DE2527184B2 - Vorrichtung zur Herstellung von Targets für Kathodenzerstäubung - Google Patents

Vorrichtung zur Herstellung von Targets für Kathodenzerstäubung

Info

Publication number
DE2527184B2
DE2527184B2 DE2527184A DE2527184A DE2527184B2 DE 2527184 B2 DE2527184 B2 DE 2527184B2 DE 2527184 A DE2527184 A DE 2527184A DE 2527184 A DE2527184 A DE 2527184A DE 2527184 B2 DE2527184 B2 DE 2527184B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
target
carrier shell
targets
powder
production
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE2527184A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2527184A1 (de
DE2527184C3 (de
Inventor
Ralf-Dieter Boehnke
Waldemar Goetze
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Philips Intellectual Property and Standards GmbH
Original Assignee
Philips Patentverwaltung GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Patentverwaltung GmbH filed Critical Philips Patentverwaltung GmbH
Priority to DE2527184A priority Critical patent/DE2527184C3/de
Priority to CA254,584A priority patent/CA1075198A/en
Priority to US05/694,842 priority patent/US4049523A/en
Priority to GB24688/76A priority patent/GB1554285A/en
Priority to JP51069424A priority patent/JPS51151685A/ja
Priority to FR7618568A priority patent/FR2316350A1/fr
Publication of DE2527184A1 publication Critical patent/DE2527184A1/de
Publication of DE2527184B2 publication Critical patent/DE2527184B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2527184C3 publication Critical patent/DE2527184C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Herstellung von Targets für Kathodenzerstäubung aus in einer Trägerschale trocken verpreßten Pulvern.
Solche Vorrichtungen sind bereits bekannt (GB-PS 11 84 428), wobei dort die Preßform gleichzeitig als Trägerschale für das verpreßte Pulver-Target dient. Bekanntlich werden zur Herstellung dünner Schichten auf Substraten durch Kathodenzerstäubung in einer zwischen einer Kathode und einer Gegenelektrode gezündeten und aufrechterhaltenen elektrischen Gasentladung in einer aus inerten und gegebenenfalls reaktiven Gas-:i bestehenden Atmosphäre geringen Drucks aus der Auftreffplatte der Kathode (im weiteren als Target bezeichnet) Teilchen von atomarer Größe von den aufprallenden Ionen he-ausgeschlagen (zerstäubt) und auf in der Nähe der Gegenelektrode angeordneten Substraten niedergeschlagen.
Das Target besteht üblicherweise aus dem Material, aus dem die zu bildende Schicht bestehen soll, also beispielsweise aus Metalloxiden z. B. zur Herstellung dünner ferromagnetischer Schichten für integrierte Magnetspeicher oder aus Metallen zur Herstellung dünner Metallschichten, z. B. für Dünnschichtwiderstände. Bei der Herstellung von Metalloxidschichten kann aber auch von einem metallischen Target ausgegangen werden, aus dem mit Hilfe von reaktiven Gasen z. B. Sauerstoff erst nach der Kathodenzerstäubung auf dem Substrat Metalloxidschichten gebildet werden.
Targets können massive Metallplatten sein, sie können aber auch mit den in der Pulvermetallurgie üblichen Verfahren hergestellt sein, wobei Preßkörper aus Pulvern gepreßt und anschließend gesintert werden.
Um Restgase zu entfernen, muß der Zerstäubungsraum vor Beginn des Aufstäubens auf einen Druck im Bereich von etwa 2 χ I0-6mbar evakuiert werden. Bei diesem Verfahrensschritt haben die aus Pulvern trocken verpreßten Targets den Nachteil, daß in den Kornzwischenräumen adsorbierte Gase ebenfalls entweichen und den Preßkörper des Targets dabei aufreißen. Hierbei können einzelne Körner aus dem Preßgefüge mitgerissen werden, die sich dann an unerwünschten Stellen im Reaktionsraum ablagern und später die Qualität der herzustellenden Schichten nachteilig beeinflussen. Ein weiterer Nachteil durch das Aufreißen der Pulver-Targets ergibt sich, wenn Teile der metallischen Trägerschale, in die das Pulver eingepreßt wurde, freigelegt werden: bei dem nachfolgenden Kathoden/crstäubungsprozeß werden dann nicht nur
die Metall- oder Oxidteilchen des gepreßten Pulver-Targets zerstäubt, sondern es werden auch Teile der Trägerschale mit zerstäubt, was zu Verunreinigungen der anschließend gebildeten Schicht führt
Diese Nachteile können durch Verwendung gesinterter oder massiver Targets vermieden werden. Andererseits bieten Targets aus trocken verpreßten Pulvern große technologische Vorteile; denn sie sind billiger in der Herstellung, ermöglichen kürzere Evakuierungszeiten für den Reaktionsraum und lassen sich schneller zerstäuben.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung der eingangs genannten Art so zu verbessern, daß sich Targets aus trocken verpreßten Pulvern herstellen lassen, ohne daß sich Nachteile beim anschließenden Aufstäuben der Schichten ergeben. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Trägerschale an ihrer Bodenfläche und/oder an ihrer Seitenfläche senkrecht zur Oberfläche verlaufende Öffnungen aufweist
Vorteile ergeben sich auch, wenn die öffnungen in der Trägersehale an der dem Target zugewendeten Seite als Trichter ausgebildet sind, die sich in Halsteilen fortsetzen und in parallel verlaufenden Kanälen münden, die an der dem Target abgewandten Seite der Trägerschale angebracht sind.
Durch die beschriebene Ausgestaltung der Trägerschale wird vorteilhafterweise erreicht daß die im Pulver-Target adsorbierten Gase über die Vielzahl der in der Bodenfläche und/oder der Seitenfläche der Trägerschale angebrachten Kanäle definiert und in kleinen Mengen entweichen können, ohne das Gefüge des Pulverpreßlings zu zerstören. Bei der Ausbildung einer Trägerschale mit öffnungen in Form von Kanälen können adsorbierte Gase also nicht nur über die freiliegende Oberseite des Targets, sondern mindestens auch über seine Bodenfläche, d. h. also über seine Hauptflächen oder über seine Seiten- und Boderifläche, also über alle Außenflächen und damit praktisch über die gesamte Oberfläche des Taifcts entweichen. Es entstehen keine Risse im Target mit der Gefahr der Freilegung des Metalls der Trägerschale und die entweichenden Gase haben auch nicht einen so hohen Druck, daß Pulverteilchen aus dem Target schon beim Evakuierungsprozeß losgerissen werden und vagabundieren.
Als Material für die Trägerschale wird zweckmäßigerweise ein elektrisch leitendes Material verwendet.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt
Fig. Ia ein erstes Ausführungsbeispiel einer Trägercchale gemäß der beschriebenen Vorrichtung in Draufsicht,
F i g. Ib eine Trägerschale gemäß der beschriebenen Vorrichtung im Schnitt entsprechend der Linie I-I aus F i g. 1 a,
Fig. 2a ein zweites Ausfuhrungsbeispiel einer Trägerschale gemäß der beschriebenen Vorrichtung als Seitenansicht (vergrößerter Ausschnitt),
Fig.2b eine Trägerschale nach Fig.2a im Schnitt entsprechend der Linie H-Il in Fig. 2a (vergrößerter Ausschnitt),
F i g. 3 eine Anordnung eines Targets gemäß F i g. 1 a und Ib innerhalb einer Vakuumkammer mit den wichtigsten Versorgungsleitungen als Prinzipskizze.
Die in den F i g. 1 a und Ib dargestellte Trägerschale 1 ist an ihrer einem Pulver-Target 5 abgewandten
Bodenfläche von einer Vielzahl von parallel laufenden Kanälen 3 durchzogen. In die Kanäle 3 münden eine Vielzahl von Bohrungen, die an der dem Pulver-Target 5 zugewandten Seite der Trägerschale 1 als Trichter 7 ausgebildet sind und sich als Halsteil 9 fortsetzen; der ■> Halsteil 9 stellt die Mündung des Trichters 7 in den Kanal 3 dar. Der öffnungswinkel der Trichter beträgt etwa 120°. Die trichterförmige Ausbildung der Bohrungen hat den Vorteil, daß die effektive Fläche für den Austritt adsorbierter Gase vergrößert wird und daß sich ι ο durch Ausbildung eines Schüttkegels beim Füllen der Trägerschale 1 der Halsteil 9 nicht mit Pulvermaterial zusetzt.
Ein zweites Ausführungsbeispiel für eine Trägerschale gemäß der beschriebenen Vorrichtung ist in den ]·> Fig.2a und 2b dargestellt; hier sind auch die Seitenwände der Trägerschale ! für das Pulver-Target 5 mit öffnungen in Form von Trichtern 7 mit Halsteilen 9 versehen, die ein Entweichen der im Pulver-Target 5 adsorbierten Gase nach allen Seiten des Targets 5 ermöglichen. Diese Ausführungsform der Trägerschale I eignet sich besonders für Puiver-Targets größerer Dicke und bietet darüber hinaus den Vorceil, daß die angestrebte gleichmäßige Struktur der Pulvar-Targets bis in die äußerste Randzone des Targets erreicht werden kann. Die Bezeichnungen entsprechen den in den F i g. 1 a und 1 b verwendeten Bezeichnungen.
Zweckmäßigerweise kann eine verbesserte Wärmeabfuhr dadurch erreicht werden, daß eine Kühlplatte 19, z. B. aus Kupfer, mit der Unterseite der Trägerschale 1 jo in Kontakt gebracht wird.
In einer Vorrichtung gemäß Fig.3 mit einer Gegenelektrode 11, einer Hochfrequenzkathode 13, einem Pumpstutzen 15 zur Evakuierung der Anlage, einer Gaszuführungsleitung 17 und Leitungen 19 zur Einspeisung der Elektrodenspannung wurden Substrate, wie sie üblicherweise in der Dünnschichttechnologie zur Anwendung kommen, also Substrate z. B. aus Glas, Ferriten oder Oxidkeramik mit Oxidschichten wie Indiumoxid, Eisenoxid, Chromoxid, Zinnoxid oder Aluminiumoxid beschichtet. Die Substrate hatten eine Abmessung von 30 χ 30 mm und waren in einem Abstand von etwa 35 mm über dem zu zerstäubenden Target 5 angeordnet Das Pulver-Target 5 (Durchmesser 170 mm, Dicke 3 mm) wurde durch Einpressen der Oxidpulver in die Trägerschale 1 aus Kupfer bei einem Preßdruck von 8—16 N/mm2 hergestellt. Die Korngröße der verpreßten Pulver lag im Bereich von maximal ΙΟμηι, vorzugsweise bei 55μπι. Die Wandstärke der Trägerschale 1 betrug bei einem Durchmesser von etwa 180 mm 1,5 mm, der Boden der Trägerschale 1 war 7 mm dick und hatte in gleichmäßigen Abständen über die gesamte Fläche verteilt ca. 200 Offnungen mündend in Kanäle 3, wobei der Öffnungswinkel der dem Target zugewandten Trichter 7 120° betrug; der sich an eine halsartige Fortsetzung 9 des Trichters 7 anschließende Kanal 3 hatte etwa die gleiche Breite wie der maximale Durc) messer des Trichterteils. Nachdem in der Vakuumkammer ein Druck von etwa 2 χ 10-6 mbar durch Evakuierung hergestellt war, wurde der Zerstäubungsprozeß unter Argon-Atmosphäre bei einem Druck von 5 χ ΙΟ"2 mbar eingeleitet. Das Target zeigte während und nach dem Evakuierungsprozeß eine unbeschädigte Oberfläche.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Vorrichtung zur Herstellung von Targets für Kathodenzerstäubung aus in einer Trägerschale trocken verpreßten Pulvern, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerschale (1) an ihrer Bodenfläche und/oder an ihrer Seitenfläche senkrecht zur Oberfläche verlaufende Öffnungen (3,7,9) aufweist
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Öffnungen in der Trägerschale (1) an der dem Target (5) zugewendeten Seite als Trichter (7) ausgebildet sind, die sich in Halsteilen (9) fortsetzen und in parallel verlaufenden Kanälen (3) münden, die an der dem Target (5) abgewandten Seite der Trägerschale (1) angebracht sind.
DE2527184A 1975-06-18 1975-06-18 Vorrichtung zur Herstellung von Targets für Kathodenzerstäubung Expired DE2527184C3 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2527184A DE2527184C3 (de) 1975-06-18 1975-06-18 Vorrichtung zur Herstellung von Targets für Kathodenzerstäubung
CA254,584A CA1075198A (en) 1975-06-18 1976-06-10 Method of and device for providing thin layers by cathode sputtering
US05/694,842 US4049523A (en) 1975-06-18 1976-06-10 Method of and device for providing thin layers by cathode sputtering
GB24688/76A GB1554285A (en) 1975-06-18 1976-06-15 Depositing layers by cathode-sputtering
JP51069424A JPS51151685A (en) 1975-06-18 1976-06-15 Method of forming thin layer by cathodic spattering process
FR7618568A FR2316350A1 (fr) 1975-06-18 1976-06-18 Procede et dispositif pour l'application de minces couches par pulverisation cathodiques

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2527184A DE2527184C3 (de) 1975-06-18 1975-06-18 Vorrichtung zur Herstellung von Targets für Kathodenzerstäubung

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2527184A1 DE2527184A1 (de) 1976-12-30
DE2527184B2 true DE2527184B2 (de) 1980-10-02
DE2527184C3 DE2527184C3 (de) 1981-07-02

Family

ID=5949375

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2527184A Expired DE2527184C3 (de) 1975-06-18 1975-06-18 Vorrichtung zur Herstellung von Targets für Kathodenzerstäubung

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4049523A (de)
JP (1) JPS51151685A (de)
CA (1) CA1075198A (de)
DE (1) DE2527184C3 (de)
FR (1) FR2316350A1 (de)
GB (1) GB1554285A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3103509A1 (de) * 1981-02-03 1982-08-12 Günter Dipl.-Phys. 6601 Heusweiler Kleer Verfahren zum herstellen duenner schichten, target zum durchfuehren dieses verfahrens und verfahren zum erzeugen dieses targets

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5459046U (de) * 1977-09-30 1979-04-24
US4135286A (en) * 1977-12-22 1979-01-23 United Technologies Corporation Sputtering target fabrication method
US4735701A (en) * 1984-08-21 1988-04-05 Komag, Inc. Disk carrier
US4595481A (en) * 1984-08-21 1986-06-17 Komag, Inc. Disk carrier
JPH0774436B2 (ja) * 1990-09-20 1995-08-09 富士通株式会社 薄膜形成方法
US5306405A (en) * 1992-06-26 1994-04-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Sputtering target and method of manufacture
US5637199A (en) * 1992-06-26 1997-06-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Sputtering shields and method of manufacture
US5656216A (en) * 1994-08-25 1997-08-12 Sony Corporation Method for making metal oxide sputtering targets (barrier powder envelope)
US6582641B1 (en) * 1994-08-25 2003-06-24 Praxair S.T. Technology, Inc. Apparatus and method for making metal oxide sputtering targets
DE19834733C1 (de) * 1998-07-31 2000-04-27 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung und Verfahren zur Beschichtung und/oder Oberflächenmodifizierung von Gegenständen im Vakuum mittels eines Plasmas
US6641673B2 (en) * 2000-12-20 2003-11-04 General Electric Company Fluid injector for and method of prolonged delivery and distribution of reagents into plasma

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2103623A (en) * 1933-09-20 1937-12-28 Ion Corp Electron discharge device for electronically bombarding materials
DE721580C (de) * 1937-12-25 1942-06-10 Bernhard Berghaus Gaszuleitung und Gasableitung fuer Kathodenzerstaeubungsapparate
FR1533195A (fr) * 1966-03-23 1968-07-19 Centre Nat Rech Scient Perfectionnements apportés aux moyens pour la préparation de couches minces de ferrites
US3464907A (en) * 1967-02-23 1969-09-02 Victory Eng Corp Triode sputtering apparatus and method using synchronized pulsating current
US3595775A (en) * 1969-05-15 1971-07-27 United Aircraft Corp Sputtering apparatus with sealed cathode-shield chamber
FR2071512A5 (de) * 1969-12-31 1971-09-17 Radiotechnique Compelec
US3791955A (en) * 1972-12-11 1974-02-12 Gte Laboratories Inc Preparation of chalcogenide glass sputtering targets
US3850604A (en) * 1972-12-11 1974-11-26 Gte Laboratories Inc Preparation of chalcogenide glass sputtering targets
US3976555A (en) * 1975-03-20 1976-08-24 Coulter Information Systems, Inc. Method and apparatus for supplying background gas in a sputtering chamber

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3103509A1 (de) * 1981-02-03 1982-08-12 Günter Dipl.-Phys. 6601 Heusweiler Kleer Verfahren zum herstellen duenner schichten, target zum durchfuehren dieses verfahrens und verfahren zum erzeugen dieses targets

Also Published As

Publication number Publication date
GB1554285A (en) 1979-10-17
US4049523A (en) 1977-09-20
DE2527184A1 (de) 1976-12-30
DE2527184C3 (de) 1981-07-02
FR2316350B1 (de) 1979-06-22
CA1075198A (en) 1980-04-08
FR2316350A1 (fr) 1977-01-28
JPS5527148B2 (de) 1980-07-18
JPS51151685A (en) 1976-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2102352C3 (de) Hochfrequenzbetriebene Sprühvorrichtung
DE2527184C3 (de) Vorrichtung zur Herstellung von Targets für Kathodenzerstäubung
DE1621599C2 (de) Einrichtung zum Abtragen von Verunrei nigungen einer auf einem Halbleiterkörper aufgebrachten metallischen Schicht im Be reich von kleinen Offnungen einer Isolier schicht durch Kathodenzerstäubung
DE69637232T2 (de) Sputtern von lithium
DE4235953C2 (de) Sputterquelle mit einer linearen Hohlkathode zum reaktiven Beschichten von Substraten
DE3941346A1 (de) Verfahren zur herstellung von mehrschichtkondensatoren
DE4019439A1 (de) Verfahren zum herstellen von presskoerpern
DE19606463C2 (de) Mehrkammer-Kathodenzerstäubungsvorrichtung
DE1690276B1 (de) Kathodenzerstaeubungsvrfahren zur herstellung ohmscher kontakte auf einem halbleitersubstrat und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
DE3607844A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von vertiefungen und/oder ausnehmungen mit abgeschraegten aussenkanten an der oberflaeche von werkstuecken aus halbleitendem material und/oder daran aufgebrachten duennen schichten durch aetzen
DE3341397A1 (de) Verfahren zur herstellung einer anzeigevorrichtung und danach hergestellte anzeigevorrichtung
DE60028844T2 (de) Herstellungsverfahren eines nicht verdampfbaren Getters und Herstellungsverfahren eines Bilderzeugungsgeräts
DE3829260A1 (de) Plasmabeschichtungskammer mit entfernbarem schutzschirm
DE2919869C2 (de) Vorrichtung zum Überziehen von gepulvertem Material mit einer Metallschicht
DE2651382A1 (de) Verfahren zur kathodenzerstaeubung
DE2835017C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Überspannungsableitern
DE4102927A1 (de) Vorratskathode und verfahren zu ihrer herstellung
EP1520290B1 (de) Vorrichtung zur beschichtung von substraten mittels physikalischer dampfabscheidung über den hohlkathodeneffekt
DE2113198A1 (de) Anzeigevorrichtung oder -tafel
DE2032639C3 (de) Verfahren zum Niederschlagen einer dünnen Goldschicht auf einem Träger durch Kathodenzerstäubung
DE10122070B4 (de) Kathodenzerstäubungskammer zum Aufbringen von Material auf der Oberfläche einer in der Kammer befindlichen Halbleiterscheibe
DE3918256A1 (de) Vorrichtung zur abscheidung von dielektrischen schichten
DE102017213838A1 (de) Verfahren zur Durchkontaktierung einer Leiterplatte und eine solche Leiterplatte
DE4102198A1 (de) Rf-plasma-cvd-vorrichtung und duennfilm-herstellungsverfahren unter anwendung der vorrichtung
DE1690692A1 (de) Verfahren zum Aufbringen einer Schicht aus anorganischem festem Material auf einer Unterlage durch Kathodenzerstaeubung

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee