JP2001501161A - 目的物をエピタキシャル成長させるための装置およびそのような成長をさせるための方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 例えば、ＳｉＣである目的物を基板上に化学蒸着によってエピタキシャル成長させるための装置が、この基板を受けるための室１８へ実質的にキャリアガスだけを導ように配設された第１導管２４、およびこの第１導管内に受けられ、断面がこの第１導管より小さく、且つこの第１導管の内壁から分離する周辺空間を置いてこの第１導管の縦方向に伸びる第２導管２５を有する。この第２導管は、実質的に反応ガスの全流れを導くようにされ、上記流れの方向に見て、上記室からある距離置いて終り且つ上記第１導管に現れる。

Description

【発明の詳細な説明】 目的物をエピタキシャル成長させるための装置 およびそのような成長をさせるための方法発明および先行技術の技術分野 本発明は、ａ）ＳｉＣ、ｂ）第３族窒化物およびｃ）その合金の一つの目的物 を基板上に化学蒸着によってエピタキシャル成長させるための装置で、この基板 を受けるための室を囲む周囲壁を有するサセプタ、この成長に必要な少なくとも キャリアガスおよび反応ガスの流れをこのサセプタの中へこの基板に向けて供給 するための手段および上記周囲壁をおよびそれによってこの基板および上記反応 ガスを、これらの反応ガスが上記目的物の成長のためにこの基板上に堆積する物 質に分解し始める温度レベル以上に加熱するための手段を含み、上記供給手段が 上記室の中に現れる導管を含む装置、並びに添付する独立の方法請求項の前文に 従ってそのような目的物をエピタキシャル成長させるための方法に関する。 従って、この発明は、ＳｉＣ、第３族窒化物およびその合金の成長に適用可能 であるが、そのような目的物を高い結晶品質でおよび商業的観点から妥当な成長 速度で成長させるべきときの共通の問題を、次に非限定的例としてＳｉＣについ て更に説明する。 ＳｉＣ単結晶をそのような妥当な成長速度で成長させるとき、基板および上記 反応ガス、例えば、シランおよびプロパンを加熱する温度は、かなり高くなけれ ばならず、本出願人による米国特許出願第０８／５１１３２４号（スウェーデン 国特許出願第９５０２２８８−５号に対応）に記載されている、所謂高温化学蒸 着（ＨＴＣＶＤ）法を使うのが好ましい。しかし、そのような高温は、上に定義 し且つ例えば上記米国特許出願第０８／５１１３２４号に記載されている装置に ある上記室の上記導管の入口近くで、反応ガス、特にシランの早期分解を生ずる 。そのような早期分解は、しばらくすると上記導管の詰りを生じ、それで望むよ り早く成長を中断しなければならない。更に、成長中に上記導管の自由通路の断 面が次第に減少するとき、上記反応ガスの基板の方への流れが不規則になる。発明の概要 本発明の目的は、ＳｉＣ、第３族窒化物およびその合金である目的物を、まだ 成長した目的物の高結晶品質を得ながら、高成長速度でエピタキシャル成長させ 、および所望のサイズの目的物が成長するまでこの成長を実行できることを可能 にする装置および方法を提供することによって、上に議論した問題の解決策を提 言することである。 この目的は、この発明によれば、序文で定義した装置に、更に、最初に述べた 第１導管内に受けられ、断面がこの第１導管より小さく、且つこの第１導管の内 壁から分離する周辺空間を置いてこの第１導管の縦方向に伸びる追加の第２導管 を含む供給手段を設け、上記供給手段が、この第１導管に実質的にキャリアガス だけを導かせ、およびこの第２導管に実質的に反応ガスの全流れを導かせるよう にされていて、並びに上記第２導管が、上記流れの方向に見て、上記室からある 距離置いて終り且つ上記第１導管に現れることによって達成される。それで、反 応ガスがキャリアガスの主流から分離される（上記第２導管は、その中の流れの 速度を増すために少量のキャリアガスも導いてよい）。上記第２導管が上記室か らある距離置いて終るという事実のために、それは、その中の反応ガスが分解し 、上記第２導管が詰る危険があるほど熱く成らない。更に、上記第２導管から現 れる反応ガスの流れは、上記周辺空間のために、詰り危険地帯で上記導管を流れ るキャリアガスによって囲まれ、この第２導管がまだあるかのように、キャリア ガスと殆ど混ざらずに、真っ直ぐに流れ続ける傾向がある。従って、キャリアガ ス流が反応ガスの流れを第１導管の熱い壁から少なくとも部分的に断熱し、それ で第１導管の反応ガスが流れる部分で温度が低い。この事実は、反応ガスが上記 室に入る前に上記第１導管内で早期分解するのを防ぎ、もし、そのような早期分 解が結局起きても、分解したガスが第１導管の内壁に達するためには、キャリア ガス流によって長い距離に渡って拡散するので、従って僅かな程度しか上記壁に 達せず、それで上記第１導管の上記室に最も近い部分の詰りが避けられ、または 何れにせよ先行技術の装置より遙かに長い時間後に分解が生ずる。この装置のも う一つの利点は、反応ガス、特にＳｉＣの成長の場合シランが、かなりの分解お よびサセプタに入る前の堆積によって浪費されず、その意味で経済性も良くなる こ とである。 この発明の好適実施例によれば、この第１導管は、第２導管がこの第１導管に 現れる領域で断面が拡大し、この領域から上記室の方向に減少する。これは、た とえ目的物が高成長速度で成長しても、入口の詰りが生ずるまでの成長時間を著 しく引き延すことを可能にする、非常に有利な特徴である。上述のように、反応 ガスの一部が結局上記室に到達する前に第１導管内で分解し、その内壁に堆積し がちだろう。そのような堆積は、反応ガスが第１導管に入るほぼ直ぐ下流の温度 に対応する、これらのガスのほぼ決った温度範囲内だけで生じ、従って上記領域 で、およびそれからある距離下流で、それらは再びこの危険温度範囲を超え、そ れで第１導管のこの領域に堆積リングが出来る。この領域で断面を拡大し、この 領域から上記室の方向に減少することによって、この第１導管の壁に沿って導か れる外キャリアガス流が断面の小さいこの導管の部分を通過するとき、この領域 で加速され、それでこの流れは、寄生的堆積が生ずるかも知れないこの危険領域 に達するとき、反応ガスの種を中央へ押戻すだろう。第１導管の加熱した壁に到 達する分解した反応ガスからの種の正味量は、減少するだろう。更に、この領域 での第１導管の内壁の加熱は、第１導管の断面が上記室に近いほど上記領域より 小さいので、輻射遮蔽効果によりおよび単位体積当りの伝導熱伝達の正味減少に より低減する。その上、第１導管が詰るのも、単純にその断面が上記領域で大き いという理由で、長時間掛るだろう。 この発明の他の好適実施例によれば、上記第１導管の内壁が上記領域から収束 する。これは、減少する断面を得る適当な方法であることが分った。これらの壁 は、何か所望の方法、例えば、線形的に、指数関数的にまたはその他の関数に従 って収束しても良い。 この発明の他の好適実施例によれば、第１導管の断面が上記領域から上記室の 方向に上記室の上流の第１位置まで減少し、且つ上記位置から上記室まで実質的 に一定の断面であり、それが、輻射遮蔽効果によりおよび単位体積当りの伝導熱 伝達の正味減少により、上記位置の上流の第１導管内壁の加熱を低減する。 この発明の他の好適実施例によれば、第１導管の断面が上記領域の下流の第２ 位置から上記室まで増加し、それで上記室への開口が拡散器として形作られ、反 応ガスがある環境では望ましい方法で発散する。 この発明の他の好適実施例によれば、上記領域の隣の上流側で第１壁部の内壁 を冷却するようにされた手段を含み、およびこの第１壁部の下流の上記第１導管 の壁部が、上記領域での上記第１導管の壁に沿う温度勾配を出来るだけ急にする ために、上記加熱されたサセプタからの熱伝達を利用する熱伝導度の材料で出来 ている。これは、第１導管の温度勾配が上記領域で非常に急であることを意味し 、それは、反応ガスが内第２導管から現れるとき、激しく加熱され、それによっ て自然対流によって加速され、寄生的堆積のための危険地帯を出来るだけ速く通 過することを意味する。更に、急な温度勾配が存在することは、上記危険地帯を その直ぐ下流に形成することを可能にし、それで堆積が、無害な断面の広い部分 で起り、急速な閉塞に繋がることがある、断面の減少する導管部の端では起らな い。 この発明の他の好適実施例によれば、上記第１導管および上記第２導管が少な くとも上記室の近くで、互いに関して同心状に配置されている。二つの導管のそ のような相互配置は、上記第２導管と第１導管の内壁の間の最短距離が最大であ り、それによって上述のこの発明の利点が可能な限り大きいので、有利である。 この発明の他の好適実施例によれば、上記導管が実質的に垂直に伸び、上記室 の実質的に垂直の壁が上記基板を坦持するようにされ、および上記室がその天井 にその入口と実質的に反対に配置されたガス出口を有する。そのような所謂煙突 反応器形構成を作ることによって、品質の良い成長を得ることが可能になった。 この装置構成は、複数の基板を、その上で目的物を成長させるために、上記室の 実質的に垂直の壁に配置することも可能にし、それで成長能力が増し、および低 キャリアガス流で高温に適した形態のために、高い成長速度も得られるかも知れ ない。 この発明の他の好適実施例によれば、この装置は、ＳｉＣである目的物を成長 させるようにされ、上記加熱手段は、反応ガスをその温度が上記第１導管に入っ た後であるが上記室に入る前に５００℃以上に上がるように加熱するように配設 されている。これは、反応ガス、特にシランが、それを使うと、５００℃で分解 を始め、これが第２導管で起ることを避けなければならないので、有利である。 しかし、反応ガス上記室に達する前にこれが起ることを避けることは、そうでな ければ上記室内の温度が高成長速度を得るためには遙かに低く過ぎるだろうから 、不可能である。最後に述べた実施例の更なる発展形を構成する、他の好適実施 例によれば、上記加熱手段が、反応ガスをその温度が第１導管の断面が減少する 部分の最上流部で５００℃以上に上がるように加熱するように配設されている。 これは、主としてＳｉ種によって出来る堆積リングがこれによって断面が非常に 広いところに位置し、起り得る導管の閉塞に非常に長時間掛るだろうから、非常 に好ましい。 この発明による方法およびその好適実施例は、添付の方法の請求項で定義され 、これらの請求項の特徴の利点は、上の議論から明白であり、それでここでは、 好適実施例では、キャリアガスを、上記第２導管内の反応ガスの流れの速度と実 質的に同じ速度で上記第１導管に供給することだけを付け加え、および反応ガス が実質的に反応ガスを何も含まないキャリアガス流に囲まれて上記第２導管の延 長を流れ続けるように、両流れを実質的に同じ速度に選択することは、上記第２ 導管の上記端を越える二つの流れの相互混合が最少の最適結果に繋がることが分 った。 この発明による装置および方法の更なる好適特徴および利点は、以下の説明お よびその他の従属請求項から明白だろう。図面の簡単な説明 添付の図面を参照して、例として挙げる、この発明の好適実施形態の詳細な説 明が以下に続く。 これらの図面で： 図１は、化学蒸着によって目的物を成長させるための、米国特許出願第０８／ ５１１３２４号に記載されている型式の先行技術の装置の縦断面図であり、 図２は、この発明の第１好適実施例による、図１に示す種類の装置のサセプタ のガス入口部の拡大図であり、 図３は、第２導管が図２のガス入口部の第１導管に現れる領域の、図２に関す る拡大図であり、 図４は、この発明の第２好適実施例による装置のガス入口部の、図３に対応す る図であり、 図５は、この発明の第３好適実施例による装置の断面図であり、 図６は、この発明の第４好適実施例による装置のサセプタのガス入口部の、図 ３および図４に対応する図であり、並びに 図７は、この発明の第５好適実施例による装置の単純化した図である。発明の好適実施例の詳細な説明 図１は、米国特許出願第０８／５１１３２４号に記載されている型式の装置を 概略的に示す。この発明による装置がその装置と同じ原理構成を有し、本発明で 説明する特別な特徴がそれと異なるだけであるので、ここに説明する。この装置 は、ＳｉＣ基板上にＳｉＣを化学蒸着によってエピタキシャル成長させるのに適 する。この装置を単純化した方法で示し、それで問題の装置が、ポンプのような 、多の手段も含むことは明らかであるが、この発明の問題に関係のない従来の装 置は、明確さとこの発明に集中するために省略してある。 この装置には、ほぼ垂直に伸びる石英管によって構成されるケーシング１並び に二つの対向する端フランジ３および４がある。端フランジ４は、管２の内部に アクセスできるように、取外し可能であるのが好ましい。基板に上記成長をする ためのキャリアガスおよび反応ガス、好ましくはシランおよびプロパンの流れを 供給するための導管５が下端フランジ３から挿入されている。この導管５は、シ ランおよびプロパンのような、上記成長のための種々のガス源並びに上記キャリ アガスに通ずる別々の導管２０〜２３に接続され、これらの導管は、導管５の中 のガス流の成分の含有量を調整するために流量調整手段（図示せず）を備える。 導管２０〜２３は、図１では明確さのために、ケーシング１の近くで導管５に現 れるように示すが、実際にはそれらは多分そこからかなり離れているだろう。 更に、この装置には、ガス流を導管５からサセプタ７の中へ集めるためのファ ンネル６がある。図１に示すサセプタ７は、ＳｉＣの層をエピタキシャル成長す るようにされている。このサセプタは、ぼぼ均一な厚さの周囲壁８を備えるほぼ 円筒形である。これらの壁は、グラファイトで作られているが、内部がＳｉＣの 層９によって被覆され、またはその代りにＳｉＣ製の円筒形板が被されている。 サセプタを囲む空間は、石英管２周辺を保護するための断熱のためにグラファイ トフォームが封入・充填されている。高周波コイルの形の高周波磁界放熱手段１ １がサセプタ７の縦軸に沿って管２を囲む。この加熱手段１１は、このサセプタ の壁８、従ってこのサセプタに導入するガス混合物を均一に加熱する高周波磁界 を放射するように設える。 サセプタ７には、このサセプタの残りと同じ材料の蓋１２があり、その下側に ＳｉＣ基板を配置し、その上に層を成長させてからこの基板を取出すためにこの サセプタの残りからこの蓋を取外すことが出来る。蓋１２は、周辺ガス出口孔１ ４を備え、それで好ましくはガスの層流が下入口導管１５からこのサセプタ室１ ８に入り、この基板の近くを流れ、上出口１４からこのサセプタを出て、次に随 意にポンプ（図示せず）に接続された導管１６からこの装置を去る。 サセプタ７内部の温度は、１７で示す窓からサセプタ７を覗き込むことによっ て高温測定手段で調べることが出来る。 そのような装置で、加熱手段１１は、サセプタ壁８を、およびそれによってサ セプタ室１８および導管１５からこのサセプタ室に導入するガスを加熱し、反応 ガスが分解して基板上に成長するために堆積するようにする。しかし、高成長速 度が望ましいときは、サセプタ内部の温度を、例えば２０００℃以上のような、 高レベルに上げることが必要であり、導管１５内の温度は、反応ガス、特にシラ ンが既にこの導管内で分解してその導管の内壁に堆積し、それでその自由通行断 面が減少し、そうでなければ成長作業が終るよりかなり前に導管の詰りが現れ、 それで成長作業をあまりにも早く中断しなければならないことが避けられないか も知れない。 図２は、今述べた問題を解決するために、この発明の好適実施例に従って、そ のような装置の入口側を修正する方法を示す。この装置では、第１導管２４がサ セプタ７の室１８に現れ、実質的にキャリアガスだけをサセプタ室１８に導くよ うにされている。キャリアガスの定義は、この成長に活発には参加しない、即ち 、この基板の上記目的物に成長する成分を持たないガスである。このキャリアガ スは、アルゴン、ヘリウムまたはその配合物であるのが好ましい。この装置には 、更に、この第１導管内に受けられ、断面がこの第１導管より小さく、且つこの 第１導管の内壁から分離する周辺空間を置いてこの第１導管の縦方向に伸びる第 ２導管２５がある。 その上、この第２導管は、第１導管と同心状に配置されている。両道管は、こ の場合、剛性管であり、第１導管２４は、例えば、サセプタの外壁へ伸びる部分 ２６を除けばステンレス鋼製で、この部分２６を水冷にする。上記室１８に最も 近い、第１導管２４の内壁は、そこに管２８を配置することによってＳｉＣ、高 密度グラファイトまたはパイロライトグラファイト製である。第２の、内部導管 ２５は、望ましくない不純物によるこの反応ガスの汚染を避けるために、ＳｉＣ 、またはタンタルおよびタングステンのようなその他の高温耐性のある材料製で あるのが好ましい。 第２導管２５は、反応ガスのほぼ全流れを導くようにされているが、幾らかの キャリアガスをこれらの反応ガスと共に導入してもよく、ＳｉＣを成長するとき 、それらは、シリコン前駆体に対しては、シランまたはクロロシラン、およびカ ーボン前駆体に対しては、プロパン、メタンまたはエチレンで、それらに条件に 依って高速を与えてもよい。ドープ源ガスも第２導管に導入してもよい。更に、 およびこれは本発明の本質的特徴であるが、この第２導管は、上記流れの方向に 見て、上記室１８からある距離置いて終り且つ上記第１導管に現れる。この距離 は、上記反応ガスが第２導管の内部で分解するような高温に達しないように選び 、従ってこの距離の要件は、この成長のためにサセプタ室１８の内部に選んだ温 度、キャリアガスの流れおよびどのキャリアガスを選んだかに依る。何故なら、 このキャリアガスが第１導管壁と第２導管壁の間の断熱材として作用するかも知 れないからである。更に正確には、第２導管は、上記室に比較的近くで、この場 合その底２９から少し離れて終るが、これは上記第２導管内での反応ガスの分解 を避けるために十分である。 従って、反応ガスは、分解せずに上記第１導管に現れ、その壁から少し離れて この第１導管の中央部を移動し、キャリアガス流は、第２導管２５がサセプタの 室１８まで実際に続いているかのように、反応ガスの流れと第１導管の内壁の間 の空間を動く。キャリアガス流と第２導管内の流れの速度を制御して、それらが 出来るだけ混合しないようにほぼ同じにずるのが好ましい。反応ガスが、好まし くはサセプタの室１８に入る前に分解しないように、周囲のキャリヤガス流が反 応ガスの中央流のための断熱材として作用し、その温度上昇を妨げる。分解が起 ったとしても、反応ガスの分解から生ずる成分は、周囲のキャリヤガス流によっ て第１導管の内壁全面に堆積する前に拡散するに違いないので、第１導管の壁に は僅かな程度しか達しない。 しかし、反応ガスの分解から生ずる種の幾つかが第１導管の内壁に達して堆積 することが分っている。その上、そのような堆積が反応ガスの決った温度範囲内 、即ち、ＳｉＣを成長する場合は、約５００〜８００℃でだけ起きることが分っ た。５００℃以下では、ＳｉＨ₄が分解せず、８００℃以上では、ガスの加速お よびＳｉＨ₄の、もう入口壁と反応できない、固体ポリマー／結晶子への均質核 形成が堆積を妨害する。従って、高成長速度を得るべきならば、サセプタ内の高 温、即ち少なくとも１５００℃以上、最も好ましくは２０００〜２５００℃が必 要であるが、反応ガスが第１導管内部の上記温度範囲に入るのを避けることは不 可能であり、図２に示す実施例では、これが、図３に示すように、堆積リング３ ０を生ずる。この堆積リングは、第２導管２５の端の上数ｍｍに出来る。ＳｉＨ₄ ガスの場合、多結晶Ｓｉの堆積によるこの堆積は、特に非常に高い成長速度お よび高温を選んだ場合、結局そこでの第１導管の閉塞に繋がり、それは商業的に 興味ある方法でＳｉＣ結晶を作るための必然である。 この問題を解決するために、第２導管が第１導管に現れる領域３１で第１導管 を修正できる方法を図４に概略的に示す。更に正確には、この領域で第１導管の 断面を拡大し、その内壁を下流方向に収束して、第１導管の一部３２がほぼ円錐 形であるようにする。この部分にほぼ円筒形の部分３３が続く。これは、堆積リ ング３０が第１導管の断面が大きい部分に位置し、それによって堆積速度が遅く 、無害であることを意味する。この領域で第１導管の断面が減少することは、キ ャリアガス流の加速も生じ、これが反応性種を第１導管の中央に押戻し、それに よって堆積リングの構築を減少する。上記堆積リングの下流で、温度は上記範囲 の上であり、ガスの加速、低Ｓｉ過飽和度およびＳｉ関連種の気体相での、もう 入口壁と反応できない、固体ポリマー／粒子への均質核形成の機構のために、寄 生的堆積がもう無いだろう。 この発明の他の実施例による装置を図５に示す。対応する要素には、先の図と 同じ参照番号を使用する。それは、第１導管を形成する入口フランジ２６が第１ 導管を冷却するための水冷手段３４を備え、それでそこを流れるキャリアガスの 温度およびそれによって第２導管の中の反応ガスの温度を許容レベルに保つ方法 を示す。更に、第１導管の収束部３２の厚さを変えるか、またはこの部分３２を 熱伝導度の異なる二つのグラファイト部品３５、４１で作って、水冷ステンレス 鋼部３６からグラファイトの部分３５（主として更に上にあるグラファイトサセ プタ７からの伝導および輻射によって加熱される）までの温度勾配が非常に急で あるようにし、それで反応ガスが第２導管から現れるとき、激しく加熱され、自 然対流によって加速され、危険温度地帯（ＳｉＨ₄に対し５００〜８００℃）を 出来るだけ速く通過するようにする。その上、急な温度勾配が存在することは、 直ぐその上にグラファイトがあるので、この不可避の堆積が、無害な収束入口の 断面の広い部分で起ることを確実にするように、この危険地帯の形成を可能にす る。 図６は、第１導管をサセプタ室１８への開口に近く設計する更なる可能性を示 し、および第１導管のサセプタ室に近い部分３７が上記室の方へ発散し、それで 拡散器状の入口ができ、それによってサセプタ室に入るガスがその周囲壁の方へ 拡がり、それは、特に図７に示す型式の装置に適するかも知れない。 図７による装置は、所謂煙突反応器で、入口と反対の中央に位置する出口３８ を有し、サセプタの垂直壁３９が上にＳｉＣをエピタキシャル成長させるための 基板４０を坦持するように設えられている。この室の断面は、この場合矩形でも よい。この様にして、サセプタの収容能力を増し、および一時に二つ以上の目的 物を成長させることを可能にし、高温および低キャリアガス流に適した形状のた めに、高い成長速度を得られるかも知れない。 この発明は、勿論、上に説明した装置および方法の好適実施例にはどの様にも 限定されず、その修正の幾つかの可能性がこの発明の基本的考え方から逸脱する ことなく当業者には明白だろう。 既に述べたように、この発明は、第３族窒化物または第３族窒化物の合金また はＳｉＣと一つ以上の第３族窒化物の合金の成長にも適用可能であり、それらに 相応する確実な結果が期待できる。一例として、トリメチルガリウムをＧａＮの 成長用前駆体ガスとして使えることを述べられる。 請求項での“目的物”の定義は、厚いプールは勿論、異なる厚さの層のような 、全ての種類の結晶のエピタキシャルを含む。 材料に関する全ての定義も勿論、意図的ドーピングと同様、不可避の不純物を 含む。 図面に基板へのガスの流れがほぼ垂直であることを示したが、この装置を、例え ば水平のような、任意の伸長方向に配置することは、この発明の範囲内にある。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 グー，チャン―ヤン スウェーデン国エス―722 46 ベステル オース，フリティガ リサス ベーグ 22 (72)発明者 ヤンセン，エリク スウェーデン国エス―590 30 ボレンス ベルグ，イゲルコッツベーゲン ６ (72)発明者 ハリン，クリスター スウェーデン国エス―583 31 リンコピ ング，ベイグデガタン 345 (72)発明者 ツオミネン，マルコ スウェーデン国エス―582 51 リンコピ ング，ライズ アレ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． ａ）ＳｉＣ、ｂ）第３族窒化物およびｃ）その合金の一つの目的物を基 板上に化学蒸着によってエピタキシャル成長させるための装置で、この基板を受 けるための室（１８）を囲む周囲壁（８）を有するサセプタ（７）、この成長に 必要な少なくともキャリアガスおよび反応ガスの流れをこのサセプタの中へこの 基板に向けて供給するための手段および上記周囲壁をおよびそれによってこの基 板および上記反応ガスを、これらの反応ガスが上記目的物の成長のためにこの基 板上に堆積する物質に分解し始める温度レベル以上に加熱するための手段を含み 、上記供給手段が上記室の中に現れる導管を含む装置に於いて、上記供給手段が 更に、最初に述べた第１導管（２４）内に受けられ、断面がこの第１導管より小 さく、且つこの第１導管の内壁から分離する周辺空間を置いてこの第１導管の縦 方向に伸びる追加の第２導管（２５）を含むこと、上記供給手段は、この第１導 管に実質的にキャリアガスだけを導かせ、およびこの第２導管に実質的に反応ガ スの全流れを導かせるようにされていること、並びに上記第２導管が、上記流れ の方向に見て、上記室からある距離置いて終り且つ上記第１導管に現れることを 特徴とする装置。 ２． 請求項１による装置に於いて、上記第１導管（２４）は、上記第２導管 がこの第１導管に現れる領域（３１）で断面が拡大し、この領域から上記室（１ ８）の方向に減少することを特徴とする装置。 ３． 請求項２による装置に於いて、上記第１導管（２４）の内壁（３２）が 上記領域から収束することを特徴とする装置。 ４． 請求項３による装置に於いて、上記第１導管（２４）が上記領域（３１ ）から上記室（１８）の方向に実質的に円錐形であることを特徴とする装置。 ５． 請求項２から請求項４までの何れか一項による装置に於いて、上記第１ 導管（２４）の断面が上記領域（３１）から上記室の方向に上記室の上流の第１ 位置まで減少し、且つ上記位置から上記室まで実質的に一定の断面であることを 特徴とする装置。 ６． 請求項２から請求項５までの何れか一項による装置に於いて、上記第１ 導管の断面が上記領域（３１）の下流の第２位置（３７）から上記室（１８）ま で増加することを特徴とする装置。 ７． 請求項２から請求項６までの何れか一項による装置に於いて、上記領域 （３１）の隣のその上流で第１壁部の内壁を冷却するようにされた手段（３４） を含むこと、およびこの第１壁部の下流の上記第１導管の壁部が、上記領域での 上記第１導管の壁に沿う温度勾配を出来るだけ急にするために、上記加熱された サセプタからの熱伝達を利用する熱伝導度の材料で出来ていることを特徴とする 装置。 ８． 請求項７による装置に於いて、上記第１導管（２４）が、熱伝導度の異 なる、少なくとも二つの引続く部分を含むことを特徴とする装置。 ９． 請求項１から請求項８までの何れか一項による装置に於いて、上記第１ 導管（２４）および上記第２導管（２５）が少なくとも上記室の近くで、互いに 関して同心状に配置されていることを特徴とする装置。 １０． 請求項１から請求項９までの何れか一項による装置に於いて、上記第 ２の、内部導管（２５）がＳｉＣ、タンタルまたはタングステンで出来ているこ とを特徴とする装置。 １１． 請求項１から請求項１０までの何れか一項による装置に於いて、上記 導管が実質的に垂直に伸び、上記室（１８）の実質的に垂直の壁（３９）が上記 基板（４０）を坦持するようにされ、および上記室がその天井にその入口と実質 的に反対に配置されたガス出口（３８）を有することを特徴とする装置。 １２． 請求項１１による装置に於いて、上記室の上記壁（３９）が複数の基 板（４０）を、その上で目的物を成長させるために、坦持するようにされている ことを特徴とする装置。 １３． 請求項１から請求項１２までの何れか一項による装置に於いて、Ｓｉ Ｃである目的物を成長させるようにされていることを特徴とする装置。 １４． 請求項１３による装置に於いて、上記加熱手段が上記周囲壁（８）を 、並びにそれによって上記基板および上記反応ガスを１５００℃以上の温度に加 熱するように配設されていることを特徴とする装置。 １５． 請求項１４による装置に於いて、上記加熱手段が上記周囲壁を、並び にそれによって上記基板および上記反応ガスを２０００℃以上の温度に加熱する ように配設されていることを特徴とする装置。 １６． 請求項１３から請求項１５までの何れか一項による装置に於いて、上 記加熱手段が、上記反応ガスをその温度が上記第１導管（２４）に入った後であ るが上記室（１８）に入る前に５００℃以上に上がるように加熱するように配設 されていることを特徴とする装置。 １７． 請求項１６による装置に於いて、上記加熱手段が、上記反応ガスをそ の温度が上記第１導管の断面が減少する上記部分（３２）の最上流部で５００℃ 以上に上がるように加熱するように配設されていることを特徴とする装置。 １８． 請求項１３から請求項１７までの何れか一項による装置に於いて、上 記供給手段がシリコン前駆体としてシランまたはクロロシランを、およびカーボ ン前駆体としてプロパン、メタンまたはエチレンをことを濃縮形または稀釈形で 供給するように配設されていることを特徴とする装置。 １９． ａ）ＳｉＣ、ｂ）第３族窒化物およびｃ）その合金の一つの目的物を 、周囲壁（８）を有するサセプタ（７）の室（１８）で受けた基板上に化学蒸着 によってエピタキシャル成長させるための方法にして、この成長に必要な少なく ともキャリアガスおよび反応ガスの流れを上記室の中へこの基板および周囲壁に 向けて供給し、それによってこの基板および上記反応ガスを、これらの反応ガス が上記目的物の成長のためにこの基板上に堆積する物質に分解し始める温度レベ ル以上に加熱する方法に於いて、実質的にキャリアガスだけの流れを第１導管（ ２４）で上記室へ供給し、および実質的に反応ガスの全流れを、この第１導管内 に受けられ、断面がこの第１導管より小さく、且つこの第１導管の内壁から分離 する周辺空間を置いてこの第１導管の縦方向に伸びる第２導管（２５）で供給し 、この第２導管内部の上記流れがこのサセプタからある距離置いて上記第１導管 に現れるような方法で、このサセプタへ供給することを特徴とする方法。 ２０． 請求項１９による方法に於いて、上記キャリアガスは、上記第１導管 の上記第２導管が現れる領域（３１）で断面が上記第１導管の中央近くに減少す る経路で案内されて、この領域で上記キャリアガスの流れを加速することを特徴 とする方法。 ２１． 請求項２０による方法に於いて、上記領域（３１）内のある位置の上 流にある上記第１導管の内壁（３６）を冷却すること、およびこの位置の上流に ある内壁部とその下流にあるものが、上記領域のこの位置で急な温度勾配を得る ために、互いに関して断熱されていることを特徴とする方法。 ２２． 請求項１９から請求項２１までの何れか一項による方法に於いて、上 記基板上でＳｉＣをエピタキシャル成長させ、シランおよびプロパンを反応ガス として上記第２導管（２５）に供給することを特徴とする方法。 ２３． 請求項２２による方法に於いて、ヘリウム、アルゴンまたはその配合 物をキャリアガスとして上記第１導管（２４）に供給すること特徴とする方法。 ２４． 請求項２２または請求項２３による方法に於いて、上記反応ガスの加 熱を、シリコン前駆体が分解し表面に堆積する温度レベルを上記第２導管の端の 十分下流で上記第２導管が上記第１導管に現れる領域（３１）で通過するように 実施することを特徴とする方法。 ２５． 請求項２４による方法に於いて、上記反応ガスの上記加熱を、その５ ００℃の温度を上記第２導管の端の実質的に直ぐ下流の上記第１導管で通過する ように実施することを特徴とする方法。 ２６． 請求項１９から請求項２５までの何れか一項による方法に於いて、上 記キャリアガスを、上記第２導管（２５）内の反応ガスの流れの速度と実質的に 同じ速度で上記第１導管（２４）に供給することを特徴とする方法。 ２７． 請求項１９から請求項２６までの何れか一項による方法に於いて、上 記キャリアガス流と上記反応ガスの流れを、上記反応ガスの流れが上記第１導管 （２４）に実質的にそれと同心状に現れるように、供給することを特徴とする方 法。 ２８． 請求項２２から請求項２５までの何れか一項による方法に於いて、上 記周囲壁（８）を１５００℃以上に加熱することを特徴とする方法。 ２９． 請求項２８による方法に於いて、上記周囲壁（８）を２０００℃以上 に加熱することを特徴とする方法。 ３０． 請求項１９から請求項２９までの何れか一項による方法に於いて、上 記反応ガスを上記室（１８）内へ上記室の実質的に垂直の内壁（３９）上にある 一つ以上の基板（４０）に向けてその上に実質的に水平方向に目的物を成長させ るように導くことを特徴とする方法。