FR1398758A - Procédé et appareil de croissance épitaxiale pour la fabrication de semi-conducteurs - Google Patents

Procédé et appareil de croissance épitaxiale pour la fabrication de semi-conducteurs

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1984004334A1 (fr) * 1983-04-29 1984-11-08 Hughes Aircraft Co Chambre de reaction de deposition de vapeur chimique a ecoulement vertical positif inverse
US4732110A (en) * 1983-04-29 1988-03-22 Hughes Aircraft Company Inverted positive vertical flow chemical vapor deposition reactor chamber

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WO1984004334A1 (fr) * 1983-04-29 1984-11-08 Hughes Aircraft Co Chambre de reaction de deposition de vapeur chimique a ecoulement vertical positif inverse
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