JPH09510500A - 立方晶窒化硼素より成る層を形成する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は、直流アーク放電または直流で稼働するマグネトロン−カソードによってプラズマを発生する、不平衡マグネトロンとしての運転法において、高周波または直流電圧にてスパッタリングすることによって立方晶形窒化硼素より成る耐摩耗性層または立方晶形窒化硼素を含有する耐摩耗性層を製造する方法に関する。本発明によれば、層を製造するための出発ターゲットが導電性の硼素含有材料、好ましくは炭化硼素より成るターゲットを使用しそして層の化学量論を、反応工程を進めながらＮ₂およびＡｒの供給下に調節する。

Description

【発明の詳細な説明】 立方晶窒化硼素より成る層を形成する方法 本発明は耐摩耗性の層の製造あるいは特定の耐摩耗性を有する層の製造の技術 分野に関する。本発明は立方晶窒化硼素（ｃＢＮ）より成る耐摩耗性層またはｃ ＢＮ高含有量の複合層の製造方法に関する。 熱力学的に安定していないｃＢＮはダイヤモンドの次の高い硬度を有している 点に特徴があり、かつダイヤモンドに類似する他の性質も有している。その性質 には、良好な熱伝導性、優れた摩擦特性および特に可視領域での良好な透明度（ ｎ＝２．２）並びに＞６．４ｅＶの極めて大きな禁止帯の幅（エネルギーギャッ プ（Ｂａｎｄａｂｓｔａｎｄ）が挙げられる。それによってｃＢＮは半導体とし ても高い潜在的可能性を有している。 製造技術の分野では、ｃＢＮはダイヤモンドに比較して、鉄に対して不活性で あり、それ故に鉄含有工具の加工を可能とするという本質的な長所を有している 。これらの重要な製造分野では、ダイヤモンドが化学的に損傷するためにダイヤ モンド工具では製造することができない。 ８０年代から特に日本および米国の科学者は原則として、窒化硼素の立方晶相 がプラズマ活性法によっても製造できることを確認し、世界的に多方面でｃＢＮ 層を製造する努力がなされてきた。 例えば“Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ”７２（２ ）、１９９２年７月１５日、第５０４頁および“Ｊｏｎｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａ ｔｅｒｉａｌ Ｒｅｓｅａｒｃｈ”第８巻、Ｎｏ．６、１９９３年６月、に、“ ｃＢＮ層の製法が開示されており、この場合にはイオンビームで支援された真空 蒸着技術（ＩＢＡＤ）が使用されている。 更に“Ｄｉａｍｏｎｄ ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ”２（ １９９３）、第５１２頁には、イオンビーム銃によって実施する方法が開示され ており、この場合には硼素または六方晶窒化硼素（ｈＢＮ）より成るターゲット を飛散させるためにイオン源が使用されそして第二のイオン銃が基体の上に載っ たフィルムを射撃する。 “Ｓｕｒｆａｃｅ ａｎｄ Ｃｏａｔｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ”４３／ ４４（１９９０）、第１４５〜１５３頁には、更に、追加的にイオン化されてい るＡｒ／Ｎ₂−雰囲気で電子線蒸発器によって硼素を蒸発させる反応性のイオン メッキ法が開示されている。形成される層はマイナスの電位を持つ基体ホルダー の上にあり、その結果成長性層が、存在するＡｒおよびＮ₂−イオンで（射撃） 衝撃される。“Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｒｍｓ”２２４（１９９３）、第４ ６〜５１頁に記載の方法の場合には、ｃＢＮ−層の製造をイオンで支援されたレ ーザー・パルス法によって行っている。この場合にはｈＢＮ−ターゲットが利用 される。イオン射撃は直流電圧電位を負荷することによって行う。 “Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃ ｓ”第３０巻、Ｎｏ．２、１９９１年２月、第３４４〜３４８頁に記載された方 法は、マイクロ波−電子−サイクロトーン共鳴（ＥＺＲ）−析出によって実施す る。この場合にはＢＮは気相Ａｒ／Ｎ₂／Ｂ₂Ｈ₆から生じそしてＨＦ−バイアス （Ｂｉａｓ）（高周波−バイアス電圧）を基体に印加すう。 また、“Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙ ｓｉｃｓ”第２９巻、Ｎｏ．７、１９９０年７月、第１１７５〜１１７７頁には 、ｈＢＮ−ターゲットを不活性の高周波プラズマ（ＨＦ−プラズマ）中で飛散さ せる、ｃＢＮを含む層の製造方法が開示されている。この基体も同様にＨＦバイ アスにてマイナスの電位に保たれており、その結果Ａｒ−イオンでの衝撃が行わ れる。 更に、ｃＢＮあるいはｃＢＮ含有層を製造する同様な種々の方法が記載されて いるドイツ特許出願公開第３，８１０，２３７号明細書、米国特許第４，４１２ ，８９９号明細書、米国特許第４，４１５，４２０号明細書、米国特許第４，６ ８３，０４３号明細書および米国特許第５，０９６，７４０号明細書に言及して 置く。 従来技術に記載されているＰＶＤ−法はターゲットまたは付着物質としての硼 素または六方晶窒化硼素（ｈＢＮ）が一貫して使用されている。経済的観点から 見て、これら全ての方法は重大な欠点を有している。例えばこれらの方法では沈 着速度が小さい場合に比較的に小さい表面しか被覆できない。 公知のＣＶＤ−ＥＺＲ−法は、＞６００℃の比較的に高い基体温度の場合しか 付着を行うことができないという重大な欠点がある。更にＥＺＲ−プラズマの拡 がりが制限されていることによって比較的に小さな基体しか被覆できない。 硬質層を製造する場合には、一般に今日では実質的にＰＶＤ−法が使用される 。この場合にはプラズマの発生が経済的理由から直流アーク放電（ＡＲＣ−法） によってまたは直流で稼働するマグネトロン（Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ）−カソード によって行う。直流稼働は経済的に本質的に有利である他に、大きな表面積の被 覆を実現できるという点で装置的意味においても特に有利である。 これらの方法はｃＢＮ−層あるいはｃＢＮ−含有層の製造に関して、導電性出 発ターゲットを必ず使用する必要がありそして従来技術のｃＢＮ−層の製造は導 電性でないＢ−あるいはｈＢＮ出発原料またはＢ₂Ｈ₆含有気相からしか実施でき ないという欠点を有している。従って、ｃＢＮ−層を製造するためのこれらの価 格的に有利な従来技術の方法は使用することができない。 従来技術の全ての欠点を有さない硬く耐摩耗性のｃＢＮ−層あるいはｃＢＮ含 有層を製造する方法を提供しようとする本発明の課題は、高い被覆速度の他に低 い基体温度でも付着することができ、専ら小さい基体に制限されるこなくそして 経済的に有利で且つ価格的に有利に運転できる上述の種類の方法を考案すること である。 更に、本発明の課題は、大きな表面積の被覆を高い付着速度で可能とする上述 の種類の方法を考案することである。即ち、本発明の課題は、プラズマの発生を 直流アーク放電によってまたは直流で稼働するマグネトロン−カソードによって 行うＰＶＤ−法をｃＢＮ−層あるいはｃＢＮ含有層を製造するために使用できる 様な前提条件を考案することでもある。 また、本発明の課題は、ｃＢＮ−層あるいはｃＢＮ−含有層を製造することが できる電気的に十分な導電性を有する出発物質並びにそのために適する方法パラ メータを見出すことでもある。 最後に本発明の課題は、上述の種類の提案される方法の使用を可能とすること である。 本発明によればこれらの課題は、方法的な面では特許請求の範囲の請求項１〜 １６にてそして用途の面では請求項１７〜２２に記載されている方法で解決され る。 本発明者は、驚くべきことに、かつ予想外なことに、適切に選択された方法条 件を守った場合にｃＢＮ−層あるいはｃＢＮ含有層が約２０ａｔ％の炭素を含有 する炭化硼素（Ｂ₄Ｃ）−ターゲットの使用下でも付着することが判った。本来 の層形成の前にターゲット精製段階および、機械的配合によって同時に基体の別 々のイオンエッチング精製（Ｉｏｎｅｎ−Ａｅｔｚｒｅｉｎｉｇｕｎｇ）を行う のが有利である。 直流アーク放電（ＡＲＣ−法）によるまたは直流で稼働するマグネトロン−カ ソードによってプラズマを発生させるＰＶＤ法または類似方法によるｃＢＮより 成る耐摩耗性層またはｃＢＮ含有耐摩耗性層の製造方法では、本発明によれば導 電性材料より成る出発ターゲットが使用され、そのターゲットの所で層製造のた めに材料の消耗がある。このターゲットは好ましくは炭化硼素より成り、有利に は９０ａｔ％〜７０ａｔ％の硼素と１０ａｔ％〜３０ａｔ％の炭素という組成範 囲の炭化硼素（例えばＢ₄Ｃ）より成る。他の変法の一つでは出発ターゲットと して、良好な導電性を有している限り、金属（例えばＴｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、 Ｃｕ、Ｎｉおよび／またはＡｌ）および／またはそれらの硼化物または窒化物が 微量混入されたＢ−および／またはＢＮ−ターゲットが使用される。本発明の方 法の場合には反応の方法工程はＡｒおよびＮ₂ の添加下に、層中の必要なＢ：Ｎ −化学量論比を調整できる様に行う。 この場合、方法工程は一般にｃＢＮ−層あるいはｃＢＮ−含有層の炭素の割合 が＜５ａｔ％の値に低下する様に行うべきである。本発明の場合、層中への炭素 の組入れ量の低下およびＢＮ−比の必要とされる調整は、Ａｒ／Ｎ₂−ガス混合 物中でこの方法を実施することによって解決される。ダイヤモンド−ＣＶＤ−析 出（Ａｂｓｃｈｅｉｄｕｎｇ）と同様に、処理用ガス中の酸素含有量が多いと炭 素との選択的反応によって層中の炭素の割合が減少することが予想できた。しか しながら層中の立方晶相の割合を多くするためには低い酸素分圧が有利であるこ とが判った。 ｃＢＮ−層あるいはｃＢＮ−含有層と基体との接合を改善するためには、本来 のｃＢＮ−層の前に傾斜相を、減圧法を中断することなく、例えばプロセスガス 組成およびプロセス条件を段階的にまたは連続的に変更することによって基体の 上に析出させるべきである。 一般的には、基体ホルダーを被覆する前に好ましくは０．１〜０．５μmの厚 さのＢＣ／ＢＮ（炭化硼素および／または窒化硼素）より成る相で覆う場合が特 に有利であることが判っている。 本発明の方法にとって、他の存在する可能な方法の他に高周波スパッタリング 法あるいはアトマイザー法（Ａｕｆｓｔａｅｕｂｅｎ）または直流電圧（ＤＣ） マグネトロン法を使用するのが有利であろう。 高周波スパッタリング法を利用すると、ターゲット側におよびまた基体側に高 周波を印加する（Ｅｉｎｋｏｐｐｌｕｎｇ）かまたは基体の側に直流電圧（ＤＣ ）を印加するのが有利である。この場合にはマイナスのバイアス電圧は１００〜 １０００Ｖ（例えば３００〜５００Ｖ）の範囲で印加し、ターゲットの所では３ 〜１７Ｗ／ｃｍ²（例えば６Ｗ／ｃｍ²）の間の面積電力および基体の所では１〜 １１Ｗ／ｃｍ²（例えば２Ｗ／ｃｍ²）の間の面積電力を印加し、基体温度は３０ ℃〜５００℃の範囲の温度（例えば３５０℃の平衡温度）に保ち、プロセスガス としてはＡｒ／Ｎ₂−ガス混合物を使用し〔このガス混合物中のＮ₂含有量は５％ から１００％近くまで（例えば１０〜７０％）である〕そしてプロセス圧は１〜 ５０μｂａｒ（例えば２０μｂａｒ）の範囲に調整する。 ＵＢＭ（不平衡マグネトロン）での直流電圧マグネトロン法を使用する場合に は、ターゲットの所で２〜１３Ｗ／ｃｍ² の面積電力（例えば５Ｗ／ｃｍ²）を そして基体の所で０．４〜８Ｗ／ｃｍ²の面積電力（例えば１Ｗ／ｃｍ²）を印加 し、バイアス電圧を印加する基体ホルダーを回転可能な状態に置き、プロセス圧 を１〜１０μｂａｒ（例えば４μｂａｒ）の範囲に調節しそしてプロセスガスと して１０から１００％近くまでのＮ₂含有量を含有するＡｒ／Ｎ₂−ガス混合物（ 例えば５０％のガス流）を使用するのが有利である。直流電圧−マグネトロン法 が使用される本発明のこの変法の場合には、基体ホルダーの所で高周波バイアス 電圧（ＨＦ−バイアス）または直流電圧バイアス電圧を印加することが可能 である。直流電圧バイアス電圧を基体ホルダーに印加する場合には、１００〜８ ００Ｖのバイアス電圧が有利であり、高周波バイアス電圧を基体ホルダーに印加 する場合には、１００〜１０００Ｖの範囲内のバイアス電圧（例えば２００Ｖ〜 ５００Ｖ）を印加するのが好ましい。 所望の層を製造するのに有利である様にするために、一般には方法を追加的な 磁場で支援して実施するのが有利である。この磁場の支援は、容器内に取付けら れるコイルによって約４〜７ｍＴの磁束密度が得られる様に行うかまたは追加的 な磁場支援が磁気または電磁コイルを基体に対して最大のイオン流密度が生ずる 様に組み入れることによって達成するのが重要である。 本発明の方法は非常に経済的で、価格的に有利でありそして従来技術の欠点を 有しておらず、このことはこの方法を用いることを極めて有利にしている。 高周波スパッタリング法および直流電圧マグネトロン法という変法の追加的な 長所は、これらの方法の場合に存在するプロセス熱が試料の外部からの加熱を省 くことができる程に十分である点にある。 この場合、プロセスガアス混合物に追加的な硼素含有ガス（例えばジボロンま たはトリメチルボラジン）を供給すること並びに層の製造過程で１００℃〜６０ ０℃の色々な温度を使用することが可能であり、かつ特定の用途にとって有利で もある。 本発明の方法は種々の用途分野で有利に使用することができる。例えば耐摩耗 性の道具（機械的摩耗および／または接合の負荷の掛かる要素、例えば旋盤切削 板、刃物、穿孔手段、プレス−および賦形工具、並びに軸受および／または軸受 構成部材の被覆）の製造に、立方晶窒化硼素（ｃＢＮ）で被覆されたピックアッ プおよび磁気バンドのバンド案内のための要素の製造に、電子的用途でｃＢＮを 付着させるたのに、特に微量混入物が入っているかまたは入っていない電子部材 の製造に、耐蝕層および絶縁層の製造におよび熱処理層および機械的負荷に対す る保護層を有する光学的要素の製造に使用するのが有利である。 従って本発明の解決手段では、第一に十分な導電性の硼素含有ターゲットから ｃＢＮ層を製造することを可能とし、従って、最初に挙げた極めて価格的に有利 でかつ好都合なＰＶＤ法、例えば直流電圧マグネトロン法、高周波スパッタリン グ法等をｃＢＮ層あるいはｃＢＮ含有層の製造に使用することを可能とする。 一般に、成分Ｂ、ＣおよびＮより成る層は既に公知である。この層の長所は特 に、高い機械的強度を良好な光学的透明性と一緒に有しておりそしてそれ故に可 視領域では透明でない匹敵する光度のアモルファス炭化水素層に比較して有利で ある。ｃＢＮ層の別の長所は、＜０．２であるダイヤモンド層に匹敵する小さい 摩擦値にある。従って、この種のｃＢＮ層は非常に良好な滑性を有しており、機 械的摩擦および／または接合により負荷の掛かる要素あるいは軸受および／また は軸受構成部材を有利に被覆することができる。しかしながら従来には、簡単に かつ価格的に有利な方法で硬い立方晶相をかゝる層に生じさせっることができな かった。この場合にはｃＢＮとｗＢＮ（ワルツ鉱相）が同時に得ることを目的と すことである。密度が同じであるｃＢＮとｗＢＮの両方の相は、等価と見る限り 、両方の変態においてＢ−およびＮ−原子がしばしば同座にありそして同じ近い 配置に存在する。全てのＢ−およびＮ−原子の間には単一結合（ｓｐ³−状態） が存在している。更に、定義すると、ｃＢＮは、元素のＢおよびＮについてｓｐ³ 混成結合が存在する小さい結晶または非晶質の材料を意味する。本発明におい てｃＢＮとは硬質相のｃＢＮおよびｗＢＮだけを意味する。 本発明の方法を以下の実施例で更に詳細に説明する。 実施例： 立方晶窒化硼素より成る耐摩耗性層を製造するために種々の方法が適している ことが判った。 ここに説明する実施例において、本来の層形成の前にターゲット精製を行ない そして同時に機械的ブラインド（シャッター：Ｓｈｕｔｔｅｒ）により別々に基 体をイオン−エッチング精製を行う。シャッターは以下の実施例においては層製 造の間は開放されている。 基体としてはシリコン−ウエハー（配向１００および１１１）を使用し、並び に１００Ｃｒ６、ＨＳＳ（高速スチール）、硬質金属、モリブデンおよび特殊鋼 より成るスチール製試料を使用する。１． ＨＦ−スパッタリング法（高周波−アトマイザー法） 層を高周波−ダイオード−スパッタリング装置で製造する方法が特に有利であ ることが判っている。この場合にはターゲット側および基体側を高周波を負荷し 、その際に３００〜５００Ｖの範囲内のマイナスのバイアス電圧で実施する。基 体側に直流電圧（ＤＣ＝直流）を印加することも可能である。製造する層の所望 の性質はＢ₄Ｃより成る導電性ターゲットの使用下に得られる。この目的のため には６Ｗ／ｃｍ²の面積電力を印加する。この場合約１７０ｍｍの直径を有する 電極を約１００ｍｍの間隔で対峙させる。基体電極はこの場合にはＢ₄Ｃまたは 他のＢ含有材料で被覆してもよい。しかしながら鋼鉄板または他の金属を使用し てもよい。方法は、容器中に組入れられたコイルによって約４〜７ｍＴの磁束密 度が生ぜしめそしてそれ故に所望の層の製造に有利となる様に、磁場の支援によ って実施するのが有利である。試料の加熱は必要ない。プロセス熱のために基体 は被覆工程の間３５０℃までの平衡温度に成る。 立方晶窒化硼素層はＡｒとＮ₂とのガス混合物の使用下に生じ、その際にプロ セス圧は２０μｂａｒとする。ガス混合物中のＮ₂含有量はガス流の５０〜７０ ％の範囲内にある。この方法では硬い立方晶窒化硼素相の代表的な性質を有する ０．８μm のｃＢＮ層が得られる。２． ＤＣ−マグネトロン法（直流電圧−マグネトロン法） 立方晶窒化硼素より成る耐摩耗性層を基体の上に析出させる別の製造方法を、 直流電圧で稼働するＵＢＭ−装置（ＵＢＭ＝不平衡マグネトロン）を用いて本発 明に従って行う。この場合には基体ホルダーは、ＨＦ−バイアスでもＤＣ−バイ アスでも運転することができっる。追加的なコイルのある垂直に配置されたマグ ネトロン電極を備えた市販の装置を不平衡スパッタリング運転（ＵＢＮ）のため に使用する。使用されるＢ₄Ｃターゲットは２５４×１２７ｍｍの寸法を有して いる。８０ｍｍ〜１５０ｍｍの間隔で、特殊鋼板より成る基体ホルダーを配列す る。基体ホルダーは回転可能であり、９０℃だけ位置を変えて配置さた第二のマ グネトロン−カソードの前に基体ホルダーが移動することによって減圧サイクル の間に中間層も被覆することができる。 高周波を用いて運転される電極を用いる上述の実施例に比較して本質的に高い 電着速度が達成される。追加的な磁気コイルおよび場合によっては棒磁石を、基 体に関して最大のイオン流密度とする様に組み入れるのが有利である。 ターゲット材料としてはここではＢ₄Ｃを使用する。この場合、ターゲットの 所に５Ｗ／ｃｍ²の面積電力を印加する。 これらの両方の変法（高周波−または直流電圧バイアス電圧）は以下のパラメ ータを用いて実施した： ● 高周波バイアスによる基体ホルダー： この場合には基体に３００Ｗの高周 波電力を掛ける。これから２００Ｖ〜５００Ｖのバイアス電圧が得られる。高周 波を供給される基体ホルダーはターゲットに対して８０〜１５０ｍｍの間隔があ る。この方法の場合にも、基体に関して最大のイオン流密度となる様にマグネッ トを追加的に組入れることによって追加的な磁場支援を行う。プロセス圧は４× １０^-3ｍｂａｒの域にあり、この場合Ａｒ／Ｎ²混合物を用いて実施してもよい 。Ｎ₂含有量は８０％である（流れ）。 ● 直流バイアスによる基体ホルダー： ｃＢＮ法の変法はＤＣ−マグネトロン 装置を基体ホルダーについても直流電圧で運転することを本質とする。この場合 には基体ホルダーは特殊鋼または他の適当な金属より成る。他の調製は上記のＨ Ｆ−バイアスの例と同じである。ホルダーの所だけ、５００ＶのＤＣ−バイアス 電圧を印加する。６μm までの被覆厚の高絶縁性のｃＢＮ層がこの様にして製造 できることが判った。 この実施例の変法として被覆の前に、導電性のＴｉＢ（Ｎ）および／またはＢ₄ Ｃより成る１００ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さの中間層を基体ホルダーおよびそ の上に取付けたホルダーの上に設ける。 匹敵する導電性の層を、更に厚い層を製造するために非常に制限された厚さで 設ける。 直流電圧マグネトロンの実施例の場合にも試料の外的加熱を省くことができる 。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ダーウド・ジモーネ ドイツ連邦共和国、デー−38122 ブラウ ンシュヴァイク、フランクフルター・スト ラーセ、268

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．直流アーク放電または直流で稼働するマグネトロン−カソードによってプラ ズマを発生する、不平衡マグネトロンとしての運転法において、高周波または直 流電圧にてアトマイジングすることによって立方晶窒化硼素より成る耐摩耗性層 または立方晶窒化硼素を含有する耐摩耗性層を製造する方法において、出発ター ゲットとして導電性炭化硼素より成るターゲットを使用しそして層の化学量論を 、反応工程を進めながらＮ₂およびＡｒの供給下に調節することを特徴とする、 上記方法。 ２．窒化硼素より成るターゲットを７０〜９０原子％の硼素と１０〜３０原子％ の炭素より成る組成範囲で使用する請求項１に記載の方法。 ３．Ｂ₄Ｃより成るターゲットを使用する請求項２に記載の方法。 ４．付着する層の炭素の割合を５原子％以下の値に低下させる請求項１〜３のい ずれか一つに記載の方法。 ５．立方晶窒化硼素より成る層の接合性の改善のためにプロセスガス組成および プロセス条件を段階的にまたは連続的に変更することによって、減圧を中断する ことなしに基体に下塗層を付着させる請求項１〜４のいずれか一つに記載の方法 。 ６．被覆工程前に、０．１〜０．５μmの層厚さを有する炭化硼素／窒化硼素よ り成る層で基体ホルダーを被覆する請求項１〜５のいずれか一つに記載の方法。 ７．高周波アトマイジングさせる場合、ターゲット側および基体側への高周波負 荷を行ない、その際に１００〜１０００Ｖの範囲内のマイナスのバイアス電圧を 利用し、ターゲットの所で３〜１７Ｗ／ｃｍ²の面積電力をそして基体の所で１ 〜１１Ｗ／ｃｍ²の面積電力を印加し、被覆工程の間の基体温度は３００〜５０ ０℃に維持し、５％から１００％近くのＮ₂含有量のＡｒ／Ｎ₂−ガス混合物より 成るプロセスガスを使用しそしてプロセス圧を１〜５０μｂａｒに調節する、請 求項１〜６の何れか一つに記載の方法。 ８．基体に直流電圧を印加する請求項７に記載の方法。 ９．ターゲットの所で６Ｗ／ｃｍ²の面積電力をそして基体の所で２Ｗ／ｃｍ² の面積電力を印加し、被覆工程の間、基体を３５０℃の平衡温度に維持し、１０ 〜７０％のＮ₂を含有するＡｒとＮ₂とのプロセスガス混合物および２０μｂａｒ のプロセス圧を利用する請求項７または８に記載の方法。 １０．不平衡マグネトロンとしての運転法において直流電圧マグネトロン−アト マイジングする場合には、ターゲットの所で２〜１３Ｗ／ｃｍ²の面積電力をそ して基体の所で０．４〜８Ｗ／ｃｍ²の面積電力を印加し、基体ホルダーを回転 可能に設置し、プロセス圧が１〜１０μｂａｒの範囲内にあり、プロセスガスと して１０から１００％近くのＮ₂含有量を有するＡｒ／Ｎ₂−ガス混合物を１〜１ ０μｂａｒの範囲に維持しそして基体ホルダーの所に１００〜８００Ｖ（直流電 圧）のバイアス電圧または１００〜１０００Ｖ（高周波電圧）のバイアス電圧を 印加する請求項１〜６の何れか一つに記載の方法。 １１．ターゲットの所で５Ｗ／ｃｍ²の面積電力をそして基体の所で１Ｗ／ｃｍ² の面積電力を印加し、５０％のＮ₂含有量のプロセスガス流および４μｂａｒの プロセス圧に調整する請求項１０に記載の方法。 １２．方法を磁場で支援しながら実施し、その際に容器中に４〜７ｍＴの磁束密 度を有するコイルが組み込まれている請求項１１に記載の方法。 １３．最大イオン流密度が基体の所で達成されるように追加的なマグネットまた は電磁コイルが構成されている場合に、追加的に磁場で支援する請求項１２に記 載の方法。 １４．プロセスガスに硼素含有ガスを添加する請求項１〜１３の何れか一つに記 載の方法。 １５．プロセスガスにジボロンまたはトリメチルボラジンを供給する請求項１４ に記載の方法。 １６．被覆工程の際に１００℃〜６００℃の温度を使用する請求項１〜１５の何 れか一つに記載の方法。 １７．請求項１〜１６の何れか一つに記載の方法を耐摩耗性工具の製造に用いる 方法。 １８．機械的摩耗および／または接合の負荷が掛かる要素並びに軸受および／ま たは軸受部材に用いる請求項１７に記載の方法。 １９．請求項１〜１６の何れか一つに記載の方法を立方晶窒化硼素で被覆された ピックアップ−カートリッジおよび磁気テープのテープガイド要素の製造に用い る方法。 ２０．請求項１〜１６の何れか一つに記載の方法を電子用途分野のために、特に 微量物質含有または不含の電子部材の製造に使用する方法。 ２１．請求項１〜１６の何れか一つに記載の方法を耐食性層および絶縁層の製造 に用いる方法。 ２２．請求項１〜１６の何れか一つに記載の方法を被覆層および機械的負荷に対 しての保護層を有する光学要素の製造に用いる方法。