JPS6212699A - 炭化珪素単結晶膜の製造方法 - Google Patents
炭化珪素単結晶膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS6212699A JPS6212699A JP15041885A JP15041885A JPS6212699A JP S6212699 A JPS6212699 A JP S6212699A JP 15041885 A JP15041885 A JP 15041885A JP 15041885 A JP15041885 A JP 15041885A JP S6212699 A JPS6212699 A JP S6212699A
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- Japan
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- single crystal
- substrate
- silicon carbide
- intermediate layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の第１」用分野〕
本発明は炭化珪素単結晶膜の製造方法に関し、特に大面
積で高品質な炭化珪素単結晶膜を再現性良く製造する方
法に関するものである。
積で高品質な炭化珪素単結晶膜を再現性良く製造する方
法に関するものである。
従来、炭化珪素単結晶膜の製造方法としては。
Ｓｉ単結晶基板上に気相成長法のみを用いて炭化珪素単
結晶膜をヘテロエピタキシャル成長させる方法が用いら
れている。Ｓｉと炭化珪素の格子定数は２０％も異なる
ため、Ｓｉ基板上に直接炭化珪素を成長させると、多結
畠になったり、ある仏は薄い単結晶膜が成長してもひび
割れを起こしたり、また厚くしていくと結晶性が悪くな
り多結晶化してしまう問題があった。この問題を解決す
るために須原らは気相成長法に於いて炭化珪素単結晶膜
をエピタキシャル成長させる前にプロパン（ＣｓＨｓ）
中でＳｉ基板の表面を炭化させ、炭化珪素単結晶膜をエ
ピタキシャル成長させるためのバ、７７層とする方法を
用いている（電子通信学会技術研究報告５ＳＤ−８２°
−ｔ６７）、Ｌかしながら、この方法ではＳｉ基板の表
面を炭化させる際には１〜２分間の非常に短時間で基板
温度を室温から１３６０℃まで昇温しなければならず温
度制御が困難であるため再現性良く高品質な炭化珪素単
結晶膜をエピタキシャル成長させることは出来なかった
。
結晶膜をヘテロエピタキシャル成長させる方法が用いら
れている。Ｓｉと炭化珪素の格子定数は２０％も異なる
ため、Ｓｉ基板上に直接炭化珪素を成長させると、多結
畠になったり、ある仏は薄い単結晶膜が成長してもひび
割れを起こしたり、また厚くしていくと結晶性が悪くな
り多結晶化してしまう問題があった。この問題を解決す
るために須原らは気相成長法に於いて炭化珪素単結晶膜
をエピタキシャル成長させる前にプロパン（ＣｓＨｓ）
中でＳｉ基板の表面を炭化させ、炭化珪素単結晶膜をエ
ピタキシャル成長させるためのバ、７７層とする方法を
用いている（電子通信学会技術研究報告５ＳＤ−８２°
−ｔ６７）、Ｌかしながら、この方法ではＳｉ基板の表
面を炭化させる際には１〜２分間の非常に短時間で基板
温度を室温から１３６０℃まで昇温しなければならず温
度制御が困難であるため再現性良く高品質な炭化珪素単
結晶膜をエピタキシャル成長させることは出来なかった
。
本発明は、このような従来の欠点を除去し、大面積で高
品質な炭化珪素単結晶膜を再現性良く製造する方法を提
供することを目的とする。
品質な炭化珪素単結晶膜を再現性良く製造する方法を提
供することを目的とする。
本発明は、単結晶基板上に炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶膜
を成長させる方法において、珪素（Ｓｉ）単結晶基板上
にＳｉを含む化合物を使用し気相成長法によりＳｉ単結
晶を成長させ、その債、炭素（Ｃ）の分子線を導入し、
前記Ｓｉを含む化合物の導入量を徐々に減少させるとと
もに前記炭素（Ｃ）の分子ａｍを徐々に増加させること
により前記Ｓｉ単結晶上に薄い中間層を形成し、その後
Ｓｉを含む化合物及びＣを含む化合物あるいは８１及び
Ｃを含む化合物を使用し気相成長法によシ前記中間層上
に炭化珪素単結晶膜を成長させることによシ構成される
炭化珪素単結晶膜の製造方法である。
を成長させる方法において、珪素（Ｓｉ）単結晶基板上
にＳｉを含む化合物を使用し気相成長法によりＳｉ単結
晶を成長させ、その債、炭素（Ｃ）の分子線を導入し、
前記Ｓｉを含む化合物の導入量を徐々に減少させるとと
もに前記炭素（Ｃ）の分子ａｍを徐々に増加させること
により前記Ｓｉ単結晶上に薄い中間層を形成し、その後
Ｓｉを含む化合物及びＣを含む化合物あるいは８１及び
Ｃを含む化合物を使用し気相成長法によシ前記中間層上
に炭化珪素単結晶膜を成長させることによシ構成される
炭化珪素単結晶膜の製造方法である。
珪素（Ｓｉ）単結晶基板上に、Ｓｉを含む化合物を使用
し気相成長法によシＳｉ単結晶を成長させ、その後、炭
素（Ｃ）の分子線を導入し、前記Ｓｉを含む化合物の導
入量を嫁々に減少させるとともに前記炭素（Ｃ）の分子
線量を徐々に増加させることにより、分子線を使用した
成長であるため結晶成長速度を小さくでき、すなわち、
カス伏のＳｉを含む化合物はカス量の刀ｎ減が容易であ
る特長があり、結晶成長速度はＣの分子線量で加減でき
るので成長温度０分子線や成長カス量の制御が容易とな
り、再現性良く前記Ｓｉ単結晶上に薄い中間層を形成す
ることができるようになる。この中間層は組成が基板と
同じＳｉから上層の炭化珪素の組成（Ｓ ｉｃ）に向っ
て徐々に変化しているためＳｉ基板と炭化珪素単結晶膜
の間の格子定数差を緩和する作用を持っている。このた
め前記中間層上にＳｉを含む化合物及びＣを含む化合物
あるいはＳｉ及びＣを含む化合物を使用し結晶成長速度
が大きい気相成長法により炭化珪素単結晶膜を成長させ
ることによって％ｄｉ基板上に高品質な炭化珪素単結晶
膜を再現性良く短時間で成長させることができるようＫ
なる。
し気相成長法によシＳｉ単結晶を成長させ、その後、炭
素（Ｃ）の分子線を導入し、前記Ｓｉを含む化合物の導
入量を嫁々に減少させるとともに前記炭素（Ｃ）の分子
線量を徐々に増加させることにより、分子線を使用した
成長であるため結晶成長速度を小さくでき、すなわち、
カス伏のＳｉを含む化合物はカス量の刀ｎ減が容易であ
る特長があり、結晶成長速度はＣの分子線量で加減でき
るので成長温度０分子線や成長カス量の制御が容易とな
り、再現性良く前記Ｓｉ単結晶上に薄い中間層を形成す
ることができるようになる。この中間層は組成が基板と
同じＳｉから上層の炭化珪素の組成（Ｓ ｉｃ）に向っ
て徐々に変化しているためＳｉ基板と炭化珪素単結晶膜
の間の格子定数差を緩和する作用を持っている。このた
め前記中間層上にＳｉを含む化合物及びＣを含む化合物
あるいはＳｉ及びＣを含む化合物を使用し結晶成長速度
が大きい気相成長法により炭化珪素単結晶膜を成長させ
ることによって％ｄｉ基板上に高品質な炭化珪素単結晶
膜を再現性良く短時間で成長させることができるようＫ
なる。
以下に本発明の爽施例罠ついて図面を参照して拝細に説
明する。
明する。
第１図は本発明に使用した結晶成長装置の概念図である
。水冷丸型反応管ｌと超高真空チャンバー１１を備えそ
の間にはゲートパルプ１０１を設けである。前記超高真
空チャンバー１１は超高真空排気系を備え高真空排気口
１７よりチャンバー内をｌＸ１０ Ｔｏｒｒまで排
気できる構造となっている。また前記超高真空チャンバ
ー１１には試料導入室１８を備えてあシその間にはゲー
トパルプ１０２を設けてあ夛、試料導入の際に於いても
前記超高真空チャンバー１１内を超高真空に保つ構造と
なっている。試料導入は試料導入室１８内に於いて基板
結晶７をサセプタ−１６１と丈セプター２６２の間に設
置した後ゲートパルプ１０２を開放し、基板結晶７を設
置した状態でサセプタ−６１及び６２を超高真空チャン
バー１１内に尋人する。前記超高真空チャンバー１１内
には水晶伽動子膜厚計１２が基板結晶近傍に設置してあ
り膜厚の測定ができるようになっている。Ｃンースの加
熱のためＥ型電子銃１４を設けてあシ、その外側は液体
窒素シュラウド１３で覆われている。Ｃの蒸発速度は前
記水晶奈動子膜厚計１２により測定し、成長に先だって
基板面へのＣの分子線強度とＥ型電子ｖｃ１４の制御゛
栄件の関係を測定した。Ｃンースには高純度（５Ｎ）の
グラファイトを使用した。さら罠前記超高真空チャンバ
ー１１には珪素系カス導入管１６を設けてあシＳ１を含
む化合物を前記超高真空チャンバーｌｌ内に導入できる
ようになってお）、導入量は前記珪素系カス導入管１６
の途中に設けたバリアプルリークパルプ１９により精度
良く制御できる構造となっている。基板結晶７はサセプ
ター１ ６１とサセプター２６２の間に結晶成長面を下
にした状態に設置する。前記サセプタ−１６１はタンタ
ル（Ｔａ）製であり、サセプタ−２６２はグラファイト
でできておりその表面を炭化珪ふにてコーティングした
ものである。基板結晶７の加熱は前記サセプタ−１６１
を通じ直接通電することによって行なった。
。水冷丸型反応管ｌと超高真空チャンバー１１を備えそ
の間にはゲートパルプ１０１を設けである。前記超高真
空チャンバー１１は超高真空排気系を備え高真空排気口
１７よりチャンバー内をｌＸ１０ Ｔｏｒｒまで排
気できる構造となっている。また前記超高真空チャンバ
ー１１には試料導入室１８を備えてあシその間にはゲー
トパルプ１０２を設けてあ夛、試料導入の際に於いても
前記超高真空チャンバー１１内を超高真空に保つ構造と
なっている。試料導入は試料導入室１８内に於いて基板
結晶７をサセプタ−１６１と丈セプター２６２の間に設
置した後ゲートパルプ１０２を開放し、基板結晶７を設
置した状態でサセプタ−６１及び６２を超高真空チャン
バー１１内に尋人する。前記超高真空チャンバー１１内
には水晶伽動子膜厚計１２が基板結晶近傍に設置してあ
り膜厚の測定ができるようになっている。Ｃンースの加
熱のためＥ型電子銃１４を設けてあシ、その外側は液体
窒素シュラウド１３で覆われている。Ｃの蒸発速度は前
記水晶奈動子膜厚計１２により測定し、成長に先だって
基板面へのＣの分子線強度とＥ型電子ｖｃ１４の制御゛
栄件の関係を測定した。Ｃンースには高純度（５Ｎ）の
グラファイトを使用した。さら罠前記超高真空チャンバ
ー１１には珪素系カス導入管１６を設けてあシＳ１を含
む化合物を前記超高真空チャンバーｌｌ内に導入できる
ようになってお）、導入量は前記珪素系カス導入管１６
の途中に設けたバリアプルリークパルプ１９により精度
良く制御できる構造となっている。基板結晶７はサセプ
ター１ ６１とサセプター２６２の間に結晶成長面を下
にした状態に設置する。前記サセプタ−１６１はタンタ
ル（Ｔａ）製であり、サセプタ−２６２はグラファイト
でできておりその表面を炭化珪ふにてコーティングした
ものである。基板結晶７の加熱は前記サセプタ−１６１
を通じ直接通電することによって行なった。
超高真空チャンバー１１内での成長が終わった後、基板
結晶７を設置したままサセプタ−６１及び６２を上下方
向に１８０度回転した後サセプター１６１を取り除く。
結晶７を設置したままサセプタ−６１及び６２を上下方
向に１８０度回転した後サセプター１６１を取り除く。
その後ゲートパルプｌＯを開放し基板結晶７を搭載した
サセプタ−２６２を前記水冷元型反応管ｌ内に導入する
。前記水冷元型反応管ｌの内径は８０ ｍｍであり、高
純度石英製である。冷却水は冷却水人口３よシ流し冷却
水出口４よシ流出させ、反応カスは反応ガス導入管２よ
シ導入し、反応カス出口８より排出した。
サセプタ−２６２を前記水冷元型反応管ｌ内に導入する
。前記水冷元型反応管ｌの内径は８０ ｍｍであり、高
純度石英製である。冷却水は冷却水人口３よシ流し冷却
水出口４よシ流出させ、反応カスは反応ガス導入管２よ
シ導入し、反応カス出口８より排出した。
反応管内は真空排気口９より２Ｘ１０ Ｔｏｒｒま
で排気できる構造となっている。基板加熱は高周波コイ
ル５により高部ｒＩＩｉ、′ｒＩＬ力を導入して行なっ
た。
で排気できる構造となっている。基板加熱は高周波コイ
ル５により高部ｒＩＩｉ、′ｒＩＬ力を導入して行なっ
た。
基板結晶７として直径が２インチのｐ型（抵抗率１５Ω
・ｃＩＩＬ）珪素（Ｓｌ）単結晶を使用し、基板の面方
位としては（１００）面を使用した。Ｓｉ基板はＮＨｓ
Ｈｚ Ｏｘ ｍ液で表面処理した佼、試料導入室１８
に於いてサセプタ−１６１とサセ系内Ｘ窒度を２Ｘ１０
−９Ｔｏｒｒとした。次にあらかじめ３ＸＩ ０−１０
ＴｏｒｒＫ排気しである超高真空チャンバー１１内にケ
ートパルプ１０２を開放した後、基板結晶７を設置した
状態でサセプタ−６１及び６２を導入する。
・ｃＩＩＬ）珪素（Ｓｌ）単結晶を使用し、基板の面方
位としては（１００）面を使用した。Ｓｉ基板はＮＨｓ
Ｈｚ Ｏｘ ｍ液で表面処理した佼、試料導入室１８
に於いてサセプタ−１６１とサセ系内Ｘ窒度を２Ｘ１０
−９Ｔｏｒｒとした。次にあらかじめ３ＸＩ ０−１０
ＴｏｒｒＫ排気しである超高真空チャンバー１１内にケ
ートパルプ１０２を開放した後、基板結晶７を設置した
状態でサセプタ−６１及び６２を導入する。
４人後、超高真空中で基板結晶７を１１００”Ｏに加熱
し表面の酸化膜を除去した。次に基板温度を１１００’
Ｏに保った状態で珪素系カス導入管１６よ、９ＳｉＨ４
カスを導入し超高真空チャンバー１１内の圧力を２Ｘ１
０ ’ＴｏｒｒＫ１０分間保ちＳｉ単結晶を成長させ
た後、超高真空チャンバー１１内の圧力を２Ｘ１０ ’
Ｔｏｒｒから１分間に２Ｘ１０−５Ｔｏｒｒの割合で
減少させると同時に、Ｃの分子線強度を１分間に２Ｘ１
０１３原子／ｃｔｎ２．ｓｅｃ から１分間に２×１０
原子／ｃｘ 、ｓｅｃ の割合で増加させ１０分間
に渡シ前記Ｓｉ単結晶上に薄い中間層を形成した０次に
超高真空チャンバー１１内を３Ｘ１０ Ｔｏｒｒま
で排気した後、ゲートパルプ１０を開放し基板結晶７を
搭載したサセプタ−２６２をあらかじめ２Ｘ１０ Ｔ
ｏｒｒ に排気しておいた前記水冷元型反応管１内に導
入した。
し表面の酸化膜を除去した。次に基板温度を１１００’
Ｏに保った状態で珪素系カス導入管１６よ、９ＳｉＨ４
カスを導入し超高真空チャンバー１１内の圧力を２Ｘ１
０ ’ＴｏｒｒＫ１０分間保ちＳｉ単結晶を成長させ
た後、超高真空チャンバー１１内の圧力を２Ｘ１０ ’
Ｔｏｒｒから１分間に２Ｘ１０−５Ｔｏｒｒの割合で
減少させると同時に、Ｃの分子線強度を１分間に２Ｘ１
０１３原子／ｃｔｎ２．ｓｅｃ から１分間に２×１０
原子／ｃｘ 、ｓｅｃ の割合で増加させ１０分間
に渡シ前記Ｓｉ単結晶上に薄い中間層を形成した０次に
超高真空チャンバー１１内を３Ｘ１０ Ｔｏｒｒま
で排気した後、ゲートパルプ１０を開放し基板結晶７を
搭載したサセプタ−２６２をあらかじめ２Ｘ１０ Ｔ
ｏｒｒ に排気しておいた前記水冷元型反応管１内に導
入した。
成長に先立ち水素を導入し前記水冷元型反応管１内を大
気圧の水素で満たした。反応カスとして濃度０．０３モ
ルチのモノシラン（ＳｉＨ４）と０．０１モル多のグロ
バン（ＣｓＨａ）を使用し。
気圧の水素で満たした。反応カスとして濃度０．０３モ
ルチのモノシラン（ＳｉＨ４）と０．０１モル多のグロ
バン（ＣｓＨａ）を使用し。
キャリヤーカスとして水素を使用し、水素、５ｉＨ４゜
Ｃ３Ｈ，全体の流量を６４！／ｍｉｎとして反応カス導
入管２より導入し、基板温度を１３５０°ＯＫ２時間保
ち炭化珪素単結晶膜の成長を行なった。
Ｃ３Ｈ，全体の流量を６４！／ｍｉｎとして反応カス導
入管２より導入し、基板温度を１３５０°ＯＫ２時間保
ち炭化珪素単結晶膜の成長を行なった。
上記のようにして成長した膜をＸ線回折法により調べた
結果、基板全体にわたって炭化珪素単結晶膜がエビタキ
７ヤル成長しており、七〇膜厚は６．５±０．５μｍで
あった。矢に基板結晶をＨＦ−ルφボー（ｖａｎ ｄ
ｅｒ Ｐａｕｗ）法により電気的特性を測定した結果、
炭化珪素単結晶膜はｎ型の′に気電導性を示し、ギヤリ
ヤー濃度は６ ×Ｉ Ｌ） １鵜３であり、移動度は４
ｔｌＯα／■・ＳｅＣという優れた値を示すものが得ら
れた。
結果、基板全体にわたって炭化珪素単結晶膜がエビタキ
７ヤル成長しており、七〇膜厚は６．５±０．５μｍで
あった。矢に基板結晶をＨＦ−ルφボー（ｖａｎ ｄ
ｅｒ Ｐａｕｗ）法により電気的特性を測定した結果、
炭化珪素単結晶膜はｎ型の′に気電導性を示し、ギヤリ
ヤー濃度は６ ×Ｉ Ｌ） １鵜３であり、移動度は４
ｔｌＯα／■・ＳｅＣという優れた値を示すものが得ら
れた。
なお、上記実施例では中間層上に炭化珪素単結晶膜を気
相成長させるのに、Ｓｉを含む化合物及びＣを含む「ヒ
合物を用いたが、これらの代シにＳｉ及びＣを同時に含
む化合物を使っても同様に実施することができる。
相成長させるのに、Ｓｉを含む化合物及びＣを含む「ヒ
合物を用いたが、これらの代シにＳｉ及びＣを同時に含
む化合物を使っても同様に実施することができる。
以上詳細に述べたように、本発明によれば、基板にＳｉ
単結晶を使用できるため大面積の成長層が得られ、Ｓｉ
を含む化合物を使用し気相成長法によりＳｉ単結晶を成
長させ、その後、炭素（Ｃ）の分子線を導入し、前記Ｓ
ｉを含む化合物の樽入鉦を徐々に減少させるとともに前
記炭！（Ｃ）の分子線量を徐々に増加させることにより
、分子線を使用した成長であるため結晶成長速度を小さ
くでき、すなわち、カス伏の８４を含む化合物はカス量
の増減が容易である特長があり、又結晶成長装置はＣの
分子線量でこまかく制御できる特長があるので成長温度
１分子線や成長カス量の劃−が容易となり、再現性良く
前記Ｓｉ単結晶上に薄い中間層を形成することができる
ようになる。この中間層は組成が基板と同じＳｉから上
層の炭化珪素の組成（Ｓｉｃ）Ｋ向って徐々に変化して
いるためＳｉ基板と炭化珪素単結晶膜の間の格子定数差
を緩和する作用を持っている。このため前記中間層上に
Ｓｉを含む化付物及びＣを含む化合物あるいはＳｉ及び
Ｃを含む化合物を使用し結晶成長速度か大きい気相成長
法により炭化珪素単結晶膜を成長させることによりて、
８１基板上に高品質な炭化珪素単結晶膜を再現性良く短
時間で成長させることができるようになる。
単結晶を使用できるため大面積の成長層が得られ、Ｓｉ
を含む化合物を使用し気相成長法によりＳｉ単結晶を成
長させ、その後、炭素（Ｃ）の分子線を導入し、前記Ｓ
ｉを含む化合物の樽入鉦を徐々に減少させるとともに前
記炭！（Ｃ）の分子線量を徐々に増加させることにより
、分子線を使用した成長であるため結晶成長速度を小さ
くでき、すなわち、カス伏の８４を含む化合物はカス量
の増減が容易である特長があり、又結晶成長装置はＣの
分子線量でこまかく制御できる特長があるので成長温度
１分子線や成長カス量の劃−が容易となり、再現性良く
前記Ｓｉ単結晶上に薄い中間層を形成することができる
ようになる。この中間層は組成が基板と同じＳｉから上
層の炭化珪素の組成（Ｓｉｃ）Ｋ向って徐々に変化して
いるためＳｉ基板と炭化珪素単結晶膜の間の格子定数差
を緩和する作用を持っている。このため前記中間層上に
Ｓｉを含む化付物及びＣを含む化合物あるいはＳｉ及び
Ｃを含む化合物を使用し結晶成長速度か大きい気相成長
法により炭化珪素単結晶膜を成長させることによりて、
８１基板上に高品質な炭化珪素単結晶膜を再現性良く短
時間で成長させることができるようになる。
第１図は本発明に使用した結晶成長装置の概念図である
。 ｌ・・・・・水冷元型反応管、２川・・反応カス尋入管
、３・・・・・冷却水入口、４・・・・・・冷却水出口
、５川・・高周波コイル、６１・・・・・・サセプタ−
１１６２・・川・サセプタ−２，７・・・・・・基板結
晶、８・・・・・反応ガス出口、９・・・・・・真空排
気口、１０１・・・・・・ゲートパルプ。 １０２・・・・・・ゲートパルプ、１１・・・・・・超
高Ａ’２チャンバー、１２・・・・・・水晶振動子膜厚
計、１３・・・・・・液体窒素ンエラクド、１４・・・
・・・Ｅ型電子銃、１５・・・・・・グラファイト、１
６・・・・・・珪素系カス尋人９＃、１７・・・・・・
高真空排気口、１８・・・・・・試料導入室、１９・・
・・・バリアプルリークパルプ。 第１図 ア □−」５ １；７し９π１ツ：シ′シンこ事ξ ＝ ／Ｊ’：八制４へ堅 イア −〉
。 ｌ・・・・・水冷元型反応管、２川・・反応カス尋入管
、３・・・・・冷却水入口、４・・・・・・冷却水出口
、５川・・高周波コイル、６１・・・・・・サセプタ−
１１６２・・川・サセプタ−２，７・・・・・・基板結
晶、８・・・・・反応ガス出口、９・・・・・・真空排
気口、１０１・・・・・・ゲートパルプ。 １０２・・・・・・ゲートパルプ、１１・・・・・・超
高Ａ’２チャンバー、１２・・・・・・水晶振動子膜厚
計、１３・・・・・・液体窒素ンエラクド、１４・・・
・・・Ｅ型電子銃、１５・・・・・・グラファイト、１
６・・・・・・珪素系カス尋人９＃、１７・・・・・・
高真空排気口、１８・・・・・・試料導入室、１９・・
・・・バリアプルリークパルプ。 第１図 ア □−」５ １；７し９π１ツ：シ′シンこ事ξ ＝ ／Ｊ’：八制４へ堅 イア −〉
Claims (1)
- 単結晶基板上に炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶膜を成長させ
る方法において、珪素（Ｓｉ）単結晶基板上にＳｉを含
む化合物を使用し気相成長法によりＳｉ単結晶を成長さ
せ、その後、炭素（Ｃ）の分子線を導入し、前記Ｓｉを
含む化合物の導入量を徐々に減少させるとともに前記炭
素（Ｃ）の分子線量を徐々に増加させることにより前記
Ｓｉ単結晶上に薄い中間層を形成し、その後Ｓｉを含む
化合物及びＣを含む化合物あるいはＳｉ及びＣを含む化
合物を使用し気相成長法により前記中間層上に炭化珪素
単結晶膜を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶
膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15041885A JPH0637357B2 (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 炭化珪素単結晶膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15041885A JPH0637357B2 (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 炭化珪素単結晶膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6212699A true JPS6212699A (ja) | 1987-01-21 |
| JPH0637357B2 JPH0637357B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=15496505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15041885A Expired - Lifetime JPH0637357B2 (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 炭化珪素単結晶膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637357B2 (ja) |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP15041885A patent/JPH0637357B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0637357B2 (ja) | 1994-05-18 |
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