JPS6212698A - 炭化珪素単結晶膜の製造方法 - Google Patents
炭化珪素単結晶膜の製造方法Info
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- JPS6212698A JPS6212698A JP15041785A JP15041785A JPS6212698A JP S6212698 A JPS6212698 A JP S6212698A JP 15041785 A JP15041785 A JP 15041785A JP 15041785 A JP15041785 A JP 15041785A JP S6212698 A JPS6212698 A JP S6212698A
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- JP
- Japan
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- single crystal
- substrate
- silicon carbide
- gas
- crystal film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
不発明は炭化珪素単結晶膜の製造方法に関し、特に大面
積で高品質な炭化珪素単結晶膜を再現性良く製造する方
法に関するものである。
積で高品質な炭化珪素単結晶膜を再現性良く製造する方
法に関するものである。
従来、炭化珪素単結晶膜の製造方法としては。
Ｓｉ単結晶基板上に気相成長法のみを用いて炭化珪素単
結晶、戻をヘテロエピタキシャル成長させる方法が用い
られている。８１と炭化珪素の格子定数は２０チも異な
るため、Ｓｉ基板上に直接炭化珪素を成長させると、多
結晶になったり、あるいは薄い単結晶膜が成長してもひ
び割れを起こしたり、また厚くしていくと結晶性が悪く
なり多結晶化してしまう問題があった。この問題を解決
するために須原らは気相成長法に於いて炭化珪素単結晶
膜をエピタキシャル成長させる前にグロバン（ＣｓＨｓ
）中でＳｉ基板の表面を炭化させ、炭化珪素単結晶膜を
エピタキシャル成長させるためのバッファ層とする方法
を用いている（電子通信学会技術研究報告５ＳＤ−８２
−１６７）、Ｌかしながら、この方法ではＳｉ基板の表
面を炭化させる際には１〜２分間の非常に短時間で基板
温度を室温から１３６０℃まで昇温しなければならず温
度制御が困峻であるため再現性良く高品質な炭化珪素単
結晶膜をエピタキシャル成長させることは出来なかった
０ 〔発明の目的〕 本発明は、仁のような従来の欠点を除去し、大面積で高
品質な炭化珪素単結晶膜を再現性良く製造する方法を提
供することを目的とする０〔発明の構成〕 本発明は、単結晶基板上に炭化珪素（、ＭｉＣ）単結晶
膜を成長させる方法において、珪素（８１）本結晶基板
上にＳｉ分子線によりＳｉ単結晶を成長させ、その後、
炭素（Ｃ）を含む化合物を気体の状態で導入し、前記Ｓ
ｉ分子線の量を徐々に減少させるとともに前記炭＊（Ｃ
）を含む化合物の量を徐々に増加させることＫよシ前記
Ｓｉ単結晶上に薄い中間層を形成し、その後Ｓｉを含む
化合物及びＣを含む化合物あるいはＳｉ及びＣを含む化
合物を使用し気相成長法により前記中間層上に炭化珪素
単結晶膜を成長させることにより構成される炭化珪素単
結晶膜の製造方法である。
結晶、戻をヘテロエピタキシャル成長させる方法が用い
られている。８１と炭化珪素の格子定数は２０チも異な
るため、Ｓｉ基板上に直接炭化珪素を成長させると、多
結晶になったり、あるいは薄い単結晶膜が成長してもひ
び割れを起こしたり、また厚くしていくと結晶性が悪く
なり多結晶化してしまう問題があった。この問題を解決
するために須原らは気相成長法に於いて炭化珪素単結晶
膜をエピタキシャル成長させる前にグロバン（ＣｓＨｓ
）中でＳｉ基板の表面を炭化させ、炭化珪素単結晶膜を
エピタキシャル成長させるためのバッファ層とする方法
を用いている（電子通信学会技術研究報告５ＳＤ−８２
−１６７）、Ｌかしながら、この方法ではＳｉ基板の表
面を炭化させる際には１〜２分間の非常に短時間で基板
温度を室温から１３６０℃まで昇温しなければならず温
度制御が困峻であるため再現性良く高品質な炭化珪素単
結晶膜をエピタキシャル成長させることは出来なかった
０ 〔発明の目的〕 本発明は、仁のような従来の欠点を除去し、大面積で高
品質な炭化珪素単結晶膜を再現性良く製造する方法を提
供することを目的とする０〔発明の構成〕 本発明は、単結晶基板上に炭化珪素（、ＭｉＣ）単結晶
膜を成長させる方法において、珪素（８１）本結晶基板
上にＳｉ分子線によりＳｉ単結晶を成長させ、その後、
炭素（Ｃ）を含む化合物を気体の状態で導入し、前記Ｓ
ｉ分子線の量を徐々に減少させるとともに前記炭＊（Ｃ
）を含む化合物の量を徐々に増加させることＫよシ前記
Ｓｉ単結晶上に薄い中間層を形成し、その後Ｓｉを含む
化合物及びＣを含む化合物あるいはＳｉ及びＣを含む化
合物を使用し気相成長法により前記中間層上に炭化珪素
単結晶膜を成長させることにより構成される炭化珪素単
結晶膜の製造方法である。
〔４′発明の作用〕
珪素（Ｓｉ）単結晶基板上に、Ｓｉ分子線によりＳｉ単
結晶を成長させ、その後炭素（Ｃ）を含む化合物を気体
の状態で導入し、前記Ｓｉ分子線の量を徐々に減少させ
るとともに前記炭素（Ｃ）を含む化合物の童を徐々に増
加させることにより、襠壜域填噛薫分子線を使用した成
長であるため結晶成長速度を小さくでき、すなわち、ガ
ス状のＣを含む化合物はカス量の加減が容易である特長
をもち、また結晶成長速度はＳｉ分子線によりこまかく
制御できる特長を有するので成長温度９分子線や成長カ
ス量の制−が容易となシ、再現性良く前記Ｓｉ単結晶上
に薄い中間層を形成することができるようになる。この
中間層は組成が基板と同じＳｉから上層の炭化珪素の組
成（ＳｉＣ）Ｋ向かって徐々に変化しているためＳｉ基
板と炭化珪素単結晶膜の間の格子定数差を緩和する作用
を持っている０このため前記中間層上にＳｉを含む化合
物及びＣを含む化合物あるいはＳｉ及びＣを含む化合物
を使用し結晶成長速度が大ぎい気相成長法により炭化珪
素単結晶膜を成長させることによって、Ｓｉ基板上に高
品質な炭化珪素単結晶膜を再現性良く短Ｆ＃闇で成長さ
せることができるようになる。
結晶を成長させ、その後炭素（Ｃ）を含む化合物を気体
の状態で導入し、前記Ｓｉ分子線の量を徐々に減少させ
るとともに前記炭素（Ｃ）を含む化合物の童を徐々に増
加させることにより、襠壜域填噛薫分子線を使用した成
長であるため結晶成長速度を小さくでき、すなわち、ガ
ス状のＣを含む化合物はカス量の加減が容易である特長
をもち、また結晶成長速度はＳｉ分子線によりこまかく
制御できる特長を有するので成長温度９分子線や成長カ
ス量の制−が容易となシ、再現性良く前記Ｓｉ単結晶上
に薄い中間層を形成することができるようになる。この
中間層は組成が基板と同じＳｉから上層の炭化珪素の組
成（ＳｉＣ）Ｋ向かって徐々に変化しているためＳｉ基
板と炭化珪素単結晶膜の間の格子定数差を緩和する作用
を持っている０このため前記中間層上にＳｉを含む化合
物及びＣを含む化合物あるいはＳｉ及びＣを含む化合物
を使用し結晶成長速度が大ぎい気相成長法により炭化珪
素単結晶膜を成長させることによって、Ｓｉ基板上に高
品質な炭化珪素単結晶膜を再現性良く短Ｆ＃闇で成長さ
せることができるようになる。
以下に本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する０ 第１図は本発明に使用した結晶成長装置の截息図でめる
０水冷元型反応管１と超高真空テヤンノ（−１１を備え
その間にはケートバルブ１０１を設けである。前記超高
真空チャンバー１１は層高真空排気系を備え高真壁排気
口１７よシテヤンノクー内をｌＸ、１０ ”Ｔｏｒｒ
まで排気できる構造となっている０また前記超高真空チ
ャンバー１１には試料導入室１８を備えてあシその間に
はゲートノクルプ１０２を設けてあり、へ料専入の際に
於いても前記超高真空チャンバー１１内を超高真空に保
つ構造となっている。試′ｐｒ４人は試料導入室１８内
に於いて基板結晶７をサセプター１ ６１とサセプタ−
２６２の間に設置した後ゲートバルブ１０２を開放し、
基板結晶７を設置した状態でサセプタ−６１及び６２を
超高真空チャンバー１１内に導入する。前記超高真空チ
ャンバー１１内には水晶振動子膜厚計１２が基板結晶近
傍に設置してあり膜厚の測定ができるようになっている
。Ｓｉソースの加熱のためＥ型電子銃１４を設けてあり
。
明する０ 第１図は本発明に使用した結晶成長装置の截息図でめる
０水冷元型反応管１と超高真空テヤンノ（−１１を備え
その間にはケートバルブ１０１を設けである。前記超高
真空チャンバー１１は層高真空排気系を備え高真壁排気
口１７よシテヤンノクー内をｌＸ、１０ ”Ｔｏｒｒ
まで排気できる構造となっている０また前記超高真空チ
ャンバー１１には試料導入室１８を備えてあシその間に
はゲートノクルプ１０２を設けてあり、へ料専入の際に
於いても前記超高真空チャンバー１１内を超高真空に保
つ構造となっている。試′ｐｒ４人は試料導入室１８内
に於いて基板結晶７をサセプター１ ６１とサセプタ−
２６２の間に設置した後ゲートバルブ１０２を開放し、
基板結晶７を設置した状態でサセプタ−６１及び６２を
超高真空チャンバー１１内に導入する。前記超高真空チ
ャンバー１１内には水晶振動子膜厚計１２が基板結晶近
傍に設置してあり膜厚の測定ができるようになっている
。Ｓｉソースの加熱のためＥ型電子銃１４を設けてあり
。
その外側は液体窒素シュラクト１３で覆われている。Ｓ
ｉの蒸発速度は前記水晶振動子膜厚計１２により測定し
、成長に先だりて基板面への８１の分子＄９１１１１Ｆ
−とＥ型電子銃１４の制御条件の関係を測定した。８１
ンースには高純度（９Ｎ）の多結晶Ｓｉを使用した。さ
らに前記超高真空チャンバー１１には炭素カス導入管１
６を設けてあシ炭素（Ｃ）を含む化合物を前記超高真空
チャンバー１１内に導入できるようになっており、導入
量は前記炭素系ガス導入管１６の途中に設けたバリアプ
ルリークバルブ１９により布置良く制御できる構造とな
っている。基板結晶７はサセプター１ ６１とサセプタ
ー２６２の間に結晶成長面を下にした状態に設置−ｊ−
る。ｎＩＪ記サセすター１ ６１はタンタル（Ｔａ）＃
！で８シ、サセプタ−２６２はグラファイトでできてお
りその表面を炭化珪素にてコーティングしたものである
。基板結晶７の加熱は前記サセク“ター１ ６１を通じ
直接通電することによって行なった。
ｉの蒸発速度は前記水晶振動子膜厚計１２により測定し
、成長に先だりて基板面への８１の分子＄９１１１１Ｆ
−とＥ型電子銃１４の制御条件の関係を測定した。８１
ンースには高純度（９Ｎ）の多結晶Ｓｉを使用した。さ
らに前記超高真空チャンバー１１には炭素カス導入管１
６を設けてあシ炭素（Ｃ）を含む化合物を前記超高真空
チャンバー１１内に導入できるようになっており、導入
量は前記炭素系ガス導入管１６の途中に設けたバリアプ
ルリークバルブ１９により布置良く制御できる構造とな
っている。基板結晶７はサセプター１ ６１とサセプタ
ー２６２の間に結晶成長面を下にした状態に設置−ｊ−
る。ｎＩＪ記サセすター１ ６１はタンタル（Ｔａ）＃
！で８シ、サセプタ−２６２はグラファイトでできてお
りその表面を炭化珪素にてコーティングしたものである
。基板結晶７の加熱は前記サセク“ター１ ６１を通じ
直接通電することによって行なった。
超高真空チャンバー１１内での成長が終わった彼、基板
結晶７を設置したままサセプター６１及び６２を上下方
向に１８０度回転した後サセプタ−１６１を取り除く。
結晶７を設置したままサセプター６１及び６２を上下方
向に１８０度回転した後サセプタ−１６１を取り除く。
その後ケートパルプ１０を開放し基板結晶７を搭載した
サセプター２６２を前記水冷丸型反応管ｌ内に導入する
。前記水冷丸型反応管１の内径はｇＱｍｍであシ、高純
度石英展である。冷却水人口３よシ流入し冷却水出口４
より流出させ、反応カスは反応ガス導入管２より導入し
、反応カス出口８よシ排出した。反応管内は真空排気口
９より２ＸＩＬｌ ’Ｔｏｒｒ まセ排気できる構
造となっている。基板加熱は高周波コイル５により高周
波電力を導入して行なった。
サセプター２６２を前記水冷丸型反応管ｌ内に導入する
。前記水冷丸型反応管１の内径はｇＱｍｍであシ、高純
度石英展である。冷却水人口３よシ流入し冷却水出口４
より流出させ、反応カスは反応ガス導入管２より導入し
、反応カス出口８よシ排出した。反応管内は真空排気口
９より２ＸＩＬｌ ’Ｔｏｒｒ まセ排気できる構
造となっている。基板加熱は高周波コイル５により高周
波電力を導入して行なった。
基板結晶７として直径が２インチのｐ型（抵抗率１５Ω
・ｃＩＬ）珪素（Ｓ’ｉ ）単結晶を使用し、基板の面
方位としては１ｏｏ）面を使用した０ Ｓｉ基板はＮ
Ｈｓ Ｈ＊ ０ ＊溶液で表面処理した後、試料専入室
１８に於いてサセプター１ ６１．！−Ｆセプター２６
２の間に結晶成長させる面が下になるように設置した。
・ｃＩＬ）珪素（Ｓ’ｉ ）単結晶を使用し、基板の面
方位としては１ｏｏ）面を使用した０ Ｓｉ基板はＮ
Ｈｓ Ｈ＊ ０ ＊溶液で表面処理した後、試料専入室
１８に於いてサセプター１ ６１．！−Ｆセプター２６
２の間に結晶成長させる面が下になるように設置した。
その後試料導入室１８排気し系内真空度を２ＸＩＯＴｏ
ｒｒとした。 次にあらかじめ３Ｘ１０ Ｔｏｒｒ
［排気しである超高真空チャンバー１１内にゲートパル
プ１０２を開放した後、基板結晶７を設置した状態でサ
セプタ−６１及び６２を導入する。
ｒｒとした。 次にあらかじめ３Ｘ１０ Ｔｏｒｒ
［排気しである超高真空チャンバー１１内にゲートパル
プ１０２を開放した後、基板結晶７を設置した状態でサ
セプタ−６１及び６２を導入する。
導入後、超高真空中で基板結晶７を１１００℃に加熱し
表面のば化膜を除去した。次に基板ＴｉＡ度を１１００
’ＯＫ保った状態でＳｉの分子ｓ！強度を４Ｘｔｏ１４
原子／α２・ｓｅｃとなるように８１の蒸発速度を制御
し１０分間Ｓｉ単結晶を成長させた後、８量の分子線強
度を１分間に２Ｘ１０１３ 原子／ｃＩＩＬ２・ｓｅｃ
の割合で減少させると同時に、炭素系ガス導入管１６
よシＣ２Ｈ，ガスを導入し超高真空チャンバー１１内の
圧力を２Ｘ１０ Ｔｏｒｒから１分間に２Ｘ１０
Ｔｏｒｒの割合で増加させ、１０分間に渡り前記Ｓｉ
単結晶上に薄い中間層を形成した。次に層高Ｘ空チャン
バー１１内を３×１Ｏ−９Ｔｏｒｒまで排気した後、ゲ
ートパルプ１０を開放し基板結晶７を搭載したサセプタ
−２６２をあらかじめ２ＸＩＬ） Ｔｏｒｒに排気し
ておいた前記水冷丸型反応管１内に導入した０ 成長に先立ち水素を導入し前記水冷丸型反応管１内を大
気圧の水素で満たした。反応ガスとして跋１ｉ０．０３
モルー〇モノシラン（ＳｉＨ＜）と０、Ｏ１モル優のグ
ロパン（ＣｓＨｓ）を使用Ｌ、キャリヤーカスとして水
素を使用し、水素、５ｉＨ４Ｃ３Ｈ８全体の流量を６１
／ｍｉｎとして反応カス導入管２よシ導入し、基板温度
を１３５０°Ｃに２時間保ち炭化珪素単結晶膜の成長を
行なった０上記のようにして成長した膜をＸ線回折法に
より調べた結果、基板全体にわたって炭化珪素単結晶膜
がエピタキシャル成長しており、その膜厚は６．２±０
．５μｍであった。次に基板結晶をＨＦ −ル１１ボー
（ｖａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ ）法により電気的特
性を測定した結果、炭化珪素単結晶膜はｎ型の電気電導
性を示し、キャリヤー濃度は６Ｘ１０１６／ｃＷＬ３で
あシ、移動度は４５０ｃｍ／Ｖ ＊ ｓｅｃという優れ
た値を示すものが得られた。
表面のば化膜を除去した。次に基板ＴｉＡ度を１１００
’ＯＫ保った状態でＳｉの分子ｓ！強度を４Ｘｔｏ１４
原子／α２・ｓｅｃとなるように８１の蒸発速度を制御
し１０分間Ｓｉ単結晶を成長させた後、８量の分子線強
度を１分間に２Ｘ１０１３ 原子／ｃＩＩＬ２・ｓｅｃ
の割合で減少させると同時に、炭素系ガス導入管１６
よシＣ２Ｈ，ガスを導入し超高真空チャンバー１１内の
圧力を２Ｘ１０ Ｔｏｒｒから１分間に２Ｘ１０
Ｔｏｒｒの割合で増加させ、１０分間に渡り前記Ｓｉ
単結晶上に薄い中間層を形成した。次に層高Ｘ空チャン
バー１１内を３×１Ｏ−９Ｔｏｒｒまで排気した後、ゲ
ートパルプ１０を開放し基板結晶７を搭載したサセプタ
−２６２をあらかじめ２ＸＩＬ） Ｔｏｒｒに排気し
ておいた前記水冷丸型反応管１内に導入した０ 成長に先立ち水素を導入し前記水冷丸型反応管１内を大
気圧の水素で満たした。反応ガスとして跋１ｉ０．０３
モルー〇モノシラン（ＳｉＨ＜）と０、Ｏ１モル優のグ
ロパン（ＣｓＨｓ）を使用Ｌ、キャリヤーカスとして水
素を使用し、水素、５ｉＨ４Ｃ３Ｈ８全体の流量を６１
／ｍｉｎとして反応カス導入管２よシ導入し、基板温度
を１３５０°Ｃに２時間保ち炭化珪素単結晶膜の成長を
行なった０上記のようにして成長した膜をＸ線回折法に
より調べた結果、基板全体にわたって炭化珪素単結晶膜
がエピタキシャル成長しており、その膜厚は６．２±０
．５μｍであった。次に基板結晶をＨＦ −ル１１ボー
（ｖａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ ）法により電気的特
性を測定した結果、炭化珪素単結晶膜はｎ型の電気電導
性を示し、キャリヤー濃度は６Ｘ１０１６／ｃＷＬ３で
あシ、移動度は４５０ｃｍ／Ｖ ＊ ｓｅｃという優れ
た値を示すものが得られた。
なお、上記実施例では中間Ｊｆｉ上に炭化珪素単結晶膜
を気相成長させるのに、Ｓｉを含む化合物及びＣを含む
化合物を用いたが、これらの代りにＳｉ及びＣを同時に
含む化合物を使っても同様に実施することができる。
を気相成長させるのに、Ｓｉを含む化合物及びＣを含む
化合物を用いたが、これらの代りにＳｉ及びＣを同時に
含む化合物を使っても同様に実施することができる。
以上詳細に述べたように１本発明によれば、基板にＳｉ
単結晶を使用できるため大面積の成長層が得られ、Ｓｉ
分子＠Ｃ（よシＳｉ単結晶を成長させ、その後炭素（Ｃ
）を含む化合物を気体の状態で導入し、前記Ｓｉ分子線
の量を徐々に減少させるとともに前記炭Ｘ（Ｃ）を含゛
む化合物の量を徐々に増加させることにより、分子線を
使用した成長であるため産品成長速度を小さくでき、す
なわち、カス伏のＣを含む化合物はガス量の増減が容易
である特長があり、又、結晶成長速度はＳｉの分子線量
でこまかく制御できる特長があるので成長温度９分子線
や成長ガス量の制御が容易となり。
単結晶を使用できるため大面積の成長層が得られ、Ｓｉ
分子＠Ｃ（よシＳｉ単結晶を成長させ、その後炭素（Ｃ
）を含む化合物を気体の状態で導入し、前記Ｓｉ分子線
の量を徐々に減少させるとともに前記炭Ｘ（Ｃ）を含゛
む化合物の量を徐々に増加させることにより、分子線を
使用した成長であるため産品成長速度を小さくでき、す
なわち、カス伏のＣを含む化合物はガス量の増減が容易
である特長があり、又、結晶成長速度はＳｉの分子線量
でこまかく制御できる特長があるので成長温度９分子線
や成長ガス量の制御が容易となり。
再現性良く前記Ｓｉ単結晶上に薄い中間層を形成するこ
とができるようになる。この中間層は組成が基板と同じ
Ｓｉから上層の炭化珪素の組成（！ｉＣ）に向かって徐
々に変化しているため８ｊ基板と炭化珪素単結晶膜の間
の格子定数差を緩和する作用を持っている。このため前
記中間層上にＳｉを含む化合物及びＣを含む化合物ある
いはＳｉ及びＣを含む化合物を使用し結晶成長速度が大
きい気相成長法罠より炭化珪素単結晶膜を成長させるこ
とによって、Ｓｉ基板上に高品賞な炭化珪素単結晶膜を
再現性良く短時間で成長させることができるようになる
。
とができるようになる。この中間層は組成が基板と同じ
Ｓｉから上層の炭化珪素の組成（！ｉＣ）に向かって徐
々に変化しているため８ｊ基板と炭化珪素単結晶膜の間
の格子定数差を緩和する作用を持っている。このため前
記中間層上にＳｉを含む化合物及びＣを含む化合物ある
いはＳｉ及びＣを含む化合物を使用し結晶成長速度が大
きい気相成長法罠より炭化珪素単結晶膜を成長させるこ
とによって、Ｓｉ基板上に高品賞な炭化珪素単結晶膜を
再現性良く短時間で成長させることができるようになる
。
第１図は本発明に使用した結晶成長装置の概念図である
。 １・・・・・・水冷光型反応管、２・・・・・・反応カ
ス専人管。 ３・・・・・・冷却水入口、４・・・・・冷却水田口、
５・・・・・高周波コイル、６１・・山岬セグタ−１，
６２・・・・・・サセプター２％７・・・・・・基板結
晶、８・・・・・反応ガス出口、９・・・・・・真空排
気口、１０１・・印・ゲートパルプ、１０２・・・・・
ケートパルプ、１１・・団・超高真空チャンバー、１２
・・・・・水晶振動子膜厚計、１３・・・・・液体窒素
シー２クド、１４・・・・・・Ｅ型電子銃、１５・・・
・・多結晶ｓｉ％１６・・団・炭素系ガス４入管、１７
・・・・・・高真空排気口、１８・・・・・・試料導入
室、１９・・・・・・バリアプルリークパルプ。 ＝＼ 第 １ ｒＭ ！ｌ 二二二に＝ 一−４と“ 一一＝；− ｌ二水冷ｌＬ型反に當 ２：反を教導λｔ ５：８肩波プイル ｌ／：ｑ−セブγ−１ ／４ ： 、Ｅ−型で尖鋭 ／ｓ：７フ７アｌト ／ｌ：ｎまｄスー９４」 ／８：試料隼入宣 ′７ −〕−
。 １・・・・・・水冷光型反応管、２・・・・・・反応カ
ス専人管。 ３・・・・・・冷却水入口、４・・・・・冷却水田口、
５・・・・・高周波コイル、６１・・山岬セグタ−１，
６２・・・・・・サセプター２％７・・・・・・基板結
晶、８・・・・・反応ガス出口、９・・・・・・真空排
気口、１０１・・印・ゲートパルプ、１０２・・・・・
ケートパルプ、１１・・団・超高真空チャンバー、１２
・・・・・水晶振動子膜厚計、１３・・・・・液体窒素
シー２クド、１４・・・・・・Ｅ型電子銃、１５・・・
・・多結晶ｓｉ％１６・・団・炭素系ガス４入管、１７
・・・・・・高真空排気口、１８・・・・・・試料導入
室、１９・・・・・・バリアプルリークパルプ。 ＝＼ 第 １ ｒＭ ！ｌ 二二二に＝ 一−４と“ 一一＝；− ｌ二水冷ｌＬ型反に當 ２：反を教導λｔ ５：８肩波プイル ｌ／：ｑ−セブγ−１ ／４ ： 、Ｅ−型で尖鋭 ／ｓ：７フ７アｌト ／ｌ：ｎまｄスー９４」 ／８：試料隼入宣 ′７ −〕−
Claims (1)
- 単結晶基板上に炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶膜を成長させ
る方法において、珪素（Ｓｉ）単結晶基板上にＳｉ分子
線によりＳｉ単結晶を成長させ、その後、炭素（Ｃ）を
含む化合物を気体の状態で導入し、前記Ｓｉ分子線の量
を徐々に減少させるとともに前記炭素（Ｃ）を含む化合
物の量を徐々に増加させることにより前記Ｓｉ単結晶上
に薄い中間層を形成し、その後Ｓｉを含む化合物及びＣ
を含む化合物あるいはＳｉ及びＣを含む化合物を使用し
気相成長法により前記中間層上に炭化珪素単結晶膜を成
長させることを特徴とする炭化珪素単結晶膜の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15041785A JPH0637356B2 (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 炭化珪素単結晶膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15041785A JPH0637356B2 (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 炭化珪素単結晶膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6212698A true JPS6212698A (ja) | 1987-01-21 |
| JPH0637356B2 JPH0637356B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=15496483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15041785A Expired - Lifetime JPH0637356B2 (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 炭化珪素単結晶膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637356B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0439821A (ja) * | 1990-06-05 | 1992-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 結晶性炭素系薄膜の堆積方法 |
| JP2006086501A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-30 | Tohoku Electric Power Co Inc | 炭化珪素薄膜の製造方法 |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP15041785A patent/JPH0637356B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0439821A (ja) * | 1990-06-05 | 1992-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 結晶性炭素系薄膜の堆積方法 |
| JP2006086501A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-30 | Tohoku Electric Power Co Inc | 炭化珪素薄膜の製造方法 |
| JP4732025B2 (ja) * | 2004-08-19 | 2011-07-27 | 東北電力株式会社 | 炭化珪素薄膜の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0637356B2 (ja) | 1994-05-18 |
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