JPS6040507B2 - 誘電性の被加工材料上に金属層或いは合金層を積層させる方法およびこの方法を実施するための装置 - Google Patents

誘電性の被加工材料上に金属層或いは合金層を積層させる方法およびこの方法を実施するための装置

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JPS6040507B2
JPS6040507B2 JP54086817A JP8681779A JPS6040507B2 JP S6040507 B2 JPS6040507 B2 JP S6040507B2 JP 54086817 A JP54086817 A JP 54086817A JP 8681779 A JP8681779 A JP 8681779A JP S6040507 B2 JPS6040507 B2 JP S6040507B2
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electrode
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • C23C14/325—Electric arc evaporation

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、キャリャーガスと成層すべき物質とを予めイ
オン化しかっこのイオン化された状態で真空室の蚤場内
に移行させ、被加工材料を雷場の電極の一つとしてキャ
リャーガスが装填された真空室内で通電しグロー放電に
より導電性の被加工材料上に金属層或いは合金層を積層
させる方法およびこの方法を実施するための装置に関す
る。
従来の技術今迄はこの目的のために被積層加工材料を〆
ッキ浴に入れて酸或いはアルカリ液でそれぞれの処理時
間に処理した。
このメッキ方法には、環境保全が問題になっていること
から必要とする酸或いはアルカリ液による汚染が問題に
なるという欠点がある。
その場合に生じる排水を中和するためには、各地の当該
官庁がそのような設備の装置の設置を求めているので非
常に高額の投資が必要である。中和された排水の塩分が
多いために排水処理には高い費用がある。グロー放電に
よって導電性被加工材料に金属層を積層させる方法が既
に知られている。この方法を実施するには被加工材料を
霞場の一方の電極としてキャリャーガスを充填してある
真空室中に接続し、一方他の電極を積層金属で形成する
。この方法は必ずしも適当ではないことが判っている。
何となればこれらの方法は金属を放出する電極の急速な
消耗のためにワイヤ一或いは小さな被加工材料の積層し
か可能にせず、且つ衝突する金属イオンのエネルギーが
小さいために極度に薄い層でしかも余り良くは附着しな
い層しかできないからである。完全を期すために、所謂
ガスメッキについても述べると、対応する金属化合物を
含むか或いはそのような金属から成るガスから沈着され
るべき金属が被加工材料に積層される。前記被加工材料
はそのために高温に熱しなければならない。１２０００
０以上という高温は被加工材料の物理的特性を損うので
、ガスメッキ法の利用も極度に制限される。
本発明が解決しようとする問題点この発明の課題は、こ
の種の公知の方法の前記の欠点のない装置と方法を造る
ことである。
即ち環境を破かいせず、より大きい被加工材料に密な層
を作るためにも適していて、被加工材料がそのために不
利な高温になるのを防止することにある。解決手段 この課題の解決は、成層すべき材料を爆発様に分裂させ
るためアーク放電を乱流下におかれたキャリャーガスを
使用して行い、このアーク放電に続けてグロー放電を行
い、カソード降下を利用して一方の電極として通電され
ている成層すべき材料の予めイオン化した金属イオンに
附加的なエネルギーを供給し、この金属イオンを高い速
度で他方の電極として接続された被加工材料内に或いは
その上に積層することによって行なわれる。
更に本発明による上記方法を実施するための装置の特徴
とするところは、真空室が少くとも一つの側で開□を備
えており、この関口上に乱流室のこの真空室の方向に開
いているハウジングが設けられており、このハウジング
の蓋内にイオン発生器が挿入されており、キャリャガス
を乱流室のハウジング内に供給するためのはめ管がハウ
ジング内のイオン発生器の下方で開口しており、有孔板
が乱流室との間でこの乱流室と真空室間の関口の領域内
に設けられており、この場合点火プラグの中間電極が導
線を介して電源のマイナス極と、点火プラグの対抗電極
が蓋、ハウジング、真空室のフードおよび導線とを介し
て電源のプラス極と結合されており、一方加工物教直台
が導線を介して電源のマイナス極と結合されていること
である。作用その場合電場の他の電極は、絶縁に対して
高い抵抗を示す合金の面形成体、即ち特に真空室の内壁
面を用いることができる。
しかしまた一方第２或いは附加的電極としても積層金属
自体の面形成体を使用することができる。この方法を実
施するには次のようにするのが有利である。即ち、先ず
キャリヤーガスを乱流下におき、真空室へのキャリャー
ガスの移行途上で成層すべき材料の表面上を流動させ、
そこで電子を放出させかつイオン化する。合金層の沈着
には、それぞれキヤ１′ヤーガスと合金成分を合金成分
に個々に属するイオン発生器によって予めイオン化する
ことが好都合であることが立証された。合金層の沈着の
もう一つの好都合な方法の本質は、異なる積層合属から
成る附加電極を使用することにある。一実施例では、成
層すべき材料の予めイオン化された金属粒子を基層を積
層するのに利用し、その後この基層上にキャリヤガスの
イオンと蒸気相内で中性金属粒子と反応させて少くとも
１つの層を積層させる。
この方法を実施するために用いる装置には一つのイオン
発生器がある。
このイオン発生器は、キヤリヤーガスが充填された乱流
室と、乱流室中にアークを発生させるための装置と、キ
ヤリヤーガスと積層金属との接触のための手段とから構
成される。特に噂場の他の電極はイオン化に対して強い
抵抗を示す合金の面形成体、特に負圧室の内壁面である
。
一実施例では、第２或いは附加電極として真空室に成層
すべき材料から成る両形成体を設けて、合金沈着のため
に各合金成分に個々にイオン発生器を附属させてあり、
合金層の沈着のために異なる成層すべき材料の附加電極
を設ける。
真空室に予め貯えられたイオン発生器はキャリャガスが
充填された、乱流室中のアーク形成用点火プラグの乱流
室と、キャリャーガスと積層金属の接触のための手段と
から構成される。
乱流室から真空室に到る流通開□に被層すべき材料から
成る有孔板が挿入されているか、或いは乱流室の壁部が
成層すべき材料から成るライナーを備えており、前記乱
流室から真空室に至る流通閉口内に、顎粒状の成層すべ
き材料が入った筋状のっぽが形成されている。
実施例 以下に添付図面に図示した実施例につき本発明を詳しく
説明する。
図面は図式図で描かれている。
第１図によれば導軍性であるが、絶縁をされたプ．レー
ト１上に真空室３の形成のためのフード２がガス密に載
せられている。
絶縁を施されてプレート１上に案内されている導管４は
この真空室３に接続されており公知の方法で真空化に役
立つ。プレート１上に支持絶縁体５及び６によって加工
物載層台７が恒特される。その菱にフード２が関口を有
し、関口中にイオン発生器８が装着されている。プレー
トー及びこれと共にフード２並びにイオン発生器のハウ
ジング９及びその蓋１川ま導体１１によって図示しない
電源のプラス極に接続可能である。加工物載道台７は支
持絶縁体６によって案内されている導線１２によって電
源のマイナス極に接続されている。プレート１とフード
２、同様に加工物教暦台７はイオン化に対して高い抵抗
を有する合金からつくられている。第２図に示されたイ
オン発生器８の実施例ではハウジング９中に真空室３に
向いた貫通孔１３が設けられており、開口１３中には例
えば成層すべき材料から成る有孔板１４が装着されてい
る。
蓋１０‘こは例えば点火プラグ１５がねじ込まれており
、その中間電極１６は導線１７を介して前記電源のマイ
ナス極に接続されている。対抗電極１８は蓋１０、ハウ
ジング９、フード２及びプレート１を介して電源のプラ
ス極に接続可能である。
ハウジング９と蓋１川こよって園緩された乱流室１９中
に担体ガスの供給のためのハウジングに対して絶縁され
たため管２０が運通している。より多くのはめ管が設け
られることができかつその蓮通□は半径方向又は接線方
向にも指向することができる。好適な作業条件に従って
真空室中の圧力の調整及び一定保持並びに電圧の調整の
ための公知の方法による装置が設けられることができる
。
成層すべき材料を積層されるべき加工物２１（第１図）
は加工物教層台７上に載せられ、フ−ド２はプレート１
上に載せられ、こうして閉鎖された真空室３は導管４に
よって真空にされる。
その後はめ管２０を通してキャリャーガス（例えばアル
ゴン）が吹込まれ、そしてプレート１、フード２等は例
えばプラス電圧を負荷される。一方ではプレート１とア
ノードとしてのフードの間に、そして他方ではカソード
としての加工物との間に亀場が形成される。更に対抗電
極１８と点火プラグ１５の中間電極１６との間にアーク
が発生する。このアークによって乱流室１９中に袋入さ
れたキヤリャーガスがイオン化され、かつ乱流に変えら
れる。
ガスィオンは成層すべき材料から成る有孔板１４を貫通
し、金属イオンを生じさせ、金属イオンは一種の「イオ
ンシャワー」として真空室３中の蝿場に達する。この露
場で金属イオンは加工物２１の方向に転向し、そこで非
常な高速度をもってアノード１，２とカソード２１の間
のグ。‐放電の列中にあらわれ、その際金属イオンは一
部分加工物２１の表面に侵入し、続いて極端に強固に附
着した金属層が加工物２１上に形成されるようになる。
層の厚さは積層工程の接続時間によって定まる。電気的
接続に関して電源のプラス極とプレ−ト１に接続された
導線１１とをアースすることが考えられる。
そのために積層工程のために加工物載層台７と、電源の
マイナス極を接続した点火プラグ１５の中間電極１６と
接続させる。それによってプレート１とフード２は電流
を流さず、導管４とはめ管２０の貫通部の絶縁が不要と
なる。第３図によるイオン発生器の実施形は、第２図に
よるものとはリングライニング２２としてハウジング９
中に装着されている成層すべき物質の配置及び真空室３
に通じる流通関口２３の形状上の別の形成によってのみ
相違する。即ち、この場合この流通開口は円形に形成さ
れている。第４図による実施形では真空室３の関口１３
において節状に孔のあげられたつば２４が装入されてお
り、つばは頚粒２５の形の成層すべき材料を収容してい
る。第５図によって示された本発明による装置の変形は
イオン発生器８に加えて、例えば中空シリンダ２６とし
てフード２の内方でプレート１上に載せられかつ加工物
２１を取囲む成層すべき材料から成るアノードが使用さ
れる。第６図による他の変形では成層すべき材料から成
り、加工物２１を取囲んでいるリング２７の様式の追加
のカソードが加工物載層台７上に載せられている。上記
の実施形にあって追加の電極２６，２７の使用により、
特に大きい層厚さを得る場合に積層効果が強化される。
この場合イオン発生器８が固着した第一の基礎層の発生
のために最初にだけ便用され、その後より以上の積層が
従来の方法で上記の追加の電極２６又は２７を使用して
行われる。加工物２１の合金状の積層を行うために相異
なる成層すべき材料を備えた多数のイオン発生器８を設
けることもできる。
前記の追加の亀極２６又は２７が相異なる成層すべき材
料から成る場合に同様なことが達成される。乱流は本発
明の目的物では乱流室１９中にカソードの充分の利用の
ために直接イオン発生器８の下方に発生され、この間に
はめ管２０を通って乱流室１９中に吹込まれるキヤリヤ
ーガスはイオン発生器８等の近くに電極１５と１８との
間に生じたアークによって乱流にされる。
例 銅による後層： 基礎材料（被加工材料）：鋼 ＳＴ３７ 工程の特徴： 積層すべき部分は収容部（真空室）内に配設され、そし
てカソードとして電気的に接続される。
収容部を０．３〜０．１ｍｂに減圧した後電流を導通さ
せる。装置内の収容部のフードの頂部に配設されたドナ
ー（銅）を通してキャリャーガス（本例ではＮ２，日２
）を流通させる。
このような必要とする搬送手段は、被層すべき被加工材
料の表面上にそれぞれの金属のスパッタ金属粒子の積層
を可能にする。スパッタリング材料と被層すべき被加工
材料の間を一定速度で回転する方法および新たに到達す
るイオンの沈着によって、イオンの相互変化が生じそし
て所望の積層が行なわれる。技術データ： 成層すべき材料：鋼 基礎材料（被加工材料）：鋼 キャリャー媒体：Ｎ２，日２ 真空：０．１なし、し０．２ｈｂ 温度：１５００（カソード側で測定） 処理時間：２時間 結果：与えられた条件で２時間後に厚さ３冊の銅層が被
加工材料上に積層された。
効果 本発明の利点は、カソード（陰極）降下のために、鰭場
がカソードまたはアノードとして接続これる被加工材料
の表面に対して常に垂直となることである。
これによって、従来周知の積層技術とは異って、三次元
積層が可層となる。ビームがカソードの方向に指向し、
この点のカソード降下のために付加的ェネルギが電離し
た金属イオンに供孫舎され、その結果衝突するカソード
上に該物質の親密な混合物が高速度で形成される。
例えば、約数ミリまたはそれ以上の層を有する高負荷ベ
アリング表面の積層が可能である。またこの方法におい
ては、合金を加工材料内または表面に積層することがで
きる。本発明にかかる方法によって、被加工材料の表面
の電子間および電子上に沈着された彼層材料の金属イオ
ンとして材料品質が改良されることになる。真空内にお
いては極めて短時間の乱流しか生じない事実から、適当
ないわゆる乱流室１９は、ノゾル２０からのキャリャガ
ス流、すなわち流速によって決定される関係を有してい
なければならない。
本方法の工程の理解を深めるために、以下に既述する下
記の工程が行われる。‘ａー アーク放電がキャリャガ
スによって成層すべき材料の爆発様分裂を助ける。
【ｂ｝ このアーク放電が積層すべき被加工材料内およ
び／または上部にイオンスパッタの沈着のために基本的
に与えられたグロー放電の方向または方向内に移送され
るように重畳される。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による装置の断面図、第２図はイオン発
生器の第１の実施形の拡大断面図、第３図はイオン発生
器の第２の実施形の同様な断面図、第４図はイオン発生
器の第３の実施形の同様な断面図、第５図および第６図
は第１図による装置の他の実施形である。 図中符号は、３・・・・・・真空室、９・・・・・・乱
流室。 第１図第２図 第３図 第４図 第５図 第６図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ キヤリヤーガスと成層すべき材料とを予めイオン化
    しかつこのイオン化された状態で真空室の電場内に移行
    させ、被加工材料を電場の電極の一つとしてキヤリヤー
    ガスが装填された真空室内で通電しグロー放電により導
    電性の被加工材料上に金属層或いは合金層を積層させる
    方法において、成層すべき材料を爆発様に分裂させるた
    めのアーク放電を乱流下におかれたキヤリヤーガスを使
    用して行い、このアーク放電に続けてグロー放電を行い
    、カソード降下を利用して一方の電極として通電されて
    いる成層すべき材料の予めイオン化した金属イオンに附
    加的なエネルギーを供給し、この金属イオンを高い速度
    で他方の電極として接続された被加工材料内に或いはそ
    の上に積層することを特徴とする上記方法。 ２ 先ずキヤリヤーガスを乱流下におき、真空室へのキ
    ヤリヤーガスの移行途上で成層すべき材料の表面上を流
    動させ、そこで電子を放電させかつイオン化することを
    特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ３ キヤリヤーガスから放散された成層すべき材料の金
    属粒子をキヤリヤーガスで予めイオン化することを特徴
    とする、特許請求の範囲第１項或いは第２項に記載の方
    法。 ４ 成層すべき材料の予めイオン化された金属粒子を基
    層を積層するのに利用し、その後この基層上にキヤリヤ
    ガスのイオンと蒸気相内で中性金属粒子と反応させて少
    くとも１つの層を積層することを特徴とする、特許請求
    の範囲第１項から第３項のいずれか一つに記載の方法。 ５ キヤリヤーガスと成層すべき材料とを予めイオン化
    しかつこのイオン化された状態で真空室の電場内に移行
    させ、被加工材料を電場の電極の一つとしてキヤリヤー
    ガスが装填された真空室内で通電しグロー放電により導
    電性の被加工材料上に金属層或いは合金層を積層させる
    方法であつて、成層すべき材料を爆発様に分裂させるた
    めのアーク放電を乱流下におかれたキヤリヤーガスを使
    用して行い、このアーク放電に続けてグロー放電を行い
    、カソード降下を利用して一方の電極として通電されて
    いる成層すべき材料の予めイオン化した金属イオンに附
    加的なエネルギーを供給し、この金属イオンを高い速度
    で他方の電極として接続された被加工材料内に或いはそ
    の上に積層する方法を実施するための装置において、真
    空室３が少くとも一つの側で開口を備えており、この開
    口上に乱流室１９のこの真空室の方向に開いているハウ
    ジング９が設けられており、このハウジングの蓋１０内
    にイオン発生器８が挿入されており、キヤリヤガスを乱
    流室１９のハウジング９内に供給するためのはめ管２０
    がハウジング９内のイオン発生器８の下方で開口してお
    り、有孔板１４が乱流室１９と真空室３との間でこの乱
    流室９と真空室３間の開口の領域内に設けられており、
    この場合点火プラグ１５の中間電極１６が導線１７を介
    して電源のマイナス極と、点火プラグ１５の対抗電極１
    ８が蓋１０、ハウジング９、真空室３のフード２および
    導線１１とを介して電源のプラス極と結合されており、
    一方加工物載置台７が導線１２を介して電源のマイナス
    極と結合されていることを特徴とする、上記装置。６
    グロー放電のための電場の他方の電極がイオン化に対し
    て高い抵抗性を持つ合金から成る偏平形成体、特に真空
    室３の内壁面であることを特徴とする特許請求の範囲第
    ５項に記載の装置。 ７ 第２或いは附加的な電極として成層すべき材料４か
    ら成る面形成体が真空室３内に設けられている、特許請
    求の範囲第５項に記載の装置。 ８ 合金層を積層するため合成成分の各々にそれぞれ一
    つのイオン発生器８が設けられている、特許請求の範囲
    第５項から第７項のいずれか一つに記載の装置。 ９ 合金層を積層するため異つた成層すべき材料から成
    る附加的な電極が設けられている、特許請求の範囲第６
    項から第８項までのいずれか一つに記載の装置。 １０ 乱流室１９から真空室３へ通じる流通開口１３内
    に成層すべき材料から成る有孔板１４が挿入されている
    、特許請求の範囲第５項から第９項までのいずれか一つ
    に記載の装置。 １１ 乱流室１９の壁部に成層すべき材料から成る内張
    り２２が設けられており、真空室３への流通開口２３が
    円形に形成されている、特許請求の範囲第５項から第１
    ０項までのいずれか一つに記載の装置。 １２ 乱流室１９と真空室３との間の流通開口１３内に
    篩状に孔を穿たれたつぼ２４が設けられており、このつ
    ぼ内に成層すべき材料がか粒２５として入れられている
    、特許請求の範囲第６項から第１１項までのいずれか一
    つに記載の装置。
JP54086817A 1978-07-08 1979-07-09 誘電性の被加工材料上に金属層或いは合金層を積層させる方法およびこの方法を実施するための装置 Expired JPS6040507B2 (ja)

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DE19782830134 DE2830134C2 (de) 1978-07-08 1978-07-08 Verfahren zum Ablagern einer Metall- oder Legierungsschicht auf ein elektrisch leitendes Werkstück
DE2830134.0 1978-07-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5554563A JPS5554563A (en) 1980-04-21
JPS6040507B2 true JPS6040507B2 (ja) 1985-09-11

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JP54086817A Expired JPS6040507B2 (ja) 1978-07-08 1979-07-09 誘電性の被加工材料上に金属層或いは合金層を積層させる方法およびこの方法を実施するための装置

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US (2) US4288306A (ja)
EP (1) EP0008634B1 (ja)
JP (1) JPS6040507B2 (ja)
AT (1) ATE2909T1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0220245Y2 (ja) * 1985-05-30 1990-06-04
JPH0230486Y2 (ja) * 1985-12-17 1990-08-16
JPH0252043B2 (ja) * 1985-12-16 1990-11-09 Niigata Engineering Co Ltd
JPH034683B2 (ja) * 1985-06-21 1991-01-23 Niigata Engineering Co Ltd
JPH0543006B2 (ja) * 1987-04-30 1993-06-30 Niigata Engineering Co Ltd

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4351855A (en) * 1981-02-24 1982-09-28 Eduard Pinkhasov Noncrucible method of and apparatus for the vapor deposition of material upon a substrate using voltaic arc in vacuum
EP0061906B1 (en) * 1981-03-26 1987-06-10 Inoue-Japax Research Incorporated A method of, and an apparatus for, processing a workpiece with energetic particles and a product processed thereby
US4452686A (en) * 1982-03-22 1984-06-05 Axenov Ivan I Arc plasma generator and a plasma arc apparatus for treating the surfaces of work-pieces, incorporating the same arc plasma generator
US4407712A (en) * 1982-06-01 1983-10-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Hollow cathode discharge source of metal vapor
US4731539A (en) * 1983-05-26 1988-03-15 Plaur Corporation Method and apparatus for introducing normally solid material into substrate surfaces
US4520268A (en) * 1983-05-26 1985-05-28 Pauline Y. Lau Method and apparatus for introducing normally solid materials into substrate surfaces
US4626448A (en) * 1985-07-18 1986-12-02 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Plasma deposition of amorphous metal alloys
US4929322A (en) * 1985-09-30 1990-05-29 Union Carbide Corporation Apparatus and process for arc vapor depositing a coating in an evacuated chamber
US4839245A (en) * 1985-09-30 1989-06-13 Union Carbide Corporation Zirconium nitride coated article and method for making same
US4895765A (en) * 1985-09-30 1990-01-23 Union Carbide Corporation Titanium nitride and zirconium nitride coating compositions, coated articles and methods of manufacture
US4992206A (en) * 1988-11-01 1991-02-12 Lowndes Engineering Co., Inc. Aerosol generator apparatus and method of use
US5244375A (en) * 1991-12-19 1993-09-14 Formica Technology, Inc. Plasma ion nitrided stainless steel press plates and applications for same
GB0025956D0 (en) * 2000-10-24 2000-12-13 Powell David J Improved method of measuring vacuum pressure in sealed vials
ES2374864T3 (es) * 2009-03-30 2012-02-22 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Método para pretratar sustratos para métodos pvd.

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1872065A (en) * 1928-10-11 1932-08-16 Ac Spark Plug Co Spark plug electrode and other electron emitting device
US2164595A (en) * 1936-12-07 1939-07-04 Siemens Ag Method of coating electrodes
US2636855A (en) * 1948-03-25 1953-04-28 Hilger & Watts Ltd Method of producing photoconductive coatings
US3158805A (en) * 1958-06-02 1964-11-24 David C Kalbfell Method and apparatus for magnetically marking sheet steel by deposition of metal ions
NL124459C (ja) * 1960-07-08
US3491015A (en) * 1967-04-04 1970-01-20 Automatic Fire Control Inc Method of depositing elemental material from a low pressure electrical discharge
US3795783A (en) * 1968-06-26 1974-03-05 Glaverbel Apparatus for surface coating articles
BE758321A (fr) * 1969-11-03 1971-04-01 Rca Corp Procede de metallisation de dispositifs a semi-conducteurs
ZA711702B (en) * 1970-03-20 1971-12-29 Whittaker Corp Film deposition
US3709809A (en) * 1971-07-15 1973-01-09 Dow Chemical Co Sputter deposition of refractory carbide on metal working
BE790902A (fr) * 1971-11-15 1973-05-03 Zachry Co H B Procede et application pour appliquer une matiere de revetementpulverulente sur une piece
US4046712A (en) * 1972-11-30 1977-09-06 United Kingdom Atomic Energy Authority Catalysts sputtered on substantially nonporous low surface area particulate supports
DE2307649B2 (de) * 1973-02-16 1980-07-31 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Anordnung zum Aufstäuben verschiedener Materialien auf einem Substrat
US3962988A (en) * 1973-03-05 1976-06-15 Yoichi Murayama, Nippon Electric Varian Ltd. Ion-plating apparatus having an h.f. electrode for providing an h.f. glow discharge region
US3908183A (en) * 1973-03-14 1975-09-23 California Linear Circuits Inc Combined ion implantation and kinetic transport deposition process
US3830721A (en) * 1973-08-22 1974-08-20 Atomic Energy Commission Hollow cathode sputtering device
DE2353942A1 (de) * 1973-10-27 1975-05-07 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur herstellung einer loetfesten kupferschicht
US4067291A (en) * 1974-04-08 1978-01-10 H. B. Zachry Company Coating system using tape encapsulated particulate coating material
US4046660A (en) * 1975-12-29 1977-09-06 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Sputter coating with charged particle flux control
US4125446A (en) * 1977-08-15 1978-11-14 Airco, Inc. Controlled reflectance of sputtered aluminum layers

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0220245Y2 (ja) * 1985-05-30 1990-06-04
JPH034683B2 (ja) * 1985-06-21 1991-01-23 Niigata Engineering Co Ltd
JPH0252043B2 (ja) * 1985-12-16 1990-11-09 Niigata Engineering Co Ltd
JPH0230486Y2 (ja) * 1985-12-17 1990-08-16
JPH0543006B2 (ja) * 1987-04-30 1993-06-30 Niigata Engineering Co Ltd

Also Published As

Publication number Publication date
EP0008634A1 (de) 1980-03-19
JPS5554563A (en) 1980-04-21
US4288306A (en) 1981-09-08
US4321126A (en) 1982-03-23
EP0008634B1 (de) 1983-03-30
ATE2909T1 (de) 1983-04-15

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