하였으며, 막의 표면 형태를 주사 전자 현미경법(scanning electron microscopy, SEM)으로 관찰하였다. 모든 실험 결과로부터 본 발명에서 제조한 탄화규소의 막은 적층 성장된 막임이 밝혀졌고, 따라서 1,3-디실라부탄이 탄화규소 적층 막의 증착 원료로 유용함이 증명되었다.

이하 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 단, 본 발명의 범위가 하기 실시예만으로 한정되는 것은 아니다.

[실시예 1]

본 발명의 모든 실시예에서 사용한 화학 증착 장치는 구워 빼기(bakeout)가 가능한 스테인레스 강으로 제작된 초고진공 용기로서 그 주요 부분은 기체 도입부, 반응실, 배기부로 구성된다. 기체 도입부에는 외경이 1/4 인치이고 내벽이 매끄럽게 표면 처리된 스테인레스 강관을 개폐용 금속 밸브(metal valve)와 함께 사용하였다. 이 기체 도입부관에는 원료 물질을 담고 있는 유리 구, 관 내부의 압력을 측정하는 압력계, 반응실로 유입되는 기체의 유량을 조절하는 미세 계량 밸브 등이 연결된다. 반응실에는 내부 압력을 측정하기 위한 전리 진공계(ionization gauge)와 반응실 내부에 잔류하는 기체의 질량 스펙트럼을 얻을 수 있는 사중극자 질량 분석기(quadrupole mass analyzer)가 장착된다. 그리고 박막의 침착이 이루어지는 동안에 시료 표면의 구조 변화를 실시간 분석할 수 있는 반사 고에너지 전자 회절 장치와 시료 고정대가 부착되어 있다. 배기부는 액체 질소 포착기가 있는 기름 확산 펌프 및 이온 펌프, 티탄 승화 펌프 등으로 구성되어 있다.

본 발명에서 탄화규소 박막의 원료 물질을 사용한 1,3-디실라부탄을 고진공 하에서 유리 구에 옮기고, 이를 액체 질소로 얼린 상태에서 유리 구의 공간을 배기하고 밸브를 닫은 뒤에 상온에서 녹여 액체로 되면 다시 액체 질소로 얼려 배기하는 과정을 여러 번 반복하여 충분히 정제하였다.

발명에 사용된 단결정 Si(001) 및 Si(111) 기질은 비저항이 각기 1∼4 Ω㎝와 6∼9 Ω㎝인 n형으로, 그 크기가 12 x 25 mm²인 직사각형 모양이다. 이 기질을 Shiraki 방법으로 알려진 화학적 세척 과정을 거쳐 그 표면에 보호 산화막을 만들고 반응실의 내부에 있는 시료 고정대에 부착시켰다. 시료 고정대는 X, Y, Z 축의 세 방향으로 선형적으로 움직일 수 있을 뿐만 아니라, 회전축을 이용하여 방위각(azimuthal angle)과 극각(polar angle)도 변화시키도록 설계되어 있는 것이었다. 시료의 온도는 적외선 광학 고온계(optical pyrometer)를 이용하여 측정하였다.

반응실의 바탕 압력을 10^-9Torr 영역까지 낮춘 다음 기질을 650 ℃에서 5 시간 동안 예비 가열하여 기질과 기질의 주위로부터 발생하는 기체를 충분히 제거한 다음 증착을 시작하기 직전에 기질을 950 ℃에서 15 분 동안 가열함으로써 표면에 형성되어 있던 산화막을 제거하였다. 이렇게 처리된 Si(001) 표면으로부터 뚜렷한 2×1 RHEED 상이 관측되어 깨끗한 표면이 얻어졌음을 확인하였다.

탄화규소 박막을 성장시키기 위한 증착을 행하기 직전에 정제한 1,3-디실라부탄 기체를 도입관에 5∼6 Torr의 압력으로 채웠다. 미세 계량 밸브를 이용하여 반응실의 내부 압력이 8.0 x 10^-6Torr 정도가 되도록 1,3-디실라부탄을 도입하였다. 그리고 기질의 온도를 상온으로부터 950 ℃까지 약 2 분에 걸쳐 올리고, 9 시간 20 분 동안 화학 증착을 수행하였다. 그 결과 얻은 탄화규소 박막의 표면을 우선 RHEED로 관측한 결과, 전형적인 입방형 탄화규소의 전자 회절상을 얻었다. 이로부터 일차적으로 얻어진 탄화규소 박막이 적층 성장 구조를 이루고 있음을 확인하였다.

또한 X선 광전자 분광법(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS)과 리더포드 후방 산란 분광법(Rutherford backscattering spectroscopy, RBS)을 이용하여 분석한 결과 얻어진 박막의 규소와 탄소의 조성비가 오차 범위 내에서 1.0:1.0임을 보였다. 이 박막을 X선 회절법으로 20∼80℃의 2θ 범위에서 측정한 결과, Si(001) 기질로부터 오는 봉우리들 외에는 탄화규소의 면방향 (200)의 회절을 나타내는 한 개의 뚜렷한 봉우리만이 2θ = 41.4°부근에서 관찰되었다. 이는 얻어진 탄화규소 박막이 입방형의 구조를 가지고 있음을 의미하는 것이다. 규소 기질과 성장된 탄화규소 박막 사이의 결정학적 방향 관계를 알아보기 위해 (001) 면 위에 {111} 극점들만을 나타내어 (111) 극점도(pole figure)를 측정해 보았다. 그 결과는 규소 기질의 면방향과 그 위에 형성된 탄화규소의 면방향이 일치하고 있을 뿐만 아니라 그 면에서 RD(rolling direction)에 평행한 방향들도 일치하고 있음을 보여 주었고, 이는 적층 방향 SiC(001)[110]∥Si(001)[110]과 관련된 4 개의 강한 (111) 극점 밀도의 극대점들(pole density maxima)만의 검출로 확인되었다. 이 결과는 입방형 탄화규소만이 Si(001) 기질 위에 적층 성장되었음을 말해 주는 것이다.

한편 주사 전자 현미경법(scanning electron microscopy, SEM)을 이용하여 박막 표면이 매우 평탄함을 볼 수 있었고, 단면의 사진으로 부터 막의 두께가 약 1㎛임을 확인하였다. 탄화규소 박막의 특성을 조사하는 마지막 단계로 투과 전자 현미경법(transmission electron microscopy, TEM)을 이용한 분석을 행하였다. 이 분석을 위해 플루오르화수소산(HF)과 질산(HNO₃)의 혼합 용액을 사용하여 박막으로부터 규소 기질만을 화학적으로 제거하여 박막 시료를 준비하였다. 순수한 탄화규소 박막은 눈으로 보아 투명하였다. 분석 결과로부터 얻은 투과전자 회절 무늬는 입방 구조의 단결정으로부터 형성되는 사중 대칭을 가지는 전형적인 무늬임을 확인하였으며, 이는 본 실험에서 얻어진 탄화규소 박막이 양질의 입방형 구조를 가지는 단결정임을 재차 확인해 주는 것이었다.

[실시예 2]

실시예 1과 동일한 조건으로 준비한 n형 Si(111) 웨이퍼를 기질로 사용하였다. 기질을 650 ℃의 온도로 5 시간 동안 예비 가열하여 시료 고정대와 기질에 흡착된 기체를 제거하였다. 증착 직전에 기질을 다시 960 ℃에서 15분 동안 가열하여 보호 산화막을 제거하고 그 온도를 실온으로 내린 후 반응실의 압력이 1.0 × 10^-8Torr 이하로 내려갈 때까지 기다렸다. 1,3-디실라부탄을 실시예 1과 같은 방법으로 반응실로 도입하여 그 압력을 8.0 x 10^-6Torr로 유지시키면서 기질의 온도를 약 5 분 동안에 950 ℃로 높이고, 6 시간 30 분 동안 증착을 수행하였다. 이 때 시료 고정대를 조정하여 도입관의 끝 부분과 기질의 거리를 3㎝로 조정하였다.

이렇게 하여 얻은 박막은 입방형 결정 구조의 반사 고에너지 전자 회절 무늬를 보였고, 그 두께는 주사 전자 현미경의 단면 사진을 통해 약 3㎛인 것으로 관측되었다. 한편 X선 무늬에서는 기질로 사용된 단결정 Si(111)면으로부터 오는 봉우리들 외에는 탄화규소 박막의 입방 구조로 인한 면방향 (111)의 회절 (2θ = 35.7°부근) 봉우리만이 뚜렷하게 나타났다. 이 결과는 얻어진 탄화규소 박막이 Si(111) 기질 표면의 면방향과 같은 방향으로 적층 성장하였음을 의미한다.

[실시예 3]

실시예 2와 동일한 기질을 동일한 조건에서 준비하여 증착 압력 5 x 10^-6Torr, 증착 온도 1000 ℃에서 8 시간 동안 증착을 수행하였다. 이렇게 얻은 박막 역시 입방형 결정 구조의 반사 고에너지 전자 회절 무늬를 보였고, 그 두께는 주사 전자 현미경의 단면 사진을 통해 약 1.43㎛인 것으로 관측되었다. X선 회절 실험에서도 Sic(111) 봉우리들의 상대적 세기가 약간 다른 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 결과를 얻었다. 이 예에서는 얻어진 박막의 결정성을 알아보기 위해 2θ = 35.7°에서 나타나는 SiC(111)의 회절 봉우리의 반높이 나비(full-width at half maximum)를 측정하였다. 그 값은 약 0.45°였으며 Si(111) 기질의 경우 본 발명을 위한 실험에서의 온도 영역(900~1000℃)에서는 1000℃에서 증착한 박막의 결정성이 가장 좋은 것으로 나타났다.

[실시예 4]

실시예 1과 동일한 방법으로 n형 Si(001) 기질 위에 화학 증착을 수행하였다. 반응실의 바탕 압력은 1.0 x 10^-8Torr였으며, 미세 계량 밸브를 사용하여 반응실의 압력이 5.0 x 10^-6Torr가 되도록 1,3-디실라부탄을 도입하였다. 이 때 기질의 온도를 400 ℃에서 30초당 약 10 ℃ 의 속도로 970 ℃ 까지 높이고, 4 시간 동안 화학 증착을 수행하였다.

증착된 박막의 특성을 반사 고에너지 전자 회절 무늬, X선 광전자 스펙트럼, X선 회절 무늬, X선 극점도를 통해 분석한 결과 실시예 1과 거의 동일하였다. 주사 전자 현미경 단면 사진으로부터 막의 두께는 약 0.8㎛로 측정되었다.

[실시예 5]

실시예 1과 동일한 방법으로 n형 Si(001) 기질 위에 화학 증착을 수행하였다. 다만 반응실의 바탕 압력을 8.0 x 10^-9Torr까지 낮춘 다음 기질을 650 ℃에서 5 시간 동안 예비 가열하고 940 ℃에서 15 분 동안 가열하여 표면 산화막을 제거하였다. 증착 직전에 기질을 950 ℃ 에서 15 초 동안 급속 열처리하고 실온으로 식힌 뒤에 미세 계량 밸브를 열어 반응실의 압력이 8.0 x 10^-6Torr가 되도록 1,3-디실라부탄을 도입하였다. 다음에 기질의 온도를 940 ℃로 서서히 높이고, 7 시간 동안 화학 증착을 수행하였다. 증착된 박막의 특성은 실시예 4와 거의 동일하였고 그 두께는 0.4㎛였다.

[실시예 6]

실시예 1과 동일한 방법으로 n형 Si(001) 기질 위에 화학 증착을 수행하였다. 반응실의 바탕 압력은 6.4 x 10^-9Torr까지 낮춘 다음 기질을 650 ℃에서 5 시간 동안 예비 가열하고 930 ℃에서 15 분 동안 가열하여 표면 산화막을 제거하였다. 증착 직전에 기질을 950 ℃ 에서 15 초 동안 급속 열처리하고 실온으로 식힌뒤에 정제한 1,3-디실라부탄 기체를 도입관에 9.0 Torr로 채웠다. 그리고 미세 계량 밸브를 열어 반응실의 압력이 8.2 x 10^-6Torr가 되도록 1,3-디실라부탄을 도입하였다. 다음에 기질의 온도를 930 ℃로 서서히 올리고, 5 시간 30 분동안 화학 증착을 수행하였다. 증착된 박막의 특성은 실시예 1와 거의 동일하였고 그 두께는 0.3㎛였다.

[실시예 7]

실시예 1과 동일한 방법으로 n형 Si(001) 기질 위에 화학 증착을 수행하였다. 반응실의 바탕 압력을 1.0 x 10^-8Torr까지 낮춘 다음 기질을 630 ℃에서 5 시간 동안 예비 가열하고 950 ℃에서 15 분 동안 가열하여 표면 산화막을 제거하였다. 증착 직전에 기질을 960 ℃ 에서 15 초 동안 급속 열처리하고 실온으로 식힌뒤에 정제한 1,3-디실라부탄 기체를 도입관에 5.0 Torr로 채웠다. 미세 계량 밸브를 열어 반응실의 압력이 9.0 x 10^-6Torr가 되도록 1,3-디실라부탄을 도입하였다. 기질의 온도를 950 ℃로 서서히 올리고, 8 시간 동안 화학 증착을 수행하였다. 증착된 박막의 특성은 실시예 1과 거의 동일하였고 그 두께는 0.8㎛였다.

[실시예 8]

실시예 1과 동일한 방법으로 n형 Si(001) 기질 위에 화학 증착을 수행하였다. 반응실의 바탕 압력을 9.4 x 10^-9Torr까지 낮춘 다음 기질을 650 ℃에서 12 시간 동안 예비 가열하고 950 ℃에서 15 분 동안 가열하여 표면 산화막을 제거하였다. 증착 직전에 기질을 950 ℃ 에서 15 초 동안 급속 열처리하고 실온으로 식힌 뒤에 정제한 1,3-디실라부탄 기체를 도입관에 6.1 Torr로 채웠다. 그리고 미세 계량 밸브를 열어 반응실의 압력이 8.6 x 10^-6Torr가 되도록 1,3-디실라부탄을 도입하였다. 다음에 기질의 온도를 915 ℃로 서서히 올리고, 8 시간 동안 화학 증착을 수행하였다. 증착된 박막의 특성은 실시예 1과 거의 동일하였고 그 두께는 0.6㎛였다.

[실시예 9]

실시예 1과 동일한 방법으로 n형 Si(001) 기질 위에 화학 증착을 수행하였다. 반응실의 바탕 압력을 9.8 x 10^-9Torr까지 낮춘 다음 기질을 650 ℃에서 7 시간 동안 예비 가열하고 1000 ℃에서 15 분 동안 가열하여 표면 산화막을 제거하였다. 증착 직전에 기질을 1000 ℃ 에서 15 초 동안 급속 열처리하고 실온으로 식힌뒤에 정제한 1,3-디실라부탄 기체를 도입관에 5.2 Torr로 채웠다. 미세 계량 밸브를 열어 반응실의 압력이 8.0 x 10^-6Torr가 되도록 1,3-디실라부탄을 도입하였다. 기질의 온도를 1000 ℃로 서서히 올리고, 8 시간 동안 화학 증착을 수행하였다. 증착된 박막의 특성은 실시예 1과 거의 동일하였고 그 두께는 0.3㎛였다.

[실시예 10]

실시예 1과 동일한 방법으로 n형 Si(001) 기질 위에 화학 증착을 수행하였다. 반응실의 바탕 압력을 8.5 x 10^-9Torr까지 낮춘 다음 기질을 650 ℃에서 5 시간 동안 예비 가열하고 900 ℃에서 15 분 동안 가열하여 표면 산화막을 제거하였다. 증착 직전에 기질을 950 ℃ 에서 15 초 동안 급속 열처리하고 실온으로 식힌뒤에 정제한 1,3-디실라부탄 기체를 도입관에 5.33 Torr로 채웠다. 미세 계량 밸브를 열어 반응실의 압력이 9.0 x 10^-6Torr가 되도록 1,3-디실라부탄을 도입하였다. 기질의 온도를 900 ℃로 서서히 올리고, 8 시간 동안 화학 증착을 수행하였다. 증착된 박막의 특성은 실시예 1과 거의 동일하였고 그 두께는 0.9㎛였다.

Claims (6)

1,3-디실라부탄을 화학 증착하여 규소 (001) 및 (111) 기질 위에 입방형 탄화규소 막을 적층 성장하는 방법.

제1항에 있어서, 상기 기질이 탄화 과정을 거치지 않은 원자적으로 깨끗한 규소 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 방법.

제2항에 있어서, 상기 규소 웨이퍼의 표면에 표면 산화막을 형성한 후 화학 증착을 행하기 전에 상기 웨이퍼를 가열하여 상기 표면 산화막을 제거하는 것을 특징으로 하는 방법.

제1항에 있어서, 화학 증착을 대략 900 ℃ 내지 1000 ℃의 온도에서 행하는 것을 특징으로 하는 방법.

제1항에 있어서, 화학 증착의 원료를 수송하기 위한 운반 기체를 사용하지 않은 기체를 특징으로 하는 방법.

제1항에 있어서, 화학 증착을 대략 10^-6내지 10^-5Torr의 고진공 하에서 행하는 것을 특징으로 하는 방법.