JP3198956B2 - ＧａＮの薄膜気相成長方法と薄膜気相成長装置 - Google Patents
ＧａＮの薄膜気相成長方法と薄膜気相成長装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＧａＮ等の窒素化合
物成膜用の薄膜気相成長装置に関する。ＧａＮはバンド
ギャップが広い半導体である。だから青色発光素子の材
料として注目されている。バルクの大きい単結晶を作る
のが難しいので、他の材料の単結晶の上にヘテロエピタ
キシャル成長させてＧａＮの単結晶薄膜を作る。例えば
サファイヤ基板（α−アルミナ）の上にＧａＮの単結晶
を分子線エピタキシャル成長法や有機金属ＣＶＤ法によ
ってＧａＮ膜を作製する。
物成膜用の薄膜気相成長装置に関する。ＧａＮはバンド
ギャップが広い半導体である。だから青色発光素子の材
料として注目されている。バルクの大きい単結晶を作る
のが難しいので、他の材料の単結晶の上にヘテロエピタ
キシャル成長させてＧａＮの単結晶薄膜を作る。例えば
サファイヤ基板（α−アルミナ）の上にＧａＮの単結晶
を分子線エピタキシャル成長法や有機金属ＣＶＤ法によ
ってＧａＮ膜を作製する。
【０００２】原料ガスはＧａの有機金属と、アンモニア
ＮＨ3 である。キャリヤガスとして水素も用いる。Ｇａ
の有機金属というのはトリメチルＧａ、トリエチルＧａ
などである。アンモニアとＧａ有機金属との分解反応温
度が高いので基板を高温に加熱する必要がある。この点
でＧａＡｓ基板上にＧａＡｓ薄膜を成長させたり、Ｉｎ
Ｐ基板上にＩｎＰ薄膜をエピタキシャル成長させるのと
は、異なった困難がある。
ＮＨ3 である。キャリヤガスとして水素も用いる。Ｇａ
の有機金属というのはトリメチルＧａ、トリエチルＧａ
などである。アンモニアとＧａ有機金属との分解反応温
度が高いので基板を高温に加熱する必要がある。この点
でＧａＡｓ基板上にＧａＡｓ薄膜を成長させたり、Ｉｎ
Ｐ基板上にＩｎＰ薄膜をエピタキシャル成長させるのと
は、異なった困難がある。
【０００３】
【従来の技術】ＧａＮは原料ガスの反応温度が高いので
サセプタ、基板を高温にする。温度が高いので強い対流
が起こる。対流のために原料ガスが舞い上がって基板に
接近できない。対流するガス中で反応が起こり生成物が
むなしく排気されるということになり薄膜が基板上に成
長しにくい、という問題がある。
サセプタ、基板を高温にする。温度が高いので強い対流
が起こる。対流のために原料ガスが舞い上がって基板に
接近できない。対流するガス中で反応が起こり生成物が
むなしく排気されるということになり薄膜が基板上に成
長しにくい、という問題がある。
【０００４】そこで対流に打ち勝ってガスが基板面に到
達できるようにするためにガスを先の細いノズルから高
速流として吹き出すということが行われる。断面積の小
さいノズルから圧力を掛けてガスを吹き出すので高速の
ガス流が吹き込まれる。だから基板にまで原料が到達で
きる。また途中で十分に加熱される時間がないので中間
生成物ができない。
達できるようにするためにガスを先の細いノズルから高
速流として吹き出すということが行われる。断面積の小
さいノズルから圧力を掛けてガスを吹き出すので高速の
ガス流が吹き込まれる。だから基板にまで原料が到達で
きる。また途中で十分に加熱される時間がないので中間
生成物ができない。
【０００５】しかしこのように原料ガス自体を細い高速
流としてウエハー上に吹き込むようにするとガスがウエ
ハーに当たる面積が小さくなる。ために小さい薄膜しか
成長させることができない。発光素子として利用するに
しても多数の素子を１回のウエハープロセスによって製
作できる方が効率が良い。そこで広い面積のＧａＮ薄膜
を作りたいという強い要望がある。
流としてウエハー上に吹き込むようにするとガスがウエ
ハーに当たる面積が小さくなる。ために小さい薄膜しか
成長させることができない。発光素子として利用するに
しても多数の素子を１回のウエハープロセスによって製
作できる方が効率が良い。そこで広い面積のＧａＮ薄膜
を作りたいという強い要望がある。
【０００６】特開平４−１６４８９５号はサファイヤ基
板にＧａＮ薄膜を成長させることを目的にしている。一
本のノズルから基板面に平行に原料ガス（トリメチルＧ
ａ＋アンモニア）を送り上方から押圧拡散ガスを吹き付
け原料ガスをサセプタ／基板面に押しつけるようにして
いる。アンモニアとＧａの原料ガス供給管が分離してい
ない。
板にＧａＮ薄膜を成長させることを目的にしている。一
本のノズルから基板面に平行に原料ガス（トリメチルＧ
ａ＋アンモニア）を送り上方から押圧拡散ガスを吹き付
け原料ガスをサセプタ／基板面に押しつけるようにして
いる。アンモニアとＧａの原料ガス供給管が分離してい
ない。
【０００７】上方から基板面に直角に押圧ガスが強く吹
き付けるから原料ガスが基板に当たり熱い基板面で反応
が起こるのである。押圧ガス（水素）を真上から吹き込
むので対流をむりやり抑え込んでいるのである。これは
原料ガスを高速噴射しなくても良いので比較的広いＧａ
Ｎ膜を生成できるという。
き付けるから原料ガスが基板に当たり熱い基板面で反応
が起こるのである。押圧ガス（水素）を真上から吹き込
むので対流をむりやり抑え込んでいるのである。これは
原料ガスを高速噴射しなくても良いので比較的広いＧａ
Ｎ膜を生成できるという。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来例の気相成長装置
には次のような難点がある。 （１）アンモニアと有機金属の反応温度が高いのでサセ
プタは強く加熱しなければならない。サセプタからの輻
射熱により原料ガス供給管が加熱される。２種類の原料
ガスが同一の供給管から吹き込まれる。原料ガスが供給
管の内部で分解反応する。ために原料が基板に到達する
前に反応し消費される。原料ガスがむなしく浪費され
る。原料の一部だけが成膜に使われる。成膜効率が悪
い。
には次のような難点がある。 （１）アンモニアと有機金属の反応温度が高いのでサセ
プタは強く加熱しなければならない。サセプタからの輻
射熱により原料ガス供給管が加熱される。２種類の原料
ガスが同一の供給管から吹き込まれる。原料ガスが供給
管の内部で分解反応する。ために原料が基板に到達する
前に反応し消費される。原料ガスがむなしく浪費され
る。原料の一部だけが成膜に使われる。成膜効率が悪
い。
【０００９】（２）また供給管で反応が起こるから、供
給管の先端に生成物が付着する。付着した反応生成物が
離れて落下しパーティクルになり基板を汚染する。
給管の先端に生成物が付着する。付着した反応生成物が
離れて落下しパーティクルになり基板を汚染する。
【００１０】（３）基板に供給される数種の反応ガス
は、反応ガス噴射管内で既に混合されてから基板に到達
する。基板到達までに中間生成物（付加化合物）が生成
されやすい。中間生成物ができるとそれだけガスが消費
される。中間生成物によっても成膜効率が低下する。
は、反応ガス噴射管内で既に混合されてから基板に到達
する。基板到達までに中間生成物（付加化合物）が生成
されやすい。中間生成物ができるとそれだけガスが消費
される。中間生成物によっても成膜効率が低下する。
【００１１】これらの問題を克服し、原料ガスの利用効
率が高く、パーティクルの発生しない、均一な膜質のＧ
ａＮ膜を生成できる薄膜気相成長装置を提供する事が本
発明の目的である。
率が高く、パーティクルの発生しない、均一な膜質のＧ
ａＮ膜を生成できる薄膜気相成長装置を提供する事が本
発明の目的である。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜気相成長装
置は、２種のガスを２本の供給管から分離供給し、反応
ガス噴射管を冷却し、さらに反応ガス噴出口から基板に
到達するまでの空間をできるだけ狭くする。噴射管を冷
却すること、分離供給することによって、反応ガス噴射
管内での生成物の発生を防ぐ。生成物が噴射管内部や先
端に付着する事もない。噴射口から基板までの空間を狭
くする事によってデッドスペースを減らし熱対流を抑制
できる。
置は、２種のガスを２本の供給管から分離供給し、反応
ガス噴射管を冷却し、さらに反応ガス噴出口から基板に
到達するまでの空間をできるだけ狭くする。噴射管を冷
却すること、分離供給することによって、反応ガス噴射
管内での生成物の発生を防ぐ。生成物が噴射管内部や先
端に付着する事もない。噴射口から基板までの空間を狭
くする事によってデッドスペースを減らし熱対流を抑制
できる。
【００１３】さらに原料ガスを基板に向けて斜めに吹き
出すようにし熱対流に負ける事なく原料ガスが基板まで
到達するようにする。吹き出し口が軸線に関して回転対
称に分布するようにすれば均一性の高い薄膜を作る事が
できる。ここで回転対称というのは、連続回転対称も有
限回回転対称（ｎ回回転対称）をも含むものとする。
出すようにし熱対流に負ける事なく原料ガスが基板まで
到達するようにする。吹き出し口が軸線に関して回転対
称に分布するようにすれば均一性の高い薄膜を作る事が
できる。ここで回転対称というのは、連続回転対称も有
限回回転対称（ｎ回回転対称）をも含むものとする。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施例にかかる薄
膜成長装置の概略の断面図である。薄膜気相成長装置１
は、円筒形のチャンバ２と、その上に設けられる蓋部３
とを組み合わせた真空チャンバを持っている。円筒チャ
ンバ２の内部にはサセプタ４がシャフト５の上に設けら
れる。サセプタ４はカーボンなどよりなり円筒形状であ
る。シャフト５は回転昇降可能である。円筒チャンバ２
の上部フランジ６の上に円盤状の蓋部３が固定されてい
る。円筒チャンバ２の下方には排気口８がありこれが真
空排気装置（図示しない）に接続されている。
膜成長装置の概略の断面図である。薄膜気相成長装置１
は、円筒形のチャンバ２と、その上に設けられる蓋部３
とを組み合わせた真空チャンバを持っている。円筒チャ
ンバ２の内部にはサセプタ４がシャフト５の上に設けら
れる。サセプタ４はカーボンなどよりなり円筒形状であ
る。シャフト５は回転昇降可能である。円筒チャンバ２
の上部フランジ６の上に円盤状の蓋部３が固定されてい
る。円筒チャンバ２の下方には排気口８がありこれが真
空排気装置（図示しない）に接続されている。
【００１５】蓋部３の中央部には２系統の原料ガスの導
入機構を含む反応ガス噴射管部９が設けられる。２種類
のガスは、Ｇａの有機金属ガス（例えばトリメチルＧ
ａ）とアンモニアガスである。いずれも水素ガスによっ
て希釈されている。
入機構を含む反応ガス噴射管部９が設けられる。２種類
のガスは、Ｇａの有機金属ガス（例えばトリメチルＧ
ａ）とアンモニアガスである。いずれも水素ガスによっ
て希釈されている。
【００１６】反応ガスＢの導入系統は、やや低い部位に
あるＢガス入口１０、Ｂガス縦流路１１、Ｂガス斜め流
路１２、Ｂガス噴射口１３などよりなる。Ｂガス縦流路
１１やＢガス斜め流路１２及びＢガス噴射口１３は中心
軸線に関して回転対称の形状になっている。つまり円周
方向に連続する流路になり噴射口１３は円錐形状であ
る。ここから噴射されたガスは円錐母線にそって進み一
点３５に収束する。連続する円管状に流路にするのが難
しいときは円周方向に複数の分離した流路を設けても良
い。実質的に回転対称になるようなガス流を吹き込む事
ができれば良いのである。
あるＢガス入口１０、Ｂガス縦流路１１、Ｂガス斜め流
路１２、Ｂガス噴射口１３などよりなる。Ｂガス縦流路
１１やＢガス斜め流路１２及びＢガス噴射口１３は中心
軸線に関して回転対称の形状になっている。つまり円周
方向に連続する流路になり噴射口１３は円錐形状であ
る。ここから噴射されたガスは円錐母線にそって進み一
点３５に収束する。連続する円管状に流路にするのが難
しいときは円周方向に複数の分離した流路を設けても良
い。実質的に回転対称になるようなガス流を吹き込む事
ができれば良いのである。
【００１７】反応ガスＡの導入系統は、より高い部位に
あるＡガス入口１４、円筒状のＡガス縦流路１５、Ａガ
ス横流路１６、Ａガス縦流路１７、Ａガス噴射口１８よ
りなる。Ａガスの流路も軸線に関して回転対称である。
つまりＡガス縦流路１７は円筒形状の溝である。Ａガス
は斜め向きにチャンバに吹き込まれるが逆円錐を描き点
３５で収束するようなガス流となる。ガスＡ、Ｂともに
点３５を目指してチャンバ内に吹き込まれる。ノズル幅
は狭く高速流であるが、点３５で会合しここで混合され
る。混合した後すぐに基板３４に到達する。混合するま
では反応が起こらず点３５の近傍で混合した後すぐに基
板３４に至るのであるから基板３４で反応しここに薄膜
を成長させる。ために中間生成物ができない。もちろん
ＡガスとＢガスの収束点を上下に少し食い違うようにし
ても良い。
あるＡガス入口１４、円筒状のＡガス縦流路１５、Ａガ
ス横流路１６、Ａガス縦流路１７、Ａガス噴射口１８よ
りなる。Ａガスの流路も軸線に関して回転対称である。
つまりＡガス縦流路１７は円筒形状の溝である。Ａガス
は斜め向きにチャンバに吹き込まれるが逆円錐を描き点
３５で収束するようなガス流となる。ガスＡ、Ｂともに
点３５を目指してチャンバ内に吹き込まれる。ノズル幅
は狭く高速流であるが、点３５で会合しここで混合され
る。混合した後すぐに基板３４に到達する。混合するま
では反応が起こらず点３５の近傍で混合した後すぐに基
板３４に至るのであるから基板３４で反応しここに薄膜
を成長させる。ために中間生成物ができない。もちろん
ＡガスとＢガスの収束点を上下に少し食い違うようにし
ても良い。
【００１８】このように２種類の原料ガスを別系統の噴
射管から吹き込み基板の直上で初めて互いに接触させ
る、というのが本発明の一つの特徴である。またガスが
混合する部分３３が円錐台形の空間であって十分に狭い
ということも重要である。円錐台形状混合空間３３で相
合し反応を開始するがこの空間（デッドスペース）が狭
いので熱対流が殆ど起こらない。従って原料ガスが基板
に到達するのを妨げる力が弱い。原料ガスが殆ど全て基
板に到達し反応に寄与するから原料の利用効率が優れ
る。また円錐台に沿う流れとなって導入されるから一様
な流れになり薄膜の膜厚や膜質の均一性が高くなる。円
錐台形状のガス混合空間３３の大きさはウエハー３４の
大きさにほぼ等しくするのがよい。
射管から吹き込み基板の直上で初めて互いに接触させ
る、というのが本発明の一つの特徴である。またガスが
混合する部分３３が円錐台形の空間であって十分に狭い
ということも重要である。円錐台形状混合空間３３で相
合し反応を開始するがこの空間（デッドスペース）が狭
いので熱対流が殆ど起こらない。従って原料ガスが基板
に到達するのを妨げる力が弱い。原料ガスが殆ど全て基
板に到達し反応に寄与するから原料の利用効率が優れ
る。また円錐台に沿う流れとなって導入されるから一様
な流れになり薄膜の膜厚や膜質の均一性が高くなる。円
錐台形状のガス混合空間３３の大きさはウエハー３４の
大きさにほぼ等しくするのがよい。
【００１９】さらにより工夫のなされている部分があ
る。それは原料ガスの導入管が全て冷却されているとい
うことである。Ａガス供給系については、蓋部３の中心
であって最も高い位置に冷却水入口１９がある。ここか
ら入った冷却水は冷却水縦通路２０を経て降下し冷却水
溜２１に至り反応ガスＡを十分に冷却する。その後冷却
水縦通路２２を経て上昇し冷却水出口２３から排出され
る。
る。それは原料ガスの導入管が全て冷却されているとい
うことである。Ａガス供給系については、蓋部３の中心
であって最も高い位置に冷却水入口１９がある。ここか
ら入った冷却水は冷却水縦通路２０を経て降下し冷却水
溜２１に至り反応ガスＡを十分に冷却する。その後冷却
水縦通路２２を経て上昇し冷却水出口２３から排出され
る。
【００２０】Ｂガス供給系とＡガス供給系を冷却するた
めに、もう一つの冷却水系がある。中央から少し外れた
位置に第２の冷却水入口２４がある。これはその下の環
状冷却水溜２５に連通している。ここでガスＡとガスＢ
を冷却する。冷却作用を終えた冷却水は冷却水出口２６
から排除される。
めに、もう一つの冷却水系がある。中央から少し外れた
位置に第２の冷却水入口２４がある。これはその下の環
状冷却水溜２５に連通している。ここでガスＡとガスＢ
を冷却する。冷却作用を終えた冷却水は冷却水出口２６
から排除される。
【００２１】蓋部３にはさらに第３の冷却水系が設けら
れる。蓋部３の平坦部に冷却水入口２７があり、これが
円板状をした冷却水溜２８に続く。これは蓋部３がサセ
プタからの輻射熱によって加熱されるのを防ぐ作用があ
る。冷却水は冷却水出口２９から排出される。これらは
反応ガスＡ、Ｂがヒ−タ熱によって加熱され反応するの
を抑制するための冷却機構である。チャンバ２自体も壁
に冷却水ジャケットを持っている。冷却水入口３０から
円筒状の冷却水溜３１に冷却水が導かれる。これによっ
てチャンバ壁の加熱を防ぐ。これは冷却水溜３１から冷
却水出口３２を通って排出される。
れる。蓋部３の平坦部に冷却水入口２７があり、これが
円板状をした冷却水溜２８に続く。これは蓋部３がサセ
プタからの輻射熱によって加熱されるのを防ぐ作用があ
る。冷却水は冷却水出口２９から排出される。これらは
反応ガスＡ、Ｂがヒ−タ熱によって加熱され反応するの
を抑制するための冷却機構である。チャンバ２自体も壁
に冷却水ジャケットを持っている。冷却水入口３０から
円筒状の冷却水溜３１に冷却水が導かれる。これによっ
てチャンバ壁の加熱を防ぐ。これは冷却水溜３１から冷
却水出口３２を通って排出される。
【００２２】ＧａＮの成膜は、減圧下又は大気圧下で行
う。ＧａＮを成膜するので、原料ガスはＧａの有機金属
と窒素の化合物ガスである。例えば、トリメチルＧａと
アンモニアを使う。キャリアガスとしていずれも水素ガ
スを使う。両方の原料ガスは点３５で交わり混合する。
サセプタは５〜１０ＲＰＭの角速度で回転させる。サセ
プタの高さは膜厚が均一となる位置に最適化されてい
る。
う。ＧａＮを成膜するので、原料ガスはＧａの有機金属
と窒素の化合物ガスである。例えば、トリメチルＧａと
アンモニアを使う。キャリアガスとしていずれも水素ガ
スを使う。両方の原料ガスは点３５で交わり混合する。
サセプタは５〜１０ＲＰＭの角速度で回転させる。サセ
プタの高さは膜厚が均一となる位置に最適化されてい
る。
【００２３】
【発明の効果】本発明の薄膜気相成長装置は反応ガス噴
射管を冷却しているから、ガス噴射管が加熱されず反応
が起きない。だから反応ガス噴射管先端部で分解反応し
ない。反応物が噴射管先端部に付着しない。だから噴射
管からパーティクルが基板へ落下し基板を汚染すること
はない。また反応ガスが基板までの空間において無駄に
浪費されるということはない。反応ガスの消費効率が向
上する。
射管を冷却しているから、ガス噴射管が加熱されず反応
が起きない。だから反応ガス噴射管先端部で分解反応し
ない。反応物が噴射管先端部に付着しない。だから噴射
管からパーティクルが基板へ落下し基板を汚染すること
はない。また反応ガスが基板までの空間において無駄に
浪費されるということはない。反応ガスの消費効率が向
上する。
【００２４】２種類の原料ガスを分離して反応炉に導入
し基板の直前において初めて混合するようにするので、
中間生成物（付加化合物）が発生しない。反応ガスの混
合領域を狭くする事によって、デッドスペースをなく
し、高温であっても熱対流を抑制することができる。熱
対流が弱くなるから反応ガスが基板に到達し易い。基板
への反応ガスの供給効率が向上する。
し基板の直前において初めて混合するようにするので、
中間生成物（付加化合物）が発生しない。反応ガスの混
合領域を狭くする事によって、デッドスペースをなく
し、高温であっても熱対流を抑制することができる。熱
対流が弱くなるから反応ガスが基板に到達し易い。基板
への反応ガスの供給効率が向上する。
【００２５】反応ガス噴射管から噴射される反応ガスの
噴射方向を基板中央部のすぐ直上に揃えることによって
反応ガスを均一に混合する事ができる。均一成分の原料
ガスが基板に到達するから膜質均一性の優れた薄膜を生
成することができる。さらにサセプタとガス混合点との
距離を最適化することによって均一な膜厚の薄膜を生成
することができる。
噴射方向を基板中央部のすぐ直上に揃えることによって
反応ガスを均一に混合する事ができる。均一成分の原料
ガスが基板に到達するから膜質均一性の優れた薄膜を生
成することができる。さらにサセプタとガス混合点との
距離を最適化することによって均一な膜厚の薄膜を生成
することができる。
【図１】本発明の実施例にかかる薄膜気相成長装置の概
略断面図。
略断面図。
１ 薄膜成長装置 ２ 円筒チャンバ ３ 蓋部 ４ サセプタ ５ シャフト ６ 上部フランジ ７ 抵抗加熱ヒ−タ ８ 排気口 ９ 反応ガス噴射管部 １０ Ｂガス入口 １１ Ｂガス縦流路 １２ Ｂガス斜め流路 １３ Ｂガス噴射口 １４ Ａガス入口 １５ Ａガス縦流路 １６ Ａガス横流路 １７ Ａガス縦流路 １８ Ａガス噴射口 １９ 冷却水入口 ２０ 冷却水縦通路 ２１ 冷却水溜 ２２ 冷却水縦通路 ２３ 冷却水出口 ２４ 冷却水入口 ２５ 環状冷却水溜 ２６ 冷却水出口 ２７ 冷却水入口 ２８ 円板状冷却水溜 ２９ 冷却水出口 ３０ 冷却水入口 ３１ 円筒状冷却水溜 ３２ 冷却水出口 ３３ ガス混合空間 ３４ 基板 ３５ ガス噴射口の交点
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00 H01L 21/205 ＣＡ（ＳＴＮ) ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｇａの有機金属ガスを一つの反応ガスと
し、窒素の化合物を他方の反応ガスとして、基板の上に
ＧａＮ薄膜を成長させる方法であって、基板の直上まで
２種類の反応ガスを独立の供給系統によって導き、反応
ガス供給系統を冷媒によって冷却するようにし、それぞ
れの反応ガスを基板の中心に立てた軸線の周りに回転対
称の噴射管から鉛直方向に対して斜めに噴射し、２種類
のガスを噴出口から基板上に到るまでの狭い空間で混合
し、混合した直後に基板に至るようにしたことを特徴と
するＧａＮの薄膜気相成長方法。 - 【請求項２】 ガスが基板円周方向へ排気されるように
した事を特徴とする請求項１に記載のＧａＮの薄膜気相
成長方法。 - 【請求項３】 ２種類の反応ガスが混合される領域の形
状が円錐台形状であり、底面の直径が基板とほぼ同一径
であることを特徴とする請求項２に記載のＧａＮの薄膜
気相成長方法。 - 【請求項４】 真空に引く事ができるチャンバと、チャ
ンバ内部に回転昇降可能に設けられるサセプタと、サセ
プタの内部に設けられる抵抗加熱ヒ−タと、チャンバの
上方に設けられるＧａの有機金属ガスの供給系統と、チ
ャンバの上方に設けられる窒素の化合物ガスの供給系統
と、チャンバの下方に設けられる排気口と、Ｇａ有機金
属供給系統を冷却する冷却機構と、窒素化合物供給系統
を冷却する冷却機構と、チャンバの内部にＧａ有機金属
ガスを吹き出すようにチャンバ軸線に関して回転対称に
設けられた噴射口と、チャンバの内部に窒素化合物ガス
を吹き出すようにチャンバ軸線に関して回転対称に設け
られた噴射口と、噴射口を有しサセプタの上にあってガ
スを混合する円錐台状の空間と、チャンバの冷却機構と
を含む事を特徴とするＧａＮの薄膜気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33504996A JP3198956B2 (ja) | 1996-11-28 | 1996-11-28 | ＧａＮの薄膜気相成長方法と薄膜気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33504996A JP3198956B2 (ja) | 1996-11-28 | 1996-11-28 | ＧａＮの薄膜気相成長方法と薄膜気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10158098A JPH10158098A (ja) | 1998-06-16 |
| JP3198956B2 true JP3198956B2 (ja) | 2001-08-13 |
Family
ID=18284179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33504996A Expired - Fee Related JP3198956B2 (ja) | 1996-11-28 | 1996-11-28 | ＧａＮの薄膜気相成長方法と薄膜気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3198956B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6485796B1 (en) | 2000-07-14 | 2002-11-26 | 3M Innovative Properties Company | Method of making metal matrix composites |
| KR101148011B1 (ko) * | 2006-01-26 | 2012-05-25 | 스탠리 일렉트릭 컴퍼니, 리미티드 | 성막 장치 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1996
- 1996-11-28 JP JP33504996A patent/JP3198956B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH10158098A (ja) | 1998-06-16 |
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