DE2527184C3 - Vorrichtung zur Herstellung von Targets für Kathodenzerstäubung - Google Patents
Vorrichtung zur Herstellung von Targets für KathodenzerstäubungInfo
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Description
Die Erfinduag: betrifft eine Vorrichtung zur Herstellung von Targets für Kathodenzerstäubung aus in
einer Trägerschale trocken verpreßten Pulvern.
Solche Vorrichtungen sind bereits bekannt (GB-PS Il 84 428), wobei dort die Preßform gleichzeitig als
Trägerschale für das verpreßle Pulver-Target dient Bekanntlich werden zur Herstellung .dünner Schichten
auf Substraten durch Kathodenzerstäubung in einer zwischen einer Kathode und einer Gegenelektrode
gezündeten und aufrechterhaltenen elektrischen Gasentladung in einer aus inerten und gegebenenfalls
reaktiven Gasen bestehenden Atmosphäre geringen Drucks aus der Auftreffplaite der kathode (im weiteren
als Target bezeichnet) Teilchen von atomarer Größe von den aufprallenden Ionen herntsgeschlagen (zerstäubt) und auf in der Nähe der Gegenelektrode
angeordneten Substraten niedergeschlagen.
Das Target besteht üblicherweise aus dem Material, aus dem die zu bildende Schicht bestehen soll, also
beispielsweise:aus Metalloxiden z.B. zur Herstellung
dünner ferromagnetischer Schichten für integrierte Magnetspeicher oder aus Metallen zur Herstellung
dünner Metallschichten, z. B. für Dünnschichtwiderstände. Bd der Herstellung von Metalloxidschichten kann
aber auch von einem metallischen Target ausgegangen werden, aus dem mit Hilfe von reaktiven Gasen z. B.
Sauerstoff erst nach der Kathodenzerstäubung auf dem Substrat Metalloxidschichten gebildet werden,
Targets können massive Metallplatten sein, sie können aber auch mit den in der Pulvermetallurgie
üblichen Verfahren hergestellt sein, wobei Preßkörper aus Pulvern gepreßt uod anschließend gesintert werden.
Um Restgase zu entfernen, muß der Zerstäubung^ raum vor Beginn des Aufstäubens auf einen Druck im
Bereich von etwa 2 χ IQ-8 mbar evakuiert werden. Bei
diesem Verfahrensschrttt haben die aus Pulvern trocken verpreßten Targets den Nachteil, daß in den Kornzwischenräumen adsorbierte Gase ebenfalls entweichen
und den Preßkörper des Targets dabei aufreißen. Hierbei können einzelne Körner aus dem Preßgefüge
mitgerissen werden; die sieh dann an unerwünschten Stellen im Reaktionsraum ablagern und später die
Qualität der herzustellenden Schichten nachteilig beeinflussen. Ein weiterer Nachteil durch das Aufreißen
der Pulver-Targets ergibt sich, wenn Teile der metallischen Trägerschale, in die das Pulver eingepreßt
wurde, freigelegt werden: bei dem nachfolgenden Kathodenzerstäubungsprozeß werden dann nicht nur
die Metall- oder Oxidteilchen des gepreßten Pulver-Targets zerstäubt, sondern es werden auch Teile der
Trägerschale mit zerstäubt, was zu Verunreinigungen der anschließend gebildeten Schicht führt
ί Diese Nachteile können durch Verwendung gesinterter oder massiver Targets vermieden werden. Andererseits bieten Targets aus trocken verpreßten Pulvern
große technologische Vorteile; denn sie sind billiger in der Herstellung, ermöglichen kürzere Evakuienjngszei
ten für den Reaktionsraum und lassen sich schneller
zerstäuben.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung der eingangs genannten Art so zu verbessern,
daß sich Targets aus trocken verpreßten Pulvern
herstellen lassen, ohne daß sich Nachteile beim
anschließenden Aufstäuben der Schichten ergeben. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst
daß die Trägerschale an ihrer Bodenfläche und/oder an ihrer Seitenfläche senkrecht zur Oberfläche verlaufende
öffnungen aufweist
Vorteile ergeben sich auch, wenn die öffnungen in der
Trägerschale an der dem Target zugewendeten Seite als Trichter ausgebildet sind, die sich in Halsteilen
fortsetzen und in parallel verlaufenden Kanälen
münden, die an der dem Target abgewandten Seite der
Trägerschale angebracht sind.
Durch die beschriebene Ausgestaltung der Trägerschale wird vorteilhafterweise erreicht daß die im
Pulver-Target adsorbierten Gase über die Vielzahl der
jo in der Bodenfläche und/oder der Seitenfläche der
Trägerschale angebrachten Kanäle definiert und in kleinen Mengen entweichen können, ohne das Gefüge
des Pulverpreßlings zu zerstören. Bei der Ausbildung einer Trägerschale mit öffnungen in Form von Kanälen
J5 können adsorbierte Gase also nicht nur über die freiliegende Oberseite des Targets, sondern mindestens
auch über seine Bodenfläche, d.h. also über seine Haupt flächen oder über seine Seiten- und Bodenfläche,
also über alle Außenflächen und damit praktisch über
die gesamte Oberfläche des Targets entweichen. Es entstehen keine Risse im Target mit der Gefahr der
Freilegung des Metalls der Trägerschale und die entweichenden Gase haben auch nicht einen so hohen
Druck, daß Pulverteilchen aus dem Target schon beim
Evakuierungsprozeß losgerissen werden und vagabundieren.
Als Material für die Trägerschale wird zweckmäßigerweise ein elektrisch leitendes Material verwendet.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der
Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es
zeigt
Fig. la ein erstes Ausführungsbeispiel einer Trägerschale gemäß der beschriebenen Vorrichtung in
Draufsicht,
Fig. Ib eine Trägerschale gemäß der beschriebenen
Vorrichtung im Schnitt entsprechend der Linie 1-1 aus
Fig. la,
Fig.2a ein zweites Ausführungsbeispiel einer Trägerschale gemäß der beschriebenen Vorrichtung als
Fig.2b eine Trlgerschale nach Pig.2a im Schnitt
entsprechend der Linie H-Il in Fig.2a (vergrößerter Ausschnitt),
Fig.3 eine Anordnung eines Targets gemäß Fig. la
h'i und Ib innerhalb einer Vakuumkammer mit den
wichtigsten Versorgungsleitungen als Prinzipskizze.
Die in den Fig. I a und Ib dargestellte Trägerschale 1
ist an ihrer einem Pulver-Target S abgewandten
BodenflSche von einer Vielzahl von parallel laufenden
Kanälen 3 durchzogen. In die Kanäle 3 münden eine Vielzahl von Bohrungen, die an der dem Pulver-Target 5
zugewandten Seite der Trägerschale 1 als Trichter 7 ausgebildet sind und sich als Halsteil 9 fortsetzen; der ·>
Halsteil 9 stellt die Mündung des Trichters 7 in den Kanal 3 dar. Der öffnungswinkel der Trichter beträgt
etwa 120°, Die trichterförmige Ausbildung der Bohrungen hat den Vorteil, daß die effektive Räche für den
Austritt adsorbierter Gase vergrößert wird und daß sich durch Ausbildung eines Schüttkegels beim Füllen der
Trägerschale 1 der Halsteil 9 nicht mit Pulvermaterial zusetzt
Ein zweites Ausführungsbeispiel für eine Trägerschale gemäß der beschriebenen Vorrichtung ist in den
Fig.2a und 2b dargestellt; hier sind auch die Seitenwände der Trägerschale 1 für das Pulver-Target 5
mit öffnungen in Form von Trichtern 7 mit Halsteilen 9 versehen, die ein Entweichen der im Pulver-Target 5
adsorbierten Gase nach allen Seiten des Targets 5 ermöglichen. Diese Ausführungsform der Trägerschale
1 eignet sich besonders für Pulver-Targets größerer Dicke und bietet darüber hinaus den Vorteil, daß die
angestrebte gleichmäßige Struktur der Pulver-Targets bis in die äußerste Randzone des Targets erreicht
werden kann. Die Bezeichnungen entsprechen den in den Fig. la und Ib verwendeten Bezeichnungen.
Zweckmäßigerweise kann eine verbesserte Wärmeabfuhr dadurch erreicht werden, daß eine Kühlplatte 19,
z. B. aus Kupfer, mit der Unterseite der Trägerschale 1 in Kontakt gebracht wird.
In einer Vorrichtung gemäß Fig.3 mit einer
Gegenelektrode JJ, einer Hochfrequenzkathode 13, einem Pumpstutzen 15 zur Evakuierung der Anlage,
einer Gaszuführungsleitung J 7 und Leitungen 19 zur Einspeisung der Elektrodenspannung wurden Substrate,
wie sie üblicherweise in der Dünnschichttechnologie zur Anwendung kommen, also Substrate z. B. aus Glas,
Ferriten oder Oxidkeramik mit Oxidschichten wie Indiumoxid, Eisenoxid, Chromoxid, Zinnoxid oder
Aluminiumoxid beschichtet Die Substrate hatten eine Abmessung von 30 χ 30 mm und waren in einem
Abstand von etwa 35 mm über dem zu zerstäubenden Target 5 angeordnet Das Pulver-Target 5 (Durchmesser
170 mm, Dicke 3 mm) wurde durch Einpressen der Oxidpulver in die Trägerschale 1 aus Kupfer bei einem
Preßdruck von 8—16 N/mm2 hergestellt Die Korngröße der verpreßten Pulver lag im Bereich von maximal
ΙΟμπι, vorzugsweise bei 55μπι. Dk Wandstärke der
Trägerschaie 1 betrug bei einem Durchmesser von etwa 180 mm 1,5 mm, der Boden der Trägerschale 1 war
7 mm dick und hatte in gleichmäßigem Abständen über die gesamte Fläche verteilt ca. 200 Öffnungen mündend
in Kanäle 3, wobei der öffnungswinkel der dem Target zugewandten Trichter 7 120° betrug; der sich an eine
haisartige Fortsetzung 9 des Trichters 7 anschließende Kanal 3 hatte etwa die gleiche Breite wie der maximale
Durchmesser des Trichterteils. Nachdem in der Vakuumkammer ein Druck von etwa 2 χ 10-6mbar
durch Evakuierung hergestellt war, wurde der Zerstäubungsprozeß unter Argon-Atmosphäre bei einem
Druck von 5 χ J0-2mbar eingeleitet Das Target
zeigte während und nach dem Evakuierungsprozeß eine unbeschädigte Oberfläche.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
- Patentansprüche;\, Vorrichtung zur Herstellung von Targets für Kathodenzerstäubung aus jn einer Trägerschale trocken verpreßten Pulvern, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägersehale (1) an ihrer Bodenfläche und/oder an ihrer Seitenfläche senkrecht zur Oberfläche verlaufende öffnungen (3,7,9) aufweist,
- 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Öffnungen in der Trägerschale (1) an der dem Target (5) zugewendeten Seite als Trichter (7) ausgebildet sind, die sich in Halsteilen (9) fortsetzen und in parallel verlaufenden Kanälen (3) münden, die an der dem Target (5) abgewandten Seite der Trägerschale (1) angebracht sind
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