KR900001658B1 - 역 수직 유동 화학 증착 반응기 챔버 - Google Patents

역 수직 유동 화학 증착 반응기 챔버 Download PDF

Info

Publication number
KR900001658B1
KR900001658B1 KR1019840002280A KR840002280A KR900001658B1 KR 900001658 B1 KR900001658 B1 KR 900001658B1 KR 1019840002280 A KR1019840002280 A KR 1019840002280A KR 840002280 A KR840002280 A KR 840002280A KR 900001658 B1 KR900001658 B1 KR 900001658B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
reactor chamber
reactor
tube portion
pedestal
Prior art date
Application number
KR1019840002280A
Other languages
English (en)
Other versions
KR840009176A (ko
Inventor
디.파슨즈 제임스
Original Assignee
휴우즈 에어크라프트 캄파니
에프 씨 맥너트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 휴우즈 에어크라프트 캄파니, 에프 씨 맥너트 filed Critical 휴우즈 에어크라프트 캄파니
Publication of KR840009176A publication Critical patent/KR840009176A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR900001658B1 publication Critical patent/KR900001658B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45582—Expansion of gas before it reaches the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

역 수직 유동 화학 증착 반응기 챔버
제1도는 본 발명의 반응실의 양호한 실시예의 단면도.
제2도는 제1도에 도시한 반응기 챔버(chamber)의 일부분의 상세한 단면도.
제3도는 본 발명의 반응기 챔버의 선택적인 양호한 실시예의 일부분을 부분적으로 절단하여 도시한 단면도.
제4도는 제3도에 도시한 반응기 챔버의 일부분의 상세한 단면도.
제5도는 다중관(tube) 반응실의 단면도.
제6도는 제5도에 도시한 다중관반응기 챔버의 상부 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 반응기 24 : 반응 개스 화합물 소오스
32 및 34 : 반응기관 내부 표면 40 : 받침대(pedestal)
42 : 플랜지 44 : 구멍
46 : 써셉터(susceptor) 50 : 기질
54 : 리세스 부분 56 : 개구
70 : 코일
본 발명은 주로 화학 증착(CVD) 반응시스템에 관한 것으로, 특히 균일한 물리 및 전기 특성을 갖고 있는 반도체, 절연체 및 금속층들을 성장시키기 위해 수직 반응 개스 유동(flow)을 사용하는 역(inverted) CVD 반응기 챔버에 관한 것이다.
CVD 반응 시스템들은 반도체 기질들 표면 상에(이후부터 에피택셜 및 유전층이라 부르는)반도체, 절연체 및 금속들의 동형 에피택셜(homoepitaxial), 이형에피택셜(heteroepitaxial) 및 다결정 층들을 용착시키기 위해 사용될 수 있다. 이 층들은 전형적으로 수소와 같은 캐리어 개스(carrier gas)에 의해 기질부근으로 이송된 기상(gas phase)반응 화합물의 열분해 반응의 결과로서 용착된다. 기질의 온도는 기상 반응 화합물을 열분해시키기 시작할 때 필요한 온도보다 높다. 그러므로, 예를 들어 실리콘 에피택셜층이 실란(silane)의 열 분해에 의해 실리콘 기질의 표면 상에 성장될 수 있다. 비소화갈륨(gallium arsenide)에피택셜층은 트리메틸갈륨 및 아르신(arsine)의 분해에 의해 비소화갈륨 기질 상에 에피택셜 성장될 수 있다. 예를들어, 산화 및 질소화 화합물의 유전층들이 산소 및 질소 분위기 내에서 적당한 기상 반응 화합물을 열분해시킴으로써 성장될 수 있다. 기체 반응 혼합물 내에 부수적인 기상 반응 화합물을 포함시킴으로써 에피택셜층이 도우핑(doping)될 수 있다. 부수적인 화합물들의 분해로 인해, 다수의 도우핑 종류(species)들이 에피택셜층의 성장표면 상에 용착되어 결합된다.
CVD 반응 시스템의 설계시에, 물리적으로 균일하고, 고도의 전기 특성을 갖고 있는 층들을 성장시키는 것이 중요하다. 이것은 에피택셜 반도체층들의 성장시에 특히 바람직한데, 그 이유는 큰 기질 표면적 상에 성장된 균일하게 얇은 에피택셜층들이 대규모 집적 회로(LSI) 및 초대규모 집적회로(VLSI)를 제조하는데 필요하기 때문이다. 다수의 연속적으로 성장된 에피택셜층의 양단에 특정한 캐리어 집중 및 도우팬트(dopant) 집중 단면을 갖고 있는 에피택셜층을 얻을 수 있는 능력도 동일하게 중요하다. 또한, 극도로 낮은 오염도 및 결함 밀도(defect density)를 갖고 있는 에피택셜 및 유전층들을 성장시킬 수 있는 능력이 바람직한 최적 전기 특성들을 얻는데 중요하다.
CVD 반응기 시스템 내에서는 2가지의 관련된 현상들이 CVD 성장 에피택셜층들의 캐리어 집중 및 도우핑 밀집 단면 내의 예상할 수 없는 변화를 야기시키고, 오염물을 에피택셜 및 유전 CVD 성장층들 내로 유입시키는 것으로서 인지된다. 일반적으로 제1현상을 자동 도우핑이라 부른다. 이 현상은 전형적으로 저불순물 실리콘 또는 고저항 비소화갈륨과 같은 유효 또는 근사 고유 반도체 에피택셜층의 성장시에 생긴다. 최종적인 에피택셜층들은 상당한 불순물 농도를 갖고 있는데, 이 불순물들은 도우팬트로서 효율적으로 작용함으로써, 바람직한 에피택셜층들이 정확히 재생가능하게 성장되지 못하게 한다. 종래에는, 이 불순물들이 반응 개스들 내에 존재하는 오염물 및 반응기 시스템 내에 필수적으로 존재하는 구조물의 노출 표면들로부터 생긴다고 생각되었다. 물론, 이 동일한 오염물들은 CVD에 의해 성장된 에피택셜 및 유전층들 내에서 결합 및 예상 불가능한 전기 특성을 갖고 있는 변화들을 발생시킨다.
일반적으로, 제2현상을 기억효과(memory dffect)라고 부른다. 이 현상은 주로 반도체 에피택셜층의 성장중에 생긴다. 자동 도우핑 현상과는 달리 기억 효과현상을 발생시키는 불순물 소오스들은 공지되어 있어, 양호하게 이해된다. 기억 효과 불순물들은 본래는 이미 성장된 에피택셜층들 및 반도체 기질 자체를 도우프시키기 위해 고의적으로 사용된 도우팬트들이다. 특히, 이전의 CVD 성장 중에 사용된 도우팬트 이송 화합물의 잔여량은 CVD 반응기 시스탬 내에서 효율적으로 지연되거나 일시적으로 트랩(trap)되므로, 다음의 에피택셜층 성장 중에 에피택셜 성장 표면에 도달한다. 도우팬트 이송 화합물은 반응기 시스템 내의 ＂무효 공간(dead space)＂의 존재로 인해 지연되거나 트랩핑될 수 있는데, 이 경우 개스성 도우팬트 화합물은 감쇠되어, 기질을 향해 이동하는 반응 개스들의 주요 유동 내로 다시 천천히 확산된다.
개스성 도우팬트 이송 화합물의 일부가 반응 시스템의 내부 표면 상에 농축될 때 유사한 지연이 도입된다. 이 도우팬트 이송 화합물들은 얼마후에 기화되어 주요 반응 개스 유동을 다시 시작한다.
기억 효과 현상을 발생시키는 다른 불순물 소오스는 반응기 챔버 내부 표면 상에서 에피택셜 성장하고, 의도한 바와같이 에피택셜 층의 성장 표면 상에서 에피택셜 성장하지 않는 동안, 도우팬트의 부적당한 용착에 의해 발생된다. 부적당한 용착이 가열된 표면 상에서 실행되는 다음의 에피택셜 성장시에, 도우팬트 종류 중의 어떤 부분은 기화되어, 결국 성장 에피택셜층과 결합하게 된다. 물론, 캐리어 집중 및 도우핑 단면은 예상 불가능한 기화율로 인해 예상불가능하게 영향을 받게 된다.
결국, 기억 효과현상을 발생시키는 최종적으로 인지된 불순물 소오스들은 이미 성장된 에피택셜층 및 기질들이다. 연속 에피택셜층의 성장 중에 어떤 기존 에피택셜층들과 함께 기질이 즉시 가열되기 때문에 상당한 양의 도우팬트가 이 층들로 부터 확산되어 성장 에피택셜층에 결합된다.
기억 효과를 발생시키는 다수의 상이한 불순물 소오스들이 있지만, 각각의 경우에서의 결과는 동일하다. 도우팬트로서 작용하는 불순물들은 성장되는 에피택셜층의 캐리어 집중을 부분적으로 보상하여 감소시키거나 즉시 누산적으로 증가시킨다. 또한, 기초 에피택셜층과 성장 에피택셜층의 접합부 양단의 도우팬트 집중단면은 에피택셜층의 성장 표면에서의 불순물 도우팬트의 동일하게 예상 불가능한 양 및 도달 속도로 인해 예상할 수 없다. 따라서, 단순히 균일하게 도우프된 에피택셜층들과 마찬가지로 갑자기 또는 제어 가능하게 경사진 동형접합및 이형접합들을 정확히 성장시킬 수 있는 능력은 상당히 제한된다.
두께 및 성분비 면에서 고도의 물리적인 균일성을 달성하지 못하는 것은 에피택셜층들의 CVD성장시에 또 다른 문제점으로 대두된다. 전체 에피택셜 성장 표면 상에 고르게 성장된 에피택셜층의 다수의 구성 성분들을 균일하게 용착시키지 못하면 층 두께가 불균일하게 된다. 이와 마찬가지로, 바람직한 화학량적 성분비를 달성하도록 에피택셜 물질의 각각의 구성 성분들의 적당한 양을 균일하게 용착시키지 못하면 성장 에피택셜층의 성분비가 불균일하게 된다.
특히, 물리적인 불균일성 문제점을 보정하기 위해 많은 반응기들이 개량되어 왔다. 이 반응기들은 분해 중에 반응기 챔버 길이를 통해 존재하는 반응 개스의 소모(미합중국 특허 제4,279,947호 및 제3,922,467호), 반응 개스의 유입구와 다른 에피택셜 성장 표면의 변화크기(미합중국 특허 제4,062,318호 및 제3,633,537호) 및 개스들을 분해시키는데 필요한 열 경사도의 결과로서 가열된 기질에 인접한 반응 개스들 내에 발생된 대류(미합중국 특허 제3,916,822호)부터 주로 발생하는 것과 같은 문제점들을 다루었다. 이 마지막 특허(미합중국 특허 제3,916,822호)에 기술된 장치는 역 장착 반도체 기질에 인접한 대류 자유 영역을 발생시킨다. 유입구분기관(manifold)은 반응 개스를 확산 방사 차폐물에 계속 공급한다. 반응 개스는 방사 차폐물을 통과하여, 대류 자유 영역을 통해 기질 표면 부근으로 확산된다. 분해 반응에 따라, 나머지 증기상 반응 생성물들은 반응기 챔버로부터 하향으로 배출되도록 대류 자유 영역 및 방사 차폐물을 통해 다시 확산된다. 이 특허에 기술한 장치에 의해 달성된 두께 변화는 직경이 1.5인치(3.8cm)인 종래의 반도체 웨이퍼(wafer)의 표면적보다 4% 더 큰 것으로 보고되어 있다. 이것은 모든 종래의 기술에서 달성된 최소 두께 변화이지만, CVD 에피택셜층 성장을 사용하여 준비된 LSI 및 VLSI 집적회로를 제조하는데 알맞도록 추정되는 두께 변화의 약 2배이다. 이 특허에 기술된 장치를 사용하여 성장된 에피택셜층 내의 성분비 변화는 보고되지 않았다. 종래 기술에서 보고된 최상의 성분비 변화는 표면적이 15cm2일때 ±10%정도이다.
본 발명의 목적은 바람직하고 일관성 있게 재생 기술한 전기 특성을 갖고 있는 물리적으로 균일한 에피택셜층을 CVD 성장시키기 위한 것이다.
이것은 화학 증착(CVD) 반응 시스템 내에, 기질의 상하에 각각 배치된 개스 흡입구 및 개스 배출구를 갖고 있는 수직 반응기관(tube)을 포함하는 CVD 반응기 챔버, 기질의 표면이 하향으로 노출되도록 기질을 고착시키기 위한 장치를 갖고 있는 반응기관 내에 장착된 받침대(pedestal)및 개스 혼합물을 반응기관에 제공하기 위한 장치를 제공함으로써 본 발명에 따라 달성되는데, 이 개스 혼합물은 개스 흡입구를 거쳐 반응기관 내로 유입된 다음 개스 배출구를 거쳐 배출된다. 개스 혼합물은 기질의 노출 표면 부근으로 보내질 때 균일한 플러그 유동(plug flow)으로 유지된다.
그러므로, 본 발명의 장점은 최소한 시판 중인 표준 크기 기질의 표면적과 동일한 기질 표면적의 (4% 이하인) 두께 변화 및 (10% 이하인) 물질 성분비 변화면에서, 물리적으로 균일한 에피택셜층을 성장시킨다는 것이다.
본 발명의 다른 장점은 정확히 경사지고 재생 가능한 도우팬트 단면을 갖고 있는 에피택셜층을 성장시키고, 가프르거나 정확히 경사진 접합부들을 사이에 갖고 있는 에피택셜층들을 연속 성장시킨다는 것이다.
본 발명의 또 다른 장점은 기억 효과 현상을 발생시킬 수 있도록 자동 도우핑 또는 지연 도우핑의 레벨을 갖고 있지 않은 에피택셜층들을 성장시킨다는 것이다.
본 발명의 다른 장점은 다수의 분리된 기질들 상에 에피택셜층을 동시에 성장시킬 수 있다는 것이다.
이제부터 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 이 장점들 및 다른 장점들에 대해서 상세하게 기술하겠다.
제1도를 참조하면, 본 발명에 따라 구성되고, 종래의 CVD 반응기 시스템에 사용하기에 적합한 반응기 챔버(10)이 도시되어 있다. 이 반응기(10)은 유리 반응기관(12) 및 유리반응기관 캡(cap, 16)으로 구성된다. 가스켓(gasket, 18)은 관과 캡 사이를 공기 밀폐시키도록 반응기관(12)와 캡(16)사이에 제공된다.
반응기 관(12)의 상당 길이는 양호하게 원형 횡-단면을 갖고 있는 원통체를 둘러싸는데, 이 원통체는 내부 반응기관 표면(34)에 의해 정해진다. 반응기 챔버의 이 부분의 길이는 일반적으로 최소한 직경의 2배이고, 양호하게는 직여의 3내지 10배이다. 반응기 관(12)는 반응기 캡(16)이 나머지 반응기 챔버(10)상에 배치되도록 수직으로 배치된다. 반응기 관(12)의 최하부는 이 반응기 관(12)의 최하부에서 개스 흡입구(22)로서 종단되는 일반적으로 원통형 깔때기 형태의 반응기 관내부 표면(32)를 제공하도록 형성된다. 반응기(10)의 깔때기 형태 부분의 테이퍼는 반응기 관(12)의 수직 중앙선으로부터 측정된 바와 같이 약 50% 이하인데 양호하게는 20°내지 30°가 되어야 한다.
원통형 반응기 관내부 표면(34)로부터 내향 돌출되는 지지립(lip,36)은 받침대(40), 써셉터(susceptor, 46)및 기질(50) 써브어셈블리(subassembly)를 지지한다. 이 받침대(40)은 일반적으로 외향 연장 플랜지(42)와 같이 받침대(40)의 최상부에서 종단되는 벽 부분을 갖고 있는 컵 형태의 실린더(cylinder)이다. 이 벽 부분은 개구(56)을 갖고 있는 받침대 저부를 형성하도록 받침대(40)의 최저부에서 직각으로 내향 연장된다. 다수의 구멍(44)들은 양호하게 구멍(44)의 최상부들이 플랜지(42)의 하부 표면과 동일한 레벨이 되도록 받침대(40)의 벽 부분내에 대칭적으로 배치된다. 받침대(40)은 지지되도록 립(36)의 상부 표면 상에 외향 연장된 플랜지(42)를 배치시킴으로써 반응기관(12)내에 장착된다. 임의의 스페이서(spacer,38)이 지지 립(36)과 플랜지(42)사이에 제공될 수 있다. 이런 식으로, 받침대(40)의 원통측은 반응기 관(12)의 중앙 선과 동일하게 유지된다. 마찬가지로, 받침대(40)의 하부단부는 반응기 관(12)의 수직 중앙선에 직각을 이루는 평면으로 유지된다. 개구(56)은 또한, 반응기 관(12)의 중앙선 주위에 대칭으로 중심을 두도록 받침대(40)의 저부 내에 제공된다.
최적하게, 받침대(40)은 대기압 및 부압(sub-atmospheric pressure)에서 연장된 고온에 주기적으로 노출될 때 반응기 챔버를 오염시키지 않는 물질로 구성되어야 한다. 선택적으로, 이 물질은 방출된 오염 종류가 성장되는 에피택셜 또는 유전층의 특정한 반도체 물질 내에서 전기적으로 비활성화 되도록 되어야 한다. 받침대(40) 물질은 또한 써셉터(46)을 지지하도록 충분한 구조 강도를 가져야 하고, 적당한 형태로 형성되도록 충분하게 절삭될 수 있어야 한다. 그러므로, 비소화 갈륨과 관련된 화합물 및 화합물 합금 반도체 물질의 경우에, 양호한 받침대(40)용 물질은 열분해성 질소화 붕소(PBN)이다. PBN은 기본적으로 비-오염성이고, 또는 붕소와 질소는 비소화갈륨 내에서 전기적으로 비활성이다. 따라서 PBN 받침대(40)은 모든 III-V족 화합물 뿐만 아니라 최상의 다른 화합물 반도체 에피택셜층을 성장시키는데 사용될 수 있다. 다른 적당한 받침대(40) 물질은 실리콘 및 탄화실리콘을 성장시키기 위한 산화실리콘(수정)과 텔루르화카드뮴(cadmium telluride) 화합물을 성장시키기 위한 산화텅스텐 또는 몰리브덴을 포함한다.
받침대(40)의 내부 저부 표면은 기질(50)을 수용하도록 개구(56) 주위에 집중적으로 균일하게 리세스(recess)된다. 이것은 기질(50)이 본래 반응기 관(12)의 중앙선 주위에 수직 및 대칭으로 배열되게 한다. 양호하게 탄화실리콘의 밀봉층으로 임의로 피복된 흑연으로 된 고상 원통형 블럭인, 써셉터(46)은 균일하게 기질(50)위에 배치된다. 써셉터(46)의 접촉 표면(52)는 기질(50)이 받침대(40)을 써셉터(46)과 상호 고착시키도록 동작하도록 리세스됨으로써, 기질(50)이 바람직한 배열로 유지되게 한다.
반응기 관(12)의 외부에는 물 흡입구(13) 및 배출구(15)를 갖고 있는 수냉각 재킷(jacket,14)가 내부 반응기관 표면(32,34)의 온도를 직접 제어하도록 제공된다. 부수적으로, 종래의 RF 코일(70)은 써셉터(46) 및 기질(50)을 유도 가열시키도록 써셉터(46)의 반대편에 배치된다. 임의로, 종래의 방사 가열기가 RF코일(70) 및 써셉터(46) 대신에 기질(50)을 가열시키도록 사용될 수 있다. 써셉터(46)와 같이, 방사 가열 소자는 양호하게 받침대(40) 공동 및 기질(50) 부근에 배치된다. 이 경우에, 열전쌍(도시하지 않음)은 양호하게 기질(50)의 온도가 외부 동적으로 결정되도록 반응기관 캡(16) 내의 전기 도선 개구(30)을 통해 삽입되어 받침대(40) 공동 내로 삽입된다. 개구(30)을 통과하는 전기 도선의 갯수 및 특성에 관계없이, 개구(30)은 양호하게 공기밀폐된다.
동작시에, 반응 개스들의 혼합물은 화살표(24)로 표시된 바와 같이 흡입구(22)를 통해 반응기 챔버(10)으로 인입된다. 이 인입 개스유동은 본래 어느 정도 난류이므로, 여러 구성 성분들이 개스 혼합물 내에서 균일하게 분배되게 한다. 깔때기형 내부 반응기 표면(32)에 의해 한정된 반응기관(12)의 부분으로 들어갈 때, 개스 전달은 본 발명에 따라 플러그 유도로 변화한다. 본 명세서에서 플러그 유동은 기상 원자들과 분자들 사이의 평균 충돌 거리가 유동의 최소 횡-단면 직경 이하로 되도록 조밀하게 압축 가능한 개스 내에서 나타나는 것을 특징으로 하는 층 개스 유동으로서 정해진다. 바람직한 결과는 개스 유동 내의 기상 원자들 및 분자들의 단기 벡터 속도가 균일하다는 것이다. 물론, 반응기중앙선으로부터의 내부관 표면(32)의 각은 반응 개스가 플러그 유동으로 이송되도록 충분히 작아야 한다. 이 목적을 위해, 표면(32)와 같은 비-화합물 원추형 표면을 사용할 때 사용될 수 있는 최대각은 50°이다.
본 발명의 플러그 유동의 응용을 더욱 상세히 설명하기 위해, 반응기 챔버(10)의 상세한 단면이 도시되어 있는 제2도를 참조하여 기술하겠다. 반응기 관(12)에서 수직 상향으로 통과하는 반응 개스의 균일한 플러그 유동은 화살표(62)로 표시되어 있다. 개스들이 균일한 벡터 속도를 갖고 있기 때문에, 정상 전선(stationary front,80)은, 플러그 유동 개스들에 관련하여 플러그 유동의 균일한 운동을 나타내도록 도시될 수 있다. (82)로 표시된 전선(80) 내의 불-균일성만이 경계층이 존재하는 결과로서 관 표면(34) 부근에서 나타난다. 반응개스 혼합물과 같은 점성 유체 내에서 생기는 고유 전단 변형력으로 인해, 개스 유동의 벡터 속도는 반응기관 표면(34) 가까이에서 감소되므로, 경계층이 생기게 한다. 따라서, 경계층 내에서의 개스 경계면(82)은 불균일하고, 어느정도 난류된다. 그러나, 이 유동 불균일성은 다음에 기술하는 바와 같이 별로 중요하지 않다.
본 발명과 일치하여 상이한 기상 구성 성분을 갖고 있는 개스성 혼합물들은 혼합되지 않고서 반응기(10)내로 연속적으로 유입된다. 각각의 상이한 연속적으로 유입된 개스 혼합물들 사이에는 전선(80)에 의해 적당히 표시된 개스 혼합물 경계면이 효율적으로 생긴다. 이상적으로, 임의 확산으로 인해 두가지 개스 혼합물만이 혼합된다. 이 두가지 개스 혼합물들 내의 개스들의 통상적인 균일한 벡터 속도는 난류혼합을 배제시킨다. 반응기관(34)의 내부 표면에 형성된 경계층의 결과로서 상당한 혼합 소오스만이 생긴다. 그러나, 이 혼합은 대수롭지 않은 것으로, 본 발명의 선택적인 실시예에 관련하여 다음에 설명하는 바와 같이 극속로 감소될 수 있다.
제1도를 다시 참조하면, 화살표(62)로 표시된 반응 개스의 플러그 유동은 수직으로 기질(50)의 노출 표면을 향해 보내진다. 써셉터(46)과 열 접촉하여 기질(50)은 RF코일(70)에 의해 써셉터(46)의 유도 가열의 직접적인 결과로서 가열된다. 그러므로, 기질(50)은 제공된 특정한 반응 개스 화합물의 열 분해 온도 이상의 온도로 유지될 수 있다. 반응 개스 혼합물이 기질(50)에 도달할 때 다수의 화합물들은 분해되어, 바람직한 분류물들은 기질(50)의 성장 표면 상에 상향으로 불활성하게 용착된다. 반응 개스 혼합물의 플러그 유동 및 다수의 구성성분의 균일한 분배는, 기질의 전체 성장 표면 아래에서 분해하도록 반응 개스 화합물의 균일한 부분 압력이 제공되게 한다. 교대로, 이것은 두께와 성분비 면에서 실제로 균일한 용착층을 성장시킨다. 휘발성인 반응 개스 화합물들의 잔여 분류물은 화살표(64)로 표시한 바와 같이 기질(50)의 부근으로부터 방사상으로 배출된다. 전형적으로 수소 및 단순 탄화수소인 이 분류물들은 이 분류물들이 통과하는 통로를 가진 반응 개스 혼합물의 플러그 유동에 큰 영향을 미치지 않는데, 그 이유는 이 분류물들이 매우 낮은 분자량으로 되어 있고, 본래 존재하는 열 경사도와 일치하는 노출된 기질성장 표면의 중앙으로 부터 균일하게 이동하기 때문이다. 반응 개스 혼합물 및 개리어 개스의 비반응 부분과 함께 이 가열된 분류물들은 화살표(66)으로 표시한 바와 같이 받침대 구멍(44)를 통해 반응기 캡(16)에 의해 형성된 반응기(10)의 상부 챔버 내로 받침대(40)과 반응기관벽(34)사이에서 상향으로 자유롭게 이동한다. 개스는 화살표(28)로 표시된 바와 같이 배출구(26)을통해 배출된다. 물론, 반응 개스 혼합물의 비반응 부분은 받침대 저부를 지날 때 경계층 내에 제공된 부분을 포함한다. 그러므로, 플러그 유동의 최대난류 부분은 용착된 층의 균일성에 큰 영향을 미치지 않는다.
반응기관(12)의 원통형 부분의 길이는 반응기 챔버(10)으로 들어가는 반응 개스의 난류 유동으로부터 기질(52)에서의 반응 개스의 플러그 유동을 효율적으로 분리시키기에 충분히 길어야 할 때에만 중요하다는 것을 알아야 한다. 너무 짧은 원통형 부분을 사용함으로써 반응기 관(12)의 깔때기 -형 부분에 너무 가깝게 기질(52)를 배치시키면, 반응 개스가 플러그 유동으로 이송되는 것이 방해된다. 따라서, 반응기 관(12)의 원통형 부분의 내경의 약 2배의 최소 길이가 반응기관(12)의 원통형 부분에 대한 양호한 최소 길이이다.
본 발명에 따르면, 반응기 챔버(10)은 효율적으로 자동-도우핑과 지연-도우핑을 배제하도록 설계한다. 반응기관(12) 내부 표면의 외형을 완만하게 하고 개스 배출 구멍(44)를 지지 플랜지(42) 바로 아래의 받침대(40) 주위에 대칭적으로 배치하면, 도우팬트들이 기질을 반응시키지 못하게 지연시킬 수 있는 무효 공간이 존재하지 못하게 된다. 또한, 반응기관(12)의 내부 표면들로부터 기화되는 도우팬트들은 경계층 내에 상당히 남게 되므로, 절대로 기질 성장 표면에 도달하지 못한다. 받침대(40)의 벽들로부터 기화되는 도우팬트들은 상향으로 쏠려서 기질의 부근으로부터 멀리 떨어진다. 그러므로, 실제로 모든 지연 도우팬트 쇼오스는 효율적으로 제거된다.
자동-도우핑을 발생시키는 다수의 오염물 소오스들은 이와 유사하게 제거된다. 반응기관 내부 표면(32,34)로부터 기화되는 오염물들은 경계층에 의해 효율적으로 기질(50)에 도달하지 못하게 된다. 흑연 써셉터(46), 이 써셉터의 탄화실리콘 피막, 또는 받침대(40)의 공동 내의 기질(50)의 후방 표면을 근원으로 한 오염물들은 기질(50)과 받침대(40)의 상호 고착 결합에 의해 기질 성장 표면에 도달하지 못하게 밀폐된다. 또한 이러한 오염물들은 상향으로 쏠려서 성장 표면으로부터 멀리 떨어지고, 개스는 구멍(44)를 통과하여 배출구(26)을 거쳐 배출된다. 받침대(40)을 직접 근원으로 한 오염물들은 받침대 물질의 우선적 선택에 의해 성장층 물질을 효율적으로 오염시키지 않는다. 그러므로, 본 발명의 반응기 챔버(10)내에서 성장된 층에는 자동-도우팬트들이 없다.
상술한 내용들은 기질 성장 표면의 부근에 반응 개스를 플러그 유동 전달시키는 것과 결합하여 매우 균일한 성분비를 가진 층을 성장시킬 수 있게 된다. 무관한 도우팬트와 바람직하지 못한 오염물들을 배제시키면, 성장된 층의 성분비가 반응 개스 혼합물 내에 제공된 다수의 화합물의 상대량에 의해 엄격하게 제어된다. 이것은 성장된 층의 성분비의 정밀한 경사 및 갑작스런 변화가 반응기 챔버(10)에 제공된 반응 개스 혼합물의 성분비를 적당히 변화시킴으로써 이루어지게 한다.
제3도는 본 발명의 선택적인 실시예를 제공하기에 적합한 반응기 챔버(10)의 상세한 단면도를 도시한 것이다. 제1도에 도시한 반응기 챔버(10)과 마찬가지로, 받침대(40), 기질(50) 및 써셉터(46) 써브 어셈블리는 반응기관(90)에 고착되어 내향 돌출된 립(36)로부터 지지된다. 스페이서(38) 받침대(40)의 플랜지 부분(42)와 지지 립(36)사이에 임의로 제공된다. 반응기 관(90)은 이전의 실시예의 반응기 관(12)와는 달리, 오리피스(orifice,92)를 형성하기 위해 받침대(40)의 최하부분 밑에 구성되어 있다. 오리피스(92)의 목적은 기질(50)의 노출 표면 직전의 개스 플러그 유동 내의 베나 콘트랙타 형상(vena contracta phenomenon)과 같은 유체 기계에 공지된 현상을 만들기 위한 것이다. 이 현상은 이 분야에 공지되어 있다. ＂실용적인 개스 유동 제어 안내＂, 기구 및 제어 시스템, 디.삐.레메이(D.B.LeMay), 1977년 9월호를 참조할 것.
본 발명 내의 베나 콘트랙타 현상의 응용은 제4도에 도시한 상세한 단면도에 도시되어 있다. 본 발명의 제1의 양호한 실시예에서와 같이, 화살표(62) 및 전선(80)으로 표시한 전형적인 반응 개스 플러그 유동은 반응기 관(90)내에서 수직 상향으로 진행된다. 오리피스(92)를 만나면, 전선(80)은 화살표(96)으로 표시한 개스 유동의 중앙부가 플러그 유동 개스의 주변부 보다 더 빠르게 오리피스(92)를 통과할 때 균일하게 왜곡된다. 오리피스(92)를 통과하는 결과로서, 개스 유동은 반응기 관(90)의 내부 표면으로 부터 떨어지게 된다. 불균일한 전선(98)이 오리피스(92)을 넘어 통과할 때, 이 전선의 형태는 계속 변하고, 개스 유동으로는 결국 반응기 관(90)의 내부 표면에 다시 붙어 전형적인 플러그 유동을 계속한다. 그러나, 오리피스(92)를 통과하고 반응기 관 벽(90)에 다시 붙는 사이의 중간 지점에 실제로 균일한 전선(102)가 존재한다. 이 지점이 베나 콘트랙타이다. 베나 콘트랙타 전선(102)의 장점은 반응기 관(90)의 벽에 붙지 않게 될 때, 전선(102)의 약간의 경계층 부분(104)만이 경계층의 존재로 인해 변형되고 또한 관 벽(90)으로 부터 떨어진다는 것이다.
다시 제3도를 참조하면, 떨어진 베나 콘트랙타 전선(102)가 기질(50)의 성장 표면에 배치되도록 기질(50)의 성장 표면에 관련하여 오리피스(92)가 양호하게 배치되어 있다. 이것은 기질(50)의 노출 표면 상의 특히 그 주변의 반응 개스 화합물의 부분 압력의 균일성을 상당히 향상시킨다. 그러므로, 또한 CVD 성장층의 두께 및 성분비 균일성이 향상된다. 성장 표면에 베나 콘트랙타를 배치시키기 위해, 수직 두께를 변화시키는 스페이서(38)이 오리피스(92)로부터의 기질(50)의 성장 표면의 거리를 조정하도록 받침대(40)의 플랜지 부분(42)와 지지 립(46)사이에 제공될 수 있다. 오리피스(92)와 기질(50) 성장 표면 사이의 거리는 반응기 챔버(10)의 특정한 구조에 따라 달라진다. 그러나, 실제로 균일한 층들을 성장시키는 스페이서(38) 두께에 수렴할 때까지 연속적으로 상이한 두께의 스페이서(38)을 사용하여 단일층을 성장시키는 것을 포함하는 간단한 통상적인 실험에 의해 본 발명에 따라 구성된 반응기 챔버에 대해 적당한 거리가 용이하게 결정될 수 있다. 이 선택적인 실시예의 다른 형태들은 모두 상술한 기본 실시예의 형태와 아주 유사하다.
본 발명의 다른 선택적인 실시예는 제5도에 도시되어 있다. 반응기 챔버(110)은 제1도에 도시한 반응기 챔버(10)과 각각 동일한 반응기 관(112)의 평행 수직 어레이(array)를 포함한다. 반응기 관(112)는 냉각수 흡입구(113)및 물 배출구(115)를 갖고 있는 물 재킷(jacket, 114)내에 양호하게 수용된다. 통상적인 반응 개스 흡입구(122)는 화살표(124)로 표시된 반응 개스가 각각의 접속 개스선(122)를 거쳐 동일한 비율로 각각의 반응기 관(112)에 제공된게 한다. 반응기 챔버(110)은 반응기 관(112)들이 외부 주위에서 물 재킷(114)에 밀폐되는 통상적인 반응기 관 캡(116)을 나누는 단일 반응기 챔버(10)과 상이하다. 반응 개스 배출구(126)은 각각의 반응기 관(112)로부터 통과하는 캐리어 개스, 분해 반응 생성물 및 잔여 비분해 이송 화합물을 반응기 챔버(110)으로부터 제거시킨다. 각각의 받침대(140)의 공동 내에, 즉 반도체 기질(52)바로 위에 열전쌍 및 방사 가열기들을 장치하기 위해 전기 도선 단자(130,130')가 반응기 캡(116) 내에 제공된다. 방사 가열기는 RF가열 써셉터 보다 양호한데, 그 이유는 단일 RF 코일에 의해 다중 써셉터들을 균일하게 유도가열시키기가 매우 어렵기 때문이다. 방사 가열기 및 열전쌍들은 종래 형태로 되어 있고, 간단히 하기 위해, 제5도에는 도시하지 않았다. 다중 반응기 챔버(110)의 횡단면 평면도인 제6도에 도시한 바와 같이, 반응기 관(124)들은 반응기 챔버(110)의 전체 동작 및 각각의 반도체 기질(52)들 상에 동시에 용착된 층들의 균일성을 최적화하도록 서로에 관련하여 대칭적으로 양호하게 어레이 된다.
[예]
제1도에 도시한 형태의 반응기 챔버는 본 발명에 따라 구성되었다. 이 반응기 챔버는 전체 길이가 63.5cm이었고 원통형 부분 내의 직경은 일정하게 88mm이었다. 반응기 관의 깔때기 형태로 된 부분의 내부 표면은 반응기 챔버의 중앙선으로부터 약 25°각이졌다. 외경이 72mm이고 전체 높이가 84mm인 받침대는 반응기 관의 상부로부터 75mm 아래에 배치된 돌출립으로 지지되었다. RF코일은 직경이 62mm이고 전체 높이가 62mm인 흑연 써셉터에 대향하여 배치되었다.
상기 반응기 챔버를 사용하면, 정확히 재생가능한 에피택셜 층들이 직경이 50m m인 반도체 웨이퍼의 표면상에서 면적이 12.5cm2이상이고, 두께가 34μm로 되도록 MOCVD에 의해 성장되었다. 이 층들의 두께 균일성은 ±1% 이내이었고, 도우팬트 집중도는 최소한 ±2% 이내로 균일하였다. 또한, 상기 반응기 챔버를 사용하면, 두께가 8.5μm인 p-형 GaAs 에피택셜층들이 MOCVD에 의해 성장되었고, 캐리어 집중도는 7×1011cm-3정도로 낮았고 저항성은 40kΩ-cm 정도로 높았다. 이 층들의 실내온도 홀(Hall) 이동도는 450cm2/v-sec 정도로 높았다.
그러므로, 본 명세서에는 두께 및 성분비 면에서 물리적으로 균일한 높은 전기 특성을 갖고 있는 층을 반도체 기질의 노출 표면 상에 용착시킬 수 있는 역 수직 유동 화학 증착 반응기 챔버에 대해 기술되어 있다. 명백히, 상기 양호한 실시예의 설명에 따라 본 발명을 여러 가지로 수정 및 변경시킬 수가 있다. 이 수정들은 반응기 관내에서 반응 개스의 플러그 유동을 설정하기 위한 선택적인 장치, 대가압 이하에서의 반응기 챔버의 동작 및 반응기 관 벽의 동작온도를 설정 및 유지하기위한 선택적인 냉각장치를 사용하는 것을 포함할 수 있다. 그러므로, 첨부한 청구 범위의 배경 내에서, 본 발명은 상술한 것과는 다른 방법으로 실시될 수도 있다.

Claims (7)

  1. 반응기 챔버(10), 분류물과 같은 용착 성분을 갖고 있는 반응 개스 화합물 소오스(24), 상기 반응 개스 화합물을 상기 반응기 챔버 내로 유입시키기 위한 장치 및 상기 용착 성분을 수용하기에 적당한 주요 표면을 갖고 있는 기질(50)으로 구성된 화학 증착(CVD) 반응기 시스템에 있어서, 상기 반응기 챔버(10)이 받침대(40), 상기 주요 표면이 하향 접촉하여 노출되도록 상기 기질을 상기 받침대에 고착시키기 위한 장치(46,54,56), 상기 기질(50)의 노출 표면 부근에 제공될 때 상기 화합물을 분해시키기에 충분한 온도로 상기 기질을 가열하기 위한 장치(46,70), 상기 화합물이 상기 기질(50)의 노출 표면 부근으로 보내지고, 상기 분해 성분이 상기 기질(50)의 노출 주요 표면 상으로 보내지도록 상기 반응기 챔버(10) 내로 유입된 상기 화합물을 수직 상향 플러그 유동시키기 위한 장치(32,34) 및 상기 기질(50)상에 제공되고, 상기 반응 개스 성분의 잔여량과 이것의 잔여 분해 반응 생성물을 제거하기 위한 장치(44)로 구성된 것을 특징으로 하는 역 수직 유동 화학 증착 반응기 챔버.
  2. 제1항에 있어서, 상기 받침대가 구멍(50)을 갖고 있는 하향 접촉 저부를 포함하고, 상기 기질(50)이 상기 주요 표면을 노출시키는 상기 구멍 위에 지지되어 상기 받침대 저부에 대하여 밀폐되도록 상기 고착 장치가 상기 기질(50)을 수용하기에 적합한 상기 받침대(40)의 상기 저부의 리세스 부분(54)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반응기 챔버.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 플러그 유동 발생 장치가 상부 및 하부 관 부분들을 갖고 있는 반응기 관을 포함하고, 상기 상부 관 부분의 내부 표면(34)는 원통형 크기를 정하며, 상기 상부 관 부분의 원통형 축은 수직으로 되고, 상기 하부 관 부분의 내부 표면(32)는 상기 상부 관 부분에 의해 둘러 싸여진 원통형 크기에 근접한 균일한 깔때기 형태를 정하며, 상기 유입 장치는 깔때기 형태의 정점에서 상기 하부 관 부분 내에 상기 화합물을 제공하므로, 상기 화합물이 상기 하부 관 부분 내에서 수직 상향으로 이동할 때 플러그 유동으로 이송되고, 상기 화합물이 상기 상부 관 부분내에서 수직 상향으로 이동할 때 플러그 유동을 계속하는 것을 특징으로 하는 반응기 챔버.
  4. 제3항에 있어서, 상기 상부 관 부분이 상기 상부 관 부분의 내경의 약 2배 이상의 원통형 길이를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 반응기 챔버.
  5. 제4항에 있어서, 상기 상부 관 부분이 횡-단면 직경의 약 2배 내지 10배 사이의 원통형 길이를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 반응기 챔버.
  6. 제4항에 있어서, 상기 하부 관 부분의 내부 표면(32)가 상기 반응기 챔버의 수직 중앙선으로 측정된 바와 같이 약 50°이하의 각도로 테이퍼되는 것을 특징으로 하는 반응기 챔버.
  7. 제3항에 있어서, 상기 제거 장치가 상기 상부 관 부분의 상부로 부터 상기 상부 관 부분의 하부를 밀폐시키는 외향 연장 플랜지(42)를 갖고 있고 상기 상부 관 부분의 상기 상부 및 하부에 접속되는 다수의 구멍(44)들을 갖고 있는 상기 받침대의 상부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반응기 챔버.
KR1019840002280A 1983-04-29 1984-04-28 역 수직 유동 화학 증착 반응기 챔버 KR900001658B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US48991983A 1983-04-29 1983-04-29
US489.919 1983-04-29
US489919 1983-04-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR840009176A KR840009176A (ko) 1984-12-24
KR900001658B1 true KR900001658B1 (ko) 1990-03-17

Family

ID=23945829

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019840002280A KR900001658B1 (ko) 1983-04-29 1984-04-28 역 수직 유동 화학 증착 반응기 챔버

Country Status (9)

Country Link
EP (1) EP0142495B1 (ko)
JP (1) JPS60501234A (ko)
KR (1) KR900001658B1 (ko)
CA (1) CA1209330A (ko)
DE (1) DE3367627D1 (ko)
IL (1) IL71376A (ko)
IT (1) IT1214395B (ko)
NO (1) NO844985L (ko)
WO (1) WO1984004334A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3539981C1 (de) * 1985-11-11 1987-06-11 Telog Systems Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Halbleitermaterialien
JP2733535B2 (ja) * 1988-06-24 1998-03-30 株式会社リコー 半導体薄膜気相成長装置
EP0552375B1 (en) * 1991-07-16 2004-06-02 Seiko Epson Corporation Method of forming a semiconductor film with a chemical vapor deposition apparatus
US6066204A (en) * 1997-01-08 2000-05-23 Bandwidth Semiconductor, Llc High pressure MOCVD reactor system
US7344584B2 (en) * 2004-09-03 2008-03-18 Inco Limited Process for producing metal powders

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1398758A (fr) * 1963-11-13 1965-05-14 Texas Instruments Inc Procédé et appareil de croissance épitaxiale pour la fabrication de semi-conducteurs
FR1462335A (fr) * 1965-10-16 1966-04-15 Philips Nv Procédé d'application de couches d'oxyde d'étain sur des dispositifs supports
US3607378A (en) * 1969-10-27 1971-09-21 Texas Instruments Inc Technique for depositing silicon dioxide from silane and oxygen
DE2846160A1 (de) * 1978-10-24 1980-05-08 Kernforschungsanlage Juelich Wirbelschichtreaktor mit offenem reaktionsgaszutritt und verfahren zur laminar-durchflussteigerung
JPS5673694A (en) * 1979-11-14 1981-06-18 Fujitsu Ltd Vertical type vapor phase growing method and apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
NO844985L (no) 1984-12-12
DE3367627D1 (en) 1987-01-02
IL71376A (en) 1987-12-20
JPS60501234A (ja) 1985-08-01
JPH0231490B2 (ko) 1990-07-13
EP0142495B1 (en) 1986-11-12
IT8448099A0 (it) 1984-04-27
KR840009176A (ko) 1984-12-24
WO1984004334A1 (en) 1984-11-08
CA1209330A (en) 1986-08-12
EP0142495A1 (en) 1985-05-29
IT1214395B (it) 1990-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4732110A (en) Inverted positive vertical flow chemical vapor deposition reactor chamber
US5704985A (en) Device and a method for epitaxially growing objects by CVD
US5027746A (en) Epitaxial reactor having a wall which is protected from deposits
US5879462A (en) Device for heat treatment of objects and a method for producing a susceptor
US6039812A (en) Device for epitaxially growing objects and method for such a growth
US6197121B1 (en) Chemical vapor deposition apparatus
WO1990015172A1 (en) Method for high temperature thermal processing with reduced convective heat loss
US6030661A (en) Device and a method for epitaxially growing objects by CVD
JP2505777B2 (ja) 半導体物質のエピタキシャル層堆積法
US20190003053A1 (en) Chemical vapor phase growth apparatus
EP0068839A1 (en) Method and apparatus for vapor phase growth of a semiconductor
KR900001658B1 (ko) 역 수직 유동 화학 증착 반응기 챔버
US3669769A (en) Method for minimizing autodoping in epitaxial deposition
US5070815A (en) MOCVD device for growing a semiconductor layer by the metal-organic chemical vapor deposition process
GB2156857A (en) Method of manufacturing a semiconductor device
CN111349908A (zh) SiC化学气相沉积装置
US4348981A (en) Vertical type vapor-phase growth apparatus
JPH10189695A (ja) 気相成長用サセプタ及びその製造方法
EP0931186B1 (en) A device for epitaxially growing objects and method for such a growth
JP3198956B2 (ja) ＧａＮの薄膜気相成長方法と薄膜気相成長装置
JPH0428680B2 (ko)
JP2642829B2 (ja) 半導体製造装置
Hahn et al. Direct growth of Hg1-xCdxTe alloys in a cold-wall, annular reactant inlet inverted-vertical organometallic vapor phase epitaxy reactor at 300° C
JPH05275679A (ja) 半導体デバイスの製法
KR950014604B1 (ko) 반도체의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee