JPH03207854A - 被覆の製造法およびこの方法で被覆した工作物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、特許請求の範囲第１項の上位概念による被
覆の製造法、およびこの方法で被覆した特許請求の範囲
第１０項の上位概念による工作物に間する． 工作物（基体）に酸化物、窒化物および炭化物からなる
セラミック皮膜を塗布することが、ＣＨ−　Ｐ　３６６
４１６３により公知である。この公知の方法では、真空
室で低圧アークを用いて坩堝から酸化物生成体または窒
化物生成体を窒素または酸素雰囲気において蒸発させる
．工作物を保持具に絶縁保持する．設備の運転中維持さ
れる気体放電のために、工作物を付けた保持具は蒸気が
凝縮する間に負の電位に帯電する。その結果、活性蒸気
および残留気体（プラズマ）から工作物にイオンが照射
される． 窒化ホウ素セラミック皮膜を塗布する他の方法は、Ｋ，
イナガワ他「気体活性化ノズルを用いた活性反応ガスに
よる立体窒化ホウ素皮膜の作成」（Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ
．Ｔｅｃｈｎｏｔ．Ａ．５（４）、１９８７年７７８月
、２６９６〜２７００ページ）により公知である．気体
送入口に正の電圧を印加して、セラミック皮膜の製造に
用いる反応ガスを活性化する。さらに、１０メガヘルツ
領域の交流電圧を工作物に印加して、送入された気体の
イオンを工作物に照射せしめる。

この公知の方法によって、分離層は導電性基体と非導電
性基体のいずれにも塗布できるが、付着性に難がある。

工作物を交流電圧で加工する場合は、設備を高周波に対
して十分遮蔽しなければならない。また、工作物の形状
、大きさおよび数によって変化する整合インピーダンス
を、手間のかかる方法で、交流電圧を発生する発電機の
整合インピーダンスに調節しなければならない。

この発明の課題は、工作物の基体において付着性の良好
な被覆を得ることである。その際、この被覆は基体に塗
布した表層に対する分離層の働きをし、基体はこの分離
層によって腐食性環境においても使用できる。

発明において、この課題は、方法に関しては特許請求の
範囲第１項に、工作物に関しては特許請求の範囲第１０
項に記載の特徴によって解決される。

特許請求の範囲第２項から第９項には発明による方法の
有利な実施例を、特許請求の範囲第１１項から第１６項
には発明による工作物の有利な実施例を記載する。

以下に、発明による方法を、装飾被覆の製造例で図面に
基づいし詳細に説明する。次に、工作物を有機材料の切
断工具または分離工具およびロール体として利用するた
めの被覆の製造について説明する． 第１図に示す装飾皮膜７は、基体３の表面上の非導電性
セラミック材料からなる分離層９の上に位置する。以下
に説明する方法によって塗布された分離層９はＸ線無定
形である．すなわち、Ｘ線を照射すると、分離層９のＸ
線源と反対側において、照射中心に最大照射を有する概
ねガウス強度分布のみを示す。遠隔ゾーン（デバイ・シ
ェラー・ディアグラム）は認められない。Ｘ線無定形被
覆は、低い被覆温度によって作られる。低い被覆温度は
、以下に説明する方法において用いる電力を結晶が生成
しない程度に低く押さえることによって得られる。

最上層の装飾皮膜７は主として金からなる。

分離層９は、使用する材料と用途によって膜厚が０．　
２〜５μｍの非導電性セラミック材料からなる。セラ短
ツク材料とは、固相においてセラミックであることが知
られている化合物を意味する。

それゆえ、分離層９の構造は無定形でもあり得る。

分離層９は、以下に説明するように、主として窒化ケイ
素Ｓ　ｉ　ｓ　Ｎ　ａおよび酸化ケイ素Ｓ　ｉ　Ｏ　ｚ
を包含する。

第３図に、発明による方法で装飾被覆を作或する蒸着設
備の例を概念的に示す。蒸着設備は、真空源２０を有す
る真空室１９と、開口部２５を介して真空室１９と連通
している熱陰極２２を有する熱陰極室２１を具備する。

開口部２５を包含する熱陰極室２１の床は、真空室１９
の壁に対して電気的に絶縁されている。熱陰極２２は電
源２７から給電される。開口部２５の下方で、真空室１
９の床２９の上に、窒化物生成体としてケイ素３１を入
れた冷却式坩堝３０を配置する。ケイ素３１は襠動自在
な遮蔽板３３で隠蔽できる。真空室１９には、縦軸中心
に回転自在な６個の導電性支持台３５を配置し、そのう
ち４個の支持台を第４図に示す．これらの支持台におい
て、被覆せらるべき鋼製基体３を各々１個の保持具３６
で保持する。

支持台は回転板３７の上に支持台軸中心に回転自在に配
置され、この回転板を介して相互に電気的に結合してい
る．回転板３７は真空室１９の床２９および壁に対して
電気的に絶縁されている。保持具３６に保持された基体
３は、第３図に概念的に示す遮蔽板３４によって坩堝３
０内のケイ素３１に対して隠蔽できる。

熱陰極室２１には、開口部２５を介して真空室１９と連
通した気体送入管３９が接続している。

床２９の直上および真空室１９の蓋部４５の接合部には
、概念図で示すように、ほぼ平行な垂直磁界を発生する
磁気コイルが各々１個ある。

回転板３７は図示しない接点、導線４７および閉じた開
閉器４６を介して、他方の極を接地した調節自在な電圧
源４８と接続している。

真空室１９の垂直壁に、陰極スパッタリングのための６
個の装置４９を配置し、そのうち３個を第４図に示す。

装置４９には図示しない冷却用の熱交換器を設け、リン
グ５０の内部にはこのリングから絶縁されて、電源５３
の負の極と接続した金からなる目標物体５１が位置する
。電源５３の正の極は、真空室１９の壁およびリング５
ｏと接続している。熱陰極２２と坩堝３０は、導線を介
して電流源２７および３２と接続している。

上記の被覆を作成するために、基体３を支持台３５の保
持具３６に固定し、ケイ素３１を坩堝３ｏに入れる。真
空室１９を閉じ、減圧し、被覆せらるべき物体３の表面
をＤＢ　−　ＯＳ３４０６９５３もしくはＣ｝Ｉ　−　
ＰＳ６５８５４５に記載された方法で低圧アーク５２で
加熱し、ＣＨ　−　ＰＳ６３１７４３に記載された方法
で清浄する。その間、遮蔽板３３は坩堝３ｏ内のケイ素
３１を隠蔽している。

ケイ素３１を溶解せしめるために、遮蔽板３３を摺動し
てケイ素３１を露出させる。遮蔽板３４はケイ素が融解
する際の被覆を防ぐために、第３図に示すように基体３
の前方で閉じる。低圧アーク５２はアーク電圧９０Ｖと
電流６０Ａで燃焼する。融点に達すると電圧は７０Ｖに
降下し、電流はケイ素３ｌの電気的伝導度が温度に連れ
て増大するため２００Ａに上昇する。

以下の第１工程で、低圧アーク５２の電流強度はアーク
電圧７０Ｖにおいて２０Ｏ　Ａに維持される。

これにより、ケイ素３１は坩堝３０から気相に移行し、
一部イオン化する。

第２工程では、清浄工程に用いるアルゴン雰囲気に気体
送入管３９を通して窒素を送入する。窒素は低圧アーク
５２によって一部イオン化する。

同時に、基体３の前方の遮蔽板３４は開く。一部イオン
化した窒素と一部イオン化したケイ素は基体３の表面上
でＳｉｓＮ−に化合し、この表面に付着する。この工程
中も基体３は回転している。

第２工程において、アルゴンの分圧は４・１０−２Ｐａ
、窒素の分圧は３・１０４である。支持台３５には、パ
ルス直流電圧が１０ｌＪＩ１の周期で印加される。この
工程の開始時に、電圧′ｓ４８はパルス占有率８０％で
負のパルスを発生する。すなわち、負のパルスのパルス
幅は周Ｍ１０μｍにおいて８μ厘である。８μ驕に続く
２μ屠で支持台３５は電圧源４８を介して設置される。

パルス波高は工程開始時に−２００　Ｖであり、工程中
により小さい負の値に減少し、最終的には−１０Ｖとな
る。

分離Ｎ９の膜厚が１μｍとなると、坩堝３０内のケイ素
３１は遮蔽され、低圧アーク５２と電圧源３２が遮断さ
れ、開閉器４６が開き、窒素送入が中断される。電源５
３が投入され、それによって基体５１の金によるスバッ
タ加工が開始する。

基体３は、電気的に浮動性である。分離層９の金膜厚が
２００Ａに達すると、電源５３は遮断される．真空室１
９は空気を充満した後に開き、装飾的に被覆された物体
１を取り出す。

装飾皮膜７として金の代わりに他の材料、たとえば銀や
黒色皮膜用のＴｉＯＣＮもスバッタできる。

装飾皮Ｗｉ！７の材料は、ケイ素３１の蒸発に次いで、
低圧アーク５２を用いたイオンめっきによって葎着する
こともできる。この場合、ケイ素およびその他の材料、
たとえば金色窒化チタン皮膜を作或するためにチタンを
入れた（図示しない）坩堝を使用する。蒸発してはなら
ない坩堝内の材料は、その都度遮蔽板３３で隠蔽する。

チタンの代わりに他の金属を蒸発させることもできる。

この場合は、窒素雰囲気の代わりに酸素雰囲気において
有色金属酸化物に酸化する。

装飾皮膜７として主として少なくとも膜厚１００Ａの金
および銀皮膜、またはＤＥ　−　ＰＳ３７２８Ｂ３６に
記載されているように、主としてＩＶｂ群（チタン、ジ
ルコン、ハフニウム）およびｖｂ群（バナジウム、ニオ
ブ、タンタル）またはＶｌｂ（クロム、モリブデン、タ
ングステン）の元素の窒化物からなる金色複合被覆を使
用する。しかし、被覆工程で金を沈着せしめた硬質層を
用いることもできる。

有色金属酸化物を沈着せしめた硬１ｔＮまたは有色金属
酸化物のみを使用することも可能である。硬質層は、主
として周期系ＩＶｂ，Ｖｂまたはｖｔｂ族の元素または
ケイ素の窒化物、炭化物、オキシ窒化物、ホウ化物また
はそれらの混合物からなる。

主として硬質炭素ｉＣを含有した硬質層を使用すること
もできる。

金または他の材料のスパッタリングと同時にイオンめっ
きを行い、装飾皮膜７として混合皮膜を形或することも
できる。

たとえばｉＣマトリックスに沈着した炭化チタンによっ
て黒色装飾皮膜を作或するために、アーク放電を用いた
ＰＶＤ法により、チタンを炭素を放出する反応性雰囲気
（例：アセチレン）において蒸発させる。その際、蒸発
工程の進行に連れてｉＣマトリックスを作るための炭素
を放出する気体の分圧は上昇する。

セラξツク分離層９の材料は、電子ビーム、陰極飛散（
スパッタリング）、プラズマ蒸発または陰極アーク蒸着
によって気相に移行せしめることができる。

セラミック分離Ｎ９にｓｉ３Ｎ４を用いる代わりに、Ｓ
ｉｎ．またはＳｉ，Ｏ，Ｎ．も使用できる，　Ｓｉｎ．
またはＳｉ．ＯｙＮ．からなるセラミック分離層９は、
上記の方法と類似の方法で塗布できる。Ｓｉ．Ｏ，Ｎオ
からなるセラミック皮膜９の場合、アルゴンを分圧３・
１０−２で、酸素を分圧１・１０−２で、窒素を分圧３
・１０−２で加工できる。分離層は、アルミニウムの酸
化物および／または窒化物、ＴＶｂ族（チタン、ジルコ
ン、ハフニウム）およびＶｂ族（バナジウム、ニオブ、
タンタル）または■ｂ（クロム、モリブデン、タングス
テン）の元素の酸化物またはこれらの物質の混合物、あ
るいはこれらの物質のとケイ素の酸化物、窒化物または
オキシ窒化物との混合物からなることもできる． 電圧源４８の導線４７と接続されていない極を接地する
代わりに、坩堝３０または低圧アーク５２の陽極電位に
接続できる．パルス波高−２００　Ｖを１０Ｖに変更す
る代わりに、パルス幅を縮小できる。パルス幅とパルス
波高のいずれとも変更することも可能である。

蒸着設備の変形において、基体の保持具は相互に、かつ
、真空室１９に対して絶縁されている。

保持具は接点（図示せず）および導線を介して調節可能
な電圧源４８と接続している。

気体送入管３９で窒素を送入するかわりに、真空室１９
の他の場所に独立管（図示せず）を使用することもでき
る． 遮蔽板３３は電気的絶縁材料から製造するか、または真
空室１９および坩堝３０に対して絶縁して保持されてい
る。しかしまた、遮蔽板３３は電気抵抗の高い材料から
製造するか、または高抵抗材料皮膜で被覆するか、また
は真空室１９と高抵抗に接続し、安全上の理由からも帯
電を十分回避することができる。

アーク放電５２を用いて２種類またはそれ以上の材料を
順次気相に移行せしめる場合、遮蔽板３３のかわりに相
互に、かつ、真空室工９に対して電気的に絶縁された交
換坩堝と呼ぶ複数の坩堝を使用できる。これらの坩堝は
必要に応じ、電源３２の１つの極とアーク放電の電極と
して接続される。

その都度の電気的接続の作或に加え、当該の交換坩堝を
アーク放電および被覆率にとって有利な場所に移動せし
めることもできる。

基体３と類似の黄銅からなる基体３ｂにおいて、第２図
に示すように、基体３ｂの表面直上にニッケルからなる
膜厚２μ鋤の電気めっき皮膜１６がある．電気めっき皮
膜１６を基体３ｂの表面に、該基体の製造および表面清
浄後に塗布し、後の加工および輸送中に酸化するのを防
ぐ。この電気めっき皮膜１６の上にセラミック分離層９
に対応するセラ稟ツク分離層９ｂが、セラξツク分離層
９ｂの上に装飾皮膜７に対応する装飾皮膜７ｂがある． この場合、被覆は上記の方法と類似の仕方で行われるが
、ここでは基体３の表面ではなく、基体に付着した電気
めっき皮膜１６を清浄する。

発明によって被覆した基体３において、セラミック分離
層は耐食性を著しく高める。この結果は、従来ＰＶＤ法
によって塗布された皮膜では耐食性にとって有害な「ビ
ンホール」が認められるため驚嘆に値する。

発明によって被覆した基体３では装飾皮膜の下に硬質層
があるため、基体に強い衝撃を加えると分離層９に亀裂
が入ることがある。しかし、これらの亀裂は装飾皮膜７
に覆われているため目に見えない。したがって、装飾的
な外観は損なわれない。

装飾的に被覆した物体１２の使用中に急激な大きい温度
変化が発生する場合は、基体３に装飾皮１１ｌ７に類似
の装飾皮膜およびセラミック分離層９に類似のセラξツ
ク分離層に加えて、セラミック分離層の下に追加皮膜を
塗布する。使用する材料の熱膨張率は、基体３とセラミ
ック分離層のそれぞれの熱膨張率の中間にある。装飾皮
膜はセラミック皮膜より薄いため、装飾皮膜の熱膨張率
は考慮しない。

厚さ２００Ａの金からなる装飾皮膜、膜厚１μ−のＳ　
ｉ　ｓ　Ｎ　ａからなるセラミ・冫ク皮膜および鋼Ｓｔ
３７からなる基体３において、たとえば厚さ０．５μｍ
のＳｉＯ−からなる熱的分離層を塗布する。

熱的分離層は、上記の方法と類似の仕方で類似の、また
は同一の蒸着設備において塗布される。

しかし、清浄および加熱直後に窒素ではなく酸素を送入
し、やはりケイ素を低圧アークによって蒸発させる。そ
れによって、基体３の表面にはＳ　ｉ　Ｏ　ｔが沈着す
る。酸素分圧４・１０−”Ｐａ　、アルゴン分圧３・１
０−”Ｐａ　、および低圧アーク５２の電圧６５Ｖと電
流１６０Ａで加工する。膜厚が０．５μｍに達したら酸
素送入を停止して窒素を送入し、前述の方法により低圧
アークの上記のデータで加工を続行する。坩堝３５には
やはり周期約１０μｓのパルス直流電圧を印加する。そ
の際、この工程の始めには電圧源４８がパルス幅８μｓ
および振幅−２００　Ｖの負のパルスを発生し、Ｓ　ｉ
　Ｏ　！およびＳｉｓＮ４の被覆工程の終わりには−１
　０Ｖの負のパルスを発生し、それぞれ後続の２μｓに
おいて支持台３５を接地する。

装飾皮膜７の代わりに、主として窒素、炭素またはホウ
素とＩＶｂ、ｖｂ、■ｂ族の金属との化合物または炭化
ケイ素またはこれらの物質の混合物によって形成される
硬質層を塗布する場合、これによって被覆された工作物
は有機材料の切断および／または分離の工具または器具
として非常に適している。これらの工具は特に加硫用型
、プラスチック射出威形用金型、肉切り包丁として、お
よび消毒剤および滅菌工程に対して優れた抵抗性も有す
る外科医療器具として用いられる．このように被覆され
た物体は、人体の移植組織としても極めて適している。

装飾皮膜７の代わりに滑り皮膜を塗布し、こうして被覆
した工作物をロール体として利用できる。

滑り皮膜は、固く結合したマトリックスを形或する少な
くとも１種類の金属材料の統計的に分散せしめた粒子と
、統計的直径が０．　８μｍ以下および融点がマトリッ
クス材料より低い少なくとも１種類の金属材料粒子との
混合物からなる。これらの材料粒子は固相においてマト
リックス材料にほぼ不溶である。マトリックスにおいて
不溶の材料粒子は、主としてスズ、鉛、インジウムまた
は亜鉛からなる。マトリックスを形成する材料は、主と
してアルミニウム、クロム、ニッケル、マグネシウムま
たは銅の合金である。さらに、滑り皮膜として金属カル
コゲン化合物（例：ニセレン化ニオブ、二流化モリブデ
ン、二流化タングステン）を用いることができる。滑り
皮膜は、厚さが分離層９の２〜１０倍であり、特に陰極
スパッタリング法によって塗布される。分離層９により
卓越した防食性能が得られるため、発明によって被覆し
たロール体においては防食のためにオイルまたはグリス
を使用する必要はない。ロール体に要求される高い面圧
力は、発明によるロール体によって与えられる。

基体が上記のように漏電材料ではなく、ガラスなどの絶
縁材料からなる場合、基体の保持具３６に印加されるパ
ルス直流電圧のパルス持続時間は減少し、または相応に
高い周波数（たとえば１３ＭＨｚ　）の交流電圧で代用
できる。

上記の発明による方法においては、交流電圧の代わりに
パルス直流電圧で加工するため、サイクル時間の変化に
よってイオンが工作物に照射される時間を調節および最
適調整できる。エネルギーもイオンが「吸引」される時
間によって調節できる。

機械製作の点で見ると、パルス直流電圧で動作する蒸着
設備はより簡単に構威できる．なぜならば、公知の交流
電圧と異なり、工作物に対してパルス直流電圧の供給を
遮蔽する必要がないからである。パルス直流電圧を用い
る場合は、給電の整合インピーダンスの厄介な最調整も
省略できる。

交流電圧を用いる場合は、工作物、保持具および保持具
の数によって変化する整合インピーダンスを給電ケーブ
ルの特性インピーダンスに調整して、エネルギー放射を
防ぎ、工作物においてできるだけ高い振幅値を得、交流
電圧源に過大な負荷をかけないようにしなければならな
い。

【図面の簡単な説明】

第１図は、工作物の装飾皮膜とセラミック皮膜からなる
被覆の概念的断面図４１屯 第２図は、装飾皮膜、セラミック分離層および電気めっ
き皮膜からなる被覆の概念的断面図主涜ｔ； 第３図は、蒸着設備の一概念的断面図ｔたた１・・・工
作物、　　　　　　３・・・基体、７・・・表層、　　
　　　　　９・・・分離層、１９・・・真空室、 ３１・・・酸化物生成体または窒化物生成体、３３・・
・遮蔽板、　　　　　３６・・・保持具、５２・・・ア
ーク放電。

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. １．　第１工程で酸化物生成体および／または窒化物生
   成体（３１）を気相に移行せしめ、少なくとも一部イオ
   ン化せしめ、第２工程で窒素および／または酸素を送入
   し、少なくとも一部イオン化せしめ、次いで、基体（３
   ）の表面に酸化物生成体もしくは窒化物生成体（３１）
   と窒素および／または酸素の化合物からなる皮膜（９）
   を沈着せしめる、真空室（１９）に対して絶縁して保持
   された工作物（１）の基体（３）の表面に非導電性セラ
   ミック材料を被覆する方法において、少なくとも第２工
   程でパルス直流電圧を基体（３）および／または該基体
   の保持具（３６）に印加することを特徴とする方法。
2. ２．　パルス直流電圧のパルス占有率を２０〜９０％、
   なるべくは６０〜９０％に調節することを特徴とする特
   許請求の範囲第１項に記載の方法。
3. ３．　パルス直流電圧の周期を数ミクロ秒、なるべくは
   約１０ミクロ秒に調節することを特徴とする特許請求の
   範囲第１項または第２項に記載の方法。
4. ４．　高い負の電圧値で開始するパルス直流電圧のパル
   ス波高を低い負の値に変化せしめ、パルスの間に基体（
   ３）および／または該基体の保持具（３６）を接地し、
   あるいはまだ気相に移行していない酸化物生成体もしく
   は窒化物生成体（３１）の電位またはアーク放電（５２
   ）の陽極電位に印加して、酸化物生成体もしくは窒化物
   生成体（３１）を気相に移行せしめることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項から第３項のいずれか一つに記載
   の方法。
5. ５．　酸化物および／または窒化物（３１）および窒素
   および／または酸素の化合物からなる沈着層を分離層（
   ９）として作成し、第３工程で該分離層上に表層（７）
   を沈着せしめることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   から第４項までのいずれか一つに記載の方法。
6. ６．　酸化物生成体および／または窒化物生成体（３１
   ）を気相に移行せしめ、少なくとも一部イオン化せしめ
   、および窒素および／または酸素を少なくとも一部イオ
   ン化せしめるためにアーク放電（５２）を用いることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項から第５項のいずれか
   一つに記載の方法。
7. ７．　酸化物生成体もしくは窒化物生成体（３１）およ
   び第３工程で気相に移行する表層（７）を形成する材料
   を、アーク放電（５２）のための電極として接続した区
   分された坩堝の凹部に入れ、第２工程中は表層（７）を
   形成する材料を、第３工程中は酸化物生成体もしくは窒
   化物生成体（３１）を遮蔽板（３３）で覆い、第２工程
   では酸化物生成体もしくは窒化物生成体（３１）のみを
   、第３工程では前記材料のみをアーク放電（５２）によ
   り気相に移行せしめることを特徴とする特許請求の範囲
   第５項または第６項に記載の方法。
8. ８．　酸化物生成体もしくは窒化物生成体（３１）およ
   び第３工程で気相に移行する表層（７）を形成する材料
   を交換坩堝に入れ、第２工程では酸化物生成体もしくは
   窒化物生成体（３１）をいれた交換坩堝を、第３工程で
   は表層（７）を形成する材料を入れた交換坩堝をアーク
   放電（５２）の電極として接続し、第２工程では酸化物
   生成体もしくは窒化物生成体のみを、第３工程では前記
   材料のみをアーク放電（５２）により気相に移行せしめ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第５項または第６項
   に記載の方法。
9. ９．　アーク放電に低圧アーク（５２）を用いることを
   特徴とする特許請求の範囲第６項から第８項までのいず
   れか一つに記載の方法。
10. １０．　表層（７）と工作物（１）の基体（３）の表面
    の間に位置する分離層（９）が非導電性セラミック材料
    からなることを特徴とする特許請求の範囲第５項から第
    ９項までのいずれか一つに記載の工作物。
11. １１．　分離層（９）がＸ線無定形であり、特に主とし
    てケイ素の酸化物、窒化物またはオキシ窒化物からなる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１０項に記載の工作
    物。
12. １２．　分離層（９）の膜厚が約０．２〜５μｍである
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１０項または第１１
    項に記載の工作物。
13. １３．　分離層（９）が工作物（１）の基体（３）の直
    上に位置し、表層（７）が分離層（９）の直上に位置す
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１０項から第１２
    項までのいずれか一つに記載の工作物。
14. １４．　表層が装飾皮膜（７）をなし、分離層（９）の
    膜厚が約０．２〜１μｍである、特に工作物が体汗およ
    び／または海水と接触する場合に使用する特許請求の範
    囲第１３項に記載の工作物。
15. １５．　表層（７）が硬質層をなし、分離層（９）の膜
    厚が約０．２〜５μｍである、有機材料の切断工具また
    は分離工具として使用される特許請求の範囲第１０項か
    ら第１３項までのいずれか一つに記載の工作物。
16. １６．　摩擦および摩耗を低減する表層（７）を有し、
    分離層（９）の膜厚が約０．２〜３μｍである、特にロ
    ール体として使用される特許請求の範囲第１０項から第
    １３項までのいずれか一つに記載の工作物。